JPH0463417A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0463417A JPH0463417A JP2174535A JP17453590A JPH0463417A JP H0463417 A JPH0463417 A JP H0463417A JP 2174535 A JP2174535 A JP 2174535A JP 17453590 A JP17453590 A JP 17453590A JP H0463417 A JPH0463417 A JP H0463417A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装置
による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法に
おいて、パターンの重ね合わせ精度を向上する改良に関
し、 ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装！
による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法に
おいて、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高い
重ね合わせ精度が得られるようにする改良を提供するこ
とを目的とし、−枚のウェーハに対して、複数の露光装
置を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造方
法において、各々の露光工程で用いる露光装置は、いづ
れもレンズの歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向で
あるか、輪郭が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別でき
るものとし、各々の露光工程で用いる露光装置は、互い
に前記の歪曲収差の傾向が同一となるように構成する。
による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法に
おいて、パターンの重ね合わせ精度を向上する改良に関
し、 ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数の露光装！
による露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法に
おいて、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高い
重ね合わせ精度が得られるようにする改良を提供するこ
とを目的とし、−枚のウェーハに対して、複数の露光装
置を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造方
法において、各々の露光工程で用いる露光装置は、いづ
れもレンズの歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向で
あるか、輪郭が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別でき
るものとし、各々の露光工程で用いる露光装置は、互い
に前記の歪曲収差の傾向が同一となるように構成する。
本発明は、ウェーハプロセスラインに組み込まれる複数
の露光装置による露光工程を使用してなす半導体装置の
製造方法において、パターンの重ね合わせ精度を向上す
る改良に関する。
の露光装置による露光工程を使用してなす半導体装置の
製造方法において、パターンの重ね合わせ精度を向上す
る改良に関する。
ウェーハプロセスにおいては、一般に、複数の露光装置
による複数回の露光工程が必要であり、その際に、露光
するパターンをウェーハ上に既に形成されているパター
ン上に重ね合わせること力ｊ必要である。従来は、さほ
ど高い重ね合わせ精度が要求されなかった−め、露光装
置の歪曲収差の重ね合わせ精度に及ばず影響は無視する
ことができた。したがって、歪曲収差に対する特別な監
視・管理はなされていない。
による複数回の露光工程が必要であり、その際に、露光
するパターンをウェーハ上に既に形成されているパター
ン上に重ね合わせること力ｊ必要である。従来は、さほ
ど高い重ね合わせ精度が要求されなかった−め、露光装
置の歪曲収差の重ね合わせ精度に及ばず影響は無視する
ことができた。したがって、歪曲収差に対する特別な監
視・管理はなされていない。
ところが、半導体装置の集積度が向上し、半導体デバイ
スが微細化されるにともなって、より高度な重ね合わせ
精度が要求されるようになり、露光装置の歪曲収差によ
る重ね合わせ精度の低下が製品歩留りを低下させる要因
になってきた。
スが微細化されるにともなって、より高度な重ね合わせ
精度が要求されるようになり、露光装置の歪曲収差によ
る重ね合わせ精度の低下が製品歩留りを低下させる要因
になってきた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ウェ
ーハプロセスラインに紐み込まれる複数の露光装置によ
る露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法におい
て、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高い重ね
合わせ精度が得られるようにする改良を提供することに
ある。
ーハプロセスラインに紐み込まれる複数の露光装置によ
る露光工程を使用してなす半導体装置の製造方法におい
て、露光装置の歪曲収差の影響を少なくして、高い重ね
合わせ精度が得られるようにする改良を提供することに
ある。
上記の目的は、−枚のウェーハに対して、複数の露光装
置を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造方
法において、各々の露光工程で用いる露光装置は、いづ
れもレンズの歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向で
あるか、輪郭が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別でき
るものとし、各々の露光工程で用いる露光装置は、互い
に前記の歪曲収差が同し傾向である半導体装置の製造方
法ζこまって達成される。
置を用いて順次複数回の露光を行う半導体装置の製造方
法において、各々の露光工程で用いる露光装置は、いづ
れもレンズの歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向で
あるか、輪郭が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別でき
るものとし、各々の露光工程で用いる露光装置は、互い
に前記の歪曲収差が同し傾向である半導体装置の製造方
法ζこまって達成される。
露光装置の歪曲収差の傾向は、第１図に示すように、グ
ループＡとグループＢの二つのグループに大別される。
ループＡとグループＢの二つのグループに大別される。
図中に一点鎖線をもって示す１５ｍｍ口のフィールド（
画角）を投影した場合に、グループＡは各辺の中央部が
内側に凹む傾向を有し、グループＢは逆に外側に脹らむ
傾向を有している。各辺の中央部が内側に凹む量、また
は、外側に脹らむ量ｄは最大０．０７ｎ程度であるので
、グループＡの傾向の歪曲収差を有する露光装置とグル
ープＢの傾向の歪曲収差を有する露光装置とを使用して
パターンを重ね合わせると、各辺の中央部においては、
第２図に示すように、最大０．１４ｎの位置ずれが発生
することになる。
画角）を投影した場合に、グループＡは各辺の中央部が
内側に凹む傾向を有し、グループＢは逆に外側に脹らむ
傾向を有している。各辺の中央部が内側に凹む量、また
は、外側に脹らむ量ｄは最大０．０７ｎ程度であるので
、グループＡの傾向の歪曲収差を有する露光装置とグル
ープＢの傾向の歪曲収差を有する露光装置とを使用して
パターンを重ね合わせると、各辺の中央部においては、
第２図に示すように、最大０．１４ｎの位置ずれが発生
することになる。
そこで、すべての露光装置の歪曲収差を測定してグルー
プＡの傾向の歪曲収差を有する装置とグループＢの傾向
の歪曲収差を有する装置とにグループ分けし、各ウェー
ハプロセスラインを同一のグループに属する露光装置を
もってそれぞれ構成するようにすれば、位置ずれ量を０
．０７ｎ以内に低減することができる。
プＡの傾向の歪曲収差を有する装置とグループＢの傾向
の歪曲収差を有する装置とにグループ分けし、各ウェー
ハプロセスラインを同一のグループに属する露光装置を
もってそれぞれ構成するようにすれば、位置ずれ量を０
．０７ｎ以内に低減することができる。
以下、図面を参照しつ一２本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施例の要旨に係るウェーハプロセスライン
の構成について説明する。
造方法の一実施例の要旨に係るウェーハプロセスライン
の構成について説明する。
第１図参照
すべての露光装置の歪曲収差を測定してグループＡの歪
曲収差傾向を有する装置とグループＢの歪曲収差傾向を
有する装置とにグループ分けし、同一のグループに属す
る露光装置をもって各ウェーハプロセスラインをそれぞ
れ構成するようにする。
曲収差傾向を有する装置とグループＢの歪曲収差傾向を
有する装置とにグループ分けし、同一のグループに属す
る露光装置をもって各ウェーハプロセスラインをそれぞ
れ構成するようにする。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、ウェーハプロセスラインに組み込まれる
露光装置は同じ傾向の歪曲収差を有するので、重ね合わ
せ露光をなす時の位置ずれ量を何等の対策も施さなかっ
た場合に比べて半減することができ、製品歩留り向上に
寄与するところ大である。
法においては、ウェーハプロセスラインに組み込まれる
露光装置は同じ傾向の歪曲収差を有するので、重ね合わ
せ露光をなす時の位置ずれ量を何等の対策も施さなかっ
た場合に比べて半減することができ、製品歩留り向上に
寄与するところ大である。
第１図は、露光装置の２種類の歪曲収差傾向を示す図で
ある。 第２図は、 異なる歪曲収差傾向を有する露光装置 を使用してパターンを重ね合わせた場合の位置すれの大
きさを示す図である。
ある。 第２図は、 異なる歪曲収差傾向を有する露光装置 を使用してパターンを重ね合わせた場合の位置すれの大
きさを示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一枚のウェーハに対して、複数の露光装置を用いて順
次複数回の露光を行う半導体装置の製造方法において、 各々の露光工程で用いる露光装置は、いづれもレンズの
歪曲収差が、輪郭が外側に膨らむ凸傾向であるか、輪郭
が内側に膨らむ凹傾向であるかに大別できるものとし、 各々の露光工程で用いる露光装置は、互いに前記歪曲収
差が同じ傾向である ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174535A JP2990530B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174535A JP2990530B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463417A true JPH0463417A (ja) | 1992-02-28 |
| JP2990530B2 JP2990530B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=15980235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2174535A Expired - Lifetime JP2990530B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2990530B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788990B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-09-07 | Renesas Technology Corp. | Process control device and process control method |
| US6930757B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Managing method of exposure apparatus, managing method of mask, exposure method, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009212312A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| CN105352452A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-02-24 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统电子式畸变系数测量仪 |
| CN105371783A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-03-02 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统刻度式畸变系数测量仪 |
| CN105403171A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-03-16 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统光栅式畸变系数测量仪 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP2174535A patent/JP2990530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788990B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-09-07 | Renesas Technology Corp. | Process control device and process control method |
| US6930757B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Managing method of exposure apparatus, managing method of mask, exposure method, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009212312A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US8248584B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| CN105352452A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-02-24 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统电子式畸变系数测量仪 |
| CN105371783A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-03-02 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统刻度式畸变系数测量仪 |
| CN105403171A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-03-16 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统光栅式畸变系数测量仪 |
| CN105371783B (zh) * | 2015-12-24 | 2017-09-15 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统刻度式畸变系数测量仪 |
| CN105403171B (zh) * | 2015-12-24 | 2017-10-03 | 吉林大学 | 汽车形貌测量系统光栅式畸变系数测量仪 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2990530B2 (ja) | 1999-12-13 |
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