JP2894025B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置
（以下、半導体装置という）に関し、特に半導体チップ
の発熱による半導体装置の温度上昇を抑制した半導体装
置に関する。
（以下、半導体装置という）に関し、特に半導体チップ
の発熱による半導体装置の温度上昇を抑制した半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における電子機器の小型化に伴な
い、この種の電子機器に用いられる半導体装置の高集積
化が進んでいる。そのため、半導体装置で消費される電
力も増大され、半導体装置の動作によってかなりの高熱
を発することになる。従来の半導体装置の一例を図に示
す。図６はその斜視図であり、図７は図６のＣ−Ｃ線断
面図である。この半導体装置は、半導体チップ１をリー
ドフレーム２のダイマウント３に搭載し、半導体チップ
１とリードフレーム２のリード部７とを金線５でボンデ
ィングしたのち、モールド樹脂６で樹脂封止した構成で
ある。この構成では、半導体装置が作動した時、半導体
チップ１で発生した熱はリード部７を通して外部へ放熱
されることになる。又、従来の放熱性を考慮した他の半
導体装置の一例を図８の斜視図に示す。この半導体装置
は、ダイマウントの一部がモールド樹脂６で封止された
部分から外部へ露出して放熱用フィン８として構成さ
れ、半導体素子で発生した熱をリード部７と共に放熱用
フィン８から外部へ放熱している。
い、この種の電子機器に用いられる半導体装置の高集積
化が進んでいる。そのため、半導体装置で消費される電
力も増大され、半導体装置の動作によってかなりの高熱
を発することになる。従来の半導体装置の一例を図に示
す。図６はその斜視図であり、図７は図６のＣ−Ｃ線断
面図である。この半導体装置は、半導体チップ１をリー
ドフレーム２のダイマウント３に搭載し、半導体チップ
１とリードフレーム２のリード部７とを金線５でボンデ
ィングしたのち、モールド樹脂６で樹脂封止した構成で
ある。この構成では、半導体装置が作動した時、半導体
チップ１で発生した熱はリード部７を通して外部へ放熱
されることになる。又、従来の放熱性を考慮した他の半
導体装置の一例を図８の斜視図に示す。この半導体装置
は、ダイマウントの一部がモールド樹脂６で封止された
部分から外部へ露出して放熱用フィン８として構成さ
れ、半導体素子で発生した熱をリード部７と共に放熱用
フィン８から外部へ放熱している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置では、半導体装置が高集積化されるほど、消費され
る電力も増加し、半導体チップは作動時に高熱を発生す
ることになる。図６及び図７の半導体装置では、半導体
チップ１はモールド樹脂６によって密封されているの
で、半導体チップ１の熱はリード部７を通して外部に放
熱せざるを得ず、極めて放熱性が悪い。例えば、従来の
半導体装置では半導体チップ１の接合部と外気の熱抵抗
は60〜100 ℃／Ｗと高い。このように、半導体装置の放
熱性が悪いと、半導体装置の高集積化に伴う熱ストレス
の増加によって高集積化された半導体装置ほど破損し易
くなる。このため、従来では半導体装置の内部回路規模
を発熱程度によって制限する必要があり、高集積化の半
導体装置を設計する上での障害となっている。
装置では、半導体装置が高集積化されるほど、消費され
る電力も増加し、半導体チップは作動時に高熱を発生す
ることになる。図６及び図７の半導体装置では、半導体
チップ１はモールド樹脂６によって密封されているの
で、半導体チップ１の熱はリード部７を通して外部に放
熱せざるを得ず、極めて放熱性が悪い。例えば、従来の
半導体装置では半導体チップ１の接合部と外気の熱抵抗
は60〜100 ℃／Ｗと高い。このように、半導体装置の放
熱性が悪いと、半導体装置の高集積化に伴う熱ストレス
の増加によって高集積化された半導体装置ほど破損し易
くなる。このため、従来では半導体装置の内部回路規模
を発熱程度によって制限する必要があり、高集積化の半
導体装置を設計する上での障害となっている。
【０００４】又、図８に示した半導体装置では、放熱フ
ィン８によって放熱性が改善されるが、電子機器の小型
化を図る目的で半導体チップを高集積化しても、高集積
化するほど放熱フィン８を大きくする必要があるため、
半導体装置が大型化するという問題がある。本発明の目
的は、高集積化した半導体チップの放熱性を改善し、温
度上昇を抑制するとともに小型化を可能とした半導体装
置を提供することにある。
ィン８によって放熱性が改善されるが、電子機器の小型
化を図る目的で半導体チップを高集積化しても、高集積
化するほど放熱フィン８を大きくする必要があるため、
半導体装置が大型化するという問題がある。本発明の目
的は、高集積化した半導体チップの放熱性を改善し、温
度上昇を抑制するとともに小型化を可能とした半導体装
置を提供することにある。
【０００５】〔課題を解決するための手段〕本発明の半
導体装置は、リードフレームのダイマウント裏面に複数
本の筒形導管を並列に設置し、これらの導管の両端がモ
ールド樹脂を貫通するように形成したことにより、モー
ルド樹脂内部に外気の流入領域を設けた構成としてい
る。
導体装置は、リードフレームのダイマウント裏面に複数
本の筒形導管を並列に設置し、これらの導管の両端がモ
ールド樹脂を貫通するように形成したことにより、モー
ルド樹脂内部に外気の流入領域を設けた構成としてい
る。
【０００６】
【作用】本発明によれば、半導体チップで発生した熱
は、ダイマウントの裏面に沿って設けた複数本の導管内
をそれぞれ通流される外気によって放熱される。
は、ダイマウントの裏面に沿って設けた複数本の導管内
をそれぞれ通流される外気によって放熱される。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図２は本発明の半導体装置の第１実施例の斜視図で
あり、図１は図２のＡ−Ａ断面図である。この半導体装
置は、半導体チップ１をリードフレーム２のダイマウン
ト３の裏面に搭載し、かつ半導体チップ１とリードフレ
ーム２のリード部７とを金線５で電気接続している。
又、前記ダイマウント３の表面には、円筒形をした中空
の導管４を４本並列に配設し、ダイマウント３の表面に
接着させている。そして、これらをモールド樹脂６によ
って封止して半導体装置を構成し、このとき前記導管４
の両端がモールド樹脂６の外側に開口し、導管４内を外
気が通流できるように構成している。
る。図２は本発明の半導体装置の第１実施例の斜視図で
あり、図１は図２のＡ−Ａ断面図である。この半導体装
置は、半導体チップ１をリードフレーム２のダイマウン
ト３の裏面に搭載し、かつ半導体チップ１とリードフレ
ーム２のリード部７とを金線５で電気接続している。
又、前記ダイマウント３の表面には、円筒形をした中空
の導管４を４本並列に配設し、ダイマウント３の表面に
接着させている。そして、これらをモールド樹脂６によ
って封止して半導体装置を構成し、このとき前記導管４
の両端がモールド樹脂６の外側に開口し、導管４内を外
気が通流できるように構成している。
【０００８】このように構成した半導体装置では、半導
体装置が作動して半導体チップ１が発熱すると、この熱
はダイマウント３に伝達される。そして、このダイマウ
ント３に伝達された熱はダイマウント３の表面に接した
複数の導管４内を通流される外気と熱交換される。即
ち、導管４の両端はモールド樹脂６を貫通して大気中に
開口されているため、導管内で熱交換されて熱を吸収し
た温度の高い空気は大気中に放散され、同時に導管４内
に新たに外気が入り込むことから、この外気の流れによ
って半導体チップ１は冷却され、半導体チップ１の温度
上昇を抑えることが可能となる。
体装置が作動して半導体チップ１が発熱すると、この熱
はダイマウント３に伝達される。そして、このダイマウ
ント３に伝達された熱はダイマウント３の表面に接した
複数の導管４内を通流される外気と熱交換される。即
ち、導管４の両端はモールド樹脂６を貫通して大気中に
開口されているため、導管内で熱交換されて熱を吸収し
た温度の高い空気は大気中に放散され、同時に導管４内
に新たに外気が入り込むことから、この外気の流れによ
って半導体チップ１は冷却され、半導体チップ１の温度
上昇を抑えることが可能となる。
【０００９】図３は本発明の第２実施例を示す斜視図で
ある。この実施例ではダイマウントの表面に接した状態
で配設する導管４Ａを、ダイマウントに沿って断面積が
偏平な筒形に形成している。このため、導管４Ａ内を通
流する外気の量を増やすとともに、ダイマウントとの接
触面積が増大し、前記第１実施例よりも冷却効率を向上
することができる。
ある。この実施例ではダイマウントの表面に接した状態
で配設する導管４Ａを、ダイマウントに沿って断面積が
偏平な筒形に形成している。このため、導管４Ａ内を通
流する外気の量を増やすとともに、ダイマウントとの接
触面積が増大し、前記第１実施例よりも冷却効率を向上
することができる。
【００１０】図４は本発明の第３実施例を示す斜視図で
あり、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿う平面断面図である。
この実施例では、複数本の導管４Ｂを縦及び横方向に井
桁状に配設し、各導管４Ｂの端部をモールド樹脂６の外
側に開口させている。これにより、導管４Ｂ内で任意の
方向に外気を通流させることができ、効率良い冷却効果
が期待できる。
あり、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿う平面断面図である。
この実施例では、複数本の導管４Ｂを縦及び横方向に井
桁状に配設し、各導管４Ｂの端部をモールド樹脂６の外
側に開口させている。これにより、導管４Ｂ内で任意の
方向に外気を通流させることができ、効率良い冷却効果
が期待できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップを搭載したダイマウントの反対面に複数本の導管を
配列してモールド樹脂で封止し、この導管の端部をモー
ルド樹脂の外側に開口させるように構成しているので、
導管内に外気が流れて半導体チップで発生した熱と熱交
換を行なうことで半導体チップの放熱を行うことがで
き、半導体装置の温度上昇を抑えることができる。これ
により、半導体装置の高集積化の設計を容易にするとと
もに、放熱フィンを不要にして半導体装置の小型化を図
ることができる効果がある。また、複数本の導管は、ダ
イマウントの寸法に対応して適宜の本数を選択すること
も可能であり、その意味では、図３に示した第２の実施
例よりも第１の実施例が有利であり、請求項１では第１
の実施例を採用する。また、請求項２では第３の実施例
のように井桁構造とすることで、より放熱性を高めるこ
とが可能となる。
ップを搭載したダイマウントの反対面に複数本の導管を
配列してモールド樹脂で封止し、この導管の端部をモー
ルド樹脂の外側に開口させるように構成しているので、
導管内に外気が流れて半導体チップで発生した熱と熱交
換を行なうことで半導体チップの放熱を行うことがで
き、半導体装置の温度上昇を抑えることができる。これ
により、半導体装置の高集積化の設計を容易にするとと
もに、放熱フィンを不要にして半導体装置の小型化を図
ることができる効果がある。また、複数本の導管は、ダ
イマウントの寸法に対応して適宜の本数を選択すること
も可能であり、その意味では、図３に示した第２の実施
例よりも第１の実施例が有利であり、請求項１では第１
の実施例を採用する。また、請求項２では第３の実施例
のように井桁構造とすることで、より放熱性を高めるこ
とが可能となる。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の第１実施例を
示し、図２のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。
示し、図２のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の第１実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置の第２実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の第３実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線に沿う横断面図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の一例の斜視図で
ある。
ある。
【図７】図６のＣ−Ｃ線に沿う縦断面図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の他の例の斜視図
である。
である。
【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ リードフレーム ３ ダイマウント ４，４Ａ，４Ｂ 導管 ５ 金線 ６ モールド樹脂 ７ リード部 ８ 放熱フィン
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームのダイマウントの一面に
半導体チップを搭載し、少なくともこれらダイマウント
及び半導体チップを樹脂により封止してなる樹脂封止型
半導体装置において、前記ダイマウントの反対面に沿っ
て複数本の筒形導管を配列し、前記各導管を前記樹脂で
封止するとともに、前記各導管の両端を樹脂の外側に開
口したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記複数本の導管は井桁状に配列してな
る請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20617191A JP2894025B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20617191A JP2894025B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529494A JPH0529494A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2894025B2 true JP2894025B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=16518985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20617191A Expired - Lifetime JP2894025B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2894025B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP20617191A patent/JP2894025B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529494A (ja) | 1993-02-05 |
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