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JP2809115B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

半導体装置とその製造方法

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JP2809115B2
JP2809115B2 JP24446594A JP24446594A JP2809115B2 JP 2809115 B2 JP2809115 B2 JP 2809115B2 JP 24446594 A JP24446594 A JP 24446594A JP 24446594 A JP24446594 A JP 24446594A JP 2809115 B2 JP2809115 B2 JP 2809115B2
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Japan
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semiconductor chip
electrode
wafer
semiconductor device
integrated circuit
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祐吉 小野
勝彦 石田
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高密度実装に適した半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造工程が終了し、多数の集積回路が作
り込まれたウェハーが完成すると、このウェハーは個々
の集積回路に対応した半導体チップに分離される。そし
て、各半導体チップは、通常容器兼配線板であるパッケ
ージに収容された状態で装置メーカー等に引き渡され、
プリント回路基板上に実装される。上記パッケージは、
以下の点を目的としている。 半導体チップを化学的、電気的、および機械的に外界
から保護する。 半導体チップから発生した熱を放散させる。 半導体チップの微細配線を拡大して各種基板への接続
を容易ならしめる。
【０００３】図１２は、上述したパッケージ化のなされ
た半導体装置の実装状態を示す断面図である。この図に
おいて、半導体チップ１は、導電体であるリードフレー
ム２のチップ搭載部上にマウンティングされており、半
導体チップ１の電極部とリードフレーム２のリード部と
が、Ａｕ等の金属ワイヤ３によってボンディングされて
いる。そして、これら半導体チップ１、リードフレーム
２、および金属ワイヤ３は、エポキシ、もしくはシリコ
ン等の樹脂４で成形封止されて、パッケージングのなさ
れた１個の半導体装置ＰＧとなっている。このような半
導体装置では、多数の連結したリードフレーム２が用い
られることにより、一度に多数のチップの成形封止が行
われる。そのため、材料にコストがかからず、かつ、量
産性に優れている。
【０００４】また、上述したパッケージ化による実装方
法とは別に、半導体チップをベアの状態で実装する方法
がある。図１３は、このような方法の一つであるフリッ
プ・チップ方式によって実装された半導体装置を示す断
面図である。このフリップ・チップ方式とは、金属ワイ
ヤ３を用いずにボンディングを行うワイヤレスボンディ
ング法の１種である。この図に示す半導体装置において
は、半導体チップ１の電極部にはんだ等の金属バンプ５
が形成され、プリント回路基板ＰＣＢ上の導体パターン
面に直接接続されている。このような方式による半導体
装置においては、実装占有面積が半導体チップ１の寸法
と殆ど変わらないため、パッケージ化する方法と比較し
て装置の小型化が実現される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１２に示
す半導体装置においては、パッケージＰＧがプリント回
路基板ＰＣＢ上で占める面積が大となるため、装置を小
型化および高密度化することが困難であった。また、図
１３に示すフリップ・チップ方式による半導体装置にお
いては、半導体チップ１の金属バンプ５がプリント回路
基板ＰＣＢ上の導体パターンに直接押し付けられて接続
されているため、半導体チップ１の取り外しが容易でな
く、半導体チップ１が不良であった場合の交換が困難で
あるという問題があった。
【０００６】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、基板上での実装占有面積を小さくすると共
に、不良チップの交換が容易である半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に基づ
く半導体装置は、半導体チップの表面に集積回路が形成
されると共に、前記集積回路の電極部から前記半導体チ
ップの少なくとも１つの側面にかけて電極用金属部が形
成され、この半導体チップ側面の電極用金属部が端子電
極を形成してなると共に、前記半導体チップの少なくと
も端子電極を形成した側面が半導体チップ表面に対して
鈍角の傾斜を有してなることを特徴としている。本発明
の請求項３に基づく半導体装置は、ウェハー表面の集積
回路形成領域の周辺のスクライブ領域のうち半導体チッ
プ側面の端子電極を形成するスクライブラインを含む所
定幅領域に、側面が半導体チップ表面に対して鈍角の傾
斜を有する溝部を形成する工程と、前記溝部を形成した
ウェハー上に、前記スクライブライン上のウェハーの厚
さが他の部分よりも薄くなるように、かつ前記溝部側面
の傾斜に沿って導電層を形成する工程と、前記導電層を
エッチングし半導体チップ側面の端子電極と、該端子電
極と集積回路の電極部とを結ぶ配線部を形成する工程
と、スクライブ領域のスクライブラインに沿ってウェハ
ーを切断する工程とを有する請求項２に記載の半導体装
置の製造方法により製造されたことを特徴としている。
本発明の請求項５に基づく半導体装置は、半導体チップ
の表面に集積回路が形成されると共に前記集積回路の電
極部から前記半導体チップの少なくとも１つの側面にか
けて電極用金属部が形成され、この半導体チップ側面の
電極用金属部が端子電極を形成してなる半導体装置の製
造方法であって、ウェハー表面のスクライブラインに包
囲される半導体チップ側面の端子電極を形成する領域
に、側面が半導体チップ表面に対して鈍角の傾斜を有す
ると共に外側面がスクライブラインに接触する凹部を形
成する工程と、前記凹部を形成したウェハー上に、この
凹部におけるウェハーの厚さが他の部分よりも薄くなる
ように導電層を形成する工程と、前記導電層をエッチン
グし半導体チップ側面の端子電極と、該端子電極と集積
回路の電極部とを結ぶ配線部を形成する工程と、前記凹
部の導電層の上に充填用金属材料を充填する工程と、前
記スクライブラインに沿ってウェハーを切断する工程と
を有する請求項４に記載の半導体装置の製造方法により
製造されたことを特徴としている。
【０００８】本発明の請求項７に基づく半導体装置は、
ウェハー表面に形成した集積回路の電極部に突起状電極
を形成する工程と、ウェハー表面の集積回路形成領域の
周辺のスクライブ領域のスクライブライン上に溝部を形
成する工程と、絶縁性フィルムの一方の面に断面略Ｌ字
状の電極部材を、その一方の片部が前記突起状電極に対
応し、かつ他方の片部が絶縁性フィルムから起立するよ
うに接着する工程と、前記絶縁性フィルムを前記ウェハ
ーに、前記電極部材の絶縁性フィルムに接着した側の片
部が突起状電極と電気的に接触し、他方が前記溝部に沿
うように位置決めし固着する工程とを有する請求項６に
記載の半導体装置の製造方法により製造され、前記電極
部と電気的に接続され半導体チップ側面側に折曲形成さ
れた断面略Ｌ字状の電極部材を備えると共に、前記半導
体チップ表面側の前記電極部材に前記半導体チップ表面
を被覆するように絶縁性フィルムが装着されたことを特
徴としている。
【０００９】本発明はまた、前記の何れかの半導体チッ
プが２箇以上互いにその側面で連結され、これら半導体
チップのそれぞれの端子電極の少なくとも１つが互いに
電気的に接続されてなる半導体装置を提供する。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、半導体チップの側面をプリ
ント回路基板の導電体に直接接着させる実装方法をとる
ことが可能となるため、半導体チップの基板上での実装
占有面積を小とすることができると共に、半導体チップ
の交換を容易に行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
ついて説明する。 （実施例１） 図１は、この発明の半導体装置の一実施例における構成
を模式的に示す斜視図である。図１において、この半導
体装置は、半導体チップ１の表面に集積回路４が形成さ
れると共に、集積回路の電極部（図示せず）から前記半
導体チップ１の少なくとも１つの側面ＳＤにかけて、電
極用金属部５が形成され、側面ＳＤの電極用金属部５が
端子電極５ａを形成してなっている。この半導体チップ
１の少なくとも端子電極５ａを形成した側面ＳＤは、半
導体チップ表面に対して鈍角の傾斜を有している。集積
回路４内の電極部と半導体チップ１の前記端子電極５ａ
とは、電極用金属部５の半導体チップ１表面上の部分で
ある配線５ｂによって結ばれている。この電極用金属部
５の材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ、これらの少
なくとも１種を含む合金、またはこれらの少なくとも１
種を含む積層体のいずれかからなっているが、少なくと
もその表面はその電極をどのように接続するかによって
選ばれる。例えば、半田付けするのであれば表面にＡｕ
メッキを施したＣｕＣｏとすることが好ましい。
【００１２】この端子電極５ａは、図２（ａ）（ｂ）
（ｃ）に示す方法により形成することができる。まず、
図２（ａ）に示すように、ウェハー１ａの、絶縁膜１ｂ
で被覆されその上に集積回路が形成される面側で、隣接
して形成される半導体チップの周辺のスクライブ領域の
うち半導体チップ側面の端子電極を形成するスクライブ
ラインＧを含む所定幅領域Ｗに、側面ＳＤが半導体チッ
プ表面Ｓに対して鈍角θの傾斜を有してなる深さＤおよ
び幅Ｗの溝部６を形成する。この溝部６は、ダイサー
（ダイシング・マシーン）等による機械的切削、または
ウエット・エッチングやドライ・エッチング等によっ
て、またはこれらを組み合わせて容易に形成することが
できる。
【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように、溝部６お
よびウェハーの表面にＣＶＤを用いて酸化膜、窒化膜等
の絶縁膜７を形成し、集積回路の電極部上の絶縁膜をエ
ッチングで除去し電極部を露出し、更にこの上に、半導
体チップ１表面の配線５ｂおよび端子電極５ａを形成す
るために、Ａｌ膜８およびＮｉ膜９を蒸着する。蒸着に
際しては、溝部６の側面にも一様に膜が形成されるよう
に、指向性が少ない等方的に膜が形成される方法（装
置）を選ぶことが好ましい。
【００１４】次いで、ウェハー１ａの表面で、半導体チ
ップ１の配線に必要な部分５ｂ（例えば図１における集
積回路部４と端子電極５ａとを結ぶ配線５ｂ）および端
子電極５ａを形成すべき部分以外の部分のＡｌ膜８およ
びＮｉ膜９を、公知の写真蝕刻技術を用いてエッチング
除去する。（この実施例ではＡｌ膜８の上にＮｉ膜９を
蒸着したが、Ａｌ膜８のみを蒸着し、パターニングした
後にＮｉ膜９をメッキする方法で形成してもよい）。
【００１５】次に、端子電極５ａとなる部分のＮｉ膜９
の上にＣｕ膜１０を所望の厚さだけ無電解メッキにより
形成する。これは例えば、ウェハー１ａ表面上の配線部
５ｂをレジストで被覆し、端子電極５ａとなる部分のみ
に厚いＣｕ膜１０を積層する方法で行うことができる。
更に必要な場合には、Ｃｕ膜１０上にＡｕ膜をメッキす
れば、得られた半導体チップとプリント回路基板配線と
を電気的に良好に接続することができるようになる。こ
のとき、溝部６を形成するスクライブラインＧ上のウェ
ハーの厚さがウェハーの他の部分より薄くなるように、
前記の導電層、すなわちＡｌ膜８、Ｎｉ膜９、Ｃｕ膜１
０及び必要ならＡｕ膜を積層しなければならない。
【００１６】次に図２（ｃ）に示すように、ウェハー１
ａの表面側または裏面側からスクライブラインＧに沿っ
てダイシングにより切断すると、これにより半導体チッ
プ１が分離される。そして、ここに形成された断面が半
導体チップ１の端子電極５ａを有する側面ＳＤとなる。
【００１７】溝部６の側面に端子電極５ａを形成するに
際して、溝部６の側面が垂直に近いときには、写真蝕刻
法により側面のＡｌ膜８およびＮｉ膜９をエッチング除
去する際に露光装置として焦点深度が深く、照射光の指
向性の弱いものを用いる必要がある。しかし本発明にお
いては溝部６の側面ＳＤに、ウェハーの表面Ｓに対して
鈍角θの傾斜がつけられているので、このような特別の
露光装置を必要とせず、Ａｌ膜８やＮｉ膜９も通常のス
パッター装置で形成が可能となる。また、溝部６の側面
ＳＤが鈍角に傾斜しているので、溝部６の側面が垂直と
された場合のように溝部６の深さ／幅比（Ｄ／Ｗ）を小
さくする必要がなく、溝部幅Ｗを広くする必要もなく、
例えば溝部幅Ｗが１００μｍ〜１５０μｍの溝部の側面
に長さ２００μｍ×幅１００μ〜１５０μｍの端子電極
５を形成することができるようになる。
【００１８】溝部６の側面にウェハーの表面に対して鈍
角の傾斜をつける方法として、例えば溝部６を切り込む
ダイサーの刃先に所望の角度をつけておけば、その角度
に応じた傾斜を持った側面を形成することができる。こ
の場合の端子電極５ａの形成例を図３（ａ）（ｂ）
（ｃ）に示す。図３（ａ）は、上の方法で溝部６の側面
に傾斜をつけた例であって、この溝部６に絶縁膜７、Ａ
ｌ膜８およびＮＩ膜９を形成し、Ｃｕメッキをする前に
溝部底の中央部分６ａのＡｌ膜８、Ｎｉ膜９を、例えば
ダイサーの刃の厚さが幅Ｗより薄いものを用いて、浅く
切り込んで切除し、次いでウェハー１ａ表面をレジスト
で被覆し、図３（ｂ）に示すように、溝部側面のＮｉ膜
９上のみに厚くＣｕメッキ１０を施し、次に図３（ｃ）
に示すように、ウェハー１ａの裏面よりダイサーとシリ
コンエッチングを用いて、形成された端子電極を傷つけ
ないように半導体チップ１を分離する。
【００１９】この実施例１の方法は、半導体チップ１の
側面ＳＤに端子電極５ａを形成する最も簡単な例であ
る。この場合、端子電極５ａを形成するためのスペース
を少し広くとる必要はあるものの、それでもウェハー１
ａのスクライブ・ラインＧ上に約１５０μｍ〜２００μ
ｍのスペースを得ることは可能であるから実用上は問題
がない。
【００２０】（実施例２） 図４および図５（ａ）〜図５（ｄ）に、端子電極を形成
する他の方法を示す。図４において、まず絶縁膜１ｂで
被覆されたウェハー１ａのスクライブラインに包囲され
る集積回路４の端子電極が形成される周辺部４ａの部分
に、それぞれの端子電極に対応する長さＴ、幅Ｗ、深さ
Ｌの凹部１１を各々エッチングによって形成する。この
各凹部１１は、各半導体チップの端子電極が形成される
べき位置に、端子電極の大きさとほぼ等しく、その側面
がウェハー表面に対して鈍角の傾斜をなすように形成さ
れ、その凹部１１の外側面はスクライブライン１ｃと接
触している。この凹部１１は、ドライエッチングで所定
の深さＬまでエッチングし、次にウエットエッチングを
用いて面形状を平滑にして形成される。
【００２１】次の工程を図５（ａ）〜図５（ｄ）で示
す。図５（ａ）〜図５（ｄ）は図４のＡ−Ａ’断面を示
している。まず、図５（ａ）に示すように、この凹部１
１の内面およびウェハー１ａの少なくとも周辺部４ａ
に、熱酸化またはＣＶＤを用いて絶縁膜１２を形成し、
集積回路の電極部上の絶縁膜をエッチングで除去し電極
部を露出し、この上にＡｌ膜およびＮｉ膜の積層膜から
なる導電層１３を蒸着またはスパッタリングにより形成
する。次いで図５（ｂ）に示すように、写真蝕刻法を用
いて、周辺部４ａ上に形成すべき引出し配線部５ｂおよ
び凹部１１の内面以外の全ての部分の導電層１３をエッ
チング除去する。
【００２２】次にウェハー１ａの表面をレジストで被覆
して凹部１１の導電層１３のみを露出させ、この上にＣ
ｕ層１４をメッキする。Ｃｕ層１４のメッキの厚さは、
凹部１１がＣｕ層１４で充填され、ウェハー１ａの表面
とほぼ平坦になる程度に行う。この状態を図５（ｃ）に
示す。
【００２３】次に図５（ｄ）に示すように、凹部１１の
側面に隣接するスクライブライン１ｃに沿って、ダイサ
ーを用いて凹部１１の深さＬよりも深い所定の深さＬｃ
までウェハー１ａに切込み溝部１７を形成し、ウェット
エッチングによって凹部１１の側面部のシリコンを除去
して絶縁膜１２を露出させ、更にドライまたはウエット
の等方性エッチングによってこの絶縁膜１２を除去する
と、電極用金属部が厚みＴの端子電極５ａとして溝部１
７の側面に露出する。次いでこのスクライブライン１ｃ
に沿って実施例１と同様にウェハー１ａを切断すれば、
厚みＴの端子電極５ａを側面ＳＤに有する半導体装置が
得られる。
【００２４】この実施例では、ウェハー１ａの、端子電
極を形成すべき位置に予め凹部１１を形成し、この凹部
１１を金属材料１４で充填して端子電極５ａとしている
ので、端子電極５ａの厚みＴを十分に厚くすることがで
き、機械的に補強された端子電極５ａが得られる。
【００２５】充填用金属材料１４としてＣｕの代わりに
Ｗ、ＷＳｉ等の高融点金属またはシリサイドを用いれ
ば、ＬＳＩ形成プロセスと端子電極５ａの形成プロセス
とを同時並行して行うことも可能である。図６（ａ）
（ｂ）に、タングステンを選択ＣＶＤを用いて埋め込ん
だ例を示す。図６（ａ）において、凹部１１をエッチン
グにより形成し、その表面を熱酸化した後、ポリシリコ
ン膜１６をＣＶＤを用いて蒸着し、次にウェハー１ａ表
面のポリシリコン膜をエッチングで除去し、凹部１１の
内面にのみポリシリコン膜１６を残す。タングステンＣ
ＶＤを条件を選んで行うと、ポリシリコン膜上にのみタ
ングステン１８が堆積し、図６（ｂ）に示すように凹部
１１をタングステン１８で充填することができる。以
上、蒸着によって凹部を充填する方法を示したが、銀ペ
ースト、その他の液状導電材料を流し込み、固化させる
方法も可能である。
【００２６】（実施例３）図７（ａ）〜図７（ｄ）に実
施例３の製法を示す。図７（ａ）に示すように、ウェハ
ー１ａ上の集積回路４の周辺部４ａに表面電極部２０を
形成した後に、スクライブライン沿って深さ２００〜２
５０μｍの切込み溝部２６を形成する。周辺部４ａと切
込み溝部２６の面をＣＶＤ法により絶縁膜２４で被覆
し、次に表面電極部２０の部分の絶縁膜を写真蝕刻法で
エッチング除去し、表面電極部２０を露出させる。引出
し用配線により集積回路部４と接続された表面電極部２
０に、公知の技術により突起状の電極であるバンプ２１
を形成する。
【００２７】図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すよう
に、ポリイミドフィルム等の絶縁性フィルム２３の一方
の面に、Ｃｕまたは、ＡｕまたはＳｎでメッキされたＣ
ｕからなるＬ字形の金属部材２２を、その一方の片部が
絶縁性フィルムから起立するように接着する。この金属
部材２２は、絶縁性フィルム２３をウェハー１ａに重ね
たとき、前記金属部材２２の絶縁性フィルム２３に接着
した側の片部が前記表面電極部２０に設けたバンプ２１
と接触し、起立した側の片部が前記溝部２６の１つの側
面に沿うように配設される。
【００２８】図７（ｄ）に示すように、ウェハー１ａと
フィルム２３とを、フィルム２３上の金属部材２２の片
部がそれぞれ表面電極部２０と対面するように位置合わ
せして重ね、熱圧着すると、表面電極部２０と金属部材
２２とがバンプ２１を介して電気的および機械的に接続
される。このときＬ字形金属部材２２の他方の片部は溝
部２６の側面に沿った端子電極２５を形成する。次いで
この溝部２６を介してウェハー１ａを切断すれば、端子
電極２５を有する半導体チップが得られる。
【００２９】この方法の優れている点は、結果として半
導体チップの集積回路４がポリイミドフィルム２３で機
械的に保護されることである。また、半導体チップの集
積回路４とポリイミドフィルム２３との間にエポキシ樹
脂またはシリコーン樹脂等の封止用樹脂を封入すること
も可能であり、この場合には物理的にも化学的にも安定
で耐環境性に優れた高信頼性の半導体チップを実現する
ことができる。
【００３０】（実施例４）図８（ａ）（ｂ）に示すこの
実施例は、上記実施例１ないし実施例３のいずれかの方
法により製造された半導体チップをプリント回路基板に
実装して得られる半導体装置の一例を示している。図８
（ａ）（ｂ）において、半導体チップ３１は実施例１な
いし実施例３のいずれかの方法により製造され、４つの
側面のうち対向する２つの側面ＳＤに端子電極３５，３
５，…が形成されたものである。プリント回路基板（以
下単に「基板」という）ＰＣＢには、半導体チップ３１
を収容する凹部３８が形成されている。この凹部３８の
深さＤは、半導体チップ３１の厚さｄとほぼ等しくさ
れ、凹部３８の縦・横の長さＴ・Ｗは収容する半導体チ
ップ３１の縦・横の長さｔ・ｗより僅かだけ長くされて
いる。凹部３８の対向する２辺部には、端子電極３５，
３５，…と接触するように基板側電極体３９，３９，…
が基板ＰＣＢの表面から凹部３８の側面にかけて形成さ
れている。この凹部３８の内部に半導体チップ３１を、
半導体チップ３１の端子電極３５，３５，…と基板ＰＣ
Ｂ側の電極片３９，３９，…とが係合するように収納す
れば、端子電極３５と基板側電極体３９とが電気的に接
続され、半導体チップ３１が基板ＰＣＢに実装される。
【００３１】この半導体装置は、封止されていない半導
体チップ３１が基板ＰＣＢ上に直接組み込まれているた
め、装置の小型化が可能となる。また、半導体チップ３
１が不良チップである場合に、半導体チップ３１を凹部
３８から容易に取り出して交換することができる。
【００３２】（実施例５）図９（ａ）（ｂ）に示すこの
実施例は、上記実施例１ないし実施例３のいずれかの方
法により製造された半導体チップがプリント回路基板に
起立して実装された半導体装置の一例を示している。図
９（ａ）（ｂ）において、半導体チップ４１は実施例１
ないし実施例３のいずれかの方法により製造され、４つ
の側面のうち１つの側面ＳＤに端子電極４５，４５，…
が形成されたものである。この半導体装置においては、
基板ＰＣＢ上に、半導体チップを起立して固定する固定
手段として、基板側電極体４９が形成されている。半導
体チップ４１は、その端子電極４５を基板側電極体４９
に当接して基板面に対して起立され、端子電極４５と基
板側電極体４９とが半田Ｈにより接着固定されている。
このように半導体チップ４１を基板ＰＣＢ上に起立させ
ることにより、実施例４の実装形態に比べても実装占有
面積が小となると共に、送風によって半導体チップ４１
の放熱効率を大きくすることができる。
【００３３】（実施例６）半導体チップをプリント回路
基板に起立して実装するための固定手段は、上記のよう
に基板側電極体４９に半導体チップ４１を半田付けする
以外に、例えば基板上に設けた、基板側電極体を有する
ソケットであってもよい。この実施例を図１０に示す。
図１０において、この半導体装置は、半導体チップ５１
を起立して固定する固定手段として、基板ＰＣＢ上にソ
ケット５２が設けられている。この半導体チップ５１
は、実施例１ないし実施例３のいずれかの方法により製
造され、４つの側面のうち１つの側面ＳＤに端子電極５
５を有するものである。ソケット５２は、その本体が合
成樹脂またはセラミクス等の電気絶縁体からなり、半導
体チップ５１を側面ＳＤ側から挿入したときこれと嵌合
し固定し得る挿入孔５３が形成され、この挿入孔５３の
底部に、挿入した半導体チップ５１の端子電極５５と電
気的に接続し得る基板側電極体５９を有している。
【００３４】このソケット５２に半導体チップ５１を側
面ＳＤ側から挿入すると、その端子電極５５が基板側電
極体５９と電気的に接続されると共に、半導体チップ５
１自体が基板ＰＣＢから起立して固定される。ここに得
られた半導体装置は、半導体チップの実装占有面積が小
さく、送風によって放熱効率を大きくすることができる
と共に、半導体チップ５１が不良である場合に、これを
ソケット５２から容易に引き抜いて交換できる利点があ
る。
【００３５】（実施例７）図１１に示す実施例は、上記
実施例１ないし実施例３のいずれかの方法により製造さ
れた半導体チップが直接２以上接続されてなる半導体装
置の一例を示している。図１１において、半導体チップ
６１および６２は実施例１ないし実施例３のいずれかの
方法により製造されたものであり、それぞれの半導体チ
ップの端子電極６３ａ、６３ａ、…、および６３ｂ、６
３ｂ、…は、少なくとも半導体チップ６１および６２が
接触する部分では等間隔に形成され、また、このとき互
いに当接する双方の半導体チップのそれぞれの端子電極
６３ａ−６３ｂは、それらが電気的に接続することによ
って有用な電気回路を形成し得るものである。これらの
対応する端子電極６３ａ−６３ｂは、この実施例では直
接に半田付けにより接続されている。
【００３６】この実施例の半導体装置は、最小の面積で
より大きな規模の機能を実現することができるものであ
って、例えば次のような場合に有用である。 （１）デジタルＬＳＩとアナログＩＣとの接続。この場
合、設計ルールおよびプロセスの異なるそれぞれのＬＳ
Ｉを最適のルールおよびプロセスで製作し、最小の面積
にまとめることができる。また、雑音の問題も生じな
い。 （２）メモリー容量の増加。 （３）外付けメモリーとＬＳＩチップとの直接接続。こ
れにより例えばＤＳＰ＋ＲＯＭ（マイクロプログラム）
の一体化半導体装置が得られる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体チップの表面に集積回路が形成されると共
に、前記集積回路の電極部から前記半導体チップの少な
くとも１つの側面にかけて電極用金属部が形成され、こ
の半導体チップの側面の電極用金属部が端子電極とされ
るものであるので、基板上での実装占有面積を小さくす
ると共に、不良チップの交換を容易に行うことが可能と
なる。それにより、半導体装置の小型化、および高密度
化を実現することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体装置の一実施例における半導
体チップの構成を示す斜視図である。
【図２】 （ａ）〜（ｃ）の順に、上記実施例における
半導体チップの電極用金属部の製法例を説明する断面図
である。
【図３】 （ａ）〜（ｃ）の順に、上記実施例における
半導体チップの電極用金属部の他の製法例を説明する断
面図である。
【図４】 本発明の半導体装置の他の一実施例における
半導体チップの電極用金属部の製法例を説明する平面図
である。
【図５】 （ａ）〜（ｄ）の順に、図４に示す半導体チ
ップの電極用金属部の製法例を説明する断面図である。
【図６】 （ａ）（ｂ）の順に、本発明の半導体装置の
他の一実施例における半導体チップの電極用金属部の製
法例を説明する断面図である。
【図７】 本発明の半導体装置の他の一実施例における
半導体チップの製法例を説明する（ａ）はウェハー部材
の平面図、（ｂ）は絶縁性フィルム部材の平面図、
（ｃ）は図７（ｂ）の線Ｂ−Ｂ’で切った断面図、
（ｄ）は図７（ａ）のウェハー部材と図７（ｂ）の絶縁
性フィルム部材との組み合わせを説明する断面図であ
る。
【図８】 本発明の半導体装置の他の一実施例を説明す
る（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図９】 本発明の半導体装置の他の一実施例を説明す
る（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図１０】 本発明の半導体装置の他の一実施例を説明
する断面図である。
【図１１】 本発明の半導体装置の他の一実施例を説明
する平面図である。
【図１２】 従来のパッケージングによる実装方法によ
って実装された半導体装置を示す断面図である。
【図１３】 従来のフリップ・チップ方法によって実装
された半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１……半導体チップ、１ａ……ウェハー、４……集積回
路、５……電極用金属部、５ａ……端子電極、５ｂ……
配線部、６……溝部、６ａ……溝部底部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/60

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの表面に集積回路が形成さ
    れると共に、前記集積回路の電極部から前記半導体チッ
    プの少なくとも１つの側面にかけて電極用金属部が形成
    され、この半導体チップ側面の電極用金属部が端子電極
    を形成してなると共に、前記半導体チップの少なくとも
    端子電極を形成した側面が半導体チップ表面に対して鈍
    角の傾斜を有してなることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記請求項１に記載の半導体装置を製造
    するに際して、 ウェハー表面の集積回路形成領域の周辺のスクライブ領
    域のうち半導体チップ側面の端子電極を形成するスクラ
    イブラインを含む所定幅領域に、側面が半導体チップ表
    面に対して鈍角の傾斜を有する溝部を形成する工程と、 前記溝部を形成したウェハー上に、前記スクライブライ
    ン上のウェハーの厚さが他の部分よりも薄くなるよう
    に、かつ前記溝部側面の傾斜に沿って導電層を形成する
    工程と、 前記導電層をエッチングし半導体チップ側面の端子電極
    と、該端子電極と集積回路の電極部とを結ぶ配線部を形
    成する工程と、 スクライブ領域のスクライブラインに沿ってウェハーを
    切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  3. 【請求項３】 前記請求項２に記載の半導体装置の製造
    方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 半導体チップの表面に集積回路が形成さ
    れると共に前記集積回路の電極部から前記半導体チップ
    の少なくとも１つの側面にかけて電極用金属部が形成さ
    れ、この半導体チップ側面の電極用金属部が端子電極を
    形成してなる半導体装置の製造方法であって、 ウェハー表面のスクライブラインに包囲される半導体チ
    ップ側面の端子電極を形成する領域に、側面が半導体チ
    ップ表面に対して鈍角の傾斜を有すると共に外側面がス
    クライブラインに接触する凹部を形成する工程と、 前記凹部を形成したウェハー上に、この凹部におけるウ
    ェハーの厚さが他の部分よりも薄くなるように導電層を
    形成する工程と、 前記導電層をエッチングし半導体チップ側面の端子電極
    と、該端子電極と集積回路の電極部とを結ぶ配線部を形
    成する工程と、 前記凹部の導電層の上に充填用金属材料を充填する工程
    と、 前記スクライブラインに沿ってウェハーを切断する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記請求項４に記載の半導体装置の製造
    方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 ウェハー表面に形成した集積回路の電極
    部に突起状電極を形成する工程と、 ウェハー表面の集積回路形成領域の周辺のスクライブ領
    域のスクライブライン上に溝部を形成する工程と、 絶縁性フィルムの一方の面に断面略Ｌ字状の電極部材
    を、その一方の片部が前記突起状電極に対応し、かつ他
    方の片部が絶縁性フィルムから起立するように接着する
    工程と、 前記絶縁性フィルムを前記ウェハーに、前記電極部材の
    絶縁性フィルムに接着した側の片部が突起状電極と電気
    的に接触し、他方が前記溝部に沿うように位置決めし固
    着する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  7. 【請求項７】 前記請求項６に記載の半導体装置の製造
    方法により製造され、前記電極部と電気的に接続され半
    導体チップ側面側に折曲形成された断面略Ｌ字状の電極
    部材を備えると共に、前記半導体チップ表面側の前記電
    極部材に前記半導体チップ表面を被覆するように絶縁性
    フィルムが装着されたことを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 それぞれ請求項１、請求項３、請求項
    ５、及び請求項７の何れか１項に記載された半導体チッ
    プが２箇以上互いにその側面で連結され、これら半導体
    チップのそれぞれの端子電極の少なくとも１つが互いに
    電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。
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