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JP3074616B2 - 酸化物超電導体の冷却構造 - Google Patents

酸化物超電導体の冷却構造

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Publication number
JP3074616B2
JP3074616B2 JP06212766A JP21276694A JP3074616B2 JP 3074616 B2 JP3074616 B2 JP 3074616B2 JP 06212766 A JP06212766 A JP 06212766A JP 21276694 A JP21276694 A JP 21276694A JP 3074616 B2 JP3074616 B2 JP 3074616B2
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JP
Japan
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superconductor
flow path
cooling
base
path member
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JP06212766A
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English (en)
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JPH0878736A (ja
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秀悦 長谷山
小嶋正大
澁谷紳一
登 石川
森野仁夫
向山澄夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Shimizu Corp
Original Assignee
Dowa Holdings Co Ltd
Shimizu Corp
Dowa Mining Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0878736A publication Critical patent/JPH0878736A/ja
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  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、臨界温度が比較的高い
酸化物超電導体の冷却構造に関する。
【0002】
【従来の技術】酸化物超電導体は臨界温度が比較的高い
ため、高価な液体ヘリウム(沸点−269℃)を用いる
ことなく液体窒素(沸点−196℃)による冷却で超電
導状態体を作り出すことができる。従来、超電導体構造
が小さい場合には、超電導体を直接、液体窒素に浸漬し
て冷却する直接冷却方式が採用されている。
【0003】しかし、この直接冷却方式は、超電導体構
造が大型化すると基体や冷却容器の剛性を確保するため
に材料の厚みが増加し、冷却効率が下がるとともに冷却
面積が増加し、使用する液体窒素量が増大しコストアッ
プになるという問題を有し、また、液体窒素の冷熱の逃
げる熱量が大きいので、断熱を良くするため高価な真空
断熱を利用しなければ断熱構造をコンパクトにすること
ができず、また、大型の真空容器を必要とするためコス
トアップになるという問題を有し、さらに、超電導体を
冷却する際に超電導体にトラップされる磁場を少なくす
るために、超電導体を開放端に向かって冷却する必要が
あるが、開放端が上部にこない場合に、トラップ磁場を
小さくするように冷却することができないという問題を
有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記直接冷却方式の問
題を解決する方法として、図に示すように、超電導体
の基体1に蛇管2を巻いて冷媒を通して冷却する間接冷
却方式が考えられる。超電導体が大型化された場合に
は、この間接冷却方式が効率およびコスト面から直接冷
却方式に比較して有利であるが、この間接冷却方式は、
基体1と蛇管2の伝熱面積Wが小さいので冷却効率が悪
く、また、蛇管2の溶接間隔Dを狭くすることが技術的
に困難であるので、冷却効率を良くすることが困難であ
るという問題を有している。
【0005】また、超電導体の焼鈍後に溶接を行う場合
には、焼鈍を行いその後、蛇管の溶接を行うという二行
程が必要になり、さらに、蛇管の溶接によって温度が上
がりすぎ超電導体が破壊されないようにするため、低温
溶接の温度管理を正確に行わなければならないので、コ
ストアップにつながるという問題を有している。
【0006】また、蛇管溶接後に超電導体の焼鈍を行う
場合には、半田にて蛇管を溶接すると焼鈍時の温度によ
り半田が再溶融し蛇管が外れてしまうという問題を有
し、また、超電導体を再生するために再焼鈍を行う場合
があるが、焼鈍時の温度上昇によって半田が再溶融し蛇
管が外れてしまうため再生が不可能であった。
【0007】さらに、半田や低温溶接の溶接部は強度が
低いため、ヒートサイクルによって溶接した部分が剥離
する恐れがあり、冷却効率の低下につながる恐れがあ
る。
【0008】本発明は、上記問題を解決するものであっ
て、冷却効率を向上させるとともに製造コストを低減さ
せることができる酸化物超電導体の冷却構造を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の酸化物超電導体の冷却構造は、基体と、該
基体の一方の面に被覆される超電導膜と、前記基体の他
方の面に溶接にて固着され、前記超電導膜を形成する熱
処理温度より高い融点を持つ材料からなる流路部材とを
有し、前記基体と流路部材間に冷媒流路が形成された超
電導体パネルを基本形状とし、この超電導体パネルの単
体もしくは複数を連結、組み合わせて超電導体を構成す
ることを特徴とする。
【0010】
【0011】
【作用および発明の効果】本発明によれば、パネル形式
の超電導体パネルを基本形状とし、この超電導体パネル
の単体もしくは複数を連結、組み合わせて超電導体を構
成するので、冷却効率を向上させるとともに製造コスト
を低減させることができる。さらに、下記の効果が奏さ
れる。
【0012】直接冷却方式と比較して冷媒の供給量が
少なくて済み、その効果は超電導体を大型化すればする
ほど大きい。
【0013】蛇管による間接冷却方式と比較して伝熱
面積が増大するため、冷却効率が良くなり冷媒の供給量
を削減することができるとともに、ヒートサイクルによ
る冷却流路部分の剥離の問題を解消することができ、ま
た、蛇管と基体との低温溶接の温度管理の煩わしさがな
くなり製作が容易になる。また、真空断熱以外の熱
率の比較的大きい安価な断熱材を用いてもコンパクトな
断熱を行うことができる。
【0014】冷媒流路と基体が一体化されているので
剛性が向上し、その結果、超電導体を大型化した場合に
基体として機能する部分の材料の厚さを薄くすることが
でき、冷却効率を高めることができる。更に、基体材料
として使用される高価なニッケル等の使用量を低減する
ことが可能になる。
【0015】酸化物超電導体を焼鈍した時点で冷却構
造も完成しており、工程が短縮されコストダウンも可能
となる。
【0016】溶接による方法の場合、流路部材には、
超電導体の基体の材料あるいは超電導膜を形成する熱処
理温度より高い融点を持つ材料を使用していることか
ら、低温溶接を用いて製作する蛇管による間接冷却方式
では不可能な再焼鈍による超電導体の再生が可能とな
る。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図1は、本発明の酸化物超電導体の冷却構造の
1実施例を示し、図(A)は平面図、図(B)は図
(A)のB−B線に沿う拡大断面図である。本発明の酸
化物超電導体の冷却構造は、パネル形式の超電導体パネ
ルを基本形状とし、この超電導体パネルの単体もしくは
複数を連結、組み合わせて超電導体を構成するものであ
る。
【0018】超電導体パネル10は、基体11と、基体
11の一方の面に被覆される超電導膜12と、基体11
の他方の面に溶接にて固着される凹凸状又は波形状の流
路部材13とから構成され、基体11と流路部材13間
に冷媒流路14が形成されている。冷媒流路14はその
剛性が確保でき、基体11面を均一にむらなく冷却でき
るように冷媒が供給されるような流路パターンで設計さ
れる。なお、15、16は冷媒の出入口部である。
【0019】基体11と流路部材13の溶接は、流路部
材13の周辺部Cは流路部材13から冷媒が漏れないよ
うにシール性を持たせた溶接、例えば隅肉溶接とし、そ
の他の部分Dは、基体11と流路部材13を一体にする
溶接、例えば溶接にする。流路部材13は、ステンレ
ス、チタン、FRP、プラスチック、ポリウレタン等の
熱伝導率が悪い材料を使用した方が冷却効率が良くなる
が、超電導膜12を形成する熱処理温度より高い融点を
持つ材料、鉄、ニッケル、チタン等を使用するのが好ま
しい。この材料としては、基体11に使用される材料
や、例えば超電導体の縦磁場に対する磁気遮蔽性能を向
上させるのに役立つ強磁性体も含まれる。
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】図は、上記超電導体パネル10から超電
導体20を構成した例を示し、図(A)は真上から見た
平面図、図(B)は真横から見た正面図である。超電導
体パネル10を流路部材13が外側にくるように円筒状
に構成している。なお、円筒状以外にも角状等種々の形
状が考えられ、また、流路部材13が内側にくる場合も
考えられる。
【0027】図は、上記超電導体パネル10の複数を
組み合わせて超電導体21を構成した例を示し、真横か
ら見た正面図である。基本形状である超電導体パネル1
0の多数を組み合わせることによって大面積の超電導体
を分割して冷却することができるため、冷却面積が大き
ければ大きい程、冷却効率は良くなる利点がある。
【0028】図は、上記超電導体パネル10の複数を
組み合わせて超電導体21を直方体で構成した例を示す
斜視図である。
【0029】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく種々
の変形が可能である。例えば、超電導体パネルのユニッ
ト化だけではなく、冷媒流路パターンに合う形状の断熱
材を標準化することにより、いろいろな大きさの超電導
体の冷却・断熱構造を安価に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の酸化物超電導体の冷却構造の1実施例
を示し、図(A)は平面図、図(B)は図(A)のB−
B線に沿う拡大断面図である。
【図2】超電導体パネルから超電導体を構成した例を示
し、図(A)は真上から見た平面図、図(B)は真横か
ら見た正面図である。
【図3】超電導体パネルの複数を組み合わせて超電導体
を構成した例を示し、真横から見た正面図である。
【図4】超電導体パネルの複数を組み合わせて超電導体
を直方体で構成した例を示す斜視図である。
【図5】本発明の課題を説明するための断面図である。
【符号の説明】
10…超電導体パネル、11…基体、12…超電導膜、
13…流路部材 14…冷媒流路、20、21…超電導体
フロントページの続き (72)発明者 澁谷紳一 東京都港区芝浦一丁目2番3号 清水建 設株式会社内 (72)発明者 石川 登 東京都港区芝浦一丁目2番3号 清水建 設株式会社内 (72)発明者 森野仁夫 東京都港区芝浦一丁目2番3号 清水建 設株式会社内 (72)発明者 向山澄夫 東京都港区芝浦一丁目2番3号 清水建 設株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−13708(JP,A) 特開 昭52−25593(JP,A) 特開 平6−69552(JP,A) 特開 平2−162798(JP,A) 実開 昭52−108567(JP,U) 実開 平2−95264(JP,U)) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 39/00 - 39/04 H01L 39/14 - 39/20 F25D 3/10 H05K 7/20 H05K 9/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基体と、該基体の一方の面に被覆される超
    電導膜と、前記基体の他方の面に溶接にて固着され、前
    記超電導膜を形成する熱処理温度より高い融点を持つ材
    料からなる流路部材とを有し、前記基体と流路部材間に
    冷媒流路が形成された超電導体パネルを基本形状とし、
    この超電導体パネルの単体もしくは複数を連結、組み合
    わせて超電導体を構成することを特徴とする酸化物超電
    導体の冷却構造。
JP06212766A 1994-09-06 1994-09-06 酸化物超電導体の冷却構造 Expired - Fee Related JP3074616B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10562221B2 (en) * 2016-07-21 2020-02-18 Sidel Participations Molding unit for containers, equipped with a boxing device having an added sleeve

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
実開 平2−95264(JP,U))

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10562221B2 (en) * 2016-07-21 2020-02-18 Sidel Participations Molding unit for containers, equipped with a boxing device having an added sleeve

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