DE19907971A1 - Bildsensor und Verfahren zum Betreiben eines Bildsensors - Google Patents
Bildsensor und Verfahren zum Betreiben eines BildsensorsInfo
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Abstract
Um die Abklingzeit eines Bildsensors mit einer Mehrzahl von Lichtsensorelementen zu verbessern und höhere Bildfolgefrequenzen zu ermöglichen, bei dem ein für eine Lichtstärke repräsentativer erster Signalpegel vom Lichtsensorelement abgegriffen, das Lichtsensorelement rückgesetzt und dann ein resultierender zweiter Signalpegel abgegriffen wird, ist vorgesehen, daß der Ausgang des Lichtsensorelements auf einen in Funktion des abgegriffenen repräsentativen Signalpegels gewählten Signalpegel initialisiert wird, bevor das Abgreifen dieses Signalpegels wiederholt wird.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren
zum Betreiben eines Bildsensors mit einer Mehrzahl
von Lichtsensorelementen, bei dem die Schritte
- a) Abgreifen eines für eine von dem Lichtsensorele ment aufgenommene Lichtmenge repräsentativen er sten Signalpegels an einem Ausgang des Lichtsen sorelements und
- b) Rücksetzen des Lichtsensorelements und Abgreifen eines resultierenden zweiten Signalpegels
für jedes Lichtsensorelement ausgeführt werden.
Des weiteren betrifft die Erfindung einen Bildsen
sor mit einer Mehrzahl von Lichtsensorelementen,
die jeweils einen Ausgang zum Ausgeben eines für
eine von dem Lichtsensorelement aufgenommene Licht
menge repräsentativen Signalpegels aufweisen, und
einem Rücksetz-Schaltungselement zum Rücksetzen der
Lichtsensorelemente anhand eines für alle Lichtsen
sorelemente gleichen Rücksetzsignals.
Ein Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Betrieb
in der oben genannten Art sind aus S. Decker, R.
McGrath, K. Brehmer, C. Sodini, 1998, IEEE Interna
tional Solid State Corcuits Conference, Seiten 176
bis 177, bekannt.
Das Rücksetzen der Lichtsensorelemente und das Ab
greifen des daraus resultierenden zweiten Signalpe
gels sind erforderlich, um Ungleichmäßigkeiten, die
zwischen den einzelnen Pixeln oder Lichtsensorele
menten eines Bildsensors bestehen können, bei
spielsweise im Dunkelstrom eines lichtempfindlichen
Halbleiterübergangs oder, sofern vorhanden, eines
an diesen Halbleiterübergang angeschlossenen Ver
stärkers, zu kompensieren. Derartige Ungleichmäßig
keiten werden unter dem Sammelbegriff FPN bezie
hungsweise Fixed Pattern Noise zusammengefaßt. Ihre
Kompensation ist für eine Erfassung der von dem
Lichtsensorelement aufgenommenen Lichtmenge mit ho
her Helligkeitsauflösung beziehungsweise hoher Hel
ligkeitsdynamik unverzichtbar, insbesondere wenn es
sich um ein Lichtsensorelement in CMOS-Technologie
handelt.
Das Rücksetzen hat zur Folge, daß das Ausgangs
signal jedes Lichtsensorelements mit einer Fre
quenz, die der Bildaufnahmefrequenz des Bildsensors
entspricht, zwischen einem festen Rücksetzpegel und
einem belichtungsabhängigen Pegel oszilliert, wobei
die Differenz zwischen den beiden Pegeln beträcht
lich sein kann. Die Rückkehr vom Rücksetzpegel zum
belichtungsabhängigen Pegel ist mit einer Auf- be
ziehungsweise Umladung der Kapazitäten des Licht
sensorelements verbunden, die wesentlich von dem
Fotostrom des lichtempfindlichen Halbleiters gelei
stet werden muß. Deshalb benötigt der Bildsensor
nach jedem Rücksetzen eine gewisse Erholungszeit,
bevor erneut Helligkeitssignale von seinen einzel
nen Lichtsensorelementen abgegriffen werden können.
Zwar ließe sich der Fotostrom eines einzelnen Ele
ments durch Vergrößern der Fläche des lichtempfind
lichen Halbleiterübergangs ohne weiteres vergrö
ßern, doch ermöglicht dies keine höhere Bildaufnah
mefrequenz, da mit der Fläche des Übergangs auch
seine Kapazität anwächst.
Das erfindungsgemäße Verfahren sieht als zusätzli
chen Verfahrensschritt vor, daß nach dem Rücksetzen
des Lichtsensorelements und vor dem Abgreifen eines
weiteren Signalpegels vom Ausgang des Lichtsensore
lements dieser Ausgang auf einen Signalpegel in
itialisiert wird, der in Abhängigkeit vom zuvor von
diesem Ausgang abgegriffenen, für die aufgenommene
Lichtstärke repräsentativen ersten Signalpegel ge
wählt wird. Diesem zusätzlichen Schritt liegt der
Gedanke zugrunde, daß der Helligkeitswert, den ein
Lichtsensorelement während eines gegebenen Bildzy
klus aufnimmt, meist in der Nähe desjenigen Pegels
liegen wird, der während des vorangehenden Zyklus
aufgenommen wurde. Wenn der Ausgang des Lichtsenso
relements folglich auf einen Pegel initialisiert
wird, der wenigstens in der Nähe des zuvor an die
sem Lichtsensorelement abgegriffen liegt, ist die
Zeit verkürzt, die das Lichtsensorelement noch be
nötigen wird, um sich auf einen für die aktuell
aufgenommene Lichtmenge repräsentativen Pegel ein
zustellen. Dabei ist vorzugsweise der in Funktion
des ersten Signalpegels gewählte Signalpegel für
die Initialisierung mit dem zuvor abgegriffenen er
sten Signalpegel identisch.
Eine Auswirkung des zusätzlichen Verfahrensschritts
ist, daß der beim Rücksetzen des Lichtsensorele
ments eingestellte Signalpegel im wesentlichen frei
wählbar ist und insbesondere auch innerhalb des Dy
namikbereichs des Sensorelements liegen darf. Dabei
spricht für die Wahl eines Signalpegels außerhalb
des Dynamikbereichs die einfache schaltungstechni
sche Realisierbarkeit dieser Variante, bei Verwen
dung eines Signalpegels innerhalb des Dynamikbe
reichs läßt sich - da Betrieb der Schaltungsbau
steine in Sättigung vermieden wird - eine kürzere
Reaktionszeit des Sensorelements erreichen.
Dieser zusätzliche Verfahrensschritt wirkt sich be
sonders vorteilhaft aus bei einem Verfahren, bei
dem der aus dem Rücksetzen resultierende Signalpe
gel außerhalb des Dynamikbereiches des Lichtsen
sorelements liegt, die Differenz zwischen den zwei
abgegriffenen Signalpegeln also unabhängig von der
vom Lichtsensorelement aufgenommenen Lichtstärke
nicht zu vernachlässigen ist.
Bei dem Verfahren beziehungsweise dem Bildsensor
gemäß der Erfindung kann der aus dem Rücksetzen re
sultierende Signalpegel allerdings auch innerhalb
des Dynamikbereichs der Sensorelemente liegen.
Dieser Signalpegel ist während des Betriebs des
Bildsensors für alle Bildzyklen gleich.
Ein besonders bevorzugter Anwendungsbereich des
Verfahrens sind Bildsensoren, bei denen das Licht
sensorelement einen bei schwacher Inversion betrie
benen Fototransistor oder eine Fotodiode umfaßt.
Derartige Bildsensoren haben den Vorteil, daß ihre
Fototransistoren einen Fotostrom erzeugen, der ei
nen zum Logarithmus der Beleuchtungsstärke propor
tionalen Spannungs-Signalpegel generiert und des
halb eine Erfassung von Helligkeitswerten über ei
nen Bereich von bis zu 8 Dekaden mit einem dem
menschlichen Auge ähnlichem Verhalten ermöglichen,
doch ist dieser Vorteil durch äußerst geringe Foto
ströme erkauft, weswegen sich die mit dem Rückset
zen verbundene Änderung des Signalpegels gerade bei
derartigen Bildsensoren besonders störend bemerkbar
macht.
Entsprechende Vorteile wie mit dem erfindungsgemä
ßen Verfahren werden mit dem erfindungsgemäßen
Bildsensor erreicht, der gekennzeichnet ist durch
ein Initialisierungs-Schaltungselement zum Initia
lisieren des Ausgangs eines Lichtsensorelements auf
einen Pegel, der für jedes Lichtsensorelement durch
ein von dem Initialisierungs-Schaltungselement emp
fangenes Steuersignal vorgebbar ist.
Ein solcher Bildsensor umfaßt zweckmäßigerweise ein
Speicherelement zum Speichern des für die Licht
stärke repräsentativen Signalpegels und zum Ausge
ben des gespeicherten Signalpegels als Steuersignal
an das Initialisierungs-Schaltungselement. Diese
Speicherelemente sind vorzugsweise in einem gemein
samen Speicherblock zusammengefaßt. Die Zusammen
fassung erlaubt eine platzsparende Integration der
Speicherelemente. Außerdem kann jedes Speicherele
ment im Zeitmultiplex verschiedenen Lichtsensorele
menten zugeordnet werden.
Die Alternative, ein Speicherelement in jedem ein
zelnen Lichtsensorelement zu integrieren, hat dem
gegenüber den Vorteil, daß die Signalwege kürzer
und das Sensorelement infolgedessen schneller und
unempfindlicher gegen externe Störungen ist.
Da ein bei schwacher Inversion betriebener Fo
totransistor nur ein Signal mit relativ hoher Impe
danz liefern kann, ist sinnvollerweise jedem ein
zelnen Lichtsensorelement ein Verstärker zugeord
net. Dieser Verstärker ist in der Lage, ein gegen
Störungen und Rauschen relativ unempfindliches Si
gnal auf eine Busleitung des Bildsensors auszuge
ben. Um den Leistungsverbrauch des Verstärkers ge
ring zu halten, ist er zweckmäßigerweise als Span
nungsfolger mit Einheitsverstärkung ausgelegt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben
sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen.
Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau eines Lichtsensorelements ei
nes Bildsensors gemäß einer ersten Ausge
staltung der Erfindung;
Fig. 2 einen typischen zeitlichen Verlauf des
von dem Lichtsensorelement ausgegebenen
Signals;
Fig. 3 ein schematisches Schaltungsdiagramm ei
nes erfindungsgemäßen Bildsensors; und
Fig. 4 den Aufbau eines Lichtsensorelements ge
mäß einer zweiten Ausgestaltung der Er
findung.
Fig. 1 zeigt den Aufbau eines Lichtsensorelements
gemäß einer ersten Ausgestaltung der Erfindung. Ein
P-Kanal-CMOS-Fototransistor 1 ist mit einer ersten
Hauptelektrode und seinem Gate mit einem ersten
Versorgungspotential VSSA verbunden; die zweite
Hauptelektrode ist an das Gate eines ersten Transi
stors 4 angeschlossen. Eine Bulk-Elektrode des Pho
totransistors ist mit dem Versorgungspotential VDDA
verbunden. Diese Verbindung wirkt wie eine parasi
täre Source-Bulk-Diode, die in Sperrichtung zwi
schen das Versorgungspotential VDDA und die zweite
Hauptelektrode des Phototransistors geschaltet ist
und ist deshalb in der Figur als eine derartige Di
ode 30 dargestellt. Die Diode 30 stellt die aktive
Fläche des Sensors dar und generiert den Photostrom
in Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke.
Der erste Transistor 4 ist mit einem zweiten Tran
sistor 3 zwischen den zwei Versorgungspotentialen
VSSA und VDDA in Reihe geschaltet. Ein Regeltransi
stor 5 hat mit dem Versorgungspotential VDDA bezie
hungsweise einem Ausgang IBD verbundene Haupt
elektroden, sein Gate ist mit dem Ausgang IBD und
dem Gate des zweiten Transistors 3 verbunden. Durch
Einstellen eines aus dem Anschluß IBD gezogenen
Stroms, zum Beispiel mit Hilfe eines Potentiometers
(nicht gezeigt), läßt sich das Potential am Gate
des zweiten Transistors 3 und somit die Verstärkung
des Source-Folgers einstellen. Die Transistoren 3
und 5 bilden damit einen Stromspiegel.
Der Fototransistor 1 arbeitet in niedriger Inversi
on, was die Wirkung hat, daß der hindurchfließende
Fotostrom Iin proportional zur Beleuchtungsstärke,
der Spannungsabfall am Fototransistor aber propor
tional zum Logarithmus der Beleuchtungsstärke ist.
Dieser logarithmische Zusammenhang gilt über 8 De
kaden der Beleuchtungsstärke, was es ermöglicht,
Bilder mit extrem großen Helligkeitsunterschieden
zu verarbeiten. Dies ist insbesondere bei Anwendun
gen in der Kraftfahrzeugtechnik erwünscht, wo oft
Bilder mit extrem großen Helligkeitsunterschieden
zu verarbeiten sein können, zum Beispiel bei Aus
fahrten aus einem Tunnel, beim Fahren mit Gegenver
kehr bei Dunkelheit oder im Fall von Sonnenreflexen
an einem Bildgegenstand.
Um eine rauscharme Verarbeitung des Fotostroms zu
ermöglichen, ist die zweite Hauptelektrode des Fo
totransistors 1 an das Gate des ersten Transistors
4 angeschlossen, der als Spannungsfolger fungiert
und am Punkt 2 ein Potential bereitstellt, dessen
Änderungen denen des Gatepotentials exakt folgen,
dessen Innenwiderstand aber erheblich geringer ist,
so daß es über größere Entfernungen innerhalb eines
Bildsensors mit mehreren Lichtsensorelementen der
in Fig. 1 gezeigten Art übertragen werden kann,
ohne daß die unvermeidlichen Kapazitäten der Über
tragungsleitungen oder in diese eingestreute Stör
signale das Erfassungsergebnis wesentlich verfäl
schen. Der Punkt 2 hat somit die Funktion eines
Ausgangs des Bildsensorelements. Ein Decodiertran
sistor 8 ist zwischen den Punkt 2 und einen Ver
knüpfungspunkt Vout geschaltet und ist über einen
Decodereingang 10 adressierbar, um das Potential am
Punkt 2 an den Verknüpfungspunkt Vout durchzuschal
ten. Verknüpfungspunkte einer Vielzahl von Licht
sensorelementen können so an einer gemeinsamen Bus
leitung liegen.
Ein Bildsensor umfaßt eine Vielzahl von
Lichtsensorelementen mit den oben mit Bezug auf
Fig. 1 beschriebenen Bestandteilen, sowie mit be
kannten, über einen Adreßbus ansteuerbaren Zeilen-
und Spaltendecodierschaltungen zum selektiven Akti
vieren des Decodereingangs 10. Dieser Aufbau er
laubt es, anders als zum Beispiel bei den verbrei
teten CCD-Elementen, selektiv einzelne Ausschnitte
eines aufgenommenen Bildes abzufragen, und zwar,
ohne dabei die von dem Bildsensor aufgezeichnete
Helligkeitsinformation zu zerstören.
Weitere wichtige Elemente des Lichtsensorelements
aus Fig. 1 sind ein Initialisierungs- und Reset-
Transistor (im folgenden kurz IR-Transistor) 6 und
ein Initialisierungs-/Reset-Schalter 9. Ein analo
ges Speicherelement 7 kann, wie die Figur zeigt,
als Teil des Lichtsensorelements vorgesehen sein,
es kann aber auch ein Speicherelement außerhalb des
Lichtsensorelements vorgesehen sein und jeweils
mehreren Lichtsensorelementen zugeordnet sein, wie
an späterer Stelle erläutert wird.
Zur Erläuterung der Funktionen des IR-Transistors
6, des Speicherelements 7 und des I/R-Schalters 9
wird zunächst auf Fig. 2 eingegangen. Diese zeigt
einen typischen zeitlichen Verlauf des Potentials
am Punkt 2, wie er im Laufe eines Verfahrens zum
Betreiben eines Bildsensors nach der Erfindung auf
tritt. Am Zeitpunkt T0 hat das Potential am Punkt 2
den Wert VT0, der für die von dem Fototransistor zu
vor aufgenommene Lichtmenge repräsentativ ist. Die
ser Wert liegt zwischen Grenzen VMIN und VMAX, von
denen der erste dem Dunkelstrom des Fototransistors
und der zweite der Vollaussteuerung entspricht. Zum
Zeitpunkt T0 wird über den Decodiereingang 10 der
Decodiertransistor 8 aufgeschaltet und der Span
nungswert VT0 an eine nachgeordnete Verarbeitungs
schaltung ausgegeben. Gleichzeitig wird das Spei
cherelement 7 aktiviert, so daß der Spannungswert
VT0 darin gespeichert wird. Zum Zeitpunkt TR wird
das Lichtsensorelement zurückgesetzt, indem ein
Aufschaltpuls an das Gate des IR-Transistors 6 ge
geben wird, so daß dieser durchlässig wird und das
an seiner ersten Hauptelektrode über den normaler
weise in der in Fig. 1 gezeigten Stellung befind
lichen I/R-Schalter 9 anliegende Potential VDDA an
den Fototransistor 1 übertragen wird. Das Potential
von Punkt 2 nimmt daraufhin den Wert VReset an, der
größer ist als VMAX, also außerhalb des Dynamikbe
reichs des betreffenden Lichtsensorelements liegt.
Das Potential von Punkt 2 kann auch innerhalb des
Dynamikbereichs liegen, wenn der I/R-Schalter 9
nicht an VDDA, sondern an einem anderen Potential
liegt.
VReset wird ebenfalls von der nachgeordneten Verar
beitungsschaltung erfaßt, diese bildet daraufhin
die Differenz zwischen VReset und VT0, um so zu einem
Meßwert für die Beleuchtungsstärke des betreffenden
Lichtsensorelements zu gelangen, der im wesentli
chen frei von Fixed Pattern Noise ist (correlated
double sampling).
Dieses Rücksetzen hat zur Folge, daß das beleuch
tungsabhängige Potential an der zweiten Hauptelek
trode des Fototransistors 1 weit von dem Pegel ent
fernt ist, der den vorliegenden Beleuchtungsver
hältnissen entspricht. Um diesen letzteren Pegel
allein durch den Fotostrom im Fototransistor 1 zu
erreichen, sind lange Zeiten erforderlich, da der
Fototransistor sich in schwacher Inversion befin
det, der Fotostrom also äußerst gering ist, gleich
zeitig aber die lichtempfindliche Floating Source
des Transistors eine große Fläche und damit eine
nicht zu vernachlässigende Kapazität hat. Dieser
Sachverhalt ist in Fig. 2 durch die punktierte
Kurve 20 veranschaulicht. Diese benötigt die Zeit
spanne t1, um einen Wert VT1 zu erreichen, der der
Beleuchtungsstärke im Zeitintervall ΔT entspricht.
Um diese Zeitspanne zu verkürzen, ist vorgesehen,
daß am Zeitpunkt TI der I/R-Schalter 9 aus der in
Fig. 1 gezeigten Position zeitweilig in seine
zweite Position umgeschaltet wird, in der er den
IR-Transistor 6 mit einem Ausgang des Speicherele
ments 7 verbindet, an welchem der zuvor gespeicher
te Wert VT0 anliegt. Mit Hilfe eines zweiten Schalt
pulses auf dem Eingang IR wird dieser Wert vom IR-
Transistor 6 auf die zweite Hauptelektrode des Fo
totransistors 1 übertragen. Der Zeitaufwand hierfür
ist vernachlässigbar gegenüber der Zeit, die benö
tigt wird, um den entsprechenden Wert allein mit
Hilfe des Fotostroms wieder herzustellen. Da die
Differenz zwischen VT0 und VT1 allein der Änderung
der Beleuchtungsstärke am Fototransistor zwischen
Arbeitszyklen der Schaltung entspricht und somit
wesentlich kleiner ist als die Differenz zwischen
VReset und VT1, ist auch die Zeit t2, die benötigt
wird, damit sich ein im wesentlichen stationäres
Potential am Punkt 2 einstellt, wesentlich geringer
als t1. Dadurch ist es möglich, die Abtastzyklen
des Lichtsensorelements drastisch zu verkürzen und
dementsprechend die Bildrate des Bildsensors her
aufzusetzen.
Überraschenderweise ist der Faktor, um den die
Bildwiederholrate heraufgesetzt werden kann, sogar
größer, als allein aus dem Vergleich der in Fig. 2
dargestellten Zeitintervalle t1 und t2 zu erwarten
wäre. Der Grund dafür ist, daß mit steigender Bild
widerholrate in der Regel auch die Helligkeitsdif
ferenzen zwischen zwei aufeinanderfolgenden Ab
tastzyklen abnehmen und schon aus diesem Grunde die
Zeit, die zum Erreichen eines neuen stationären Po
tentials am Punkt 2 erforderlich ist, abnimmt.
Fig. 3 zeigt schematisch einen Bildsensor nach der
vorliegenden Erfindung. Er umfaßt im wesentlichen
eine matrixförmige Anordnung von m Zeilen und n
Spalten, wobei jedes Element der Matrix ein Licht
sensorelement wie in Fig. 1 dargestellt ist. Spal
ten- und Zeilendecoder 12, 13 sind in bekannter
Weise an einen Adreßbus 11 angeschlossen, um in Ab
hängigkeit von einer auf dem Adreßbus spezifizier
ten Adresse das entsprechende Lichtsensorelement
über seinen Decodiereingang 10 zu adressieren und
es zu veranlassen, die an seinem Punkt 2 anliegende
Spannung auf eine Sammelleitung 14 auszugeben, von
denen jede an die Ausgänge aller Lichtsensorelemen
te einer Spalte angeschlossen ist. Die Inhalte der
einzelnen Lichtsensorelemente können so zeilenweise
parallel ausgelesen werden. Die Sammelleitungen 14
führen zu einer sogenannten CTS (für Correlated
Triple Sampling)-Schaltung 15, welche die Abtastung
der einzelnen Zellen entsprechend dem oben be
schriebenen Verfahren steuert, indem sie in einem
ersten Abtastschritt die an den Punkten 2 der ein
zelnen Lichtsensorelemente anstehenden Potentiale
abtastet und in einem jeweils jeder einzelnen Sam
melleitung 14 beziehungsweise Spalte zugeordneten
Speicherelement 7 abspeichert, einen Rücksetzpuls
über eine Leitung 17 und den Zeilendecoder 13 an
die Zellen einer Zeile sendet, in einem zweiten Ab
tastschritt die daraufhin von den Zellen ausgegebe
nen Potentiale abtastet und in einem dritten
Schritt mit Hilfe einer Leitung 18 den I/R-Schalter
9 jedes Lichtsensorelements der Zeile umschaltet
und das ausgegebene Potential mit dem für jedes
Lichtsensorelement der Zeile einzeln in dem Spei
cherelement 7 der entsprechenden Spalte gespeicher
ten Wert überschreibt. Jedes Speicherelement wird
so im Rahmen eines Bildzyklus im Zeitmultiplex
nacheinander allen Lichtsensorelementen der Spalte
zugeordnet.
Mit Hilfe eines Analogmultiplexers 16 verschachtelt
die CTS-Schaltung 15 die erhaltenen Helligkeits
signale zu einem Bildsignal, das zum Beispiel auf
einem Monitor angezeigt werden und von einer Mu
stererkennungsschaltung oder dergleichen weiterver
arbeitet werden kann.
Fig. 4 zeigt eine weiterentwickelte Ausgestaltung
des Lichtsensorelements aus Fig. 1. Elemente, die
in gleicher Ausgestaltung und mit gleicher Funktion
in dem Lichtsensorelement der Fig. 1 vorkommen,
sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet und
brauchen nicht erneut detailliert beschrieben zu
werden. Das Speicherelement 7 ist außerhalb des
restlichen in Fig. 4 gezeigten Lichtsensorelements
angeordnet und kann über Schalter 9 jeweils unter
schiedlichen Lichtsensorelementen zugeordnet wer
den, wie oben mit Bezug auf Fig. 3 beschrieben.
Eine Diode 30 ist in Sperrichtung zwischen das Ver
suchungspotential VDDA und einer Hauptelektrode des
Fototransistors 1 geschaltet. Der Leckstrom dieser
Fotodiode 30 fließt durch den Fototransistor 1 und
einen mit diesem in Reihe geschalteten Transistor
31 zum zweiten Versorgungspotential VSSA ab. Zwei
weitere Transistoren 32, 33 sind zwischen den zwei
Versorgungspotentialen in Reihe geschaltet. Der
Transistor 32 wird in derselben Weise wie der oben
mit Bezug auf Fig. 1 beschriebene Transistor 3
über den Transistor 5 und den über diesen Transi
stor abgezogenen Ausgangsstrom IBD gesteuert. Die
Transistoren 32 und 33 sind so dimensioniert, daß
an dem Mittenpunkt 34 zwischen ihnen, der mit dem
Gate des Fototransistors 1 verbunden ist, ein Po
tential anliegt, das sicherstellt, daß der Fo
totransistor 1 ständig in schwacher Inversion be
trieben wird.
Dies bedingt gleichzeitig, daß auch die Transisto
ren 31 und 33 in schwacher Inversion arbeiten.
Wenn der Fotostrom steigt, erhöht sich das
Potential am Mittenpunkt 35 zwischen dem Fototran
sistor 1 und dem Transistor 31, an den das Gate des
Transistors 33 angeschlossen ist. Durch den Ver
stärkungsfaktor des Transistors 33 steigt das Po
tential am Mittenpunkt 34. Dementsprechend nimmt
die Gate-Source-Spannung des Fototransistors 1 zu.
Durch diese Rückkopplung ändert sich das Gatepoten
tial des Transistors 4 wesentlich schneller und
stärker, als dies bei der Schaltung nach Fig. 1
der Fall ist. Die Schaltung nach Fig. 4 ermöglicht
deshalb je nach Bedürfnis des Anwenders die Kon
struktion von schnelleren Bildsensoren oder solchen
mit verkleinerten und dementsprechend dichter inte
grierten Lichtsensorelementen.
Claims (13)
1. Verfahren zum Betreiben eines Bildsensors mit
einer Mehrzahl von Lichtsensorelementen, bei dem
die Schritte
- a) Abgreifen eines für eine von dem Lichtsensorele ment aufgenommene Lichtstärke repräsentativen ersten Signalpegels an einem Ausgang (2) des Lichtsensorelements,
- b) Rücksetzen des Lichtsensorelements und Abgreifen eines resultierenden zweiten Signalpegels
- a) Initialisieren des Ausgangs (2) des Lichtsensor elements auf einen in Funktion des abgegriffenen ersten Signalpegels gewählten Signalpegel, bevor Schritt a wiederholt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß der in Funktion des ersten Signalpegels
gewählte Signalpegel gleich dem ersten Signalpegel
ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß der aus dem Rücksetzen resultie
rende Signalpegel außerhalb oder innerhalb des Dy
namikbereiches des Lichtsensorelements liegt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtsensorelement
einen Fototransistor (1) oder eine Fotodiode um
faßt, der/die bei schwacher Inversion betrieben
wird.
5. Bildsensor mit einer Mehrzahl von Lichtsensore
lementen, die jeweils einen Ausgang (2) zum Ausge
ben eines für eine von dem Lichtsensorelement auf
genommene Lichtstärke repräsentativen Signalpegels
aufweisen, und einem Rücksetz-Schaltungselement (9)
zum Rücksetzen der Lichtsensorelemente anhand eines
für alle Lichtsensorelemente gleichen Rücksetzsi
gnals (VDDA), gekennzeichnet durch ein Initialisie
rungs-Schaltungselement (9) zum Initialisieren des
Ausgangs (2) auf einen Pegel, der für jedes Licht
sensorelement durch ein von dem Initialisierungs-
Schaltungselement (9) empfangenes Steuersignal vor
gebbar ist.
6. Bildsensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich
net, daß das Lichtsensorelement einen Fototransi
stor (1) oder eine Fotodiode umfaßt, der/die bei
schwacher Inversion arbeitet.
7. Bildsensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich
net, daß der Fototransistor eine Floating Source
aufweist.
8. Bildsensor nach einem der Ansprüche 5 bis 7, da
durch gekennzeichnet, daß jedem Lichtsensorelement
ein Verstärker (4) zugeordnet ist.
9. Bildsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich
net, daß der Verstärker (4) ein Spannungsfolger
ist.
10. Bildsensor nach einem der Ansprüche 4 bis 9,
mit wenigstens einem Speicherelement (7) zum Spei
chern des für die Lichtstärke repräsentativen Si
gnalpegels und zum Ausgeben des gespeicherten Si
gnalpegels an das Initialisierungs-
Schaltungselement (9).
11. Bildsensor nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß jedes Speicherelement (7) mit jeweils
einem unter mehreren Lichtsensorelementen im Multi
plex verbindbar ist.
12. Bildsensor nach Anspruch 10 oder 11, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere Speicherelemente (7) zu
einem Speicherblock zusammengefaßt sind.
13. Bildsensor nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß jedes Lichtsensorelement ein Speiche
relement umfaßt.
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