JP3116533B2

JP3116533B2 - ドライエッチング方法

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Publication number: JP3116533B2
Application number: JP04087141A
Authority: JP
Inventors: 敏治柳田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-04-08
Filing date: 1992-04-08
Publication date: 2000-12-11
Anticipated expiration: 2015-12-11
Also published as: JPH05291208A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング方法に
関し、特にたとえば多層レジスト・プロセスにおいて下
層レジスト層をエッチングする際の異方性加工に必要な
入射イオン・エネルギーを低減することにより、下地選
択性を向上させ、かつ下地材料のスパッタ再付着を防止
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置のデザイン・ルールがサブミ
クロンからクォーターミクロンのレベルへと高度に微細
化されるに伴い、フォトリソグラフィやドライエッチン
グ等の各種加工技術に対する要求も一段と厳しさを増し
ている。フォトリソグラフィ技術においては、近年、高
解像度を求めて露光波長が短波長化され、さらに基板の
表面段差が増大していることもあって、多層レジスト・
プロセスの採用が必須となりつつある。多層レジスト・
プロセスは、基板の表面段差を吸収するに十分な厚い下
層レジスト層と、高解像度を達成するに十分な薄い上層
レジスト層の少なくとも２種類のレジスト層とを組み合
わせて使用する方法である。

【０００３】良く知られた方法としては、Ｊ．Ｖａｃ．
Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．，１６，（１９７９），ｐ．１６２
０に報告されている、いわゆる３層レジスト・プロセス
がある。これは、基板の表面段差を平坦化する厚い下層
レジスト層、この下層レジスト層をエッチングする際の
マスクを構成するための無機材料からなる薄い中間層、
およびフォトリソグラフィと現像処理によりパターニン
グされる薄い上層レジスト層の３種類の層を使用するも
のである。このプロセスでは、まず上層レジスト層が所
定の形状にパターニングされ、これをマスクとしてその
下の中間層がＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）によ
りパターニングされ、さらに前記上層レジスト層と中間
層とをマスクとしてＯ₂ガス等を用いるドライエッチン
グにより下層レジスト層がパターニングされる。

【０００４】ところで、Ｏ₂ガスにより有機材料層であ
る下層レジスト層をエッチングする工程においては、Ｏ
^*（酸素ラジカル）による等方的な燃焼反応に起因する
パターン形状劣化を防止するために、イオン入射エネル
ギーをある程度高めた条件を採用することが必要とな
る。つまり、低ガス圧かつ高バイアス・パワーといった
条件下でイオンの平均自由行程と自己バイアス電位Ｖ_dc
を増大させ、このイオンの高い運動エネルギーを利用し
てスパッタリングを起こさせることにより、高異方性を
達成するわけである。

【０００５】ところが、かかるエッチング条件の採用は
下地材料層に対する選択性の低下につながり、これが多
層レジスト・プロセスの実用化を妨げる原因ともなって
いる。この問題を、図３を参照しながら説明する。図３
（ａ）は、３層レジスト・プロセスにおいて、上層レジ
スト・パターン１５が形成されたウェハの状態を示して
いる。ここまでの工程を簡単に説明すると、まず段差を
有するＳｉＯ₂層間絶縁膜１１上にこの段差にならった
下地材料層１２を形成し、この段差を吸収してウェハの
表面を平坦化できる厚さを有する下層レジスト層１３、
および回転塗布ガラス（ＳＯＧ）からなる薄いＳＯＧ中
間層１４を順次形成し、さらにこのＳＯＧ中間層１４の
上に薄い上層レジスト層を形成する。この上層レジスト
層をフォトリソグラフィと現像処理によりパターニング
すると、上述の上層レジスト・パターン１５が得られ
る。このときのフォトリソグラフィの解像度は極めて高
く、上記上層レジスト・パターン１５は０．３５μｍ幅
の明瞭なエッジを有している。

【０００６】次に、上層レジスト・パターン１５をマス
クとしてＳＯＧ中間層１４をＲＩＥ（反応性イオン・エ
ッチング）によりパターニングし、図３（ｂ）に示され
るようにＳＯＧパターン１４ａを形成する。このＳＯＧ
パターン１４ａも、極めて明瞭なエッジを有している。

【０００７】次に、Ｏ₂ガスを用い、上記下層レジスト
層１３をエッチングする。このエッチング過程では、薄
い上層レジスト・パターン１５が途中で消失し、それ以
降はＳＯＧパターン１４ａのみがエッチング・マスクと
して機能する。ここで、下層レジスト層１３は、３層レ
ジスト・プロセスの趣旨にもとづいてウェハの表面段差
を吸収するに十分な膜厚に形成される層であるから、そ
の膜厚はウェハ上の領域により大きく異なっており、エ
ッチングに要する時間も当然異なる。たとえば、下地材
料層１２の段差の上部に対応する領域では、図３（ｃ）
に示されるように早い時期に下層レジスト・パターン１
３ａが完成され（ジャストエッチング状態）、下地材料
層１２が露出してしまう。

【０００８】続いて、段差の下部に対応する領域におい
て残余部１３ｂを除去するためのオーバーエッチングを
行うと、段差の上部では下地材料層１２が大きな入射エ
ネルギーを有するイオンの照射を受け、スパッタされ
る。スパッタ生成物の一部は、下層レジスト・パターン
１３ａの側壁部に再付着し、図３（ｄ）に示されるよう
な再付着物層１２ａを形成する。特に下地材料層１２が
金属配線材料等である場合、この再付着物層１２ａは除
去が困難であり、パーティクル汚染源となる。また、Ｓ
ＯＧパターン１４ａがイオン照射により後退する他、上
述の再付着物層１２ａがエッチング・マスクの実質的な
線幅を太らせるので、寸法変換差が発生し易くなる。

【０００９】上述のような再付着物の問題は、たとえば
第３３回応用物理学関係連合講演会（１９８６年春季年
会）講演予稿集ｐ．５４２，演題番号２ｐ−Ｑ−８でも
指摘されており、周知のところである。再付着物層１２
ａの形成を抑制するには入射イオン・エネルギーの低減
が効果的であるのは明白だが、これでは前述の等方的な
燃焼反応が優勢となり、異方性が低下してしまう。

【００１０】このため、入射イオン・エネルギーの低減
と高異方性の達成とを両立し得るレジスト材料層のドラ
イエッチング方法が切望されている。

【００１１】かかる要望に対応する技術として、本願出
願人はこれまでに、高異方性の達成をラジカル性の低減
とイオン性の増強のみに依存するのではなく、反応生成
物による側壁保護を併用して達成しようとする技術を各
種提案している。つまり、側壁保護を併用すれば、イオ
ン入射エネルギーを実用的なエッチング速度を損なわな
い程度に低減することができ、また近年注目されている
低温エッチングを行うにしても、従来よりも遙かに室温
に近い温度域で同等の効果が得られるからである。

【００１２】たとえば、特開平２−２４４６２５号公報
には、Ｏ₂に塩素（Ｃｌ）系ガスを添加したエッチング
・ガスを使用することにより、下層レジスト層とＣｌ系
ガスとの反応生成物であるＣＣｌ_xを側壁保護膜として
堆積させながら該下層レジスト層の異方性エッチングを
行う技術を開示した。また、特願平２−１９８０４４号
明細書には、ウェハ温度を５０℃以下に制御した状態で
ＮＨ₃を主体とするエッチング・ガスを使用してレジス
ト材料層をエッチングする技術を提案している。ここで
は、少なくともＮ，Ｃ，Ｏを構成元素として含むエッチ
ング反応生成物が側壁保護膜の役割を果たす。

【００１３】さらに、特願平２−２９８１６７号明細書
には、Ｏ₂に臭素（Ｂｒ）系ガスを添加したエッチング
・ガスを使用することにより、下層レジスト層とＢｒ系
ガスとの反応生成物であるＣＢｒ_xを側壁保護膜として
堆積させながら該下層レジスト層の異方性エッチングを
行う技術を提案した。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本願出願人が先に提案
した各ドライエッチング方法は、実用的なエッチング速
度を確保した上で低エネルギーのイオンによる異方性加
工を実用的な温度域で達成したという点において、いず
れも極めて画期的な技術であった。しかし、今後、デバ
イスの高集積化が進行してウェハの表面段差が増大する
と、１００％ものオーバーエッチングを必要とするケー
スも生ずる。しかし、このように長時間のイオン入射を
受けるプロセスにおいて、下地材料層のスパッタ再付着
を防止することは依然として困難である。入射イオン・
エネルギーをさらに低下させることも考えられるが、こ
れでは異方性を確保するために塩素系ガスや臭素系ガス
の添加量を増大せざるを得ず、エッチング速度の低下や
パーティクル・レベルの悪化を免れない。

【００１５】さらに、下地材料層の種類によっては、パ
ーティクル汚染が深刻化することも指摘されている。こ
れは、特に下地材料層に銅（Ｃｕ）が含有される場合に
問題となる。Ｃｕは、Ａｌ系配線のエレクトロマイグレ
ーション耐性およびストレスマイグレーション耐性を向
上させる目的で、近年、Ａｌに対して０．５〜１％程度
の割合で添加されるようになってきている。また、Ｃｕ
は電気抵抗率が約１．４μΩｃｍと低くＡｌの半分程度
であるため、有効なドライエッチング技術さえ確立され
れば半導体装置における将来の配線材料としての期待も
高い。

【００１６】ところが、Ｃｕの塩化物や臭化物は蒸気圧
が低い。したがって、Ｃｕを含む下地材料層上でＣｌ系
ガスやＢｒ系ガスを用いて下層レジスト層をエッチング
すると、下地材料層の露出面から供給されたＣｕがＣｕ
₂Ｃｌ₂やＣｕ₂Ｂｒ₂等の形でパターン側壁面上に再
付着する。また、このときのエッチング・ガスの主成分
であるＯ₂によっても蒸気圧の低い酸化銅が生成し、こ
れもパターン側壁面上に再付着する。これらの再付着物
は除去が困難であり、パーティクル汚染の原因となる。

【００１７】そこで、この問題に対処するため、本発明
者は先に特願平３−４２２２号明細書において、オーバ
ーエッチング時のガス組成を窒素系化合物と酸素系化合
物の混合組成、もしくは酸化窒素系化合物を含む組成と
する方法を提案している。これは、下地材料層がＣｕで
ある場合にも、Ｃｕを蒸気圧の比較的高い硝酸銅Ｃｕ
（ＮＯ₃）₂の形で揮発除去させることができる極めて
優れた方法である。しかし、硝酸の関与するこのエッチ
ング反応系は酸化性が強いため、条件によってはＣｕの
露出表面から内部に向けて徐々に酸化が進行し、最終的
に形成されるＣｕ配線パターンの配線抵抗が上昇してし
まうという懸念がある。

【００１８】そこで本発明は、下地材料層に由来するス
パッタ生成物の再付着を効果的に防止し、かつ下地材料
層がＣｕからなる場合にはその抵抗の上昇を招かないレ
ジスト層（有機材料層）のドライエッチング方法を提供
することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、下地材料層上に形成された有機材料層を、硫化
カルボニルと酸素を含むエッチング・ガスを用いて少な
くともエッチング・パターンの側壁面上に炭素系ポリマ
ーを堆積させながらエッチングすることを特徴とする。

【００２０】また本発明は、上記エッチング・ガスがさ
らに放電解離条件下でプラズマ中にイオウを放出し得る
イオウ系化合物を含むことを特徴とする。

【００２１】また本発明は、上記エッチングをジャスト
エッチング工程とオーバーエッチング工程の２段階に分
け、ジャストエッチング工程では硫化カルボニルと上記
イオウ系化合物とを含むエッチング・ガスを用い、オー
バーエッチング工程ではＮＨ ₃を含むエッチング・ガス
を用い、かつ基板を加熱することを特徴とする。

【００２２】さらに本発明は、前記下地材料層がＣｕを
含有することを特徴とする。

【００２３】

【作用】本発明のポイントは、炭素系ポリマー自身の膜
質を強化することにより、その堆積量を減少させても十
分に高いマスク選択性および下地選択性を達成する点に
ある。炭素系ポリマー自身の膜質を強化する方法とし
て、本発明では硫化カルボニル（ＣＯＳ）を使用する。

【００２４】この化合物は、Ｏ＝Ｃ＝Ｓなる直線状の分
子構造を有し、分子内にＯ原子を含むことから、原理的
には単独でも有機材料層用のエッチング・ガスを構成す
ることができる。しかし、本発明のエッチング反応系に
おけるＣＯＳの最も重要な作用は、分子内のカルボニル
基が高い重合促進活性を有することにより、炭素系ポリ
マーの重合度を上昇させ、イオン入射やラジカルの攻撃
に対する耐性を高めることである。また、炭素系ポリマ
ーにカルボニル基が導入されると、単に−ＣＸ ₂−（Ｘ
はハロゲン原子を表す。）の繰り返し構造からなる従来
の炭素系ポリマーよりも化学的，物理的安定性が増すこ
とも、近年の研究により明らかとなっている。これは、
２原子間の結合エネルギーを比較すると、Ｃ−Ｏ結合
（１０７７ｋＪ／ｍｏｌ）がＣ−Ｃ結合（６０７ｋＪ／
ｍｏｌ）より遙かに大きいことからも直観的に理解され
る。さらに、カルボニル基の導入により炭素系ポリマー
の極性が増大し、エッチング中は負に帯電しているウェ
ハに対してその静電吸着力が高まることによっても、炭
素系ポリマーの表面保護効果は向上する。

【００２５】さらに、硫化カルボニルは放電解離条件下
でＳ（イオウ）を放出することができる。このＳは、条
件にもよるが、ウェハがおおよそ室温以下に温度制御さ
れていればその表面へ堆積し、側壁保護もしくは下地表
面保護に寄与する。しかも、ウェハをおおよそ９０℃以
上に加熱すれば容易に昇華するので、Ｓ自身は何らパー
ティクル汚染源となるものではない。

【００２６】このように、炭素系ポリマー自身の膜質が
強化されること、およびＳの堆積が期待できること等の
理由から、本発明では異方性加工に必要な入射イオン・
エネルギーを低減させることができる。したがって、Ｓ
ＯＧ等からなるマスクや下地材料層に対する選択性が向
上する他、下地材料層へのダメージ発生も少なくなる。
また、高異方性、高選択性を達成するために必要な炭素
系ポリマーの堆積量を相対的に低減できるので、従来技
術に比べてパーティクル汚染を減少させることができ
る。

【００２７】本発明は、以上のような考え方を基本とし
ているが、さらに一層の高選択化、低汚染化、低ダメー
ジ化を目指す方法も提案する。そのひとつは、上記のエ
ッチング・ガスに、さらに放電解離条件下でプラズマ中
にイオウ（Ｓ）を放出できるイオウ系化合物を添加する
ことである。この場合、Ｓの堆積が増強されるので入射
イオン・エネルギーを一層低減でき、高選択化低汚染
化、低ダメージ化を徹底することができる。また、側壁
保護や表面保護における炭素系ポリマーの寄与を一層減
ずることができるので、パーティクル汚染をさらに減少
させることができる。

【００２８】また本発明では、下地材料層の酸化を効果
的に防止するため、上記エッチングをジャストエッチン
グ工程とオーバーエッチング工程とに分け、後者のオー
バーエッチング工程においてガス系から酸素を排除し、
ＮＨ₃とを含むエッチング・ガスを用いてオーバーエッ
チングを行う方法も提案する。ＮＨ₃を用いた場合のエ
ッチング機構については、上述の特願平２−１９８０４
４号明細書に明らかにされているとおりである。この方
法は、特に下地材料層がＣｕ等の酸化され易い材料層か
らなる場合に、その露出表面の酸化や再付着層の形成を
防止する上で極めて効果的である。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００３０】実施例１本実施例は、３層レジスト・プロセスにおいてＡｌ−１
％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ層の上に形成された下層レジスト
層を、ＣＯＳ／Ｏ₂混合ガスを用いてエッチングした例
である。このプロセスを、図１を参照しながら説明す
る。

【００３１】まず、図１（ａ）に示されるように、段差
を有するＳｉＯ₂層間絶縁膜１上にこの段差にならった
Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ層２を約０．７μｍの厚
さに形成し、さらにこの上にたとえばノボラック系ポジ
型フォトレジスト（東京応化工業社製；商品名ＯＦＰＲ
−８００）を塗布して下層レジスト層３を形成した。こ
こで、段差の下部に対応する領域の下層レジスト層３の
厚さは、約１．０μｍである。この下層レジスト層３の
上には、ＳＯＧ（東京応化工業社製；商品名ＯＣＤ−Ｔ
ｙｐｅ２）をスピンコートし、厚さ約０．２μｍのＳＯ
Ｇ中間層４を形成した。さらに、このＳＯＧ中間層４の
上には、所定の形状にパターニングされた上層レジスト
・パターン５を形成した。この上層レジスト・パターン
５は、一例としてネガ型３成分化学増幅系レジスト材料
（シプレー社製；商品名ＳＡＬ−６０１）からなる厚さ
約０．７μｍの塗膜についてＫｒＦエキシマ・レーザ・
リソグラフィおよび現像処理を行うことにより形成し
た。この上層レジスト・パターン５のパターン幅は、約
０．３５μｍである。

【００３２】次に、このウェハをヘキソード型のＲＩＥ
（反応性イオン・エッチング）装置にセットし、上層レ
ジスト・パターン５をマスクとしてＳＯＧ中間層４をエ
ッチングした。このときの条件は、一例としてＣＨＦ₃
流量７５ＳＣＣＭ，Ｏ₂流量８ＳＣＣＭ，ガス圧６．５
Ｐａ，ＲＦパワー１３５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）とし
た。この結果、図１（ｂ）に示されるように、上層レジ
スト・パターン５の直下にＳＯＧパターン４ａが形成さ
れた。

【００３３】次に、ウェハをＲＦバイアス印加型の有磁
場マイクロ波プラズマ・エッチング装置に移設し、一例
として下記の条件で下層レジスト層３をエッチングし
た。ＣＯＳ流量３０ＳＣＣＭＯ₂流量４０ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａマイクロ波パワー９００ＷＲＦバイアス・パワー３００Ｗ（２ＭＨｚ）ウェハ温度室温上記のガス系は、最も一般的なレジスト材料層のエッチ
ング・ガスであるＯ₂に、ＣＯＳを添加したものであ
る。ＣＯＳは単独でもエッチング・ガスを構成できなく
はないが、分子内にＯ原子を１個しか持たないため、実
用的なエッチング速度を得るためにＯ₂と併用している
のである。

【００３４】このエッチング過程では、Ｏ^*による等方
的な燃焼反応がＣ⁺，ＣＯ⁺，Ｓ⁺，ＳＯ⁺等のイオン
にアシストされる機構でエッチングが進行した。また、
下層レジスト層３から供給される炭素系の分解生成物が
カルボニル基を取り込みながら重合することにより、強
固な炭素系ポリマーが生成した。さらに、ＣＯＳからは
Ｓが放出された。これら炭素系ポリマーおよびＳは、パ
ターン側壁部に堆積して側壁保護膜６を形成し異方性エ
ッチングに寄与する一方、ＳＯＧパターン４ａや下地の
Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ層２の露出面に堆積し、
高選択エッチングに寄与した。

【００３５】この結果、図１（ｃ）に示されるように、
異方性形状を有する下層レジスト・パターン３ａが形成
された。

【００３６】実施例２本実施例は、同じく下層レジスト層をＣＯＳ／Ｏ₂／Ｃ
ｌ₂混合ガスを用いてエッチングした例である。まず、
前出の図１（ｂ）に示されるウェハを有磁場マイクロ波
プラズマ・エッチング装置にセットし、下層レジスト層
３をエッチングした。

【００３７】ＣＯＳ流量１０ＳＣＣＭＯ₂流量４０ＳＣＣＭＣｌ₂流量１０ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａマイクロ波パワー９００ＷＲＦバイアス・パワー２５０Ｗ（２ＭＨｚ）ウェハ温度室温上記のガス組成は、本願出願人が先に特開平２−２４４
６２５号公報に開示したＯ₂／Ｃｌ₂混合系にＣＯＳを
添加したものである。したがって、本実施例で生成する
炭素系ポリマーは、ＣＣｌ_xにカルボニル基が取り込ま
れたものとなり、その堆積は実施例１におけるよりも一
層促進された。したがって、ＲＦバイアス・パワーを若
干低下させているにもかかわらず、高異方性、高選択性
エッチングを行うことができた。

【００３８】実施例３本実施例は、同じく下層レジスト層を、ＣＯＳ／Ｓ₂Ｂ
ｒ₂／Ｏ₂混合ガスを用いてエッチングした例である。
まず、前出の図１（ｂ）に示されるウェハを有磁場マイ
クロ波プラズマ・エッチング装置にセットし、一例とし
て下記の条件で下層レジスト層３をエッチングした。

【００３９】ＣＯＳ流量１５ＳＣＣＭＳ₂Ｂｒ₂ １５ＳＣＣＭＯ₂流量４０ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａマイクロ波パワー９００ＷＲＦバイアス・パワー１８０Ｗ（２ＭＨｚ）ウェハ温度 −３０℃

【００４０】このエッチング過程では、蒸気圧の低いＣ
Ｂｒ_xにカルボニル基が取り込まれた炭素系ポリマーお
よびＳが生成し、これらの堆積物により効率良く側壁保
護膜６が形成された。また、ウェハが低温冷却されてい
ることにより、イオン入射の無いパターン側壁部におけ
るラジカル反応も抑制された。したがって、異方性加工
に要する入射イオン・エネルギーを実施例２よりもさら
に低減することができた。しかも、本実施例では原子半
径が大きくＳｉに対する反応性の低いＢｒ系の化学種を
用いている。これらの効果により、本実施例ではＳＯＧ
パターン４ａの後退や、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ
層２に由来する再付着物層はほとんど観察されなくなっ
た。

【００４１】実施例４本実施例は、Ｃｕ層の上に形成された下層レジスト層
を、ＣＯＳ／Ｓ₂Ｃｌ₂／Ｏ₂混合ガスを用いてジャス
トエッチングした後、Ｃｌ₂／ＮＨ₃混合ガスを用いて
オーバーエッチングした例である。このプロセスを、図
２を参照しながら説明する。なお、図２の参照符号は図
１と一部共通である。

【００４２】本実施例でエッチング・サンプルとして使
用したウェハは、図２（ａ）に示されるように、段差を
有するＳｉＯ₂層間絶縁膜１上にこの段差にならったＣ
ｕ層８が形成され、さらにこの上に３層レジスト・プロ
セスにより下層レジスト層３、ＳＯＧパターン４ａ、上
層レジスト・パターン５が順次形成されてなるものであ
る。ここで、ＳＯＧパターン４ａおよび上層レジスト・
パターン５のパターニング方法は、実施例１で前述した
とおりである。

【００４３】次に、このウェハを有磁場マイクロ波プラ
ズマ・エッチング装置にセットし、一例として下記の条
件で下層レジスト層３をジャストエッチングした。ＣＯＳ流量１５ＳＣＣＭＳ₂Ｃｌ₂流量１５ＳＣＣＭＯ₂流量４０ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａマイクロ波パワー９００ＷＲＦバイアス・パワー１８０Ｗ（２ＭＨｚ）ウェハ温度 −３０℃（エタノール系冷媒使
用）このジャストエッチング工程では、カルボニル基の導入
により強化されたＣＣｌ_xポリマーと、ＣＯＳ，Ｈ₂Ｓ
から解離生成するＳとが混合してなる側壁保護膜６が形
成されながら、異方的にエッチングが進行した。このエ
ッチングは、図２（ｂ）に示されるように、段差の上部
においてＣｕ層８の表面が露出した段階で停止させた。
このとき、段差の下部に対応する領域には、下層レジス
ト層３の残余部３ｂが残っていた。

【００４４】そこで、上記残余部３ｂを除去するため
に、エッチング条件を一例として下記のように切り替え
てオーバーエッチングを行った。Ｃｌ₂流量１５ＳＣＣＭＮＨ₃流量４５ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａマイクロ波パワー９００ＷＲＦバイアス・パワー１２０Ｗ（２ＭＨｚ）ウェハ温度１５０℃ ここで、ウェハの加熱は、ウェハ・ステージに内蔵され
たヒータを作動させることにより行った。このオーバー
エッチング工程では、Ｃ，Ｃｌ，Ｎ，Ｏ等を構成元素と
する炭素系ポリマーが堆積して側壁保護膜７が形成され
ながらエッチングが進行した。

【００４５】ところで、本実施例の重要なメリットは、
後工程で形成されるＣｕ配線パターンの配線抵抗が上昇
しないことである。これは、上述のオーバーエッチング
工程においてエッチング反応系から酸素を排除したこと
により、Ｃｕ層８の露出面における酸化反応が防止され
たからである。

【００４６】なお、本実施例のようにウェハ温度の大き
く異なるエッチング・プロセスを連続して行う場合に
は、ウェハの昇降温のための所要時間によりスループッ
トを低下させないために、ウェハ・ステージの設定温度
の異なる複数のエッチング・チャンバを高真空下に接続
したマルチ・チャンバ型のエッチング装置を使用するこ
空が特に好ましい。あるいは、本発明者が先に特願平３
−３０１２７９号明細書において提案しているように、
冷却手段を有する固定電極と加熱手段を有する可動電極
とを組み合わせたウェハ・ステージを装備したＥＣＲプ
ラズマ装置等を使用することも、極めて有効である。

【００４７】以上、本発明を４例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば、イオウ系化合物としては上述
のＳ₂Ｃｌ₂，Ｓ₂Ｂｒ₂，Ｈ₂Ｓの他、Ｓ₃Ｃｌ₂，
ＳＣｌ₂等の塩化イオウ、Ｓ₃Ｂｒ₂，ＳＢｒ₂等の臭
化イオウを使用することもできる。Ｓ₂Ｆ₂等のフッ化
イオウも放電解離条件下でＳを放出することはできる
が、この化合物はＦ^*を発生するため、上述のＳＯＧパ
ターンのような酸化シリコン系のエッチング・マスクを
使用する場合には、マスク選択性の低下を招き好ましく
ない。

【００４８】その他、ウェハの構成、エッチング条件、
使用するエッチング装置、エッチング・ガスの組成等は
適宜変更可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では有機材料層のエッチングにおいてＣＯＳを含むエ
ッチング・ガスを使用することにより、炭素系ポリマー
の膜質を強化し、その堆積量を減少させても高異方性、
高選択性を達成することが可能となる。この化合物を放
電解離条件下でＳを放出し得るイオウ系化合物と併用す
れば、更なる高選択化、低汚染化、低ダメージ化等を図
ることができる。これにより、たとえば３層レジスト・
プロセスの実用性を真に高めることができる。また、特
に有機材料層の下地材料層にＣｕが含まれている場合に
は、オーバーエッチング時に酸素を排除したガス系を使
用することにより、Ｃｕの再付着やこれに伴うパーティ
クル汚染を防止することができる。

【００５０】本発明は、微細なデザイン・ルールにもと
づいて設計され、高集積度，高性能，高信頼性を要求さ
れる半導体装置の製造において極めて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したプロセス例をその工程順にし
たがって説明する概略断面図であり、（ａ）は段差を有
するＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ層上に下層レジスト
層、ＳＯＧ中間層、上層レジスト・パターンが順次形成
された状態、（ｂ）はＳＯＧパターンが形成された状
態、（ｃ）は少なくともＳＯＧパターンをマスクとして
下層レジスト層をエッチングすることにより、下層レジ
スト・パターンが形成された状態をそれぞれ表す。

【図２】本発明を適用した他のプロセス例をその工程順
にしたがって説明する概略断面図であり、（ａ）は段差
を有するＣｕ層上に下層レジスト層、ＳＯＧパターン、
上層レジスト・パターンが順次形成された状態、（ｂ）
は下層レジスト層がジャストエッチングされた状態、
（ｃ）は下層レジスト層がオーバーエッチングされた状
態をそれぞれ表す。

【図３】従来のプロセスにおける問題点を説明する概略
断面図であり、（ａ）は段差を有する下地材料層上に下
層レジスト層、ＳＯＧ中間層、上層レジスト・パターン
が順次形成された状態、（ｂ）はＳＯＧパターンが形成
された状態、（ｃ）は下層レジスト層がジャストエッチ
ングされた状態、（ｄ）はオーバーエッチング中に下地
材料層のスパッタ生成物からなる再付着物層が形成され
た状態をそれぞれ表す。

【符号の説明】

１・・・ＳｉＯ₂層間絶縁膜２・・・Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ層３・・・下層レジスト層３ａ・・・下層レジスト・パターン３ｂ・・・（下層レジスト層の）残余部４・・・ＳＯＧ中間層４ａ・・・ＳＯＧパターン５・・・上層レジスト・パターン６・・・側壁保護膜（炭素系ポリマー＋Ｓ）７・・・側壁保護膜（炭素系ポリマー）８・・・Ｃｕ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下地材料層上に形成された有機材料層
を、硫化カルボニルと酸素を含むエッチング・ガスを用
いて少なくともエッチング・パターンの側壁面上に炭素
系ポリマーを堆積させながらエッチングすることを特徴
とするドライエッチング方法。
【請求項２】前記エッチング・ガスが、放電解離条件
下でプラズマ中にイオウを放出し得るイオウ系化合物を
含むことを特徴とする請求項１記載のドライエッチング
方法。
【請求項３】下地材料層上に形成された有機材料層
を、硫化カルボニルと放電解離条件下でプラズマ中にイ
オウを放出し得るイオウ系化合物とを含むエッチング・
ガスを用いて実質的に前記下地材料層が露出する直前ま
でエッチングするジャストエッチング工程と、ＮＨ３を含むエッチング・ガスを用い、基板を加熱し
ながら前記有機材料層の残余部をエッチングするオーバ
ーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエ
ッチング方法。
【請求項４】前記下地材料層が銅を含有することを特
徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載
のドライエッチング方法。