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JP2990530B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JP2990530B2
JP2990530B2 JP2174535A JP17453590A JP2990530B2 JP 2990530 B2 JP2990530 B2 JP 2990530B2 JP 2174535 A JP2174535 A JP 2174535A JP 17453590 A JP17453590 A JP 17453590A JP 2990530 B2 JP2990530 B2 JP 2990530B2
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JP
Japan
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exposure
distortion
semiconductor device
tendency
manufacturing
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP2174535A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0463417A (ja
Inventor
学 冨永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH0463417A publication Critical patent/JPH0463417A/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装
置による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法
において、パターンの重ね合わせ精度を向上する改良に
関し、 ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装
置による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法
において、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高
い重ね合わせ精度が得られるようにする改良を提供する
ことを目的とし、 一枚のウェーハに対して、複数の露光装置を用いて順
次複数回の露光を行う半導体装置の製造方法において、
各々の露光工程で用いる露光装置は、いづれもレンズの
歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向であるか、輪郭
が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別できるものとし、
各々の露光工程で用いる露光装置は、互いに前記の歪曲
収差の傾向が同一となるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハプロセスラインに組み込まれる複
数の露光装置による露光工程を使用してなす半導体装置
の製造方法において、パターンの重ね合わせ精度を向上
する改良に関する。
〔従来の技術〕
ウェーハプロセスにおいては、一般に、複数の露光装
置による複数回の露光工程が必要であり、その際に、露
光するパターンをウェーハ上に既に形成されているパタ
ーン上に重ね合わせることが必要である。従来は、さほ
ど高い重ね合わせ精度が要求されなかったゝめ、露光装
置の歪曲収差の重ね合わせ精度に及ぼす影響は無視する
ことができた。したがって、歪曲収差に対する特別な監
視・管理はなされていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、半導体装置の集積度が向上し、半導体デバ
イスが微細化されるにともなって、より高度な重ね合わ
せ精度が要求されるようになり、露光装置の歪曲収差に
よる重ね合わせ精度の低下が製品歩留りを低下させる要
因になってきた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ウ
ェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装置に
よる露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法にお
いて、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高い重
ね合わせ精度が得られるようにする改良を提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的は、一枚のウェーハに対して、複数の露光
装置を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造
方法において、各々の露光工程で用いる露光装置は、い
づれもレンズの歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向
であるか、輪郭が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別で
きるものとし、各々の露光工程で用いる露光装置は、互
いに前記の歪曲収差が同じ傾向である半導体装置の製造
方法によって達成される。
〔作用〕
露光装置の歪曲収差の傾向は、第１図に示すように、
グループＡとグループＢの二つのグループに大別され
る。図中に一点鎖線をもって示す15mm□のフィールド
（画角）を投影した場合に、グループＡは各辺の中央部
が内側に凹む傾向を有し、グループＢは逆に外側に膨ら
む傾向を有している。各辺の中央部が内側に凹む量、ま
たは、外側に脹らむ量ｄは最大0.07μｍ程度であるの
で、グループＡの傾向の歪曲収差を有する露光装置とグ
ループＢの傾向の歪曲収差を有する露光装置とを使用し
てパターンを重ね合わせると、各辺の中央部において
は、第２図に示すように、最大0.14μｍの位置ずれが発
生することになる。
そこで、すべての露光装置の歪曲収差を測定してグル
ープＡの傾向の歪曲収差を有する装置とグループＢの傾
向の歪曲収差を有する装置とにグループ分けし、各ウェ
ーハプロセスラインを同一のグループに属する露光装置
をもってそれぞれ構成するようにすれば、位置ずれ量を
0.07μｍ以内に低減することができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつゝ、本発明に係る半導体装置の
製造方法の一実施例の要旨に係るウェーハプロセスライ
ンの構成について説明する。
第１図参照 すべての露光装置の歪曲収差を測定してグループＡの
歪曲収差傾向を有する装置とグループＢの歪曲収差傾向
を有する装置とにグループ分けし、同一のグループに属
する露光装置をもって各ウェーハプロセスラインをそれ
ぞれ構成するようにする。
〔発明の効果〕
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造
方法においては、ウェーハプロセスラインに組み込まれ
る露光装置は同じ傾向の歪曲収差を有するので、重ね合
わせ露光をなす時の位置ずれ量を何等の対策も施さなか
った場合に比べて半減することができ、製品歩留り向上
に寄与するところ大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、露光装置の２種類の歪曲収差傾向を示す図で
ある。 第２図は、異なる歪曲収差傾向を有する露光装置を使用
してパターンを重ね合わせた場合の位置ずれの大きさを
示す図である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一枚のウェーハに対して、複数の露光装置
    を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造方法
    において、 各々の露光工程で用いる露光装置は、いづれもレンズの
    歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向であるか、輪郭
    が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別できるものとし、 各々の露光工程で用いる露光装置は、互いに前記歪曲収
    差が同じ傾向である ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2174535A 1990-07-03 1990-07-03 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2990530B2 (ja)

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JPH0463417A JPH0463417A (ja) 1992-02-28
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JP2001257141A (ja) 2000-03-10 2001-09-21 Mitsubishi Electric Corp プロセス制御装置およびプロセス制御方法
JP2004071978A (ja) 2002-08-08 2004-03-04 Toshiba Corp 露光装置の管理方法、マスクの管理方法、露光方法、および半導体装置の製造方法
JP5166916B2 (ja) 2008-03-04 2013-03-21 キヤノン株式会社 パターンの重ね合わせを行う装置およびデバイス製造方法
CN105403171B (zh) * 2015-12-24 2017-10-03 吉林大学 汽车形貌测量系统光栅式畸变系数测量仪
CN105352452B (zh) * 2015-12-24 2017-11-03 吉林大学 汽车形貌测量系统电子式畸变系数测量仪
CN105371783B (zh) * 2015-12-24 2017-09-15 吉林大学 汽车形貌测量系统刻度式畸变系数测量仪

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