JP3122482B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネルおよびその製造方法に関する。
パネルおよびその製造方法に関する。
【０００２】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
は、表示の輝度及びコントラストの点で優れることか
ら、ＯＡ機器の表示手段などとして広く用いられてい
る。このようなＰＤＰにおいて表示の視認性をさらに向
上させることが望まれている。
は、表示の輝度及びコントラストの点で優れることか
ら、ＯＡ機器の表示手段などとして広く用いられてい
る。このようなＰＤＰにおいて表示の視認性をさらに向
上させることが望まれている。
【０００３】
【従来の技術】ＰＤＰは、放電空間を介して対向する一
対のガラス基板、及び放電セルを画定する電極群などか
ら構成され、放電セルで生じるガス放電によって表示を
行う。
対のガラス基板、及び放電セルを画定する電極群などか
ら構成され、放電セルで生じるガス放電によって表示を
行う。
【０００４】特に高精細のＰＤＰでは、電極の形成に際
して、高精度のパターンを得るために薄膜法が用いられ
ている。すなわち、電極は、スパッタリング蒸着などに
よって形成した蒸着膜（薄膜）をフォトリソグラフィ法
を用いてパターンニングすることによって形成される。
して、高精度のパターンを得るために薄膜法が用いられ
ている。すなわち、電極は、スパッタリング蒸着などに
よって形成した蒸着膜（薄膜）をフォトリソグラフィ法
を用いてパターンニングすることによって形成される。
【０００５】一般には、電極として、電気的特性及びガ
ラス基板などとの密着性に優れたクロムー銅ークロムの
三層構造の金属薄膜が用いられている。
ラス基板などとの密着性に優れたクロムー銅ークロムの
三層構造の金属薄膜が用いられている。
【０００６】なお、表示面側のガラス基板上の電極とし
て、ネサ膜やＩＴＯ膜などからなる透明電極を設ける場
合もあるが、その場合には、透明電極の導電性を補うた
めの補助電極（バス電極）として、細い幅の金属蒸着膜
が透明電極に重ねて設けられる。
て、ネサ膜やＩＴＯ膜などからなる透明電極を設ける場
合もあるが、その場合には、透明電極の導電性を補うた
めの補助電極（バス電極）として、細い幅の金属蒸着膜
が透明電極に重ねて設けられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述にしたように金属
蒸着膜からなる電極（バス電極を含む）は、その表面が
光沢のある鏡面となる。
蒸着膜からなる電極（バス電極を含む）は、その表面が
光沢のある鏡面となる。
【０００８】したがって、表示面側のガラス基板の内面
上に電極を有したＰＤＰでは、表示面からみてガラス基
板の直下に電極が配置されることから、電極の表面での
外光の反射によって、表示面内で電極部分が放電による
発光とは無関係に輝いてしまい、そのために表示の視認
性が損なわれるという問題があった。
上に電極を有したＰＤＰでは、表示面からみてガラス基
板の直下に電極が配置されることから、電極の表面での
外光の反射によって、表示面内で電極部分が放電による
発光とは無関係に輝いてしまい、そのために表示の視認
性が損なわれるという問題があった。
【０００９】本発明は、上述の問題に鑑み、外光の反射
による表示の視認性の低下を防止することを目的として
いる。
による表示の視認性の低下を防止することを目的として
いる。
【００１０】また、請求項２の発明は、表示の視認性の
低下を防止したＰＤＰを効率的に製造することを目的と
している。
低下を防止したＰＤＰを効率的に製造することを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＰ
ＤＰは、表示面側の基板の内面上に酸化クロムからなる
光吸収層が設けられ、当該光吸収層に重ねてクロムを下
地にした積層構造の電極が設けられたものである。請求
項２の発明に係る製造方法は、表示面側の基板上に酸化
クロム薄膜とクロム層を最下層とする積層構造の金属薄
膜とを順に連続的に成膜し、前記金属薄膜及び前記酸化
クロム薄膜を部分的に除去することによって、前記電極
及び前記光吸収層を形成するＰＤＰの製造方法である。
ＤＰは、表示面側の基板の内面上に酸化クロムからなる
光吸収層が設けられ、当該光吸収層に重ねてクロムを下
地にした積層構造の電極が設けられたものである。請求
項２の発明に係る製造方法は、表示面側の基板上に酸化
クロム薄膜とクロム層を最下層とする積層構造の金属薄
膜とを順に連続的に成膜し、前記金属薄膜及び前記酸化
クロム薄膜を部分的に除去することによって、前記電極
及び前記光吸収層を形成するＰＤＰの製造方法である。
【００１２】請求項３の発明に係る製造方法は、表示面
側の基板の内面上に金属薄膜からなる電極を有したプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に前記電極の材料である金属の酸化物からなる暗色薄
膜と前記電極の材料である金属の薄膜とを順に連続的に
成膜する工程と、前記金属薄膜及び前記暗色薄膜を部分
的に除去することによって、前記電極及びその表面を覆
う光吸収層を形成するパターンニング工程とを含む。
側の基板の内面上に金属薄膜からなる電極を有したプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に前記電極の材料である金属の酸化物からなる暗色薄
膜と前記電極の材料である金属の薄膜とを順に連続的に
成膜する工程と、前記金属薄膜及び前記暗色薄膜を部分
的に除去することによって、前記電極及びその表面を覆
う光吸収層を形成するパターンニング工程とを含む。
【００１３】
【作用】電極１３の表示面側の表面はクロムからなる。
この表面は光吸収層４０によって表示面Ｈに対して被覆
され、これによって電極１３での外光の反射が防止され
る。
この表面は光吸収層４０によって表示面Ｈに対して被覆
され、これによって電極１３での外光の反射が防止され
る。
【００１４】電極１３及び光吸収層４０は、連続的に成
膜した暗色薄膜４０ａと金属薄膜１３ａとをパターンニ
ングすることによって形成される。
膜した暗色薄膜４０ａと金属薄膜１３ａとをパターンニ
ングすることによって形成される。
【００１５】
【実施例】図１は本発明に係るＰＤＰ１の構造を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【００１６】ＰＤＰ１は、表示面Ｈ側のガラス基板１
１、背面側のガラス基板２１、各ガラス基板１１，２１
の内面上に形成された電極１３，２３、低融点ガラスか
らなる誘電体層１５，２５、ＭｇＯからなる保護膜１
７，２７、ガラス基板１１，２１の周囲を封止する封止
ガラス３１、及び電極１３の表示面Ｈ側に各電極１３に
重ねて設けられた光吸収層４０などから構成されたマト
リクス表示方式の対向放電型のＰＤＰである。
１、背面側のガラス基板２１、各ガラス基板１１，２１
の内面上に形成された電極１３，２３、低融点ガラスか
らなる誘電体層１５，２５、ＭｇＯからなる保護膜１
７，２７、ガラス基板１１，２１の周囲を封止する封止
ガラス３１、及び電極１３の表示面Ｈ側に各電極１３に
重ねて設けられた光吸収層４０などから構成されたマト
リクス表示方式の対向放電型のＰＤＰである。
【００１７】図示しないスペーサによって間隙寸法が規
定された内部の放電空間３０には、キセノンとネオンを
混合した放電ガスが封入されている。また、格子状に対
向配置された電極１３，２３の交差部には、表示のドッ
トに対応した放電セルが画定される。
定された内部の放電空間３０には、キセノンとネオンを
混合した放電ガスが封入されている。また、格子状に対
向配置された電極１３，２３の交差部には、表示のドッ
トに対応した放電セルが画定される。
【００１８】電極１３，２３は、クロムー銅ークロムの
三層構造の金属薄膜からなり、１００００Å程度の厚さ
を有する。クロム層は白銀色を呈しその表面は光沢のあ
る鏡面となる。
三層構造の金属薄膜からなり、１００００Å程度の厚さ
を有する。クロム層は白銀色を呈しその表面は光沢のあ
る鏡面となる。
【００１９】しかし、ＰＤＰ１では、表示面Ｈ側の電極
１３とガラス基板１１との間に、クロム層に比べて暗色
を呈する例えば酸化クロム又は酸化珪素からなる光吸収
層４０が設けられており、これによって外光が吸収さ
れ、電極１３の最上層（クロム層）での外光の反射が防
止される。
１３とガラス基板１１との間に、クロム層に比べて暗色
を呈する例えば酸化クロム又は酸化珪素からなる光吸収
層４０が設けられており、これによって外光が吸収さ
れ、電極１３の最上層（クロム層）での外光の反射が防
止される。
【００２０】次にＰＤＰ１の製造方法について説明す
る。
る。
【００２１】図２は本発明に係るＰＤＰ１の各製造段階
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【００２２】蒸着による成膜を行うため、ガラス基板１
１を図示しないスパッタリング蒸着装置のチャンバー内
に配置する。ここで使用するスパッタリング蒸着装置
は、チャンバー内に互いに異なる蒸着物質からなる複数
のターゲットが装填可能であり、ガラス基板１１を搬送
して各ターゲットに順次対向させることによって、連続
的に複層の蒸着膜を形成することができる。
１を図示しないスパッタリング蒸着装置のチャンバー内
に配置する。ここで使用するスパッタリング蒸着装置
は、チャンバー内に互いに異なる蒸着物質からなる複数
のターゲットが装填可能であり、ガラス基板１１を搬送
して各ターゲットに順次対向させることによって、連続
的に複層の蒸着膜を形成することができる。
【００２３】チャンバーの排気を行った後に酸素を導入
し、まず、酸素雰囲気中でクロムターゲット（Ｃｒ）の
スパッタリングを行う。これにより、蒸発したクロムと
酸素とが化合して蒸着することから、ガラス基板１１上
に酸化クロムからなる暗色蒸着膜４０ａが形成される
［図２（ａ）］。スパッタリング時間は暗色蒸着膜４０
ａの膜厚が１０００Å程度になるように選定する。
し、まず、酸素雰囲気中でクロムターゲット（Ｃｒ）の
スパッタリングを行う。これにより、蒸発したクロムと
酸素とが化合して蒸着することから、ガラス基板１１上
に酸化クロムからなる暗色蒸着膜４０ａが形成される
［図２（ａ）］。スパッタリング時間は暗色蒸着膜４０
ａの膜厚が１０００Å程度になるように選定する。
【００２４】なお、不活性ガス雰囲気中で酸化クロムタ
ーゲットのスパッタリングを行い、これによって酸化ク
ロムからなる暗色蒸着膜４０ａを形成することもでき
る。また、酸化クロムの暗色蒸着膜４０ａを形成する代
わりに、酸化珪素ターゲットを用いて酸化珪素からなる
蒸着膜を形成してもよい。
ーゲットのスパッタリングを行い、これによって酸化ク
ロムからなる暗色蒸着膜４０ａを形成することもでき
る。また、酸化クロムの暗色蒸着膜４０ａを形成する代
わりに、酸化珪素ターゲットを用いて酸化珪素からなる
蒸着膜を形成してもよい。
【００２５】続いて、再びチャンバーの排気を行った後
にアルゴンなどの不活性ガスを導入する。不活性ガス雰
囲気中でクロムターゲット及び銅ターゲットのスパッタ
リングを行い、クロム層１３１、銅層１３２、クロム層
１３３を順に蒸着して三層構造の金属蒸着膜１３ａ（膜
厚は１００００Å程度）を暗色蒸着膜４０ａ上に形成す
る［図２（ｂ）］。
にアルゴンなどの不活性ガスを導入する。不活性ガス雰
囲気中でクロムターゲット及び銅ターゲットのスパッタ
リングを行い、クロム層１３１、銅層１３２、クロム層
１３３を順に蒸着して三層構造の金属蒸着膜１３ａ（膜
厚は１００００Å程度）を暗色蒸着膜４０ａ上に形成す
る［図２（ｂ）］。
【００２６】以上の蒸着工程を終えた後、パターンニン
グ工程に移る。パターンニング工程では、感光性のレジ
ストの塗布、パターン露光、レジスト現像の一連のフォ
トリソグラフィ処理を行い、金属蒸着膜１３ａ上に所定
パターンのレジスト層６０をエッチングマスクとして設
ける［図２（ｃ）］。
グ工程に移る。パターンニング工程では、感光性のレジ
ストの塗布、パターン露光、レジスト現像の一連のフォ
トリソグラフィ処理を行い、金属蒸着膜１３ａ上に所定
パターンのレジスト層６０をエッチングマスクとして設
ける［図２（ｃ）］。
【００２７】次に、例えば、塩酸（クロムのエッチャン
ト）及び塩化第２鉄（銅のエッチャント）を用いて金属
蒸着膜１３ａを部分的に除去（エッチング）する。そし
て、引き続いてレジスト層６０をエッチングマスクとし
て、例えばフェリシアン化カリと水酸化ナトリウムの混
合溶液を用いて暗色蒸着膜４０ａをエッチングする。
ト）及び塩化第２鉄（銅のエッチャント）を用いて金属
蒸着膜１３ａを部分的に除去（エッチング）する。そし
て、引き続いてレジスト層６０をエッチングマスクとし
て、例えばフェリシアン化カリと水酸化ナトリウムの混
合溶液を用いて暗色蒸着膜４０ａをエッチングする。
【００２８】このように金属蒸着膜１３ａ及び暗色蒸着
膜４０ａをエッチングすることにより、暗色蒸着膜４０
ａからなる光吸収層４０と金属蒸着膜１３ａからなる電
極１３とが同一の平面パターンでガラス基板１１上に形
成される［図２（ｄ）］。
膜４０ａをエッチングすることにより、暗色蒸着膜４０
ａからなる光吸収層４０と金属蒸着膜１３ａからなる電
極１３とが同一の平面パターンでガラス基板１１上に形
成される［図２（ｄ）］。
【００２９】その後、電極１３を被覆する誘電体層１５
及び保護膜１７を設けたガラス基板１１と、別に電極２
３及び誘電体層２５などを設けた背面側のガラス基板２
１とを電極１３，２３が直交するように対向配置し、封
止ガラス３１による封止及び放電ガスの封入などを経て
ＰＤＰ１を完成させる。
及び保護膜１７を設けたガラス基板１１と、別に電極２
３及び誘電体層２５などを設けた背面側のガラス基板２
１とを電極１３，２３が直交するように対向配置し、封
止ガラス３１による封止及び放電ガスの封入などを経て
ＰＤＰ１を完成させる。
【００３０】上述の実施例によれば、光吸収層４０を蒸
着膜としたので、電極１３を形成するための蒸着工程に
際して、金属蒸着膜１３ａの蒸着に先立って１層の蒸着
を行うだけで光吸収層４０を設けることができ、光吸収
層４０を設けるための別途の工程が不要となることから
ＰＤＰ１を効率的に製造することができる。さらに、電
極１３の金属材料の酸化物（酸化クロム）によって光吸
収層４０となる暗色蒸着膜４０ａを形成するようにした
ので、蒸着雰囲気を変更するだけで暗色蒸着膜４０ａと
金属蒸着膜１３ａとを連続的に形成することができる。
着膜としたので、電極１３を形成するための蒸着工程に
際して、金属蒸着膜１３ａの蒸着に先立って１層の蒸着
を行うだけで光吸収層４０を設けることができ、光吸収
層４０を設けるための別途の工程が不要となることから
ＰＤＰ１を効率的に製造することができる。さらに、電
極１３の金属材料の酸化物（酸化クロム）によって光吸
収層４０となる暗色蒸着膜４０ａを形成するようにした
ので、蒸着雰囲気を変更するだけで暗色蒸着膜４０ａと
金属蒸着膜１３ａとを連続的に形成することができる。
【００３１】上述の実施例において、蒸着の手法として
真空蒸着法を用いてもよい、また、エッチングの手法と
してウエットエッチングに代えてドライエッチングを用
いてもよい。
真空蒸着法を用いてもよい、また、エッチングの手法と
してウエットエッチングに代えてドライエッチングを用
いてもよい。
【００３２】上述の実施例においては、酸化クロム又は
酸化珪素からなる光吸収層４０を設けたが、光吸収層４
０の材質としては、電極１３の表層に比べて暗色であり
且つガラス基板１１及び電極１３との密着性が良好であ
るものを適宜選定することができる。例えば暗色顔料で
着色した低融点ガラスを用いてもよい。
酸化珪素からなる光吸収層４０を設けたが、光吸収層４
０の材質としては、電極１３の表層に比べて暗色であり
且つガラス基板１１及び電極１３との密着性が良好であ
るものを適宜選定することができる。例えば暗色顔料で
着色した低融点ガラスを用いてもよい。
【００３３】上述の実施例においては、三層構造の金属
蒸着膜１３ａからなる電極１３を例示したが、電極１３
は１層構造の薄膜であってもよい。また、本発明は、表
示面Ｈ側のガラス基板１１に透明電極に重ねて薄膜のバ
ス電極を設けたＰＤＰにも適用することができる。
蒸着膜１３ａからなる電極１３を例示したが、電極１３
は１層構造の薄膜であってもよい。また、本発明は、表
示面Ｈ側のガラス基板１１に透明電極に重ねて薄膜のバ
ス電極を設けたＰＤＰにも適用することができる。
【発明の効果】本発明によれば、製造工数の増加を抑え
つつ、電極の表面での外光の反射による表示の視認性の
低下を防止することができる。
つつ、電極の表面での外光の反射による表示の視認性の
低下を防止することができる。
【００３４】請求項２又は請求項３の発明によれば、表
示の視認性の低下を防止したＰＤＰを効率的に製造する
ことができる。
示の視認性の低下を防止したＰＤＰを効率的に製造する
ことができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの構造を模式的に示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係るＰＤＰの各製造段階を示す部分断
面図である。
面図である。
１ ＰＤＰ Ｈ 表示面 １１ ガラス基板（基板） １３ 電極 ４０ 光吸収層 １３ａ 金属蒸着膜 ４０ａ 暗色蒸着膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−252338（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−284333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−77760（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−49530（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/00 - 11/02 H01J 9/02
Claims (3)
- 【請求項１】表示面側の基板の内面上に酸化クロムから
なる光吸収層が設けられ、当該光吸収層に重ねてクロム
を下地にした積層構造の電極が設けられてなることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって、 表示面側の基板上に酸化クロム薄膜とクロム層を最下層
とする積層構造の金属薄膜とを順に連続的に成膜し、前
記金属薄膜及び前記酸化クロム薄膜を部分的に除去する
ことによって、前記電極及び前記光吸収層を形成するこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項３】 表示面側の基板の内面上に金属薄膜からな
る電極を有したプラズマディスプレイパネルの製造方法
であって、 前記基板上に前記電極の材料である金属の酸化物からな
る暗色薄膜と前記電極の材料である金属の薄膜とを順に
連続的に成膜する工程と、 前記金属薄膜及び前記暗色薄膜を部分的に除去すること
によって、前記電極及びその表面を覆う光吸収層を形成
するパターンニング工程とを含む ことを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719791A JP3122482B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719791A JP3122482B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345734A JPH04345734A (ja) | 1992-12-01 |
| JP3122482B2 true JP3122482B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=14705800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11719791A Expired - Lifetime JP3122482B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3122482B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102783364B1 (ko) | 2024-05-28 | 2025-03-19 | 에스알 주식회사 | 누름 잠금장치가 적용된 주방용 상하부장 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| US5952781A (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode for high contrast gas discharge panel and the method for manufacturing the same |
| KR100520392B1 (ko) * | 1999-04-19 | 2005-10-12 | 현대 프라즈마 주식회사 | 실린더 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
| KR100399787B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2003-09-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이 기판의 제조방법 및 이 기판을 가지는 플라즈마표시장치 |
| KR100603314B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| CN101027744B (zh) * | 2004-09-27 | 2011-01-12 | 旭硝子株式会社 | 等离子体显示器基板用电极和/或黑条的制造方法 |
| WO2006068153A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Asahi Glass Co., Ltd. | パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路 |
| WO2006070648A1 (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Asahi Glass Co., Ltd. | パターン形成方法および電子回路 |
| WO2006070649A1 (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Asahi Glass Co., Ltd. | パターン形成方法および電子回路 |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP11719791A patent/JP3122482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102783364B1 (ko) | 2024-05-28 | 2025-03-19 | 에스알 주식회사 | 누름 잠금장치가 적용된 주방용 상하부장 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04345734A (ja) | 1992-12-01 |
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