JP2851712B2 - 窒化アルミニウム質回路基板 - Google Patents
窒化アルミニウム質回路基板Info
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 30
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Ceramic Products (AREA)
Description
路が形成された高熱伝導性を有する窒化アルミニウム質
回路基板に関し、特に絶縁抵抗、誘電率、誘電損失等の
電気特性の改良に関する。
伴いそれを構成する半導体集積回路も高密度化、高集積
化が急速に進み、そのために半導体集積回路素子の発熱
量が著しく増加し、前記半導体集積回路素子を正常に作
動させるために発生した熱をいかに効率的に除去するか
が問題となっている。
使用されていたアルミナ製基板や、古くから高熱伝導性
基板として知られる酸化ベリリウム製基板等に代わり、
常温から高温まで高い強度を有し、電気絶縁性が高く、
高熱伝導性であり、熱膨張係数がアルミナに比べシリコ
ン単結晶に近いなどの優れた特性を有する窒化アルミニ
ウム質焼結体が注目されている。
性であり、単味では高熱伝導性を有する高密度焼結体が
得られないことから、焼結助剤としてY2 O3 等の希土
類元素酸化物、あるいはCaO等のアルカリ土類元素酸
化物を添加して高密度化する方法が採用されている。
号によれば、希土類元素酸化物とアルカリ土類金属酸化
物とを同時に添加することにより、低温焼成を可能にす
るとともに高熱伝導化が達成できることが提案されてい
る。
昭61−117160号に開示された方法によれば、低
温焼成、高熱伝導化においては優れた効果が認められる
ものの、この焼結体に対して電気特性について詳細に検
討したところ、希土類元素酸化物とアルカリ土類元素酸
化物を同時に添加すると、焼結体が半導体化することが
あり、これにより電気絶縁性が劣化したり、誘電率が大
きくなる等の電気特性が劣化するという問題が生じるこ
とがわかった。
するような基板材料としては、高熱伝導性とともに電気
特性として高絶縁性、低誘電損失、高熱伝導率であるこ
とが要求されるものの、このような電気特性の点からは
充分な検討がなされていないのが現状であった。
するとともに1800℃以下の2温度で焼成可能であ
り、且つ高電気絶縁性を有し、誘電率および誘電損失の
低い窒化アルミニウム質回路基板を提供するにある。
点に対して検討を重ねた結果、焼結体の電気特性劣化
が、焼結助剤として含有されるアルカリ土類元素と希土
類元素の量に関係するとともに、これらの焼結助剤の添
加量を特定の比率に制御することにより、電気特性が良
好なものとなり信頼性の高い基板が提供できることを知
見した。
板は、窒化アルミニウムを主体として、少なくともアル
カリ土類元素および希土類元素を含有してなり、前記希
土類元素の酸化物換算量をx、前記アルカリ土類元素の
酸化物換算量をyとした時、(x,y)値をプロットし
た図1の点A(0.1,3.0)−B(0.1,0.
1)−C(1.0,0.1)−D(6.0,1.0)−
E(6.0,3.0)の各点A−B−C−D−E−Aで
囲まれた組成領域、あるいは点F(7.0、0.75)
−G(7.0,0.1)−H(12.0,0.1)−I
(12.0,0.75)の各点F−G−H−I−Fで囲
まれた組成領域からなるとともに、室温における体積固
有抵抗が1×1010Ω−cm以上、1MHzにおける誘
電率が10以下、誘電損失が20×10-4以下の窒化ア
ルミニウム質基板に、金属導体層からなる回路を形成し
てなることを特徴とするものである。
は、基本的に窒化アルミニウム質焼結体からなるもの
で、また該焼結体は、焼結助剤として少なくともアルカ
リ土類元素および希土類元素を含有することを特徴とす
る。
ば酸化物等のみの添加では高熱伝導性は高緻密化は達成
されるものの、焼成温度を1800℃以上に設定する必
要があるために、炉の構造やメタライズ同時焼成等の点
から制約を受け、実用的なものではないが、これにアル
カリ土類元素化合物を添加することによりその焼成温度
を大きく低下させることができる。具体的には、アルカ
リ土類元素を酸化物換算で0.1重量%以上添加するこ
とにより低温焼成による緻密化を達成することができ
る。しかしながら、希土類元素が酸化物換算で0.1重
量%より少ないと系の焼結性が低下し、低温焼成による
緻密化は達成されない。一方、アルカリ土類元素量が酸
化物換算で3重量%より多くなると熱伝導率が大きく低
下するために望ましくない。
び希土類元素が上記熱伝導率および焼結性の点から望ま
しい範囲内であっても、かかる希土類元素酸化物とアル
カリ土類元素酸化物を同時添加し低温焼成すると、その
組成比によっては電気特性が大きく劣化するという現象
が存在することがわかった。
素の酸化物換算量をx、アルカリ土類元素の酸化物換算
量をyとした時、図1のxとyとの組成比率を示す図に
おいて、(x,y)が点A−B−C−D−E−Aにより
囲まれる領域、および点F−G−H−I−Fにより囲ま
れる領域になるように添加量を制御することにより電気
特性を改善できる。
上記領域に限定したのは、図1において、線分CDより
下方の領域、および線分FGよりも希土類元素量が少な
い領域では、抵抗、誘電率、誘電損失がいずれも大き
く、線分DEよりも希土類元素量が多く、および線分I
Fよりもアルカリ土類元素量が多い領域でも、抵抗、誘
電率、誘電損失がいずれも大きくなった。また、線分H
Iより希土類元素量が多い領域でも電気特性は劣化す
る。さらに、線分ABより希土類元素量が少ないと低温
で緻密できず、熱伝導率が低下し、線分AEよりアルカ
リ金属元素量が多いと、熱伝導率が低下する。
が劣化する理由については、定かではないが、例えば無
機材料研究所研究報告書第4号の「窒化アルミニウムに
関する研究」(1973年)によれば、窒化アルミニウ
ムは元来半導体的特性を有しうることが記載されてお
り、炭素あるいは酸素の混入した淡青色の結晶は103
〜105 Ω−cmの低い比抵抗を示すことが明らかにさ
れている。従って、前述した本発明の範囲外の組成にお
いてアルカリ土類および希土類元素の酸化物の何らかの
作用により微量不純物が窒化アルミニウム結晶中に固溶
し半導体化したものと考えられる。また、本発明の範囲
外の電気特性の劣化の大きい試料では、外観上黄色〜緑
色のシミが生じやすいが、この現象も上述のことと関連
があると思われる。
素としては、Gd、Ho、Er、Ybが最も望ましい。
これは、従来から用いられているY等では焼結体中にシ
ミや色ムラ等が発生しやすく、基板としての機械的特性
や電気特性が不安定になりやすくなるためである。ま
た、アルカリ土類元素としては、Ca、Sr、Ba等が
用いられる。
アルミニウムの平均結晶粒径が0.8μm 以上、特に
1.2μm 以上であることが望ましい。この結晶粒径
は、焼結体の熱伝導率に大きく寄与するもので、その粒
径が大きい程熱伝導率を高めることができる。即ち、粒
径が0.8μm より小さいと、結晶粒子間の粒界の占め
る体積(面積)が大きいために粒界がフォノン伝導の障
害物となり、熱伝導率が低下する。
製造方法について説明する。まず、窒化アルミニウム原
料粉末としては、直接窒化法、アルミナ還元法等の公知
の方法で製造したもので、不純物酸素量1.5重量%以
下、炭素含有量0.2重量%以下、アルミニウムを除く
陽イオン不純物含有量0.1重量%以下、特にSi含有
量及びFe含有量が共に100ppm以下の平均粒径2
μm 以下の粉末が好適に使用される。
に酸化物粉末、およびアルカリ土類元素化合物、特に酸
化物や焼成により酸化物に変化しうる炭酸塩や硝酸塩等
を最終焼結体の各元素量が図1の特定の範囲になるよう
に秤量混合する。
を添加した混合粉末は所望により有機溶媒中で混合され
る。この時、有機溶媒中に含有される水分量は0.4重
量%以下に設定される。これにより窒化アルミニウム粉
末の分散性を向上させるとともに、水分との反応によっ
て窒化アルミニウム粒子表面の酸化を防止することがで
きる。
えば金型もしくは静水圧を用いたプレス成形、シート成
形、押出成形等により、所望に形状に成形した後、焼成
に移される。
気中で行われ、焼成手段としては常圧焼成、ホットプレ
ス焼成、窒素ガス加圧焼成などが採用されるが、本発明
によれば、この時の焼成温度を1500℃以上にするこ
とにより相対密度90%以上に緻密化することができ、
窒化アルミニウムの平均結晶粒径も原料時の一次粒子か
ら急激に大きくなる。
従い緻密性が向上するとともに、窒化アルミニウムの平
均結晶粒径も次第に大きくなるが、1800℃を越える
と焼成炉としての耐熱性が要求されるために炉自体の構
造が大掛かりとなる。よって量産性を考慮する場合、焼
成温度は1800℃以下、特に1700℃以下に設定
し、これを窒素中あるいは窒素と水素との混合雰囲気中
で常圧焼成することが望ましく、これによれば連続炉等
の使用も可能となる。
る方法としては、前記方法により得られた基板に対して
W、Mo、Mn、Au、Ag、Cu、Ti等の金属粉を
含有するメタライズペーストをスクリーン印刷法等によ
り塗布し、600〜1700℃で熱処理するか、または
スパッタリングや蒸着法等の手段により金属薄膜を被着
形成することにより導体層を形成することができ、ま
た、前記焼結体の製法において、成形体の表面にW、M
o等の金属粉を含有するペーストを塗布し、1600〜
1800℃の非酸化性雰囲気中で同時焼成することもで
きる。また、低融点ガラスにより金属リード線を基板に
接着することもでき、さらには半導体素子放熱用、電気
回路用基板、キャップ、フィン等としても使用できる。
および希土類元素を焼結助剤成分として含有するととも
にアルカリ土類元素と希土類元素量を図1の特定の領域
に限定することにより、1800℃以下の温度で相対密
度95%以上の緻密化が達成されるとともに、熱伝導率
80W/m・K以上の特性が得られ、また電気特性にお
いて室温で1×1010Ω−cm以上、1MHzにおける
誘電率10以下、さらに誘電損失(tanδ)20×1
0-4以下の優れた電気特性が得られる。
表面積)3.3m2 /g、不純物酸素量1.1重量%、
炭素含有量0.05重量%以下、アルミニウムを除く陽
イオン不純物含有量0.1重量%以下の市販の窒化アル
ミニウム原料粉末に対して、平均粒径が0.8μm の酸
化エルビウム粉末(Er2 O3 )および炭酸カルシウム
(CaCO3 )粉末を表1および表3に示す割合で添加
混合した。次にこれを室温で1000kg/cm2 の圧
力でプレス成形した。この成形体を表1に示す焼成温度
で窒素ガス1気圧下で3時間焼成した。
に基づき相対密度を算出するとともに、レーザーフラッ
シュ法により熱伝導率を測定した。また、電気特性とし
て室温における体積固有抵抗を絶縁抵抗計、および室
温、1MHzにおける誘電率(ε)、誘電損失(tan
δ)を1KHz/1MHzキャパシタンスメーターを用
いて測定した。さらに焼結体の外観観察を行い評価を行
った。各結果は、表1〜表4に示した。
量)をx軸、アルカリ土類元素量(酸化物換算量)をy
軸とし、図1にプロットした。
粉末の代わりに表5および表7に示す各種の希土類元素
酸化物粉末と用い、またアルカリ土類元素としてCaC
O3 の他にBaCO3 、SrCO3 の粉末を用いて同様
に表5および表7の割合に秤量混合し、実施例1と同様
な方法で成形後、表の条件で焼成し、得られた焼結体に
対して実施例1と同様な方法で特性を測定した。結果は
表5〜表8に示した。
O3 以外の希土類元素においても、電気特性に関しては
ほぼ同様の傾向にあった。
リ土類元素および希土類元素の各量は、特にアルカリ土
類元素が酸化物換算で2重量%以下、希土類元素が酸化
物換算で0.3重量%以上であることが熱伝導率の点か
ら望ましい。
化アルミニウムを主体とし、アルカリ土類元素および希
土類元素を特定の範囲で添加することにより低温焼成お
よび高熱伝導性を維持しつつ、高絶縁性、低誘電率、低
誘電損失の電気的特性に優れた焼結体を得ることができ
る。よって、該焼結体の表面に金属導体層を被着形成し
た基板として用いることにより、例えば回路基板として
信号伝播速度の遅延を抑制するとともに電力損失を小さ
くすることができ、これにより各種の半導体素子を搭載
する基板等として信頼性を高めることができる。
基板の希土類元素量(x)とアルカリ土類元素量(y)
との関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】窒化アルミニウムを主体として、少なくと
もアルカリ土類元素および希土類元素を含有してなり、
前記希土類元素の酸化物換算量をx、前記アルカリ土類
元素の酸化物換算量をyとした時、(x,y)値をプロ
ットした図1の点A(0.1,3.0)−B(0.1,
0.1)−C(1.0,0.1)−D(6.0,1.
0)−E(6.0,3.0)の各点で囲まれた組成領域
からなるとともに、室温における体積固有抵抗が1×1
010Ω−cm以上、1MHzにおける誘電率が10以
下、誘電損失が20×10-4以下の窒化アルミニウム質
基板の表面に、金属導体層からなる回路を形成してなる
ことを特徴とする窒化アルミニウム質回路基板。 - 【請求項2】窒化アルミニウムを主体として、少なくと
もアルカリ土類元素および希土類元素を含有してなり、
前記希土類元素の酸化物換算量をx、前記アルカリ土類
元素の酸化物換算量をyとした時、(x,y)値をプロ
ットした図1の点F(7.0、0.75)−G(7.
0,0.1)−H(12.0,0.1)−I(12.
0,0.75)の各点で囲まれた組成領域からなるとと
もに室温における体積固有抵抗が1×1010Ω−cm以
上、1MHzにおける誘電率が10以下、誘電損失が2
0×10-4以下の窒化アルミニウム質基板の表面に、金
属導体層からなる回路を形成してなることを特徴とする
窒化アルミニウム質回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3057834A JP2851712B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 窒化アルミニウム質回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3057834A JP2851712B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 窒化アルミニウム質回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275981A JPH04275981A (ja) | 1992-10-01 |
JP2851712B2 true JP2851712B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13066980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3057834A Expired - Lifetime JP2851712B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 窒化アルミニウム質回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2851712B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6017485A (en) * | 1996-03-28 | 2000-01-25 | Carborundum Corporation | Process for making a low electrical resistivity, high purity aluminum nitride electrostatic chuck |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3057834A patent/JP2851712B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04275981A (ja) | 1992-10-01 |
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