JP2934717B2 - Matrix circuit driving device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はマトリクス回路駆動装
置およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a matrix circuit driving device and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えばアクティブマトリクス型液晶表示
装置には、画素表示部（マトリクス回路部）とこの画素
表示部を駆動する駆動回路部とを薄膜トランジスタによ
って構成してなるマトリクス回路駆動装置を備えたもの
がある。2. Description of the Related Art For example, an active matrix type liquid crystal display device includes a matrix circuit driving device in which a pixel display portion (matrix circuit portion) and a drive circuit portion for driving the pixel display portion are formed by thin film transistors. There is.
【０００３】図２は従来のこのようなマトリクス回路駆
動装置の概略構成を示したものである。このマトリクス
回路駆動装置は、１枚のガラス基板（透明基板）１の上
面に表示部領域２、ゲート駆動回路部３およびドレイン
駆動回路部４が設けられた構造となっている。このうち
表示部領域２は、行方向に走査ライン５が列方向に表示
ライン６がそれぞれ設けられ、走査ライン５と表示ライ
ン６との各交点に対応する各画素（液晶）７ごと（図で
は１ヵ所のみ示している）に画素表示用薄膜トランジス
タ８が設けられた構造となっている。ゲート駆動回路部
３は、走査ライン５の一端部に接続されたゲート駆動回
路用薄膜トランジスタ（図示せず）を備えている。ドレ
イン駆動回路部４は、表示ライン６の一端部に接続され
たドレイン駆動回路用薄膜トランジスタ（図示せず）を
備えている。そして、画素表示用薄膜トランジスタ８が
オンになると、画素７の静電容量部に表示データが電荷
の形で書き込まれ、画素表示用薄膜トランジスタ８がオ
フになると、書き込まれた電荷により画素７が駆動され
るようになっている。FIG. 2 shows a schematic configuration of such a conventional matrix circuit driving device. This matrix circuit driving device has a structure in which a display area 2, a gate driving circuit 3, and a drain driving circuit 4 are provided on the upper surface of a single glass substrate (transparent substrate) 1. In the display area 2, the scanning line 5 is provided in the row direction and the display line 6 is provided in the column direction, and each pixel (liquid crystal) 7 corresponding to each intersection of the scanning line 5 and the display line 6 (in FIG. (Only one location is shown) and a pixel display thin film transistor 8 is provided. The gate drive circuit section 3 includes a gate drive circuit thin film transistor (not shown) connected to one end of the scan line 5. The drain drive circuit section 4 includes a drain drive circuit thin film transistor (not shown) connected to one end of the display line 6. When the pixel display thin film transistor 8 is turned on, the display data is written in the form of electric charges in the capacitance portion of the pixel 7, and when the pixel display thin film transistor 8 is turned off, the pixel 7 is driven by the written electric charge. It has become so.
【０００４】ところで、このようなマトリクス回路駆動
装置では、画素表示用薄膜トランジスタと駆動回路用薄
膜トランジスタとで要求される特性に違いがある関係か
ら、画素表示用薄膜トランジスタを消費電流の小さいア
モルファスシリコン薄膜を活性層とする薄膜トランジス
タによって形成し、駆動回路用薄膜トランジスタを移動
度の高いポリシリコン薄膜を活性層とする薄膜トランジ
スタによって形成している。この場合、要求される特性
が相違する２種類の薄膜トランジスタを１枚のガラス基
板上の異なる平面領域に形成することになるが、従来で
は、ガラス基板の上面全体にアモルファスシリコン薄膜
を堆積し、このアモルファスシリコン薄膜のうち駆動回
路用薄膜トランジスタ形成領域に対応する部分にエキシ
マレーザを照射することにより、駆動回路用薄膜トラン
ジスタ形成領域に対応する部分のアモルファスシリコン
薄膜のみを結晶化してポリシリコン薄膜としている。However, in such a matrix circuit driving device, since there is a difference in required characteristics between the pixel display thin film transistor and the driving circuit thin film transistor, the pixel display thin film transistor is activated by an amorphous silicon thin film having a small current consumption. The driver circuit thin film transistor is formed by a thin film transistor having a high mobility polysilicon thin film as an active layer. In this case, two types of thin film transistors having different required characteristics are formed in different plane regions on a single glass substrate, but conventionally, an amorphous silicon thin film is deposited on the entire upper surface of the glass substrate, and this is performed. By irradiating an excimer laser to a portion of the amorphous silicon thin film corresponding to the drive circuit thin film transistor formation region, only the amorphous silicon thin film in a portion corresponding to the drive circuit thin film transistor formation region is crystallized into a polysilicon thin film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなマトリクス回路駆動装置では、エキシマレー
ザを照射する際に、画素表示用薄膜トランジスタ形成領
域に対応する部分のアモルファスシリコン薄膜にエキシ
マレーザが照射されないようにする必要があり、このた
め画素表示用薄膜トランジスタ形成領域と駆動回路用薄
膜トランジスタ形成領域とを比較的大きく離間させなけ
ればならず、したがってガラス基板すなわち装置自体が
大型化してしまうという問題があった。この発明の目的
は、装置自体を小型化することのできるマトリクス回路
駆動装置およびその製造方法を提供することにある。However, in such a conventional matrix circuit driving device, when the excimer laser is irradiated, the excimer laser is not irradiated on the amorphous silicon thin film corresponding to the pixel display thin film transistor forming region. Therefore, the pixel display thin film transistor formation region and the drive circuit thin film transistor formation region must be relatively separated from each other, and there is a problem that the size of the glass substrate, that is, the device itself, becomes large. . An object of the present invention is to provide a matrix circuit driving device capable of reducing the size of the device itself and a method of manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透明基板上にマトリクス回路部と該マトリクス回路部を
駆動する駆動回路部とを設けたマトリクス駆動回路装置
において、前記マトリクス回路部をチャネル領域がアモ
ルファスシリコンからなり、ソース・ドレイン領域がポ
リシリコンからなる薄膜トランジスタによって構成し、
かつ前記駆動回路部をポリシリコンからなる薄膜トラン
ジスタによって構成したものである。請求項３記載の発
明は、透明基板上のマトリクス回路部を構成する各薄膜
トランジスタの少なくともチャネル形成領域対応部にレ
ーザ遮光層を設け、その上面にアモルファスシリコン薄
膜を堆積し、該アモルファスシリコン薄膜に前記透明基
板の下面側から前記マトリクス回路部の前記レーザ遮光
膜をマスクとしてレーザを照射することにより、前記レ
ーザ遮光層対応部のみをアモルファスシリコン薄膜とし
て残し他の部分を結晶化してポリシリコン薄膜となし、
少なくともチャネル領域がアモルファスシリコンからな
る薄膜トランジスタから構成されるマトリクス回路部
と、チャネル領域がポリシリコン薄膜からなる薄膜トラ
ンジスタから構成される駆動回路部を形成するようにし
たものである。According to the first aspect of the present invention,
In a matrix drive circuit device provided with a matrix circuit portion and a drive circuit portion for driving the matrix circuit portion on a transparent substrate, the matrix circuit portion has a channel region made of amorphous silicon and a source / drain region formed of a posi- tion.
Composed of thin film transistors made of silicon ,
Further, the drive circuit section is constituted by a thin film transistor made of polysilicon. According to a third aspect of the present invention, a laser light shielding layer is provided at least in a channel forming region corresponding portion of each thin film transistor constituting a matrix circuit portion on a transparent substrate, and an amorphous silicon thin film is deposited on an upper surface thereof. By irradiating a laser from the lower surface side of the transparent substrate using the laser light shielding film of the matrix circuit portion as a mask, only the laser light shielding layer corresponding portion is left as an amorphous silicon thin film, and other portions are crystallized to be a polysilicon thin film. ,
A matrix circuit section having at least a channel region formed of a thin film transistor made of amorphous silicon and a drive circuit section having a channel region formed of a thin film transistor formed of a polysilicon thin film are formed.
【０００７】[0007]
【作用】この発明によれば、マトリクス回路部にはレー
ザ遮光層が半導体薄膜の下側に設けられることになるの
で、マトリクス回路部の半導体薄膜および駆動回路部の
半導体薄膜を当初アモルファスシリコン薄膜によって形
成しても、透明基板の下面側からマトリクス回路部のレ
ーザ遮光層をマスクとしてレーザを照射することによ
り、マトリクス回路部の半導体薄膜のチャネル領域が結
晶化しないようにすることができるとともに、駆動回路
部の半導体薄膜の全部を結晶化してポリシリコン薄膜と
することができる。すなわち、マトリクス回路部の半導
体薄膜にレーザを照射しても、マトリクス回路部のレー
ザ遮光層がマスクとしての役目を果たすことにより、マ
トリクス回路部の半導体薄膜のチャネル領域をアモルフ
ァスシリコン薄膜としてそのまま残すことができ、この
ためマトリクス回路部形成領域と駆動回路部形成領域と
を可及的に近づけても何ら問題がなく、したがって装置
自体を小型化することができる。According to the present invention, since the laser light shielding layer is provided below the semiconductor thin film in the matrix circuit portion, the semiconductor thin film of the matrix circuit portion and the semiconductor thin film of the drive circuit portion are initially formed of an amorphous silicon thin film. Even if it is formed, by irradiating a laser from the lower surface side of the transparent substrate using the laser light shielding layer of the matrix circuit portion as a mask, the channel region of the semiconductor thin film of the matrix circuit portion can be prevented from being crystallized and driven. All of the semiconductor thin film in the circuit section can be crystallized to be a polysilicon thin film. That is, even if the semiconductor thin film of the matrix circuit portion is irradiated with laser, the channel region of the semiconductor thin film of the matrix circuit portion is left as an amorphous silicon thin film because the laser light shielding layer of the matrix circuit portion functions as a mask. Therefore, there is no problem even if the matrix circuit portion formation region and the drive circuit portion formation region are brought as close as possible, and thus the device itself can be downsized.
【０００８】[0008]
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一
実施例におけるマトリクス回路駆動装置の各製造工程を
示したものである。そこで、これらの図を順に参照しな
がら、マトリクス回路駆動装置の構造についてその製造
方法と併せ説明する。1A to 1C show respective steps of manufacturing a matrix circuit driving device according to an embodiment of the present invention. Therefore, the structure of the matrix circuit driving device will be described together with its manufacturing method with reference to these drawings in order.
【０００９】まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基
板（透明基板）１１の上面にクロムからなる画素表示用
薄膜トランジスタのゲート電極（レーザ遮光層）１２を
１０００Å程度の厚さにパターン形成する。次に、全表
面にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンからなる画素
表示用薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１３を４０００
Å程度の厚さに堆積し、次いでその上面全体に同じくプ
ラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン薄膜１４を
５００Å程度の厚さに堆積する。次に、素子分離するこ
とにより、画素表示用薄膜トランジスタの半導体薄膜を
形成するためのアモルファスシリコン薄膜１５と駆動回
路用薄膜トランジスタの半導体薄膜を形成するためのア
モルファスシリコン薄膜１６とをパターン形成する。次
に、アモルファスシリコン薄膜１５、１６の各中央部の
上面にフォトレジスト膜１７、１８をパターン形成す
る。この場合、図１（Ａ）において右側のフォトレジス
ト膜１７の幅をその下側のゲート電極１２の幅よりもあ
る程度小さくする。次に、フォトレジスト膜１７、１８
をマスクとして不純物を注入し、フォトレジスト膜１７
の両側におけるアモルファスシリコン薄膜１５を不純物
注入領域１５ａとするとともに、フォトレジスト膜１８
の両側におけるアモルファスシリコン薄膜１６を不純物
注入領域１６ａとする。この場合、不純物としてリンイ
オンを注入すると、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタが製造さ
れることとなり、ボロンイオンを注入すると、ＰＭＯＳ
薄膜トランジスタが製造されることとなる。この後、フ
ォトレジスト膜１７、１８を剥離する。First, as shown in FIG. 1A, a gate electrode (laser light shielding layer) 12 of a thin film transistor for pixel display made of chromium is formed on a glass substrate (transparent substrate) 11 to a thickness of about 1000.degree. I do. Next, the gate insulating film 13 of the pixel display thin film transistor made of silicon nitride is formed on the entire surface by the plasma CVD method at 4000.
Then, an amorphous silicon thin film 14 is deposited to a thickness of about 500 mm over the entire upper surface by the same plasma CVD method. Next, by element isolation, an amorphous silicon thin film 15 for forming a semiconductor thin film of a thin film transistor for pixel display and an amorphous silicon thin film 16 for forming a semiconductor thin film of a thin film transistor for a drive circuit are pattern-formed. Next, photoresist films 17 and 18 are patterned on the upper surfaces of the respective central portions of the amorphous silicon thin films 15 and 16. In this case, the width of the photoresist film 17 on the right side in FIG. 1A is made somewhat smaller than the width of the gate electrode 12 therebelow. Next, the photoresist films 17, 18
Is implanted with the photoresist film 17 as a mask.
The amorphous silicon thin film 15 on both sides of the photoresist film 18 is used as an impurity implanted region 15a.
The amorphous silicon thin film 16 on both sides of the substrate is defined as an impurity implanted region 16a. In this case, when phosphorus ions are implanted as impurities, an NMOS thin film transistor is manufactured. When boron ions are implanted, PMOS transistors are produced.
A thin film transistor will be manufactured. Thereafter, the photoresist films 17 and 18 are peeled off.
【００１０】次に、図１（Ｂ）に示すように、ガラス基
板１１の下面側からエキシマレーザを照射する。する
と、画素表示用薄膜トランジスタの半導体薄膜２１の場
合には、その中央部の下側に存在するゲート電極１２が
マスクとしての役目を果たすことにより、ゲート電極１
２の両側におけるアモルファスシリコン薄膜にのみエキ
シマレーザが照射され、アモルファスシリコン薄膜の不
純物注入領域の一部が結晶化するとともに、不純物の活
性化が行なわれる。したがって、画素表示用薄膜トラン
ジスタの半導体薄膜２１は、不純物が注入されないアモ
ルファスシリコン薄膜からなるチャネル領域２１ａの両
側に不純物が注入されたアモルファスシリコン薄膜から
なるソース・ドレイン領域２１ｂが形成され、その両側
に不純物が注入されて活性化されたポリシリコン薄膜か
らなるソース・ドレイン領域２１ｃが形成された構造と
なる。一方、駆動回路用薄膜トランジスタの半導体薄膜
２２の場合には、全体にエキシマレーザが照射され、ア
モルファスシリコン薄膜が全体的に結晶化してポリシリ
コン薄膜に変化するとともに、不純物の活性化が行なわ
れる。したがって、駆動回路用薄膜トランジスタの半導
体薄膜２２は、不純物が注入されないポリシリコン薄膜
からなるチャネル領域２２ａの両側に不純物が注入され
て活性化されたポリシリコン薄膜からなるソース・ドレ
イン領域２２ｂが形成された構造となる。Next, as shown in FIG. 1B, an excimer laser is irradiated from the lower surface side of the glass substrate 11. Then, in the case of the semiconductor thin film 21 of the pixel display thin film transistor, the gate electrode 12 existing below the central portion functions as a mask, and thus the gate electrode 1 is formed.
The excimer laser is irradiated only to the amorphous silicon thin film on both sides of 2 to partially crystallize the impurity implanted region of the amorphous silicon thin film and activate the impurities. Therefore, in the semiconductor thin film 21 of the pixel display thin film transistor, a source / drain region 21b made of an amorphous silicon thin film into which impurities are implanted is formed on both sides of a channel region 21a made of an amorphous silicon thin film into which impurities are not implanted. Is implanted to form a source / drain region 21c made of a polysilicon thin film activated. On the other hand, in the case of the semiconductor thin film 22 of the thin film transistor for a drive circuit, an excimer laser is irradiated entirely, and the amorphous silicon thin film is entirely crystallized and turned into a polysilicon thin film, and the impurities are activated. Therefore, in the semiconductor thin film 22 of the thin film transistor for the drive circuit, the source / drain regions 22b made of a polysilicon thin film activated by implanting impurities are formed on both sides of the channel region 22a made of a polysilicon thin film into which impurities are not implanted. Structure.
【００１１】次に、図１（Ｃ）に示すように、全表面に
スパッタ法により酸化シリコンからなる駆動回路用薄膜
トランジスタのゲート絶縁膜２３を１０００Å程度の厚
さに堆積する。次に、駆動回路用薄膜トランジスタの半
導体薄膜２２のチャネル領域２２ａに対応する部分のゲ
ート絶縁膜２３の上面にクロムからなる駆動回路用薄膜
トランジスタのゲート電極２４を１０００Å程度の厚さ
にパターン形成する。次に、全表面にプラズマＣＶＤ法
により窒化シリコンからなる層間絶縁膜２５を３０００
Å程度の厚さに堆積する。次に、液晶表示用薄膜トラン
ジスタの半導体薄膜２１のソース・ドレイン領域２１ｃ
に対応する部分の層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２
３にコンタクトホール２６を形成するとともに、駆動回
路用薄膜トランジスタの半導体薄膜２２のソース・ドレ
イン領域２２ｂに対応する部分の層間絶縁膜２５および
ゲート絶縁膜２３にコンタクトホール２７を形成する。
次に、コンタクトホール２６を通して液晶表示用薄膜ト
ランジスタの半導体薄膜２１のソース・ドレイン領域２
１ｃと接続されるアルミニウムからなるソース・ドレイ
ン電極２８を層間絶縁膜２５の上面に５０００Å程度の
厚さにパターン形成するとともに、コンタクトホール２
７を通して駆動回路用薄膜トランジスタの半導体薄膜２
２のソース・ドレイン領域２２ｂと接続される同じくア
ルミニウムからなるソース・ドレイン電極２９を層間絶
縁膜２５の上面に５０００Å程度の厚さにパターン形成
する。かくして、マトリクス回路駆動装置が製造され
る。Next, as shown in FIG. 1C, a gate insulating film 23 of a thin film transistor for a drive circuit made of silicon oxide is deposited on the entire surface to a thickness of about 1000 ° by a sputtering method. Next, a gate electrode 24 of the drive circuit thin film transistor made of chromium is formed on the upper surface of the gate insulating film 23 in a portion corresponding to the channel region 22a of the semiconductor thin film 22 of the drive circuit thin film transistor to a thickness of about 1000 °. Next, an interlayer insulating film 25 made of silicon nitride is formed on the entire surface by a plasma CVD method for 3000 times.
Deposit to a thickness of about Å. Next, the source / drain region 21c of the semiconductor thin film 21 of the liquid crystal display thin film transistor
Of interlayer insulating film 25 and gate insulating film 2 corresponding to
3, a contact hole 27 is formed in the interlayer insulating film 25 and the gate insulating film 23 in portions corresponding to the source / drain regions 22b of the semiconductor thin film 22 of the thin film transistor for a drive circuit.
Next, the source / drain region 2 of the semiconductor thin film 21 of the thin film transistor for liquid crystal display is formed through the contact hole 26.
A source / drain electrode 28 made of aluminum connected to the contact hole 2c is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 25 so as to have a thickness of about 5000 °.
7 and a semiconductor thin film 2 of a thin film transistor for a driving circuit
A source / drain electrode 29 also made of aluminum and connected to the second source / drain region 22b is patterned on the upper surface of the interlayer insulating film 25 to a thickness of about 5000 °. Thus, a matrix circuit driving device is manufactured.
【００１２】このように、このマトリクス回路駆動装置
では、液晶表示用薄膜トランジスタの場合には半導体薄
膜２１の下側にレーザ遮光層となるゲート電極１２を設
け、駆動回路用薄膜トランジスタの場合には半導体薄膜
２２の上側にゲート電極２４を設けているので、液晶表
示用薄膜トランジスタの半導体薄膜２１および駆動回路
用薄膜トランジスタの半導体薄膜２２を当初アモルファ
スシリコン薄膜によって形成しても、ガラス基板１１の
下面側から液晶表示用薄膜トランジスタのゲート電極１
２をマスクとしてエキシマレーザを照射することによ
り、液晶表示用薄膜トランジスタの半導体薄膜２１のチ
ャネル領域２１ａが結晶化しないようにすることができ
るとともに、駆動回路用薄膜トランジスタの半導体薄膜
２２の全部を結晶化してポリシリコン薄膜とすることが
できる。すなわち、液晶表示用薄膜トランジスタの半導
体薄膜２１にエキシマレーザを照射しても、液晶表示用
薄膜トランジスタのゲート電極１２がマスクとしての役
目を果たすことにより、液晶表示用薄膜トランジスタの
半導体薄膜２１のチャネル領域２１ａをアモルファスシ
リコン薄膜としてそのまま残すことができ、このため液
晶表示用薄膜トランジスタ形成領域と駆動回路用薄膜ト
ランジスタ形成領域とを可及的に近づけても何ら問題が
なく、したがって装置自体を小型化することができる。
しかも、エキシマレーザはガラス基板１１の下面側から
照射するので、ゲート電極１２をレーザ遮光層に兼用す
ることができ、、生産性がよい。As described above, in this matrix circuit driving device, in the case of a liquid crystal display thin film transistor, the gate electrode 12 serving as a laser light shielding layer is provided below the semiconductor thin film 21, and in the case of a driving circuit thin film transistor, the semiconductor thin film Since the gate electrode 24 is provided on the upper side of the glass substrate 11, even if the semiconductor thin film 21 of the thin film transistor for liquid crystal display and the semiconductor thin film 22 of the thin film transistor for drive circuit are initially formed of an amorphous silicon thin film, the liquid crystal display Gate electrode 1 for thin film transistor
By irradiating the excimer laser with the mask 2 as a mask, the channel region 21a of the semiconductor thin film 21 of the liquid crystal display thin film transistor can be prevented from being crystallized, and the entire semiconductor thin film 22 of the drive circuit thin film transistor can be crystallized. It can be a polysilicon thin film. That is, even when the semiconductor thin film 21 of the thin film transistor for liquid crystal display is irradiated with an excimer laser, the channel region 21a of the semiconductor thin film 21 of the thin film transistor for liquid crystal display is formed because the gate electrode 12 of the thin film transistor for liquid crystal display functions as a mask. The amorphous silicon thin film can be left as it is, so that there is no problem even if the thin film transistor forming region for liquid crystal display and the thin film transistor forming region for the driving circuit are brought as close as possible, so that the device itself can be downsized.
Moreover, since the excimer laser is irradiated from the lower surface side of the glass substrate 11, the gate electrode 12 can be used also as the laser light shielding layer, and the productivity is good.
【００１３】また、このマトリクス回路駆動装置では、
液晶表示用薄膜トランジスタの場合には半導体薄膜２１
の下側にゲート絶縁膜１３を設け、駆動回路用薄膜トラ
ンジスタの場合には半導体薄膜２２の上側にゲート絶縁
膜２３を設けているので、両ゲート絶縁膜１３、２３を
同種の材料によって形成することもできるが、互いに異
なる材料によって形成することもできる。そこで、既に
説明したように、液晶表示用薄膜トランジスタのゲート
絶縁膜１３を窒化シリコンによって形成し、駆動回路用
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜２３を酸化シリコンに
よって形成すると、各薄膜トランジスタに最適のゲート
絶縁膜を形成することができる。In this matrix circuit driving device,
In the case of a liquid crystal display thin film transistor, the semiconductor thin film 21 is used.
In the case of a thin film transistor for a drive circuit, the gate insulating film 23 is provided on the upper side of the semiconductor thin film 22. Therefore, the gate insulating films 13 and 23 are formed of the same material. Alternatively, they can be made of different materials. Therefore, as described above, when the gate insulating film 13 of the liquid crystal display thin film transistor is formed of silicon nitride and the gate insulating film 23 of the driving circuit thin film transistor is formed of silicon oxide, an optimal gate insulating film is formed for each thin film transistor. can do.
【００１４】なお、上記実施例では、ゲート電極１２を
レーザ遮光層とする場合で説明したが、レーザ遮光層を
ゲート電極とは別部材として形成してもよい。また、駆
動回路部をＮＭＯＳ薄膜トランジスタまたはＰＭＯＳ薄
膜トランジスタによって構成した場合について説明した
が、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタとＰＭＯＳ薄膜トランジ
スタとからなるＣＭＯＳ薄膜トランジスタによって構成
するようにしてもよい。また、この発明は液晶表示装置
に限らず、薄膜トランジスタメモリやイメージセンサ等
にも幅広く適用することができる。In the above embodiment, the case where the gate electrode 12 is a laser light shielding layer has been described. However, the laser light shielding layer may be formed as a separate member from the gate electrode. Further, the case where the drive circuit section is configured by an NMOS thin film transistor or a PMOS thin film transistor has been described, but may be configured by a CMOS thin film transistor including an NMOS thin film transistor and a PMOS thin film transistor. Further, the present invention is not limited to a liquid crystal display device, and can be widely applied to a thin film transistor memory, an image sensor, and the like.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、マトリクス回路部の半導体薄膜にレーザを照射して
も、マトリクス回路部のレーザ遮光層がマスクとしての
役目を果たすことにより、マトリクス回路部の半導体薄
膜のチャネル領域をアモルファスシリコン薄膜としてそ
のまま残すことができるので、マトリクス回路部形成領
域と駆動回路部形成領域とを可及的に近づけても何ら問
題がなく、したがって装置自体を小型化することができ
る。As described above, according to the present invention, even when the semiconductor thin film of the matrix circuit portion is irradiated with a laser, the laser light shielding layer of the matrix circuit portion functions as a mask, thereby providing a matrix circuit. Since the channel region of the semiconductor thin film of the portion can be left as an amorphous silicon thin film as it is, there is no problem even if the matrix circuit portion forming region and the drive circuit portion forming region are brought as close as possible, and therefore the device itself is downsized. can do.
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一実施例
におけるマトリクス回路駆動装置の各製造工程を示す断
面図。FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views illustrating respective manufacturing steps of a matrix circuit driving device according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来のマトリクス回路駆動装置の概略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional matrix circuit driving device.
１１ ガラス基板（透明基板） １２ ゲート電極（レーザ遮光層） １３ ゲート絶縁膜 ２１ 半導体薄膜 ２２ 半導体薄膜 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ ゲート電極 Reference Signs List 11 glass substrate (transparent substrate) 12 gate electrode (laser shielding layer) 13 gate insulating film 21 semiconductor thin film 22 semiconductor thin film 23 gate insulating film 24 gate electrode
Claims (3)
リクス回路部を駆動する駆動回路部とを設けたマトリク
ス駆動回路装置において、 前記マトリクス回路部をチャネル領域がアモルファスシ
リコンからなり、ソース・ドレイン領域がポリシリコン
からなる薄膜トランジスタによって構成し、かつ前記駆
動回路部をポリシリコンからなる薄膜トランジスタによ
って構成したことを特徴とするマトリクス回路駆動装
置。1. A matrix drive circuit device comprising: a matrix circuit portion provided on a transparent substrate; and a drive circuit portion for driving the matrix circuit portion, wherein the matrix circuit portion has a channel region made of amorphous silicon and a source / drain region. There the matrix circuit driving device, characterized in that constituted by a thin film transistor made of polysilicon <br/>, and was composed of thin film transistor of the drive circuit section polysilicon.
ランジスタのゲート絶縁膜は窒化シリコンからなり、前
記駆動回路部を構成する薄膜トランジスタのゲート絶縁
膜は酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１記
載のマトリクス回路駆動装置。2. A thin film transistor constituting the matrix circuit section .
The gate insulating film of the transistor is made of silicon nitride, before
Gate insulation of the thin film transistor that constitutes the drive circuit section
2. The matrix circuit driving device according to claim 1, wherein the film is made of silicon oxide .
る各薄膜トランジスタの少なくともチャネル形成領域対
応部にレーザ遮光層を設け、その上面にアモルファスシ
リコン薄膜を堆積し、該アモルファスシリコン薄膜に前
記透明基板の下面側から前記マトリクス回路部の前記レ
ーザ遮光膜をマスクとしてレーザを照射することによ
り、前記レーザ遮光層対応部のみをアモルファスシリコ
ン薄膜として残し他の部分を結晶化してポリシリコン薄
膜となし、少なくともチャネル領域がアモルファスシリ
コンからなる薄膜トランジスタから構成されるマトリク
ス回路部と、チャネル領域がポリシリコン薄膜からなる
薄膜トランジスタから構成される駆動回路部を形成する
ことを特徴とするマトリクス回路駆動装置の製造方法。 3. A matrix circuit section on a transparent substrate.
Channel forming region pair of each thin film transistor
A laser light shielding layer is provided on the
Deposit a silicon thin film on top of the amorphous silicon thin film.
From the lower surface side of the transparent substrate,
Laser irradiation using the laser light shielding film as a mask.
Only the portion corresponding to the laser light shielding layer is made of amorphous silicon.
The remaining part is crystallized and the other part is
Film and at least the channel region is amorphous silicon
Matrix composed of thin film transistors composed of capacitors
Circuit part and channel region are made of polysilicon thin film
Forming a drive circuit section composed of thin film transistors
A method for manufacturing a matrix circuit driving device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31799692A JP2934717B2 (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Matrix circuit driving device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31799692A JP2934717B2 (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Matrix circuit driving device and method of manufacturing the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9020918A Division JPH09191114A (en) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148686A JPH06148686A (en) | 1994-05-27 |
| JP2934717B2 true JP2934717B2 (en) | 1999-08-16 |
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ID=18094324
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-11-04 JP JP31799692A patent/JP2934717B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH06148686A (en) | 1994-05-27 |
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