JP3119709B2 - 液晶表示装置及び投射型液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置及び投射型液晶表示装置Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画素電極毎に能動素子
を配置した液晶表示装置及び投射型液晶表示装置に関す
るものである。
を配置した液晶表示装置及び投射型液晶表示装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイは、近年その低消費電
力、低電圧駆動等の特長を生かしてパーソナルワードプ
ロセッサー、ハンドヘルドコンピューター、ポケットテ
レビ等に広く利用されている。中でも注目され、盛んに
開発されているのが、画素電極毎に能動素子を配置した
液晶表示素子である。
力、低電圧駆動等の特長を生かしてパーソナルワードプ
ロセッサー、ハンドヘルドコンピューター、ポケットテ
レビ等に広く利用されている。中でも注目され、盛んに
開発されているのが、画素電極毎に能動素子を配置した
液晶表示素子である。
【0003】このような液晶表示素子として当初は、D
SM(動的散乱)型の液晶を用いた液晶表示素子も提案
されていたが、DSM型では液晶中を流れる電流値が高
いため、消費電流が大きいという欠点があり、現在では
TN(ツイストネマチック)型液晶を用いるものが主流
となっており、ポケットテレビとして市場に現われてい
る。TN型液晶では、漏れ電流は極めて小さく、消費電
力が少ないので、電池を電源とする用途には適してい
る。
SM(動的散乱)型の液晶を用いた液晶表示素子も提案
されていたが、DSM型では液晶中を流れる電流値が高
いため、消費電流が大きいという欠点があり、現在では
TN(ツイストネマチック)型液晶を用いるものが主流
となっており、ポケットテレビとして市場に現われてい
る。TN型液晶では、漏れ電流は極めて小さく、消費電
力が少ないので、電池を電源とする用途には適してい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子をDSM
型で使用する場合には、液晶自身の漏れ電流が大きい。
このため、各画素と並列に大きな蓄積容量を設けなくて
はならなく、かつ、液晶表示素子自体の消費電力が大き
くなるという問題点を有していた。
型で使用する場合には、液晶自身の漏れ電流が大きい。
このため、各画素と並列に大きな蓄積容量を設けなくて
はならなく、かつ、液晶表示素子自体の消費電力が大き
くなるという問題点を有していた。
【0005】TN型においては、液晶自身の漏れ電流は
極めて小さいので、大きな蓄積容量を付加する必要はな
いし、液晶表示素子自体の消費電力は小さくできる。
極めて小さいので、大きな蓄積容量を付加する必要はな
いし、液晶表示素子自体の消費電力は小さくできる。
【0006】しかし、TN型では、2枚の偏光板を必要
とするので、光の透過率が小さいという問題点を有して
いる。特に、カラーフィルターを用いてカラー表示を行
う場合には、入射する光の数%しか利用できないことと
なり、強い光源を必要とし、そのため結果として消費電
力を増加させてしまう。
とするので、光の透過率が小さいという問題点を有して
いる。特に、カラーフィルターを用いてカラー表示を行
う場合には、入射する光の数%しか利用できないことと
なり、強い光源を必要とし、そのため結果として消費電
力を増加させてしまう。
【0007】また、画像の投影を行う際には極めて強い
光源を必要とし、投影スクリーン上で高いコントラスト
が得られにくいことや、光源の発熱による液晶表示素子
への影響という問題点を有している。
光源を必要とし、投影スクリーン上で高いコントラスト
が得られにくいことや、光源の発熱による液晶表示素子
への影響という問題点を有している。
【0008】そこで、TN型の課題を解決すべく、ネマ
チック液晶を樹脂マトリクス中に分散保持した液晶樹脂
複合体を使用して、その散乱−透過特性を利用した10
V以下の低電圧で駆動できるモードが提案されている。
チック液晶を樹脂マトリクス中に分散保持した液晶樹脂
複合体を使用して、その散乱−透過特性を利用した10
V以下の低電圧で駆動できるモードが提案されている。
【0009】しかし、従来の液晶樹脂複合体において
は、その電圧−透過率特性にヒステリシスが存在する、
すなわち、昇圧時と降圧時において透過率が異なるとい
う課題を有しており、そのため、表示画面の変化時に前
画面の情報が残ってしまうという焼き付き現象が生ずる
ことがあるという問題点を有していた。
は、その電圧−透過率特性にヒステリシスが存在する、
すなわち、昇圧時と降圧時において透過率が異なるとい
う課題を有しており、そのため、表示画面の変化時に前
画面の情報が残ってしまうという焼き付き現象が生ずる
ことがあるという問題点を有していた。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決すべくなされたものであり、液晶固化物複合体のヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象を低減した液晶表示装
置及び投射型液晶表示装置を提供するものである。
解決すべくなされたものであり、液晶固化物複合体のヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象を低減した液晶表示装
置及び投射型液晶表示装置を提供するものである。
【0011】すなわち、画素電極毎に能動素子を設けた
アクティブマトリクス基板と、対向電極を設けた対向電
極基板との間に、ネマチック液晶が固化物マトリクス中
に分散保持され、電圧の印加状態により液晶の屈折率が
変化し、一方の状態では固化物マトリクスの屈折率とほ
ぼ一致して光が透過し、他方の状態では固化物マトリク
スの屈折率とほぼ一致しなく光が散乱するようにされた
液晶固化物複合体が挟持された液晶表示素子と、駆動回
路とが設けられた液晶表示装置において、液晶表示素子
の画素の特定状態を表示するのに複数の電圧が切り替え
て印加されることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。
アクティブマトリクス基板と、対向電極を設けた対向電
極基板との間に、ネマチック液晶が固化物マトリクス中
に分散保持され、電圧の印加状態により液晶の屈折率が
変化し、一方の状態では固化物マトリクスの屈折率とほ
ぼ一致して光が透過し、他方の状態では固化物マトリク
スの屈折率とほぼ一致しなく光が散乱するようにされた
液晶固化物複合体が挟持された液晶表示素子と、駆動回
路とが設けられた液晶表示装置において、液晶表示素子
の画素の特定状態を表示するのに複数の電圧が切り替え
て印加されることを特徴とする液晶表示装置を提供す
る。
【0012】また、少なくとも低電圧領域では交互に印
加される電圧群がV1 とV2 (V1<V2 )であり、用
いる液晶表示素子の隣接する行または列で2種類の電圧
群の印加順序が逆であることを特徴とする上記の液晶表
示装置を提供する。
加される電圧群がV1 とV2 (V1<V2 )であり、用
いる液晶表示素子の隣接する行または列で2種類の電圧
群の印加順序が逆であることを特徴とする上記の液晶表
示装置を提供する。
【0013】また、隣接画素の少なくとも1方向におい
て印加される電圧群の位相をずらすことを特徴とする上
記の液晶表示装置を提供する。 また、液晶固化物複合体
は、アクティブマトリクス基板と対向電極基板との間
に、誘電異方性が正のネマチック液晶が樹脂マトリクス
中に分散保持され、樹脂マトリクスの屈折率が使用する
ネマチック液晶の常光屈折率(n O )とほぼ一致するよ
うにされたものである上記の液晶表示装置を用いた投射
型液晶表示装置を提供する。 また、それらの液晶表示装
置を色毎に3個用いたカラー投射型液晶表示装置を提供
する。
て印加される電圧群の位相をずらすことを特徴とする上
記の液晶表示装置を提供する。 また、液晶固化物複合体
は、アクティブマトリクス基板と対向電極基板との間
に、誘電異方性が正のネマチック液晶が樹脂マトリクス
中に分散保持され、樹脂マトリクスの屈折率が使用する
ネマチック液晶の常光屈折率(n O )とほぼ一致するよ
うにされたものである上記の液晶表示装置を用いた投射
型液晶表示装置を提供する。 また、それらの液晶表示装
置を色毎に3個用いたカラー投射型液晶表示装置を提供
する。
【0014】本発明で用いる液晶表示素子は、アクティ
ブマトリクス基板と対向電極基板との間に挟持される液
晶材料として、電気的に散乱状態と透過状態とを制御し
うる液晶固化物複合体を用いているため、偏光板が不要
であり、透過時の光の透過率を大幅に向上できる。この
ため、明るい表示が可能であり、特に投射型表示に用い
た場合、明るくコントラストの良い投射型表示が得られ
る。
ブマトリクス基板と対向電極基板との間に挟持される液
晶材料として、電気的に散乱状態と透過状態とを制御し
うる液晶固化物複合体を用いているため、偏光板が不要
であり、透過時の光の透過率を大幅に向上できる。この
ため、明るい表示が可能であり、特に投射型表示に用い
た場合、明るくコントラストの良い投射型表示が得られ
る。
【0015】また、TN型液晶表示素子に必須の配向処
理や発生する静電気による能動素子の破壊といった問題
点も避けられるので、液晶表示素子の製造歩留りを大幅
に向上させることができる。
理や発生する静電気による能動素子の破壊といった問題
点も避けられるので、液晶表示素子の製造歩留りを大幅
に向上させることができる。
【0016】さらに、この液晶固化物複合体は、固化後
はフィルム状の固体になっているので、基板の加圧によ
る基板間短絡やスペーサーの移動による能動素子の破壊
といった問題点も生じにくい。また、この液晶固化物複
合体は、比抵抗が従来のTN型の場合と同等であり、D
SM型のように大きな蓄積容量を画素電極毎に設けなく
てもよく、能動素子の設計が容易で、かつ、液晶表示素
子の消費電力を少なく保つことができる。従って、TN
型の従来の液晶表示素子の製造工程から、配向膜形成工
程を除くだけで製造が可能になるので、生産が容易であ
る。
はフィルム状の固体になっているので、基板の加圧によ
る基板間短絡やスペーサーの移動による能動素子の破壊
といった問題点も生じにくい。また、この液晶固化物複
合体は、比抵抗が従来のTN型の場合と同等であり、D
SM型のように大きな蓄積容量を画素電極毎に設けなく
てもよく、能動素子の設計が容易で、かつ、液晶表示素
子の消費電力を少なく保つことができる。従って、TN
型の従来の液晶表示素子の製造工程から、配向膜形成工
程を除くだけで製造が可能になるので、生産が容易であ
る。
【0017】液晶固化物複合体の比抵抗としては、5×
109 Ωcm以上のものが好ましい。さらに、漏れ電流
等による電圧降下を最小限にするために、1010Ωcm
以上がより好ましく、この場合には大きな蓄積容量を画
素電極毎に付与する必要がない。
109 Ωcm以上のものが好ましい。さらに、漏れ電流
等による電圧降下を最小限にするために、1010Ωcm
以上がより好ましく、この場合には大きな蓄積容量を画
素電極毎に付与する必要がない。
【0018】画素電極に設けられる能動素子としては、
トランジスタ、ダイオード、非線形抵抗素子等があり、
必要に応じて1つの画素に2以上の能動素子が配置され
ていてもよい。このような能動素子とこれに接続された
画素電極とを設けたアクティブマトリクス基板と、対向
電極を設けた対向電極基板との間に、上記液晶固化物複
合体を挟んで液晶表示素子とする。
トランジスタ、ダイオード、非線形抵抗素子等があり、
必要に応じて1つの画素に2以上の能動素子が配置され
ていてもよい。このような能動素子とこれに接続された
画素電極とを設けたアクティブマトリクス基板と、対向
電極を設けた対向電極基板との間に、上記液晶固化物複
合体を挟んで液晶表示素子とする。
【0019】この液晶表示素子は、直視型表示装置、投
射型表示装置の両方で用いることができる。直視型表示
装置として用いる場合、得たい表示特性に応じて、光
源、レンズ、プリズム、ミラー、拡散板、光吸収体、カ
ラーフィルターなどを組み合わせて表示装置を構成すれ
ばよい。
射型表示装置の両方で用いることができる。直視型表示
装置として用いる場合、得たい表示特性に応じて、光
源、レンズ、プリズム、ミラー、拡散板、光吸収体、カ
ラーフィルターなどを組み合わせて表示装置を構成すれ
ばよい。
【0020】本発明の液晶表示装置は、特に、投射型表
示装置に適しており、投射用光源、投射光学系などと組
み合わせて、投射型液晶表示装置とすることができる。
投射用光源、投射光学系は従来から公知の投射用光源、
レンズ等の投射光学系が使用でき、通常は上記液晶表示
素子を投射用光源と投射レンズとの間に配置して用いれ
ばよい。
示装置に適しており、投射用光源、投射光学系などと組
み合わせて、投射型液晶表示装置とすることができる。
投射用光源、投射光学系は従来から公知の投射用光源、
レンズ等の投射光学系が使用でき、通常は上記液晶表示
素子を投射用光源と投射レンズとの間に配置して用いれ
ばよい。
【0021】これにより、本発明では、液晶表示素子と
して、画素電極毎に能動素子を設けたアクティブマトリ
クス基板と、対向電極を設けた対向電極基板との間に、
誘電異方性が正のネマチック液晶が樹脂マトリクス等の
固化物マトリクス中に分散保持され、電圧の印加状態に
より液晶の屈折率が変化し、それが固化物マトリクスの
屈折率とほぼ一致して光が透過し、一致せずに光が散乱
する液晶固化物複合体を挟持した液晶表示素子を用いて
いるため、明るく、高いコントラスト比が容易に得られ
るという特長を有している。
して、画素電極毎に能動素子を設けたアクティブマトリ
クス基板と、対向電極を設けた対向電極基板との間に、
誘電異方性が正のネマチック液晶が樹脂マトリクス等の
固化物マトリクス中に分散保持され、電圧の印加状態に
より液晶の屈折率が変化し、それが固化物マトリクスの
屈折率とほぼ一致して光が透過し、一致せずに光が散乱
する液晶固化物複合体を挟持した液晶表示素子を用いて
いるため、明るく、高いコントラスト比が容易に得られ
るという特長を有している。
【0022】特に、固化物マトリクスの屈折率が使用す
る液晶の常光屈折率(no )とほぼ一致するようにされ
ることにより、隣接画素間の電極が対向していない部分
からの光の透過が防止でき、かつ透過時における透過率
が大きいのでより明るく、高いコントラスト比が得られ
やすい。
る液晶の常光屈折率(no )とほぼ一致するようにされ
ることにより、隣接画素間の電極が対向していない部分
からの光の透過が防止でき、かつ透過時における透過率
が大きいのでより明るく、高いコントラスト比が得られ
やすい。
【0023】また、固化物マトリクスとして樹脂マトリ
クスを用いることにより、所望の特性を有する液晶樹脂
複合体の製造が容易となり好ましい。
クスを用いることにより、所望の特性を有する液晶樹脂
複合体の製造が容易となり好ましい。
【0024】具体的には、本発明では、液晶表示素子と
して細かな孔の多数形成された固化物マトリクスとその
孔の部分に充填されたネマチック液晶とからなる液晶固
化物複合体を、アクティブマトリクス基板と対向電極基
板との間に挟持し、その電極間への電圧の印加状態によ
り、その液晶の屈折率が変化し、固化物マトリクスの屈
折率と液晶の屈折率との関係が変化し、両者の屈折率が
一致した時には透過状態となり、屈折率が異なった時に
は散乱状態となるような液晶表示素子が使用できる。
して細かな孔の多数形成された固化物マトリクスとその
孔の部分に充填されたネマチック液晶とからなる液晶固
化物複合体を、アクティブマトリクス基板と対向電極基
板との間に挟持し、その電極間への電圧の印加状態によ
り、その液晶の屈折率が変化し、固化物マトリクスの屈
折率と液晶の屈折率との関係が変化し、両者の屈折率が
一致した時には透過状態となり、屈折率が異なった時に
は散乱状態となるような液晶表示素子が使用できる。
【0025】この細かな孔の多数形成された固化物マト
リクスとその孔の部分に充填された液晶とからなる液晶
固化物複合体は、樹脂等のマイクロカプセルのような液
泡内に液晶が封じ込められたような構造であるが、個々
のマイクロカプセルが完全に独立していなくてもよく、
多孔質ガラスや多孔質樹脂等の多孔質体のように個々の
液晶の液泡が細隙を介して連通していてもよい。
リクスとその孔の部分に充填された液晶とからなる液晶
固化物複合体は、樹脂等のマイクロカプセルのような液
泡内に液晶が封じ込められたような構造であるが、個々
のマイクロカプセルが完全に独立していなくてもよく、
多孔質ガラスや多孔質樹脂等の多孔質体のように個々の
液晶の液泡が細隙を介して連通していてもよい。
【0026】この液晶固化物複合体の固化物は、ガラ
ス、セラミック、樹脂等公知のものが使用できるが、前
述のごとく製造面からみて樹脂の使用が好ましい。この
ため、以下の説明では樹脂を用いた例、すなわち、液晶
樹脂複合体を用いるとして説明する。
ス、セラミック、樹脂等公知のものが使用できるが、前
述のごとく製造面からみて樹脂の使用が好ましい。この
ため、以下の説明では樹脂を用いた例、すなわち、液晶
樹脂複合体を用いるとして説明する。
【0027】この液晶表示素子の液晶樹脂複合体は、ネ
マチック液晶と、樹脂マトリクスを構成する材料とを混
ぜ合わせて溶液状またはラテックス状にしておいて、こ
れを光硬化、熱硬化、溶媒除去による硬化、反応硬化等
させて樹脂マトリクスを分離し、樹脂マトリクス中にネ
マチック液晶が分散した状態をとるようにすればよい。
マチック液晶と、樹脂マトリクスを構成する材料とを混
ぜ合わせて溶液状またはラテックス状にしておいて、こ
れを光硬化、熱硬化、溶媒除去による硬化、反応硬化等
させて樹脂マトリクスを分離し、樹脂マトリクス中にネ
マチック液晶が分散した状態をとるようにすればよい。
【0028】使用する硬化性化合物を、光硬化または熱
硬化タイプにすることにより、密閉系内で硬化できるた
め好ましい。特に、光硬化タイプの硬化性化合物を用い
ることにより、熱による影響を受けなく、短時間で硬化
させることができ、好ましい。
硬化タイプにすることにより、密閉系内で硬化できるた
め好ましい。特に、光硬化タイプの硬化性化合物を用い
ることにより、熱による影響を受けなく、短時間で硬化
させることができ、好ましい。
【0029】具体的な製法としては、従来の通常のTN
型液晶表示素子と同様にシール材を用いてセルを形成
し、注入口からネマチック液晶と硬化性化合物との未硬
化の混合物を注入し、注入口を封止して後、光照射をす
るか加熱して硬化させることもできる。
型液晶表示素子と同様にシール材を用いてセルを形成
し、注入口からネマチック液晶と硬化性化合物との未硬
化の混合物を注入し、注入口を封止して後、光照射をす
るか加熱して硬化させることもできる。
【0030】また、空セルを形成せずに、対向電極とし
ての透明電極を設けた基板上にネマチック液晶と硬化性
化合物との未硬化の混合物を供給し、その後、画素電極
毎に能動素子を設けたアクティブマトリクス基板を重ね
て、光照射等により硬化させてセル化することもでき
る。
ての透明電極を設けた基板上にネマチック液晶と硬化性
化合物との未硬化の混合物を供給し、その後、画素電極
毎に能動素子を設けたアクティブマトリクス基板を重ね
て、光照射等により硬化させてセル化することもでき
る。
【0031】また、これらのネマチック液晶と硬化性化
合物との未硬化の混合物には、基板間隙制御用のセラミ
ック粒子、プラスチック粒子、ガラス繊維等のスペーサ
ー、顔料、色素、粘度調整剤、その他本発明の性能に悪
影響を与えない添加剤を添加してもよい。
合物との未硬化の混合物には、基板間隙制御用のセラミ
ック粒子、プラスチック粒子、ガラス繊維等のスペーサ
ー、顔料、色素、粘度調整剤、その他本発明の性能に悪
影響を与えない添加剤を添加してもよい。
【0032】この素子に、この硬化工程の際に特定の部
分のみに充分高い電圧を印加した状態で硬化させること
により、その部分を常に光透過状態または光散乱状態に
することができるので、固定表示したいものがある場合
には、そのような常透過部分、常散乱部分を形成しても
よい。
分のみに充分高い電圧を印加した状態で硬化させること
により、その部分を常に光透過状態または光散乱状態に
することができるので、固定表示したいものがある場合
には、そのような常透過部分、常散乱部分を形成しても
よい。
【0033】本発明では、電圧の印加状態により液晶の
屈折率が変化し、一方の状態では両者の屈折率がほぼ一
致して光が透過し、他方の状態では両者の屈折率が一致
しなく光が散乱(白濁)する。特に、電圧を印加してい
る状態で、マトリクスの屈折率が、使用する液晶のn o
と一致するようにされることが好ましい。
屈折率が変化し、一方の状態では両者の屈折率がほぼ一
致して光が透過し、他方の状態では両者の屈折率が一致
しなく光が散乱(白濁)する。特に、電圧を印加してい
る状態で、マトリクスの屈折率が、使用する液晶のn o
と一致するようにされることが好ましい。
【0034】この素子の散乱性は、従来のDSM型の液
晶表示素子の場合よりも高く、高いコントラスト比の表
示が得られる。
晶表示素子の場合よりも高く、高いコントラスト比の表
示が得られる。
【0035】本発明の最も大きな目的は、この液晶固化
物複合体を用いた液晶表示装置において、その駆動方法
を改善することにより、ヒステリシスに基づく焼き付き
現象を低減することである。
物複合体を用いた液晶表示装置において、その駆動方法
を改善することにより、ヒステリシスに基づく焼き付き
現象を低減することである。
【0036】また、従来の液晶固化物複合体において
は、電圧−透過率特性にヒステリシスが存在し、それが
階調表示をする際の問題点となっていた。ヒステリシス
とは、電圧を上昇する過程と電圧を降下させる過程にお
いて透過率が異なるといった現象である。もし、ヒステ
リシスが存在すると、階調表示の際に前画面の情報が残
ってしまう、すなわち、画像が焼き付くという現象が生
じやすく、これが画質を低下させていた。
は、電圧−透過率特性にヒステリシスが存在し、それが
階調表示をする際の問題点となっていた。ヒステリシス
とは、電圧を上昇する過程と電圧を降下させる過程にお
いて透過率が異なるといった現象である。もし、ヒステ
リシスが存在すると、階調表示の際に前画面の情報が残
ってしまう、すなわち、画像が焼き付くという現象が生
じやすく、これが画質を低下させていた。
【0037】図3は、液晶固化物複合体の電圧−透過率
特性のヒステリシスと、それによる画像の焼き付きの原
理を示したものである。この例では、電圧印加時に液晶
の屈折率が常光屈折率となって固化物マトリクスの屈折
率とほぼ一致して、光が透過するものを用いている。
特性のヒステリシスと、それによる画像の焼き付きの原
理を示したものである。この例では、電圧印加時に液晶
の屈折率が常光屈折率となって固化物マトリクスの屈折
率とほぼ一致して、光が透過するものを用いている。
【0038】図3に示されるように、液晶固化物複合体
の透過率は、電圧の昇圧過程と降圧過程において異な
り、一般に透過率は降圧時に昇圧時より高くなる。
の透過率は、電圧の昇圧過程と降圧過程において異な
り、一般に透過率は降圧時に昇圧時より高くなる。
【0039】このため、2つの画素を図3中A(透過状
態)、B(散乱状態)で示すような透過率状態とする。
次いで、透過状態にする電圧よりも低いある電圧V0 を
加えて半透過状態にすると、A、Bの画素の透過率は等
しくならず、それぞれ図中A´、B´となる。このよう
に、同じ電圧V0 に対して同じ透過率を示すべきところ
異なる透過率状態となってしまい、前の画像情報が残っ
てしまう。これが、ヒステリシスに基づく焼き付き現象
である。このようなヒステリシスがあると、階調駆動が
充分にできないという問題を生じる。
態)、B(散乱状態)で示すような透過率状態とする。
次いで、透過状態にする電圧よりも低いある電圧V0 を
加えて半透過状態にすると、A、Bの画素の透過率は等
しくならず、それぞれ図中A´、B´となる。このよう
に、同じ電圧V0 に対して同じ透過率を示すべきところ
異なる透過率状態となってしまい、前の画像情報が残っ
てしまう。これが、ヒステリシスに基づく焼き付き現象
である。このようなヒステリシスがあると、階調駆動が
充分にできないという問題を生じる。
【0040】この液晶固化物複合体においてヒステリシ
スが存在する原因の一つは、液晶固化物複合体が、液晶
が固化物マトリクス中に分散保持されているという構造
による。すなわち、分離して固化物マトリクス中に存在
する液晶粒子同士の相互作用によってヒステリシスが存
在すると考えられる。このヒステリシスの大小は、固化
物マトリクス中に保持される液晶中に蓄えられる弾性エ
ネルギー、外から印加される電界による電気的エネルギ
ーと、分離して固化物マトリクス中に存在する液晶同士
の相互作用エネルギーによって決定されるものである。
スが存在する原因の一つは、液晶固化物複合体が、液晶
が固化物マトリクス中に分散保持されているという構造
による。すなわち、分離して固化物マトリクス中に存在
する液晶粒子同士の相互作用によってヒステリシスが存
在すると考えられる。このヒステリシスの大小は、固化
物マトリクス中に保持される液晶中に蓄えられる弾性エ
ネルギー、外から印加される電界による電気的エネルギ
ーと、分離して固化物マトリクス中に存在する液晶同士
の相互作用エネルギーによって決定されるものである。
【0041】従って、このエネルギーバランスを最適化
することによってヒステリシスは低減することができ、
階調表示の際にも焼き付きのない優れた表示を得ること
ができる。
することによってヒステリシスは低減することができ、
階調表示の際にも焼き付きのない優れた表示を得ること
ができる。
【0042】本発明の目的は、高いコントラスト比、高
い輝度、優れた応答性を有し、ヒステリシスを低減した
液晶表示装置を得ることである。本発明の最大の目的
は、駆動方法を改良することにより、低電圧で駆動で
き、高輝度、高コントラストで比、かつ、焼き付きのほ
とんどない表示を得ることである。
い輝度、優れた応答性を有し、ヒステリシスを低減した
液晶表示装置を得ることである。本発明の最大の目的
は、駆動方法を改良することにより、低電圧で駆動で
き、高輝度、高コントラストで比、かつ、焼き付きのほ
とんどない表示を得ることである。
【0043】本発明における駆動としては、その画素を
特定状態に表示するために、複数の電圧を切り替えて印
加する。具体的には、2種類以上の異なる電圧レベルの
振幅変調のかかった映像信号を1フィールド毎または複
数フィールド毎に切り替えて画素を駆動する。特には、
1フィールド毎に切り替えて画素を駆動することにより
効果が大きい。
特定状態に表示するために、複数の電圧を切り替えて印
加する。具体的には、2種類以上の異なる電圧レベルの
振幅変調のかかった映像信号を1フィールド毎または複
数フィールド毎に切り替えて画素を駆動する。特には、
1フィールド毎に切り替えて画素を駆動することにより
効果が大きい。
【0044】なお、本発明でいう1フィールドは、テレ
ビ放送の1フィールド(NTSCの場合、1秒間に60
フィールド)とは異なり、電圧印加の最小単位を意味
し、テレビとして使用する場合には、テレビ放送の1フ
ィールド期間中にこのフィールドが複数存在してもよ
い。
ビ放送の1フィールド(NTSCの場合、1秒間に60
フィールド)とは異なり、電圧印加の最小単位を意味
し、テレビとして使用する場合には、テレビ放送の1フ
ィールド期間中にこのフィールドが複数存在してもよ
い。
【0045】1フィールド毎に切り替えて画素を駆動す
る例について説明する。すなわち、ある1画素に着目し
た場合、同一の画面を表示している際にも、フィールド
毎に異なる電圧が印加される。
る例について説明する。すなわち、ある1画素に着目し
た場合、同一の画面を表示している際にも、フィールド
毎に異なる電圧が印加される。
【0046】具体的には、図1、図2のような波形が例
示される。ここでは、 2種類の振幅の電圧V1 、V2 が
用いられ、図1では+V2 →+V1 →−V2 →−V1 と
繰り返される。この場合、フィールド周期Tf と、液晶
固化物複合体のV1 とV2 の電圧変化における光学応答
に要する時間(応答時間)との関係で静的な光学特性
(透過特性)は決定される。
示される。ここでは、 2種類の振幅の電圧V1 、V2 が
用いられ、図1では+V2 →+V1 →−V2 →−V1 と
繰り返される。この場合、フィールド周期Tf と、液晶
固化物複合体のV1 とV2 の電圧変化における光学応答
に要する時間(応答時間)との関係で静的な光学特性
(透過特性)は決定される。
【0047】以下の説明においては、分かりやすくする
ために、V1 <V2 とする。なお、高透過率の領域では
ヒステリシスが少ないので、V1 とV2 を区別しない
で、すなわち、V1 =V2 とすることもあるが、本発明
では、少なくとも低透過率の領域でのヒステリシスの改
善のため、V1 とV2 の2つの電圧を用いる。
ために、V1 <V2 とする。なお、高透過率の領域では
ヒステリシスが少ないので、V1 とV2 を区別しない
で、すなわち、V1 =V2 とすることもあるが、本発明
では、少なくとも低透過率の領域でのヒステリシスの改
善のため、V1 とV2 の2つの電圧を用いる。
【0048】なお、この説明では電圧印加で透過状態の
液晶固化物複合体を用いているので、低透過率の領域は
低電圧領域であり、高透過率の領域は高電圧領域とな
る。この低透過率の領域とは、透過率が低い側の領域、
しいて数値で限定する場合には透過率が50%以下の領
域とすればよい。
液晶固化物複合体を用いているので、低透過率の領域は
低電圧領域であり、高透過率の領域は高電圧領域とな
る。この低透過率の領域とは、透過率が低い側の領域、
しいて数値で限定する場合には透過率が50%以下の領
域とすればよい。
【0049】本発明においては、低透過率の領域でのヒ
ステリシスが問題であるので、電圧印加によるオン時間
(Tr )、電圧を取り去った際のオフ時間(Td )を以
下のように定義する。また、0V印加の状態でも光は抜
けてくるが、この状態での透過率を0%と定義し、充分
に高い電圧を印加した状態での透過率を100%と定義
し、低透過率領域の透過率として、透過率を20%とす
る。この透過率は本発明の液晶表示装置の実際の使用状
態で測るものであり、投射型液晶表示装置の場合には、
投射スクリーン上で測って定義する。
ステリシスが問題であるので、電圧印加によるオン時間
(Tr )、電圧を取り去った際のオフ時間(Td )を以
下のように定義する。また、0V印加の状態でも光は抜
けてくるが、この状態での透過率を0%と定義し、充分
に高い電圧を印加した状態での透過率を100%と定義
し、低透過率領域の透過率として、透過率を20%とす
る。この透過率は本発明の液晶表示装置の実際の使用状
態で測るものであり、投射型液晶表示装置の場合には、
投射スクリーン上で測って定義する。
【0050】Tr は、透過率の20%を得るための印加
電圧V1 とV2 (V1 <V2 )を用いた場合、V1 印加
状態からV2 印加状態への透過率が向上する光学的変化
が90%に達するまでの時間を表し、Td は、V2 印加
状態からV1 印加状態への透過率が減少する光学的変化
が90%に達するまでの時間を表す。
電圧V1 とV2 (V1 <V2 )を用いた場合、V1 印加
状態からV2 印加状態への透過率が向上する光学的変化
が90%に達するまでの時間を表し、Td は、V2 印加
状態からV1 印加状態への透過率が減少する光学的変化
が90%に達するまでの時間を表す。
【0051】液晶固化物複合体のTr 、Td は、低透過
率領域においては、印加する電圧が低いため、通常Tr
が遅くなり、Tr >Td となる。
率領域においては、印加する電圧が低いため、通常Tr
が遅くなり、Tr >Td となる。
【0052】本発明では、低透過率領域におけるヒステ
リシスによる焼き付き現象を低減することを目的として
おり、このためには、 Td < 1.5・Tf (1A) を満足するようにされる。また、同時に画像のちらつき
(フリッカー)の抑制のためには、 1.5・Tf < Tr (2A) を満足するようにされることが好ましい。すなわち、両
方合わせて以下のようにすることが好ましい。 Td < 1.5・Tf < Tr (3A)
リシスによる焼き付き現象を低減することを目的として
おり、このためには、 Td < 1.5・Tf (1A) を満足するようにされる。また、同時に画像のちらつき
(フリッカー)の抑制のためには、 1.5・Tf < Tr (2A) を満足するようにされることが好ましい。すなわち、両
方合わせて以下のようにすることが好ましい。 Td < 1.5・Tf < Tr (3A)
【0053】将来Tr 、Td の特性が逆のものがでた場
合には、低透過率領域におけるヒステリシスによる焼き
付き現象を低減するためには、 Tr < 1.5・Tf (1B) を満足するようにされる。また、同時にフリッカーの抑
制のためには、 1.5・Tf < Td (2B) を満足するようにされることが好ましい。すなわち、両
方合わせて以下のようにすることが好ましい。 Tr < 1.5・Tf < Td (3B)
合には、低透過率領域におけるヒステリシスによる焼き
付き現象を低減するためには、 Tr < 1.5・Tf (1B) を満足するようにされる。また、同時にフリッカーの抑
制のためには、 1.5・Tf < Td (2B) を満足するようにされることが好ましい。すなわち、両
方合わせて以下のようにすることが好ましい。 Tr < 1.5・Tf < Td (3B)
【0054】Tr 、Td がともにTf よりも充分に長い
場合、光学応答は印加される電圧の実効値によって決定
される。このため、電気光学特性はその実効値と同じ電
圧振幅を持つ方形波を加えた場合と大差なく、従って、
ヒステリシスに基づく焼き付き現象を低減することは期
待できない。
場合、光学応答は印加される電圧の実効値によって決定
される。このため、電気光学特性はその実効値と同じ電
圧振幅を持つ方形波を加えた場合と大差なく、従って、
ヒステリシスに基づく焼き付き現象を低減することは期
待できない。
【0055】Tr 、Td がともに、Tf と同程度かそれ
以下である場合、光学的にも加えられる電圧に追従する
ため透過率は時間的に揺らぐこととなる。このため、ヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象は低減できるが、フリ
ッカーを生ずることとなる。
以下である場合、光学的にも加えられる電圧に追従する
ため透過率は時間的に揺らぐこととなる。このため、ヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象は低減できるが、フリ
ッカーを生ずることとなる。
【0056】以上のように、焼き付き現象の低減には、
(1A)または(1B)式を満たすことが好ましく、同
時にフリッカーを抑制するには、(3A)式、(3B)
式のいずれかを満足するようにされることが好ましい。
(1A)または(1B)式を満たすことが好ましく、同
時にフリッカーを抑制するには、(3A)式、(3B)
式のいずれかを満足するようにされることが好ましい。
【0057】この場合、前述したようにV1 とV2 (V
1 <V2 )を印加した場合、V1 とV2 間の変化の一方
((3A)式の場合V2 →V1 、(3B)式の場合V1
→V2 )では、電圧の変化に光学的に追従しその透過率
が変化するが、もう一方((3A)式の場合V1 →V
2 、(3B)式の場合V2 →V1)では光学的に追従しな
い。従って、Tf に比べて早く変化した先の光学状態で
光学特性(透過率)は決定され、V1 とV2 の組を用い
る液晶固化物複合体の静的な電気光学特性に合わせて適
当に選ぶことにより、フリッカーの発生を抑制してヒス
テリシスに基づく焼き付き現象を低減することができ
る。
1 <V2 )を印加した場合、V1 とV2 間の変化の一方
((3A)式の場合V2 →V1 、(3B)式の場合V1
→V2 )では、電圧の変化に光学的に追従しその透過率
が変化するが、もう一方((3A)式の場合V1 →V
2 、(3B)式の場合V2 →V1)では光学的に追従しな
い。従って、Tf に比べて早く変化した先の光学状態で
光学特性(透過率)は決定され、V1 とV2 の組を用い
る液晶固化物複合体の静的な電気光学特性に合わせて適
当に選ぶことにより、フリッカーの発生を抑制してヒス
テリシスに基づく焼き付き現象を低減することができ
る。
【0058】図1は、本発明の特定画素におけるV1 、
V2 の印加状態を示す例の波形図であり、+V2 →+V
1 →−V2 →−V1 の4フィールドの繰り返し駆動す
る。各フィールドの時間はTf で表されており、4Tf
で1走査期間Ts となる。各画素において各映像信号で
完全に交流化するためには、この例では4Tf で1走査
期間Ts としなくてはならないが、平均的にみて交流化
できればよい時には、2Tf で1走査期間Ts としても
よい。
V2 の印加状態を示す例の波形図であり、+V2 →+V
1 →−V2 →−V1 の4フィールドの繰り返し駆動す
る。各フィールドの時間はTf で表されており、4Tf
で1走査期間Ts となる。各画素において各映像信号で
完全に交流化するためには、この例では4Tf で1走査
期間Ts としなくてはならないが、平均的にみて交流化
できればよい時には、2Tf で1走査期間Ts としても
よい。
【0059】図2は、本発明の特定画素におけるV1 、
V2 の印加状態を示す他の例の波形図であり、+V2 →
−V2 →+V1 →−V1 の4フィールドの繰り返し駆動
する。これらの例では、+V2 から印加しているが、−
V2 、+V1 、−V1 のいずれから印加し始めてもよい
し、印加順序を変えてもよい。
V2 の印加状態を示す他の例の波形図であり、+V2 →
−V2 →+V1 →−V1 の4フィールドの繰り返し駆動
する。これらの例では、+V2 から印加しているが、−
V2 、+V1 、−V1 のいずれから印加し始めてもよい
し、印加順序を変えてもよい。
【0060】図4、図5は、(3A)式の条件下で、図
1の駆動波形で、V1 、V2 を交互に加えた場合の透過
率変化を示したものである。図4、図5の縦軸は透過
率、横軸は経過時間を示している。図4は、当初の状態
が透過状態の場合を、図5は、当初の状態が散乱状態の
場合を示している。透過率のTa 、Tb は夫々図1の駆
動波形を継続して印加し続けた場合の見かけ上の到達透
過率を示しており、ほぼ等しい。なお、ここではV1 、
V2 は所望の透過率T≒Ta ≒Tb を得るとしている。
これは、前述の20%の透過率には限られなく、低い透
過率領域で所望の透過率であればよく、以下におけるV
1 、V2 の説明も、異なる2つの電圧の意味で、前述の
20%の透過率の場合のV1 、V2 と同じではない。
1の駆動波形で、V1 、V2 を交互に加えた場合の透過
率変化を示したものである。図4、図5の縦軸は透過
率、横軸は経過時間を示している。図4は、当初の状態
が透過状態の場合を、図5は、当初の状態が散乱状態の
場合を示している。透過率のTa 、Tb は夫々図1の駆
動波形を継続して印加し続けた場合の見かけ上の到達透
過率を示しており、ほぼ等しい。なお、ここではV1 、
V2 は所望の透過率T≒Ta ≒Tb を得るとしている。
これは、前述の20%の透過率には限られなく、低い透
過率領域で所望の透過率であればよく、以下におけるV
1 、V2 の説明も、異なる2つの電圧の意味で、前述の
20%の透過率の場合のV1 、V2 と同じではない。
【0061】図4においては、最初のTf 期間終了後の
透過率はまだかなり高い値となっているが、2フィール
ド目以降徐々にTa に近づいていくことがわかる。同様
に、図5においても、時間が経過するにつれて徐々にT
b に近づいていくことがわかる。Ta 及びTb は図に示
すようにほぼ等しい値となり、見かけ上ヒステリシスに
よる焼き付き現象がほとんどなくなる。また、フリッカ
ーも少ない。
透過率はまだかなり高い値となっているが、2フィール
ド目以降徐々にTa に近づいていくことがわかる。同様
に、図5においても、時間が経過するにつれて徐々にT
b に近づいていくことがわかる。Ta 及びTb は図に示
すようにほぼ等しい値となり、見かけ上ヒステリシスに
よる焼き付き現象がほとんどなくなる。また、フリッカ
ーも少ない。
【0062】もちろん、用いる液晶固化物複合体として
もヒステリシスを低減しておくことが望ましい。これ
は、極端にヒステリシスが大きい場合には、駆動による
補正も不完全となり、焼き付きを画像の劣化にならない
程度に抑えることが困難となるためである。従って、液
晶固化物複合体の材料並びに構造の最適化も併用するこ
とが好ましい。
もヒステリシスを低減しておくことが望ましい。これ
は、極端にヒステリシスが大きい場合には、駆動による
補正も不完全となり、焼き付きを画像の劣化にならない
程度に抑えることが困難となるためである。従って、液
晶固化物複合体の材料並びに構造の最適化も併用するこ
とが好ましい。
【0063】通常の駆動方法を用いる場合、液晶固化物
複合体の特性を厳密に制御する必要があり、用いること
のできる液晶固化物複合体は限定されてしまう。しか
し、この駆動方法と組み合わせれば、若干のヒステリシ
スの存在する液晶固化物複合体も用いることができ、他
の特性(コントラスト、駆動電圧等)をも考慮した上
で、液晶固化物複合体の材料並びに構成を決めることが
できるという利点を有する。
複合体の特性を厳密に制御する必要があり、用いること
のできる液晶固化物複合体は限定されてしまう。しか
し、この駆動方法と組み合わせれば、若干のヒステリシ
スの存在する液晶固化物複合体も用いることができ、他
の特性(コントラスト、駆動電圧等)をも考慮した上
で、液晶固化物複合体の材料並びに構成を決めることが
できるという利点を有する。
【0064】液晶固化物複合体の応答時間はV1 とV2
の組によって異なるため、最も焼き付きの低減効果が大
きく、かつ、フリッカーの発生が抑制されるような駆動
には、V1 、V2 を適切に設定することが必要である。
すなわち、用いる2つ(またはそれ以上)の電圧をどの
ように設定するかが重要である。また、これは階調表示
の各段階毎に設定することになる。
の組によって異なるため、最も焼き付きの低減効果が大
きく、かつ、フリッカーの発生が抑制されるような駆動
には、V1 、V2 を適切に設定することが必要である。
すなわち、用いる2つ(またはそれ以上)の電圧をどの
ように設定するかが重要である。また、これは階調表示
の各段階毎に設定することになる。
【0065】本発明では、階調表示の少なくとも低透過
率領域では複数の電圧を印加するものではあるが、高透
過率領域ではヒステリシスが少ないので、1つの電圧の
みとしてもよい。
率領域では複数の電圧を印加するものではあるが、高透
過率領域ではヒステリシスが少ないので、1つの電圧の
みとしてもよい。
【0066】この複数の電圧の組は、表示したい階調、
用いる液晶固化物複合体の特性に応じて決定すればよい
が、特に、具体的には次のような関係を満たすことが好
ましい。
用いる液晶固化物複合体の特性に応じて決定すればよい
が、特に、具体的には次のような関係を満たすことが好
ましい。
【0067】ある画素の特定状態を表示する時に印加さ
れる電圧群の最も高い電圧をV2 、最も低い電圧をV
1 、印加電圧昇圧時に飽和透過率の50%及び90%に
到達する電圧をV50A 及びV90A とする。 VX =0.5×V90A ×(V2 −V50A )/(V90A −V50A ) (4) VX を上記の(4)式で表される値か0Vのいずれか大
きい方とした場合に、V1 、V2 の値が、以下の(5)
式を満足するようにされることが好ましい。 VX ≦V1 <V2 (5)
れる電圧群の最も高い電圧をV2 、最も低い電圧をV
1 、印加電圧昇圧時に飽和透過率の50%及び90%に
到達する電圧をV50A 及びV90A とする。 VX =0.5×V90A ×(V2 −V50A )/(V90A −V50A ) (4) VX を上記の(4)式で表される値か0Vのいずれか大
きい方とした場合に、V1 、V2 の値が、以下の(5)
式を満足するようにされることが好ましい。 VX ≦V1 <V2 (5)
【0068】さらに、本発明が特に有効であるのは、ヒ
ステリシスの大きな階調領域において、V1 とV2 との
電圧の差ΔVがあるレベル以上ある場合である。具体的
には、降圧時に透過率が飽和透過率の50%になる電圧
をV50B とした時に、閾値電圧Vth<V2 <V50A の領
域でのV1 とV2 の平均的な電圧の差ΔVAVが、ΔV50
=V50A −V50B よりも大きい場合である。この条件下
では、ヒステリシスの持つ電圧幅よりもV1 とV2 との
電圧の差が大きくなり、ヒステリシスを見かけ上低減
し、焼き付きを低減する効果が大きくなる。ここでVth
は昇圧時の電圧透過率特性の閾値電圧を示す。
ステリシスの大きな階調領域において、V1 とV2 との
電圧の差ΔVがあるレベル以上ある場合である。具体的
には、降圧時に透過率が飽和透過率の50%になる電圧
をV50B とした時に、閾値電圧Vth<V2 <V50A の領
域でのV1 とV2 の平均的な電圧の差ΔVAVが、ΔV50
=V50A −V50B よりも大きい場合である。この条件下
では、ヒステリシスの持つ電圧幅よりもV1 とV2 との
電圧の差が大きくなり、ヒステリシスを見かけ上低減
し、焼き付きを低減する効果が大きくなる。ここでVth
は昇圧時の電圧透過率特性の閾値電圧を示す。
【0069】以下に、V1 とV2 の組合せの例を示し期
待される効果について説明する。階調のステップxは任
意変数であり、最終的な画像において優れた階調性が得
られるように変調して用いることができる。具体的に
は、8階調、16階調、64階調等がある。
待される効果について説明する。階調のステップxは任
意変数であり、最終的な画像において優れた階調性が得
られるように変調して用いることができる。具体的に
は、8階調、16階調、64階調等がある。
【0070】図6の例は、V1 が常にV2 より一定電圧
ΔVだけ低い駆動方法である。なお、この例ではV1 が
左端で0Vとされているが、もう少し右側で0Vとされ
る場合には、V1 ≧0Vの領域で一定電圧ΔVだけ低く
する。図7の例は、ある一定電圧以上でV1 =V2 とな
る駆動方法である。すなわち、少なくとも低電圧領域で
は2種類の電圧V1 とV2 との2つの電圧の差ΔVが、
V1 ≧0Vの領域で、印加電圧が低下するにつれて徐々
に大きくされている。電圧印加で透過状態になる場合に
は、電圧の差ΔVが、透過率が低下するにつれて徐々に
大きくされている。
ΔVだけ低い駆動方法である。なお、この例ではV1 が
左端で0Vとされているが、もう少し右側で0Vとされ
る場合には、V1 ≧0Vの領域で一定電圧ΔVだけ低く
する。図7の例は、ある一定電圧以上でV1 =V2 とな
る駆動方法である。すなわち、少なくとも低電圧領域で
は2種類の電圧V1 とV2 との2つの電圧の差ΔVが、
V1 ≧0Vの領域で、印加電圧が低下するにつれて徐々
に大きくされている。電圧印加で透過状態になる場合に
は、電圧の差ΔVが、透過率が低下するにつれて徐々に
大きくされている。
【0071】ここで、期待される効果を考えるには、液
晶固化物複合体の応答性の電圧依存性を考慮する必要が
ある。一般に、液晶固化物複合体では、応答時間は、用
いる材料の物性、分散する液晶粒子のサイズ、形状など
に依存するが、これらを変化させることにより、大きく
変化させることができる。
晶固化物複合体の応答性の電圧依存性を考慮する必要が
ある。一般に、液晶固化物複合体では、応答時間は、用
いる材料の物性、分散する液晶粒子のサイズ、形状など
に依存するが、これらを変化させることにより、大きく
変化させることができる。
【0072】例えば、表1のような応答特性の液晶固化
物複合体においては、全領域で(3A)式の関係が成り
立っているので、前に述べた焼き付きの低減効果が全領
域で期待できるため、図6の例の組合せで駆動すること
により全体的に焼き付きを低減することができる。
物複合体においては、全領域で(3A)式の関係が成り
立っているので、前に述べた焼き付きの低減効果が全領
域で期待できるため、図6の例の組合せで駆動すること
により全体的に焼き付きを低減することができる。
【0073】なお、この表1及び後記の表2における印
加電圧V1 、V2 の「低、中、高」は透過率状態の低透
過率状態(印加電圧が0V時に近い状態)、中程度の透
過率状態、高透過率状態(飽和透過率に近い状態)に対
応する電圧を示しており、透過率の絶対値を規定してい
るものではない。
加電圧V1 、V2 の「低、中、高」は透過率状態の低透
過率状態(印加電圧が0V時に近い状態)、中程度の透
過率状態、高透過率状態(飽和透過率に近い状態)に対
応する電圧を示しており、透過率の絶対値を規定してい
るものではない。
【0074】
【表1】
【0075】一方、表2のような応答特性の液晶固化物
複合体においては、透過率の低い領域でのみ(3A)式
の関係を満たしている。従って、印加電圧の組合せ(V
1 、V2 )が(低、中)または(低、高)の場合には、
焼き付きの低減効果が期待される。ただし、(低、高)
の組合せでは、フリッカーが生じやすい。このような場
合、一般に図7の例の組合せが有効である。表2のよう
な応答特性の液晶固化物複合体において、図6の組合せ
を用いた場合は、焼き付きは低減されるが、透過率の高
い領域で大きなフリッカーが発生しやすくなる。
複合体においては、透過率の低い領域でのみ(3A)式
の関係を満たしている。従って、印加電圧の組合せ(V
1 、V2 )が(低、中)または(低、高)の場合には、
焼き付きの低減効果が期待される。ただし、(低、高)
の組合せでは、フリッカーが生じやすい。このような場
合、一般に図7の例の組合せが有効である。表2のよう
な応答特性の液晶固化物複合体において、図6の組合せ
を用いた場合は、焼き付きは低減されるが、透過率の高
い領域で大きなフリッカーが発生しやすくなる。
【0076】
【表2】
【0077】この2例に示したように、V1 とV2 の組
合せは、用いる液晶固化物複合体の特性に応じて、適切
に設定することができる。10V以下の低い実効電圧で
駆動可能で高いコントラスト比を達成できる液晶固化物
複合体では、一般に、ヒステリシスが顕著であるのは、
低い透過率状態(透過率<40%)の領域である。従っ
て、この領域で焼き付きを低減するためには、少なくと
も、この低透過率領域で、(3A)式の関係を満たすこ
とが重要である。特に、前述のように透過率の20%を
得るための印加電圧V1 とV2 (V1 <V2 )を用いた
場合の応答時間Tr 、Td が、フィールド周期Tf と、 Td < 1.5・Tf < 0.7・Tr (3C) の関係を満たすことがより望ましい。
合せは、用いる液晶固化物複合体の特性に応じて、適切
に設定することができる。10V以下の低い実効電圧で
駆動可能で高いコントラスト比を達成できる液晶固化物
複合体では、一般に、ヒステリシスが顕著であるのは、
低い透過率状態(透過率<40%)の領域である。従っ
て、この領域で焼き付きを低減するためには、少なくと
も、この低透過率領域で、(3A)式の関係を満たすこ
とが重要である。特に、前述のように透過率の20%を
得るための印加電圧V1 とV2 (V1 <V2 )を用いた
場合の応答時間Tr 、Td が、フィールド周期Tf と、 Td < 1.5・Tf < 0.7・Tr (3C) の関係を満たすことがより望ましい。
【0078】この条件を満たす場合には、最もヒステリ
シスの大きな透過率状態でヒステリシスに基づく焼き付
きを低減できる。このように低透過率領域でのみヒステ
リシスが顕著な場合には、ヒステリシスの小さな高透過
率領域においては複数の電圧を用いずに、V1 =V2 と
しておけば、フリッカーの発生を抑制できる。
シスの大きな透過率状態でヒステリシスに基づく焼き付
きを低減できる。このように低透過率領域でのみヒステ
リシスが顕著な場合には、ヒステリシスの小さな高透過
率領域においては複数の電圧を用いずに、V1 =V2 と
しておけば、フリッカーの発生を抑制できる。
【0079】以上のように、用いる液晶固化物複合体の
ヒステリシス特性、応答特性に応じて、どのような印加
電圧を用いるかを決定することができ、階調表示のため
のγ補正をも考慮して複数の電圧を階調毎に決めればよ
い。
ヒステリシス特性、応答特性に応じて、どのような印加
電圧を用いるかを決定することができ、階調表示のため
のγ補正をも考慮して複数の電圧を階調毎に決めればよ
い。
【0080】以上に述べたように、この駆動方法におい
ては、応答時間の関係によりフリッカーが生ずる。特に
(3A)または(3B)式の関係を完全には満たさない
状態で焼き付きを低減しようとすると顕著なフリッカー
が生ずるし、満たしている場合でも、若干ながら時間的
な透過率の変動が起こりうる。このようなフリッカー
は、従来から知られている他の駆動方法と組み合わせる
ことにより、観察者に対して抑えることができる。
ては、応答時間の関係によりフリッカーが生ずる。特に
(3A)または(3B)式の関係を完全には満たさない
状態で焼き付きを低減しようとすると顕著なフリッカー
が生ずるし、満たしている場合でも、若干ながら時間的
な透過率の変動が起こりうる。このようなフリッカー
は、従来から知られている他の駆動方法と組み合わせる
ことにより、観察者に対して抑えることができる。
【0081】図8は、画素の配列状態を示す例である。
必ずしもこのように縦横に整列している必要はなく、各
画素が千鳥状に配置されていてもよいし、中心から全方
向に向かって放射状に(各画素は扇状)配置されていて
もよい。説明の都合上、横方向を行(m)、縦方向を列
(n)とし、例えば行n=2、列m=3の画素を画素A
23と表すことにする。
必ずしもこのように縦横に整列している必要はなく、各
画素が千鳥状に配置されていてもよいし、中心から全方
向に向かって放射状に(各画素は扇状)配置されていて
もよい。説明の都合上、横方向を行(m)、縦方向を列
(n)とし、例えば行n=2、列m=3の画素を画素A
23と表すことにする。
【0082】本発明では、印加される複数の電圧を隣接
する画素の少なくとも1方向でずらして駆動することに
より、見かけ上、フリッカーが減少して見える。
する画素の少なくとも1方向でずらして駆動することに
より、見かけ上、フリッカーが減少して見える。
【0083】例えば、図8の隣接する4つの画素A11、
A12、A21、A22に着目した場合、その4つの画素に表
3に示すような波形を加えることにより、平均的にフリ
ッカーを減ずることができる。すなわち、隣接する4つ
の画素での合計の透過光量がほとんど一定になり、個々
の画素ではフリッカーが発生しても4つの画素で平均化
されるため、フリッカーが目立たない。
A12、A21、A22に着目した場合、その4つの画素に表
3に示すような波形を加えることにより、平均的にフリ
ッカーを減ずることができる。すなわち、隣接する4つ
の画素での合計の透過光量がほとんど一定になり、個々
の画素ではフリッカーが発生しても4つの画素で平均化
されるため、フリッカーが目立たない。
【0084】表3の例では、この近接する4画素に夫々
の階調に合わせた正の低い方の電圧V1 、正の高い方の
電圧V2 、負の低い方の電圧−V1 及び負の高い方の電
圧−V2 の4つの電圧が印加され、各画素が4フィール
ドで1巡するようにされている。
の階調に合わせた正の低い方の電圧V1 、正の高い方の
電圧V2 、負の低い方の電圧−V1 及び負の高い方の電
圧−V2 の4つの電圧が印加され、各画素が4フィール
ドで1巡するようにされている。
【0085】
【表3】
【0086】この例では、V1 とV2 の印加する順番並
びに符号を画素毎にずらして4画素で空間的に平均して
フリッカーを軽減するものである。この例に限らず、得
たい画像に応じて、用いる液晶固化物複合体の特性、加
える映像信号の組合せ、行列に配置された画素への印加
順序、位相を最適に組み合わせることにより、フリッカ
ーを生じさせることなく、ヒステリシスに基づく焼き付
きを解消することができ、細やかな中間調をもつ動画表
示が可能である。
びに符号を画素毎にずらして4画素で空間的に平均して
フリッカーを軽減するものである。この例に限らず、得
たい画像に応じて、用いる液晶固化物複合体の特性、加
える映像信号の組合せ、行列に配置された画素への印加
順序、位相を最適に組み合わせることにより、フリッカ
ーを生じさせることなく、ヒステリシスに基づく焼き付
きを解消することができ、細やかな中間調をもつ動画表
示が可能である。
【0087】また、+V2 →+V1 →−V2 →−V1 →
+V2 となるように4フィールドで1巡するようにし、
画素A11では、そのまま+V2 →+V1 →−V2 →−V
1 の順に印加し、画素A12では位相を1つ進めて+V1
→−V2 →−V1 →+V2 の順に印加し、画素A21の順
に印加し、画素A22では位相を1つ進めて+V1 →−V
2 →−V1 →+V2 の順に印加し、画素A21ではさらに
では位相を1つ進めて−V2 →−V1 →+V2 →+V1
の順に印加し、画素A22ではさらにでは位相を1つ進め
て−V1 →+V2 →+V1 →−V2 の順に印加するよう
にしてもよい。
+V2 となるように4フィールドで1巡するようにし、
画素A11では、そのまま+V2 →+V1 →−V2 →−V
1 の順に印加し、画素A12では位相を1つ進めて+V1
→−V2 →−V1 →+V2 の順に印加し、画素A21の順
に印加し、画素A22では位相を1つ進めて+V1 →−V
2 →−V1 →+V2 の順に印加し、画素A21ではさらに
では位相を1つ進めて−V2 →−V1 →+V2 →+V1
の順に印加し、画素A22ではさらにでは位相を1つ進め
て−V1 →+V2 →+V1 →−V2 の順に印加するよう
にしてもよい。
【0088】上記例では、近接する4つの画素として隣
接する2行2列の田の字型の4つの画素でフリッカー対
策をとる例を示した。このような田の字型の画素群の場
合には、1巡するためのフィールド数が2、4、8の場
合には、フリッカーを特に目立ちにくくすることができ
る。このほか、1群に扱う画素数を2画素、3画素、さ
らにはより多くの画素としてもよいし、田の字型でなく
縦または横に連続して隣接した複数画素であってもよ
い。
接する2行2列の田の字型の4つの画素でフリッカー対
策をとる例を示した。このような田の字型の画素群の場
合には、1巡するためのフィールド数が2、4、8の場
合には、フリッカーを特に目立ちにくくすることができ
る。このほか、1群に扱う画素数を2画素、3画素、さ
らにはより多くの画素としてもよいし、田の字型でなく
縦または横に連続して隣接した複数画素であってもよ
い。
【0089】また、これは行または列単位であってもよ
い。具体的には、前記の電圧印加順+V2 →+V1 →−
V2 →−V1 を例にとると、奇数行では+V2 →+V1
→−V2 →−V1 となるように、偶数行では−V1 →−
V2 →+V1 →+V2 となるように駆動すればよい。ま
た、この近接する画素が、図8の行1、2、3、4の4
行で1組にされてもよいし、列1、2、3、4の4列で
1組にされてもよい。
い。具体的には、前記の電圧印加順+V2 →+V1 →−
V2 →−V1 を例にとると、奇数行では+V2 →+V1
→−V2 →−V1 となるように、偶数行では−V1 →−
V2 →+V1 →+V2 となるように駆動すればよい。ま
た、この近接する画素が、図8の行1、2、3、4の4
行で1組にされてもよいし、列1、2、3、4の4列で
1組にされてもよい。
【0090】なお、上記の説明では電圧印加で透過状態
の液晶固化物複合体を基に説明したので、低透過率の領
域は低電圧領域であり、高透過率の領域は高電圧領域と
なる。逆に、電圧印加で散乱状態の液晶固化物複合体を
用いた場合には、低透過率の領域は高電圧領域であり、
高透過率の領域は低電圧領域となる。この場合には、ヒ
ステリシスは低電圧領域である高透過率の領域で問題に
なる。また、(4)式の関係は、飽和透過率は充分に高
い電圧印加時の散乱状態での透過率(低透過状態)T
MIN となり、0V印加時の透過率(高透過状態)TMAX
との間を100等分した際に、90%不透過(10%透
過)は(T90% −TMIN )/(TMAX −TMIN )=10
%となる電圧をV90A と読む。
の液晶固化物複合体を基に説明したので、低透過率の領
域は低電圧領域であり、高透過率の領域は高電圧領域と
なる。逆に、電圧印加で散乱状態の液晶固化物複合体を
用いた場合には、低透過率の領域は高電圧領域であり、
高透過率の領域は低電圧領域となる。この場合には、ヒ
ステリシスは低電圧領域である高透過率の領域で問題に
なる。また、(4)式の関係は、飽和透過率は充分に高
い電圧印加時の散乱状態での透過率(低透過状態)T
MIN となり、0V印加時の透過率(高透過状態)TMAX
との間を100等分した際に、90%不透過(10%透
過)は(T90% −TMIN )/(TMAX −TMIN )=10
%となる電圧をV90A と読む。
【0091】液晶固化物複合体を用いる液晶表示装置は
投射型表示装置として用いる場合、高いコントラスト
比、高い輝度を達成できるなどの利点を有する。本発明
の液晶表示装置を複数個用いて、それぞれの液晶表示装
置の画像を合成し投射する投射型液晶表示装置において
は、上記の1枚の液晶表示装置内で映像信号の画素への
印加順序、位相を最適に組み合わせることの他に、合成
画像としてフリッカーを抑制することができる。
投射型表示装置として用いる場合、高いコントラスト
比、高い輝度を達成できるなどの利点を有する。本発明
の液晶表示装置を複数個用いて、それぞれの液晶表示装
置の画像を合成し投射する投射型液晶表示装置において
は、上記の1枚の液晶表示装置内で映像信号の画素への
印加順序、位相を最適に組み合わせることの他に、合成
画像としてフリッカーを抑制することができる。
【0092】具体的には、本発明の液晶表示装置を複数
用いて構成される投射型表示装置において、前記液晶表
示装置を第1のグループと第2のグループに分けて、第
1のグループと第2のグループとで、前記2種類の映像
信号の印加順序が逆であるようにすることにより、合成
画像のフリッカーを抑制することができる。具体的に
は、前記の電圧印加順+V2 →+V1 →−V2 →−V1
を例にとると、第1のグループでは+V2 →+V1 →−
V2 →−V1 、第2のグループでは−V1 →−V2 →+
V1 →+V2 とすることにより、重ね合わせた際にほと
んどフリッカーが目立たなくなる。
用いて構成される投射型表示装置において、前記液晶表
示装置を第1のグループと第2のグループに分けて、第
1のグループと第2のグループとで、前記2種類の映像
信号の印加順序が逆であるようにすることにより、合成
画像のフリッカーを抑制することができる。具体的に
は、前記の電圧印加順+V2 →+V1 →−V2 →−V1
を例にとると、第1のグループでは+V2 →+V1 →−
V2 →−V1 、第2のグループでは−V1 →−V2 →+
V1 →+V2 とすることにより、重ね合わせた際にほと
んどフリッカーが目立たなくなる。
【0093】2つのグループに分ける場合には、2種類
の印加電圧は、それぞれの液晶表示装置で完全に一致し
ている必要はなく、第1グループの信号順序が高電圧→
低電圧の際に、第2グループでは低電圧→高電圧となる
ように、電圧の大小の順序を逆にすればよい。すなわ
ち、例えば、第1グループでは+V21→+V11→−V21
→−V11(V11<V21)、第2のグループでは−V12→
−V22→+V12→+V22(V12<V22)とする。
の印加電圧は、それぞれの液晶表示装置で完全に一致し
ている必要はなく、第1グループの信号順序が高電圧→
低電圧の際に、第2グループでは低電圧→高電圧となる
ように、電圧の大小の順序を逆にすればよい。すなわ
ち、例えば、第1グループでは+V21→+V11→−V21
→−V11(V11<V21)、第2のグループでは−V12→
−V22→+V12→+V22(V12<V22)とする。
【0094】より具体的には、各グループ内でも行、列
単位で位相をずらし、前記第1のグループの奇数行と前
記第2のグループの偶数行とに第1の電圧駆動順+V2
→+V1 →−V2 →−V1 を適用し、前記第1のグルー
プの偶数行と前記第2のグループの奇数行に第2の電圧
駆動順−V1 →−V2 →+V1 →+V2 を適用すること
が好ましい。また、液晶表示装置の行の代りに、列毎
に、信号の印加順序を逆にすることによっても同様の効
果が得られる。
単位で位相をずらし、前記第1のグループの奇数行と前
記第2のグループの偶数行とに第1の電圧駆動順+V2
→+V1 →−V2 →−V1 を適用し、前記第1のグルー
プの偶数行と前記第2のグループの奇数行に第2の電圧
駆動順−V1 →−V2 →+V1 →+V2 を適用すること
が好ましい。また、液晶表示装置の行の代りに、列毎
に、信号の印加順序を逆にすることによっても同様の効
果が得られる。
【0095】また、RGBの3色用に3枚の液晶表示装
置を用いるカラー投射型液晶表示装置において、Gを第
1グループ、RとBを第2グループとして、行毎(また
は列毎)に、2種類の振幅変調の映像信号を交互に印加
し、さらに、グループによってその印加順序を逆にする
ことによってフリッカーの発生を抑制して、焼き付きの
ない階調表示に優れたフルカラーの動画表示を得ること
ができる。
置を用いるカラー投射型液晶表示装置において、Gを第
1グループ、RとBを第2グループとして、行毎(また
は列毎)に、2種類の振幅変調の映像信号を交互に印加
し、さらに、グループによってその印加順序を逆にする
ことによってフリッカーの発生を抑制して、焼き付きの
ない階調表示に優れたフルカラーの動画表示を得ること
ができる。
【0096】もちろん、この場合には3つのグループに
分けて位相をずらして駆動することができる。図9は田
の字型の4つの画素A11、A12、A21、A22のRGB3
個の液晶表示装置の夫々の駆動順を示しており、駆動順
の「1、2、3、4」は表4に記載の通りである。
分けて位相をずらして駆動することができる。図9は田
の字型の4つの画素A11、A12、A21、A22のRGB3
個の液晶表示装置の夫々の駆動順を示しており、駆動順
の「1、2、3、4」は表4に記載の通りである。
【0097】
【表4】
【0098】このV1 、V2 は、階調表示がうまくいく
ように実験的に定めればよいが、通常散乱状態からその
階調に相当するある透過率になる実効電圧Vx に対し
て、2Vx 2>V2 2 >Vx 2、Vx >V1 ≧0程度とされ
る。なお、高透過領域では前述のごとく、V1 =V2 と
することもある。また、透過率が20%程度の低透過率
領域では、一般的には0.7V2 >V1 とすることが好
ましい。
ように実験的に定めればよいが、通常散乱状態からその
階調に相当するある透過率になる実効電圧Vx に対し
て、2Vx 2>V2 2 >Vx 2、Vx >V1 ≧0程度とされ
る。なお、高透過領域では前述のごとく、V1 =V2 と
することもある。また、透過率が20%程度の低透過率
領域では、一般的には0.7V2 >V1 とすることが好
ましい。
【0099】また、V1 =0Vとして必ず一度は散乱状
態に戻して駆動するようにしてもよい。この場合には平
均透過光強度は減少することになり、画像が暗くなる欠
点はあるが、ヒステリシスの改善の点では効果が大き
い。また、この場合には、V1は交流駆動上影響を与え
ないので、3フィールドで1巡する、例えば、0→V2
→−V2 というような駆動順も可能である。
態に戻して駆動するようにしてもよい。この場合には平
均透過光強度は減少することになり、画像が暗くなる欠
点はあるが、ヒステリシスの改善の点では効果が大き
い。また、この場合には、V1は交流駆動上影響を与え
ないので、3フィールドで1巡する、例えば、0→V2
→−V2 というような駆動順も可能である。
【0100】オン時の透過率を大きく減少させたくない
ためには、ヒステリシスの小さな高透過領域で用いる電
圧を、0.5V2 <V1 とすることが好ましい。
ためには、ヒステリシスの小さな高透過領域で用いる電
圧を、0.5V2 <V1 とすることが好ましい。
【0101】また、2つの電圧で駆動する場合にも、1
巡を2フィールドまたは4フィールドとせずに、6フィ
ールドとし−V1 →+V2 →+V1 →−V1 →−V2 →
+V1 として、V1 を4回、V2 を2回としてもよい。
巡を2フィールドまたは4フィールドとせずに、6フィ
ールドとし−V1 →+V2 →+V1 →−V1 →−V2 →
+V1 として、V1 を4回、V2 を2回としてもよい。
【0102】上記の説明では、駆動順は一定としたが、
1巡目と2巡目で変えてもよく、例えば、表4の例でも
「1」の画素で、1巡目には「駆動順1」で駆動し、2
巡目には「駆動順3」で駆動してもよい。また、全てV
1 、V2 の2つの電圧を用いる例で説明したが、本発明
は3つ以上の電圧を用いてもよい。
1巡目と2巡目で変えてもよく、例えば、表4の例でも
「1」の画素で、1巡目には「駆動順1」で駆動し、2
巡目には「駆動順3」で駆動してもよい。また、全てV
1 、V2 の2つの電圧を用いる例で説明したが、本発明
は3つ以上の電圧を用いてもよい。
【0103】本発明は、各種の液晶表示装置に応用で
き、NTSCなどのテレビ画像表示や、コンピューター
表示などその他の高密度動画表示などに用いることがで
きる。テレビ表示の場合、基本周波数が決まっているた
め、その周波数に応じて用いる液晶固化物複合体の応答
特性などを決めればよい。また、映像信号を一旦メモリ
等に取り込んで周波数を変換して用いることもできる。
き、NTSCなどのテレビ画像表示や、コンピューター
表示などその他の高密度動画表示などに用いることがで
きる。テレビ表示の場合、基本周波数が決まっているた
め、その周波数に応じて用いる液晶固化物複合体の応答
特性などを決めればよい。また、映像信号を一旦メモリ
等に取り込んで周波数を変換して用いることもできる。
【0104】その他の表示の場合にも、用いる基本周波
数、すなわち、フィールド周波数に応じて用いる液晶固
化物複合体の特性、信号の変調法などを決めればよい。
この場合、得たい画像の階調数も考慮して用いる液晶固
化物複合体の特性、信号の駆動方法法などを決めること
が望ましい。
数、すなわち、フィールド周波数に応じて用いる液晶固
化物複合体の特性、信号の変調法などを決めればよい。
この場合、得たい画像の階調数も考慮して用いる液晶固
化物複合体の特性、信号の駆動方法法などを決めること
が望ましい。
【0105】上記のように、液晶固化物複合体を最適化
し、駆動方式により液晶固化物複合体の持つヒステリシ
スを軽減することにより、階調表示に優れた動画表示を
従来のTN型液晶表示素子用の能動素子や駆動用ICを
用いて得ることができる。
し、駆動方式により液晶固化物複合体の持つヒステリシ
スを軽減することにより、階調表示に優れた動画表示を
従来のTN型液晶表示素子用の能動素子や駆動用ICを
用いて得ることができる。
【0106】本発明では、液晶表示素子として電界が印
加されていない場合は、電界方向に配列していない液晶
の屈折率と、固化物マトリクスの屈折率との違いによ
り、散乱状態(つまり白濁状態)を示すものを使用する
ことが好ましい。
加されていない場合は、電界方向に配列していない液晶
の屈折率と、固化物マトリクスの屈折率との違いによ
り、散乱状態(つまり白濁状態)を示すものを使用する
ことが好ましい。
【0107】このような液晶表示素子を本発明のように
投射型表示装置として用いる場合には、電極のない部分
は光が散乱され、画素部分以外の部分に遮光膜を設けな
くても、光が投射スクリーンに到達しないため、黒く見
える。このことにより、画素電極以外の部分からの光の
漏れを防止するために、画素電極以外の部分を遮光膜等
で遮光する必要がないこととなり、遮光膜の形成工程が
不要となるという利点も有する。もちろん、より誤動作
をなくすために、遮光膜を形成してもよい。
投射型表示装置として用いる場合には、電極のない部分
は光が散乱され、画素部分以外の部分に遮光膜を設けな
くても、光が投射スクリーンに到達しないため、黒く見
える。このことにより、画素電極以外の部分からの光の
漏れを防止するために、画素電極以外の部分を遮光膜等
で遮光する必要がないこととなり、遮光膜の形成工程が
不要となるという利点も有する。もちろん、より誤動作
をなくすために、遮光膜を形成してもよい。
【0108】これに所望の画素に電界を印加する。この
電圧を印加された画素部分では、液晶が配列し、液晶の
n o と樹脂マトリクスの屈折率(np )とが一致するこ
とにより透過状態を示し、当該所望の画素で光が透過す
ることとなり、投射スクリーンに明るく表示される。
電圧を印加された画素部分では、液晶が配列し、液晶の
n o と樹脂マトリクスの屈折率(np )とが一致するこ
とにより透過状態を示し、当該所望の画素で光が透過す
ることとなり、投射スクリーンに明るく表示される。
【0109】この素子に、この硬化工程の際に特定の部
分のみに充分に高い電圧を印加した状態で硬化させるこ
とにより、その部分を常に光透過状態とすることができ
るので、固定表示したいものがある場合には、そのよう
な常透過部分を形成してもよい。
分のみに充分に高い電圧を印加した状態で硬化させるこ
とにより、その部分を常に光透過状態とすることができ
るので、固定表示したいものがある場合には、そのよう
な常透過部分を形成してもよい。
【0110】また、液晶表示素子にカラーフィルターを
設けることによりカラー表示を行うことができる。この
カラーフィルターは、1個の液晶表示素子に3色設けて
もよいし、1個の液晶表示素子に1色設けてもこれを3
個組み合わせてもよい。このカラーフィルターは、基板
の電極面側に設けてもよいし、外側に設けてもよい。ま
た、液晶固化物複合体中に染料、顔料等を混入しておく
ことにより、カラー表示を行うようにしてもよい。
設けることによりカラー表示を行うことができる。この
カラーフィルターは、1個の液晶表示素子に3色設けて
もよいし、1個の液晶表示素子に1色設けてもこれを3
個組み合わせてもよい。このカラーフィルターは、基板
の電極面側に設けてもよいし、外側に設けてもよい。ま
た、液晶固化物複合体中に染料、顔料等を混入しておく
ことにより、カラー表示を行うようにしてもよい。
【0111】本発明に用いる液晶表示素子は、画素電極
毎に能動素子を設けたアクティブマトリクス基板と、対
向電極を設けた対向電極基板との間に、液晶固化物複合
体を挟持する。
毎に能動素子を設けたアクティブマトリクス基板と、対
向電極を設けた対向電極基板との間に、液晶固化物複合
体を挟持する。
【0112】図10は、本発明のアクティブマトリクス
液晶表示素子の断面図である。図10において、11は
液晶表示素子、12はアクティブマトリクス基板用のガ
ラス、プラスチック等の基板、13はITO(In2 O
3 −SnO2 、SnO2 等の画素電極、14はトランジ
スタ、ダイオード、非線形抵抗素子等の能動素子、15
は対向電極基板用のガラス、プラスチック等の基板、1
6はITO、SnO2 等の対向電極、17は両基板間に
挟持された液晶固化物複合体を示している。そして図示
されていない駆動回路により、画素電極と対向電極との
間に電圧が印加される。
液晶表示素子の断面図である。図10において、11は
液晶表示素子、12はアクティブマトリクス基板用のガ
ラス、プラスチック等の基板、13はITO(In2 O
3 −SnO2 、SnO2 等の画素電極、14はトランジ
スタ、ダイオード、非線形抵抗素子等の能動素子、15
は対向電極基板用のガラス、プラスチック等の基板、1
6はITO、SnO2 等の対向電極、17は両基板間に
挟持された液晶固化物複合体を示している。そして図示
されていない駆動回路により、画素電極と対向電極との
間に電圧が印加される。
【0113】この能動素子としてTFT(薄膜トランジ
スタ)等の3端子素子を使用する場合には、対向電極基
板は全画素共通のベタ電極を設ければよいが、MIM素
子、PINダイオード等の2端子素子を用いる場合に
は、対向電極基板はストライプ状のパターニングをされ
る。
スタ)等の3端子素子を使用する場合には、対向電極基
板は全画素共通のベタ電極を設ければよいが、MIM素
子、PINダイオード等の2端子素子を用いる場合に
は、対向電極基板はストライプ状のパターニングをされ
る。
【0114】また、能動素子として、TFTを用いる場
合には、半導体材料としてはシリコンが好適でありう
る。特に多結晶シリコンは、非結晶シリコンのように感
光性がないため、光源からの光を遮光膜により遮光しな
くても誤動作しにくく、好ましい。この多結晶シリコン
は、本発明のように投射型液晶表示装置として用いる場
合、強い投射用光源を利用でき、明るい表示が得られ
る。なお、アモルファスシリコンを用いても、その半導
体部分に遮光膜を形成すれば、使用できる。
合には、半導体材料としてはシリコンが好適でありう
る。特に多結晶シリコンは、非結晶シリコンのように感
光性がないため、光源からの光を遮光膜により遮光しな
くても誤動作しにくく、好ましい。この多結晶シリコン
は、本発明のように投射型液晶表示装置として用いる場
合、強い投射用光源を利用でき、明るい表示が得られ
る。なお、アモルファスシリコンを用いても、その半導
体部分に遮光膜を形成すれば、使用できる。
【0115】また、電極は通常は透明電極とされるが、
反射型の液晶表示装置として使用する場合には、クロ
ム、アルミニウム等の反射電極としてもよい。また、紫
外線カットフィルター等を積層したり、文字、図形等を
印刷したりしてもよいし、複数枚の液晶表示素子を用い
たりするようにしてもよい。さらに、本発明では、この
液晶表示素子の外側にガラス板、プラスチック板等の保
護板を積層してもよい。これにより、その表面を加圧し
ても、破損する危険性が低くなり、安全性が向上する。
反射型の液晶表示装置として使用する場合には、クロ
ム、アルミニウム等の反射電極としてもよい。また、紫
外線カットフィルター等を積層したり、文字、図形等を
印刷したりしてもよいし、複数枚の液晶表示素子を用い
たりするようにしてもよい。さらに、本発明では、この
液晶表示素子の外側にガラス板、プラスチック板等の保
護板を積層してもよい。これにより、その表面を加圧し
ても、破損する危険性が低くなり、安全性が向上する。
【0116】本発明では、前述の液晶固化物複合体を構
成する硬化性化合物として光硬化性化合物を用いる場
合、光硬化ビニル系化合物の使用が好ましい。具体的に
は、光硬化性アクリル系化合物が例示され、特に、光照
射によって重合硬化するアクリルオリゴマーを含有する
ものが好ましい。
成する硬化性化合物として光硬化性化合物を用いる場
合、光硬化ビニル系化合物の使用が好ましい。具体的に
は、光硬化性アクリル系化合物が例示され、特に、光照
射によって重合硬化するアクリルオリゴマーを含有する
ものが好ましい。
【0117】本発明で使用される液晶は、各種ネマチッ
ク液晶が使用でき、電圧の印加状態により、液晶の屈折
率が変化し、1つの状態で液晶と固化物マトリクスの屈
折率がほぼ一致し、他の状態で屈折率が不一致になる液
晶が使用できる。特に、正の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶であって、固化物マトリクスの屈折率がその液
晶のn o と一致するような液晶を使用することが好まし
い。また、単独で用いても組成物を用いてもよいが、動
作温度範囲、動作電圧など種々の要求性能を満たすには
組成物を用いた方が有利といえる。
ク液晶が使用でき、電圧の印加状態により、液晶の屈折
率が変化し、1つの状態で液晶と固化物マトリクスの屈
折率がほぼ一致し、他の状態で屈折率が不一致になる液
晶が使用できる。特に、正の誘電異方性を有するネマチ
ック液晶であって、固化物マトリクスの屈折率がその液
晶のn o と一致するような液晶を使用することが好まし
い。また、単独で用いても組成物を用いてもよいが、動
作温度範囲、動作電圧など種々の要求性能を満たすには
組成物を用いた方が有利といえる。
【0118】また、液晶固化物複合体に使用される液晶
は、光硬化性化合物を用いた場合には、光硬化性化合物
を均一に溶解することが好ましく、光露光後の硬化物は
溶解しない、もしくは溶解困難なものとされ、組成物を
用いる場合は、個々の液晶の溶解度ができるだけ近いも
のが望ましい。
は、光硬化性化合物を用いた場合には、光硬化性化合物
を均一に溶解することが好ましく、光露光後の硬化物は
溶解しない、もしくは溶解困難なものとされ、組成物を
用いる場合は、個々の液晶の溶解度ができるだけ近いも
のが望ましい。
【0119】液晶固化物複合体を製造する場合、従来の
通常の液晶表示素子のようにアクティブマトリクス基板
と対向電極基板とを電極面が対向するように配置して、
周辺をシール材でシールして、注入口から液晶と硬化性
化合物との混合物を注入して、注入口を封止してもよい
し、一方の基板上に液晶と硬化性化合物との混合物を供
給して、他方の対向する基板を重ね合わせるようにして
製造してもよい。
通常の液晶表示素子のようにアクティブマトリクス基板
と対向電極基板とを電極面が対向するように配置して、
周辺をシール材でシールして、注入口から液晶と硬化性
化合物との混合物を注入して、注入口を封止してもよい
し、一方の基板上に液晶と硬化性化合物との混合物を供
給して、他方の対向する基板を重ね合わせるようにして
製造してもよい。
【0120】本発明の液晶表示素子は、液晶中に2色性
色素や単なる色素、顔料を添加したり、硬化性化合物と
して着色したものを使用したりしてもよい。
色素や単なる色素、顔料を添加したり、硬化性化合物と
して着色したものを使用したりしてもよい。
【0121】このように液晶固化物複合体とすることに
より、上下の透明電極が短絡する危険性が低く、かつ、
通常のTN型の表示素子のように配向や基板間隙を厳密
に制御する必要もなく、透過状態と散乱状態とを制御し
うる液晶表示素子を極めて生産性良く製造できる。
より、上下の透明電極が短絡する危険性が低く、かつ、
通常のTN型の表示素子のように配向や基板間隙を厳密
に制御する必要もなく、透過状態と散乱状態とを制御し
うる液晶表示素子を極めて生産性良く製造できる。
【0122】投射型液晶表示装置として使用する場合、
投射用光源、投射光学系、投射スクリーン等は従来から
の投射用光源、投射光学系、投射スクリーンが使用で
き、投射用光源と投射光学系との間に本発明の液晶表示
素子を配置すればよい。もちろん、複数の液晶表示素子
の像を光学系を用いて合成して表示するようにしてもよ
い。また、これに冷却系を付加したり、LED等のTV
チャンネル表示等を付加したりしてもよい。
投射用光源、投射光学系、投射スクリーン等は従来から
の投射用光源、投射光学系、投射スクリーンが使用で
き、投射用光源と投射光学系との間に本発明の液晶表示
素子を配置すればよい。もちろん、複数の液晶表示素子
の像を光学系を用いて合成して表示するようにしてもよ
い。また、これに冷却系を付加したり、LED等のTV
チャンネル表示等を付加したりしてもよい。
【0123】図11は、図10のアクティブマトリクス
液晶表示素子を用いた投射型アクティブマトリクス液晶
表示装置の模式図である。図11において、21は投射
用光源、22は液晶表示素子、23はレンズ、アパーチ
ャー等を含む投射光学系、24は投射する投射スクリー
ンを示している。なお、投射光学系はこの例では、アパ
ーチャーやスポット等の拡散光を減ずる装置25、集光
レンズ26、投射レンズ27を含んでいる。
液晶表示素子を用いた投射型アクティブマトリクス液晶
表示装置の模式図である。図11において、21は投射
用光源、22は液晶表示素子、23はレンズ、アパーチ
ャー等を含む投射光学系、24は投射する投射スクリー
ンを示している。なお、投射光学系はこの例では、アパ
ーチャーやスポット等の拡散光を減ずる装置25、集光
レンズ26、投射レンズ27を含んでいる。
【0124】図12は、本発明のフルカラーの投射型ア
クティブマトリクス液晶表示装置のダイクロイックプリ
ズムを用いた例の模式図である。図12において、31
は光源、32は凹面鏡、33はコンデンサーレンズ、3
4は分光用ダイクロイックプリズム、35A、35B、
35C、35Dは鏡であり、31〜35Dで光源を構成
する。36A、36B、36Cは各色に対応した液晶固
化物樹脂複合体を挟持した液晶表示素子、37は合成用
ダイクロイックプリズム、38は投射レンズ、39は直
進光以外を除去するための拡散光を減ずる装置、40は
投射するスクリーンである。37〜39で投射光学系を
構成している。
クティブマトリクス液晶表示装置のダイクロイックプリ
ズムを用いた例の模式図である。図12において、31
は光源、32は凹面鏡、33はコンデンサーレンズ、3
4は分光用ダイクロイックプリズム、35A、35B、
35C、35Dは鏡であり、31〜35Dで光源を構成
する。36A、36B、36Cは各色に対応した液晶固
化物樹脂複合体を挟持した液晶表示素子、37は合成用
ダイクロイックプリズム、38は投射レンズ、39は直
進光以外を除去するための拡散光を減ずる装置、40は
投射するスクリーンである。37〜39で投射光学系を
構成している。
【0125】特に、この投射型の表示をする場合、光路
上の焦点位置に散乱部分で散乱された拡散光を減ずる装
置、例えば、アパーチャー、スポット、小型の反射鏡を
設置することにより、表示コントラストを大きくするこ
とができる。
上の焦点位置に散乱部分で散乱された拡散光を減ずる装
置、例えば、アパーチャー、スポット、小型の反射鏡を
設置することにより、表示コントラストを大きくするこ
とができる。
【0126】すなわち、拡散光を減ずる装置とは、液晶
表示素子を通過した光の内、入射光に対して直進する光
(画素部分が透過状態の部分を透過する光)を取り出
し、直進しない光(液晶固化物複合体が散乱状態の部分
で散乱される光)を減ずるものであればよい。特に、直
進する光は減ずることなく、直進しない光である拡散光
を減ずることが好ましい。
表示素子を通過した光の内、入射光に対して直進する光
(画素部分が透過状態の部分を透過する光)を取り出
し、直進しない光(液晶固化物複合体が散乱状態の部分
で散乱される光)を減ずるものであればよい。特に、直
進する光は減ずることなく、直進しない光である拡散光
を減ずることが好ましい。
【0127】具体的な装置としては、液晶表示素子と投
射光学系とで構成され、液晶表示素子を通過した光が集
光レンズで集光され、孔のあいた板であるアパーチャー
やスポットの孔を通過し、投射レンズにより投射される
装置がある。この例によれば、投射用光源からでて液晶
表示素子を通過した光の内、入射光に対して直進する光
は集光レンズにより集光され、アパーチャーやスポット
に開けられた孔を通過して、投射レンズを通し投射され
る。一方、液晶表示素子で散乱させられた直進しない光
は、集光レンズにより集光されても、アパーチャーやス
ポットに開けられた孔を通過しない。このため、散乱光
が投射されないことになり、コントラスト比のよい投射
画像が得られる。
射光学系とで構成され、液晶表示素子を通過した光が集
光レンズで集光され、孔のあいた板であるアパーチャー
やスポットの孔を通過し、投射レンズにより投射される
装置がある。この例によれば、投射用光源からでて液晶
表示素子を通過した光の内、入射光に対して直進する光
は集光レンズにより集光され、アパーチャーやスポット
に開けられた孔を通過して、投射レンズを通し投射され
る。一方、液晶表示素子で散乱させられた直進しない光
は、集光レンズにより集光されても、アパーチャーやス
ポットに開けられた孔を通過しない。このため、散乱光
が投射されないことになり、コントラスト比のよい投射
画像が得られる。
【0128】また、他の例としては、アパーチャーやス
ポットの代りに、小さな面積を有する鏡を同じ位置に斜
めに配置し、反射させてその光軸上に配置された投射レ
ンズを通して投射させることもできる。また、このよう
な集光レンズを用いることなく、投射レンズにより光線
が絞られる位置にスポット、鏡等を設置してもよい。ま
た、特別なアパーチャー等を用いなくとも、投射用レン
ズの焦点距離、口径を、散乱光が除去されるように選択
してもよい。
ポットの代りに、小さな面積を有する鏡を同じ位置に斜
めに配置し、反射させてその光軸上に配置された投射レ
ンズを通して投射させることもできる。また、このよう
な集光レンズを用いることなく、投射レンズにより光線
が絞られる位置にスポット、鏡等を設置してもよい。ま
た、特別なアパーチャー等を用いなくとも、投射用レン
ズの焦点距離、口径を、散乱光が除去されるように選択
してもよい。
【0129】また、マイクロレンズ系なども使用でき
る。具体的には、液晶表示素子の投射光学系側にマイク
ロレンズアレイと細やかな穴がアレイ化されたスポット
アレイを配置して、不要な散乱光を除去できる。この場
合、散乱光除去に必要な光路長を非常に短くすることが
できるため全体の投射型表示装置をコンパクトにできる
という利点を持つ。光路長の短縮に関しては、投射光学
系の中に散乱除去系を組み込むことも有効である。この
場合、独立に投射光学系と散乱除去系を設置するより光
学系がシンプルになるとともに、サイズを小さく抑える
ことができる。
る。具体的には、液晶表示素子の投射光学系側にマイク
ロレンズアレイと細やかな穴がアレイ化されたスポット
アレイを配置して、不要な散乱光を除去できる。この場
合、散乱光除去に必要な光路長を非常に短くすることが
できるため全体の投射型表示装置をコンパクトにできる
という利点を持つ。光路長の短縮に関しては、投射光学
系の中に散乱除去系を組み込むことも有効である。この
場合、独立に投射光学系と散乱除去系を設置するより光
学系がシンプルになるとともに、サイズを小さく抑える
ことができる。
【0130】これらの光学系は、ミラー、ダイクロイッ
クミラー、プリズム、ダイクロイックプリズム、レンズ
などと組合せ、画像の合成、カラー化ができるととも
に、カラーフィルターと組み合わせることによっても画
像のカラー化が可能である。投射スクリーン上に到達す
る直進成分と散乱成分との比は、スポット、鏡等の径及
びレンズの焦点距離により制御可能で、所望の表示コン
トラスト、表示輝度を得られるように設定すればよい。
クミラー、プリズム、ダイクロイックプリズム、レンズ
などと組合せ、画像の合成、カラー化ができるととも
に、カラーフィルターと組み合わせることによっても画
像のカラー化が可能である。投射スクリーン上に到達す
る直進成分と散乱成分との比は、スポット、鏡等の径及
びレンズの焦点距離により制御可能で、所望の表示コン
トラスト、表示輝度を得られるように設定すればよい。
【0131】拡散光を減ずる装置を用いる場合、表示の
輝度を上げるためには、投射用光源から液晶表示素子に
入射される光はより平行であることが好ましく、そのた
めには高輝度でかつできるだけ点光源に近い光源と、凹
面鏡、コンデンサーレンズ等を組み合わせて投射用光源
を構成することが好ましい。
輝度を上げるためには、投射用光源から液晶表示素子に
入射される光はより平行であることが好ましく、そのた
めには高輝度でかつできるだけ点光源に近い光源と、凹
面鏡、コンデンサーレンズ等を組み合わせて投射用光源
を構成することが好ましい。
【0132】また、上記の説明では、主として透過型で
説明したが、反射型の投射型表示装置であっても例え
ば、スポットの代りに小型の鏡を配置して必要な光のみ
を取り出すようにすることができる。
説明したが、反射型の投射型表示装置であっても例え
ば、スポットの代りに小型の鏡を配置して必要な光のみ
を取り出すようにすることができる。
【0133】
【作用】本発明によれば、複数の電圧を印加することに
より、ヒステリシスにより生じる焼き付きを抑制でき、
高いコントラスト比の表示が得られ、投射型表示で用い
られた場合には、透過−散乱型の液晶表示素子が透過状
態の部分では光が透過し、投射スクリーンは明るく表示
され、散乱状態の部分では光が散乱され、投射スクリー
ンは暗く表示され、所望の高輝度、高コントラスト比の
表示が得られる。さらに、本発明では、従来のTN型液
晶表示素子用の能動素子や駆動用ICを用いて、階調の
細やかな表示が容易にできる。
より、ヒステリシスにより生じる焼き付きを抑制でき、
高いコントラスト比の表示が得られ、投射型表示で用い
られた場合には、透過−散乱型の液晶表示素子が透過状
態の部分では光が透過し、投射スクリーンは明るく表示
され、散乱状態の部分では光が散乱され、投射スクリー
ンは暗く表示され、所望の高輝度、高コントラスト比の
表示が得られる。さらに、本発明では、従来のTN型液
晶表示素子用の能動素子や駆動用ICを用いて、階調の
細やかな表示が容易にできる。
【0134】
【実施例】実施例1 ガラス基板(コーニング社製7059基板)上にクロム
を60nm蒸着して、パターニングしてゲート電極とし
た。引き続きシリコンオキシナイトライド膜と非晶質シ
リコン膜をプラズマCVD装置で堆積した。これをレー
ザーを用いてアニールした後、パターニングして多結晶
シリコンとした。これにリンドープ非晶質シリコン、ク
ロムを夫々プラズマCVD、蒸着装置を用いて堆積し、
多結晶シリコンを覆うようにパターニングして、第1層
目のソース電極、ドレイン電極とした。
を60nm蒸着して、パターニングしてゲート電極とし
た。引き続きシリコンオキシナイトライド膜と非晶質シ
リコン膜をプラズマCVD装置で堆積した。これをレー
ザーを用いてアニールした後、パターニングして多結晶
シリコンとした。これにリンドープ非晶質シリコン、ク
ロムを夫々プラズマCVD、蒸着装置を用いて堆積し、
多結晶シリコンを覆うようにパターニングして、第1層
目のソース電極、ドレイン電極とした。
【0135】さらに、ITOを蒸着した後、パターニン
グして画素電極を形成した。続いて、クロム、アルミニ
ウムを連続蒸着して、パターニングして、第2層目のソ
ース電極、ドレイン電極とした。その際、画素電極と、
第1層目のドレイン電極及び第2層目のドレイン電極と
を接続するようにした。この後、再び、シリコンオキシ
ナイトライド膜をプラズマCVD装置で堆積し保護膜と
し、アクティブマトリクス基板を作成した。
グして画素電極を形成した。続いて、クロム、アルミニ
ウムを連続蒸着して、パターニングして、第2層目のソ
ース電極、ドレイン電極とした。その際、画素電極と、
第1層目のドレイン電極及び第2層目のドレイン電極と
を接続するようにした。この後、再び、シリコンオキシ
ナイトライド膜をプラズマCVD装置で堆積し保護膜と
し、アクティブマトリクス基板を作成した。
【0136】全面にベタのITO電極を形成した同じガ
ラス基板による対向電極基板と、前に製造したアクティ
ブマトリクス基板とを電極面が対向するように配置し
て、内部に直径約11.0μmのスペーサーを散布し
て、その周辺を注入口部分を除き、エポキシ系のシール
材でシールして、基板間隙11.0μmの空セルを製造
した。
ラス基板による対向電極基板と、前に製造したアクティ
ブマトリクス基板とを電極面が対向するように配置し
て、内部に直径約11.0μmのスペーサーを散布し
て、その周辺を注入口部分を除き、エポキシ系のシール
材でシールして、基板間隙11.0μmの空セルを製造
した。
【0137】ネマチック液晶、アクリレートモノマー、
2官能ウレタンアクリレートオリゴマー、光硬化開始剤
を均一に溶解した溶液をセルに注入し、紫外線露光によ
り液晶固化物複合体を硬化させ、アクティブマトリクス
液晶表示素子を作成した。
2官能ウレタンアクリレートオリゴマー、光硬化開始剤
を均一に溶解した溶液をセルに注入し、紫外線露光によ
り液晶固化物複合体を硬化させ、アクティブマトリクス
液晶表示素子を作成した。
【0138】図1に示される波形(4フィールドで1
巡)をビデオ信号より構成し、この素子を駆動した。こ
こで、最大駆動電圧は8V、フィールド周期は約16.
7msec、V1 とV2 の関係は図7に示すようにし
た。なお、V2 が電圧軸と交差する電圧を1V、V1 と
V2 とが一致する電圧を5.5V、V1 が0Vとなった
時のV2 を2.8Vとした。
巡)をビデオ信号より構成し、この素子を駆動した。こ
こで、最大駆動電圧は8V、フィールド周期は約16.
7msec、V1 とV2 の関係は図7に示すようにし
た。なお、V2 が電圧軸と交差する電圧を1V、V1 と
V2 とが一致する電圧を5.5V、V1 が0Vとなった
時のV2 を2.8Vとした。
【0139】この素子の応答時間(全透過率変化の90
%変化するのに要する時間)は、0V→8Vが20ms
ec、0V→4.5Vが100msec、8V→0Vが
16msec、4.5V→0Vが15msecであっ
た。
%変化するのに要する時間)は、0V→8Vが20ms
ec、0V→4.5Vが100msec、8V→0Vが
16msec、4.5V→0Vが15msecであっ
た。
【0140】得られた画像は、焼き付きの無い、中間調
表示の優れたものであり、投射用光源と投射光学系を用
いて画像を投射したところ、コントラスト比が100以
上の表示が得られた。また、フリッカーはほとんど見ら
れなかった。
表示の優れたものであり、投射用光源と投射光学系を用
いて画像を投射したところ、コントラスト比が100以
上の表示が得られた。また、フリッカーはほとんど見ら
れなかった。
【0141】比較例1 実施例1の液晶表示素子を通常のビデオ信号で駆動し
た。明暗の差の大きな画面からやや暗い画面に切り替わ
った場合に、若干前画像が焼き付いて残った。
た。明暗の差の大きな画面からやや暗い画面に切り替わ
った場合に、若干前画像が焼き付いて残った。
【0142】実施例2 実施例1の液晶表示素子を、実施例1とほぼ同様に駆動
した。但し、V1 とV2 の関係は図7を少し変更した。
すなわち、V2 は図7と同じにし、V1 は階調軸と交差
する点は同じにして、V2 が5.5Vのときに、V1 が
4.5Vとし、それよりも高透過率領域では常にV2 −
V1 が1Vとなるようにした。
した。但し、V1 とV2 の関係は図7を少し変更した。
すなわち、V2 は図7と同じにし、V1 は階調軸と交差
する点は同じにして、V2 が5.5Vのときに、V1 が
4.5Vとし、それよりも高透過率領域では常にV2 −
V1 が1Vとなるようにした。
【0143】得られた画像は、焼き付きの無い、中間調
表示の優れたものであり、投射用光源と投射光学系を用
いて画像を投射したところ、コントラスト比が100以
上の表示が得られたが、若干フリッカーが見られた。
表示の優れたものであり、投射用光源と投射光学系を用
いて画像を投射したところ、コントラスト比が100以
上の表示が得られたが、若干フリッカーが見られた。
【0144】この同じ素子を、同じV1 とV2 の関係
で、奇数行はV1 →V2 の順、偶数行はV2 →V1 の順
になるように駆動を行ったところ、フリッカーが減少し
た。さらに、この同じ素子を、同じV1 とV2 の関係
で、奇数行はV1 →V2 の順、偶数行はV2 →V1 の
順、奇数列は符号が正→負の順、偶数列は符号が負→正
の順となるように駆動を行ったところ、フリッカーはほ
とんど見られなかった。
で、奇数行はV1 →V2 の順、偶数行はV2 →V1 の順
になるように駆動を行ったところ、フリッカーが減少し
た。さらに、この同じ素子を、同じV1 とV2 の関係
で、奇数行はV1 →V2 の順、偶数行はV2 →V1 の
順、奇数列は符号が正→負の順、偶数列は符号が負→正
の順となるように駆動を行ったところ、フリッカーはほ
とんど見られなかった。
【0145】実施例3 実施例1の液晶表示素子をV1 =0Vとし、3フィール
ドを1巡として駆動した。この結果、実施例1よりも、
焼き付きの無い、中間調表示の優れたものであり、投射
用光源と投射光学系を用いて画像を投射したところ、コ
ントラスト比が100以上の表示が得られたが、画像が
少し暗くなった。
ドを1巡として駆動した。この結果、実施例1よりも、
焼き付きの無い、中間調表示の優れたものであり、投射
用光源と投射光学系を用いて画像を投射したところ、コ
ントラスト比が100以上の表示が得られたが、画像が
少し暗くなった。
【0146】実施例4 実施例1の液晶表示素子を3つの電圧V1 、V2 、V3
で駆動した。この際、V1 とV2 は実施例1と同じと
し、V3 はV1 とV2 の中間の値とした。6フィールド
で1巡するように駆動した。この結果、焼き付きの無
い、中間調表示の優れたものであり、投射用光源と投射
光学系を用いて画像を投射したところ、コントラスト比
が100以上の表示が得られた。
で駆動した。この際、V1 とV2 は実施例1と同じと
し、V3 はV1 とV2 の中間の値とした。6フィールド
で1巡するように駆動した。この結果、焼き付きの無
い、中間調表示の優れたものであり、投射用光源と投射
光学系を用いて画像を投射したところ、コントラスト比
が100以上の表示が得られた。
【0147】実施例5 実施例1とほぼ同様に液晶表示素子を3枚作成し、それ
ぞれRGB用とした。それぞれの液晶表示素子の液晶固
化物複合体、電極間間隙は用いる色に対し最適化し、0
〜8Vの駆動で、ほぼ等しい電圧−透過率曲線を持つよ
うにした。この3枚の素子を投射用光源と、投射光学
系、色分離用ダイクロイックミラー、色合成用ダイクロ
イックミラーなどと組み合わせて、投射型液晶表示装置
とした。
ぞれRGB用とした。それぞれの液晶表示素子の液晶固
化物複合体、電極間間隙は用いる色に対し最適化し、0
〜8Vの駆動で、ほぼ等しい電圧−透過率曲線を持つよ
うにした。この3枚の素子を投射用光源と、投射光学
系、色分離用ダイクロイックミラー、色合成用ダイクロ
イックミラーなどと組み合わせて、投射型液晶表示装置
とした。
【0148】RGBの素子に対し、実施例2と同様の変
調のかかった2種類のビデオ信号を、実施例2と同じ印
加順序で印加したところ、スクリーン上にフリッカーの
ほとんどないフルカラーの動画表示が得られた。
調のかかった2種類のビデオ信号を、実施例2と同じ印
加順序で印加したところ、スクリーン上にフリッカーの
ほとんどないフルカラーの動画表示が得られた。
【0149】実施例6 実施例5の液晶表示装置を実施例5とほぼ同様に駆動し
た。但し、G用の素子を第1グループ、RとB用の素子
を第2グループとし、V1 とV2 の行毎の印加順序を逆
にした。スクリーン上に画像を投射したところ、観察者
の目には全くフリッカーを感じない焼き付きのないフル
カラーの動画表示が得られた。
た。但し、G用の素子を第1グループ、RとB用の素子
を第2グループとし、V1 とV2 の行毎の印加順序を逆
にした。スクリーン上に画像を投射したところ、観察者
の目には全くフリッカーを感じない焼き付きのないフル
カラーの動画表示が得られた。
【0150】実施例7 液晶表示素子を実施例1と同様に作成し、V1 とV2 が
図6の関係となるように駆動した。V2 −V1 が常に1
Vとなるようにした。なお、使用した液晶固化物複合体
の電圧−透過率特性は、閾値電圧(Vth)が3.5V、
V50A が5.5V、V50B が5.1Vであり、ΔVAVは
1V(=V2 −V1 )、ΔV50は0.4V(=V50A −
V50B )となり、ΔVAV>ΔV50の関係を満たしてい
た。この駆動においては、階調の全領域でヒステリシス
に基づく焼き付きはほぼ解消されており、精細な階調表
示が達成された。
図6の関係となるように駆動した。V2 −V1 が常に1
Vとなるようにした。なお、使用した液晶固化物複合体
の電圧−透過率特性は、閾値電圧(Vth)が3.5V、
V50A が5.5V、V50B が5.1Vであり、ΔVAVは
1V(=V2 −V1 )、ΔV50は0.4V(=V50A −
V50B )となり、ΔVAV>ΔV50の関係を満たしてい
た。この駆動においては、階調の全領域でヒステリシス
に基づく焼き付きはほぼ解消されており、精細な階調表
示が達成された。
【0151】実施例8 実施例5とほぼ同様な液晶表示素子を作成し駆動した。
なお、ΔVAVは0.3V(=V2 −V1 )、ΔV50は
0.4V(=V50A −V50B )となり、ΔVAV<ΔV50
の関係を満たしていた。この駆動においては、ヒステリ
シスに基づく焼き付きはかなり改善されたが、特殊な画
面間の変化時には、若干の焼き付きが見られた。なお、
V2 =8V印加時(完全オン時)の輝度は実施例7とほ
とんど変化はなかった。
なお、ΔVAVは0.3V(=V2 −V1 )、ΔV50は
0.4V(=V50A −V50B )となり、ΔVAV<ΔV50
の関係を満たしていた。この駆動においては、ヒステリ
シスに基づく焼き付きはかなり改善されたが、特殊な画
面間の変化時には、若干の焼き付きが見られた。なお、
V2 =8V印加時(完全オン時)の輝度は実施例7とほ
とんど変化はなかった。
【0152】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子では、アクティブ
マトリクス基板と対向電極基板との間に挟持される液晶
材料として、電気的に散乱状態と透過状態とを制御しう
る液晶固化物複合体を挟持した液晶表示素子を用いてい
るため、偏光板が不要であり、透過時の光の透過率を大
幅に向上できる。
マトリクス基板と対向電極基板との間に挟持される液晶
材料として、電気的に散乱状態と透過状態とを制御しう
る液晶固化物複合体を挟持した液晶表示素子を用いてい
るため、偏光板が不要であり、透過時の光の透過率を大
幅に向上できる。
【0153】本発明の液晶表示素子は、電界が印加され
ない状態で高い散乱性を有し、能動素子により電界を印
加した状態で高い透過性を有するものであり、従来のT
N型液晶表示素子用の駆動用ICを用いた駆動において
も、高コントラスト比を有し、かつ高輝度の表示が可能
になる。
ない状態で高い散乱性を有し、能動素子により電界を印
加した状態で高い透過性を有するものであり、従来のT
N型液晶表示素子用の駆動用ICを用いた駆動において
も、高コントラスト比を有し、かつ高輝度の表示が可能
になる。
【0154】さらに、階調駆動を行った際にも、残像を
生じにくく、中間調がきれいにでる階調表示ができ、ヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象を低減できる。このた
め、本発明の液晶表示素子は、投射型表示に有効であ
り、画像の焼き付きがなく、明るくコントラストの良い
投射型表示が得られる。また、光源も小型化できる。
生じにくく、中間調がきれいにでる階調表示ができ、ヒ
ステリシスに基づく焼き付き現象を低減できる。このた
め、本発明の液晶表示素子は、投射型表示に有効であ
り、画像の焼き付きがなく、明るくコントラストの良い
投射型表示が得られる。また、光源も小型化できる。
【0155】また、偏光板を用いなくてもよいため、光
学特性の波長依存性が少なく、光源の色補正等がほとん
ど不要になるという利点も有している。また、TN型液
晶表示素子に必須のラビング等の配向処理やそれに伴う
静電気の発生による能動素子の破壊といった問題点も避
けられるので、液晶表示素子の製造歩留りを大幅に向上
させることができる。
学特性の波長依存性が少なく、光源の色補正等がほとん
ど不要になるという利点も有している。また、TN型液
晶表示素子に必須のラビング等の配向処理やそれに伴う
静電気の発生による能動素子の破壊といった問題点も避
けられるので、液晶表示素子の製造歩留りを大幅に向上
させることができる。
【0156】さらに、この液晶固化物複合体は、硬化後
はフィルム状になっているので、基板の加圧による基板
間短絡やスペーサーの移動による能動素子の破壊といっ
た問題点も生じにくい。
はフィルム状になっているので、基板の加圧による基板
間短絡やスペーサーの移動による能動素子の破壊といっ
た問題点も生じにくい。
【0157】また、この液晶固化物複合体は、比抵抗が
従来のTNモードの場合と同等であり、従来のDSM型
のように大きな蓄積容量を画素電極毎に設けなくてもよ
く、能動素子の設計が容易で、有効画素電極面積の割合
を大きくしやすく、かつ、液晶表示素子の消費電力を少
なく保つことができる。
従来のTNモードの場合と同等であり、従来のDSM型
のように大きな蓄積容量を画素電極毎に設けなくてもよ
く、能動素子の設計が容易で、有効画素電極面積の割合
を大きくしやすく、かつ、液晶表示素子の消費電力を少
なく保つことができる。
【0158】また、この液晶固化物複合体を用いた液晶
表示素子は、応答時間が短いという特長も有しており、
動画の表示も容易なものである。さらに、この液晶表示
素子の電気光学特性(電圧−透過率)は、TNモードの
液晶表示素子に比して比較的なだらかな特性であるの
で、階調表示への適用が容易である。
表示素子は、応答時間が短いという特長も有しており、
動画の表示も容易なものである。さらに、この液晶表示
素子の電気光学特性(電圧−透過率)は、TNモードの
液晶表示素子に比して比較的なだらかな特性であるの
で、階調表示への適用が容易である。
【0159】また、本発明の液晶表示素子は、電界を印
加しない部分では光が散乱されるため、画素以外の部分
を遮光膜により遮光しなくても投射時に光の漏れがな
く、隣接画素間の間隙を遮光する必要がない。このた
め、特に、能動素子として多結晶シリコンによる能動素
子を用いることにより、能動素子部分に遮光膜無しまた
は薄い遮光膜を設けるのみで高輝度の投射用光源を用い
ることができ、高輝度の投射型液晶表示装置を容易に得
ることができる。さらにこの場合には遮光膜を全く設け
なくてもよいことになり、さらに生産工程を簡便化でき
る。
加しない部分では光が散乱されるため、画素以外の部分
を遮光膜により遮光しなくても投射時に光の漏れがな
く、隣接画素間の間隙を遮光する必要がない。このた
め、特に、能動素子として多結晶シリコンによる能動素
子を用いることにより、能動素子部分に遮光膜無しまた
は薄い遮光膜を設けるのみで高輝度の投射用光源を用い
ることができ、高輝度の投射型液晶表示装置を容易に得
ることができる。さらにこの場合には遮光膜を全く設け
なくてもよいことになり、さらに生産工程を簡便化でき
る。
【0160】本発明は、この外、本発明の効果を損しな
い範囲内で種々の応用が可能である。
い範囲内で種々の応用が可能である。
【図1】本発明の特定画素におけるV1 、V2 の印加状
態を示す例の波形図。
態を示す例の波形図。
【図2】本発明の特定画素におけるV1 、V2 の印加状
態を示す他の例の波形図。
態を示す他の例の波形図。
【図3】液晶固化物複合体の電圧−透過率特性のヒステ
リシスを示した図。
リシスを示した図。
【図4】(3A)式の条件下で、透過状態から、図1の
駆動波形で、V1 、V2を交互に加えた場合の透過率変
化を示した図。
駆動波形で、V1 、V2を交互に加えた場合の透過率変
化を示した図。
【図5】(3A)式の条件下で、散乱状態から、図1の
駆動波形で、V1 、V2を交互に加えた場合の透過率変
化を示した図。
駆動波形で、V1 、V2を交互に加えた場合の透過率変
化を示した図。
【図6】本発明の例のV1 とV2 との関係を示す図。
【図7】本発明の他の例のV1 とV2 との関係を示す
図。
図。
【図8】画素の配列状態を示す図。
【図9】RGB3個の液晶表示素子の各画素の駆動順を
示す図。
示す図。
【図10】本発明のアクティブマトリクス液晶表示素子
の断面図。
の断面図。
【図11】図10のアクティブマトリクス液晶表示素子
を用いた投射型アクティブマトリクス液晶表示装置の模
式図。
を用いた投射型アクティブマトリクス液晶表示装置の模
式図。
【図12】本発明のフルカラーの投射型アクティブマト
リクス液晶表示装置の例の模式図。
リクス液晶表示装置の例の模式図。
図1及び図2の縦軸は電圧、横軸は時間を表す。 Tf は、1フィールド時間。 Ts は、1巡する時間。 V1 とV2 は、印加する2つの電圧。 11:液晶表示素子 12、15:基板 13:画素電極 14:能動素子 16:対向電極 17:液晶固化物複合体
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/133 550 G02F 1/1334
Claims (4)
- 【請求項1】画素電極毎に能動素子を設けたアクティブ
マトリクス基板と、対向電極を設けた対向電極基板との
間に、ネマチック液晶が固化物マトリクス中に分散保持
され、電圧の印加状態により液晶の屈折率が変化し、一
方の状態では固化物マトリクスの屈折率とほぼ一致して
光が透過し、他方の状態では固化物マトリクスの屈折率
とほぼ一致しなく光が散乱するようにされた液晶固化物
複合体が挟持された液晶表示素子と、駆動回路とが設け
られた液晶表示装置において、液晶表示素子の画素の特
定状態を表示するのに複数の電圧が切り替えて印加され
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】少なくとも低電圧領域では交互に印加され
る電圧群がV1 とV2 (V1 <V2)であり、用いる液
晶表示素子の隣接する行または列で2種類の電圧群の印
加順序が逆であることを特徴とする請求項1に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項3】隣接画素の少なくとも1方向において印加
される電圧群の位相をずらすことを特徴とする請求項1
または2に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】液晶固化物複合体は、アクティブマトリク
ス基板と対向電極基板との間に、誘電異方性が正のネマ
チック液晶が樹脂マトリクス中に分散保持され、樹脂マ
トリクスの屈折率が使用するネマチック液晶の常光屈折
率(n O )とほぼ一致するようにされたものである請求
項1、2または3に記載の液晶表示装置を用いた投射型
液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-411903 | 1990-12-20 | ||
JP41190390 | 1990-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0540252A JPH0540252A (ja) | 1993-02-19 |
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Family
ID=18520819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03353839A Expired - Fee Related JP3119709B2 (ja) | 1990-12-20 | 1991-12-18 | 液晶表示装置及び投射型液晶表示装置 |
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Country | Link |
---|---|
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EP0504813B1 (en) * | 1991-03-19 | 1998-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method for projecting an image obtained by using liquid crystal panels and display apparatus for realizing the same |
US6232947B1 (en) * | 1994-03-15 | 2001-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Video information display system including a reflective type active matrix addressed liquid crystal display and method for synthetically combining and editing data |
GB2295045B (en) * | 1994-11-08 | 1998-07-15 | Citizen Watch Co Ltd | A liquid crystal display device and a method of driving the same |
JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3228401B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2001-11-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
JP3403027B2 (ja) | 1996-10-18 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 映像水平回路 |
JP3513371B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | マトリクス基板と液晶装置とこれらを用いた表示装置 |
JP3571887B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス基板及び液晶装置 |
JP3966614B2 (ja) | 1997-05-29 | 2007-08-29 | 三星電子株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
KR100354904B1 (ko) | 1998-05-19 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 광시야각액정표시장치 |
CN1190693C (zh) * | 1999-01-22 | 2005-02-23 | 株式会社日立制作所 | 液晶显示器件 |
JP4050474B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2008-02-20 | 株式会社小糸製作所 | 放電灯点灯回路 |
KR100422295B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2004-03-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 디스플레이 장치의 화질 분석 방법 및 시스템 |
KR100840326B1 (ko) | 2002-06-28 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판 |
JP4853033B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光走査装置及び画像表示装置 |
JP5683097B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2015-03-11 | キヤノン株式会社 | 投影システム |
US8958740B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-02-17 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Configuration for a sheet discharging device |
KR102510433B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2023-03-16 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 조광 필름 및 조광 시스템, 조광 부재 |
JP7169528B2 (ja) * | 2018-01-30 | 2022-11-11 | 大日本印刷株式会社 | 液晶調光装置およびその駆動方法 |
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---|---|---|---|---|
US4435047A (en) * | 1981-09-16 | 1984-03-06 | Manchester R & D Partnership | Encapsulated liquid crystal and method |
US4662720A (en) * | 1983-03-30 | 1987-05-05 | Manchester R & D Partnership | Colored encapsulated liquid crystal devices using imbibition of colored dyes and scanned multicolor displays |
US4678282A (en) * | 1985-02-19 | 1987-07-07 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Active display matrix addressable without crossed lines on any one substrate and method of using the same |
JP2659943B2 (ja) * | 1985-03-01 | 1997-09-30 | マンチェスター アール アンド デイ リミテッド パートナーシップ | 液晶装置 |
DE3752026T2 (de) * | 1986-12-23 | 1997-06-26 | Asahi Glass Co Ltd | Optische Flüssigkristall-Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
US5150232A (en) * | 1988-10-04 | 1992-09-22 | Asahi Glass Company Ltd. | Active matrix liquid crystal display element and projection type active matrix liquid crystal display device |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP03353839A patent/JP3119709B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 US US07/810,855 patent/US5264953A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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