JP2771406B2 - 二次電池 - Google Patents
二次電池Info
- Publication number
- JP2771406B2 JP2771406B2 JP4320559A JP32055992A JP2771406B2 JP 2771406 B2 JP2771406 B2 JP 2771406B2 JP 4320559 A JP4320559 A JP 4320559A JP 32055992 A JP32055992 A JP 32055992A JP 2771406 B2 JP2771406 B2 JP 2771406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- secondary battery
- film
- positive electrode
- lithium
- negative electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 56
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 48
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- -1 porphyrin compound Chemical class 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 150000002678 macrocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 20
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical group [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001492 aromatic hydrocarbon derivatives Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NLMDJJTUQPXZFG-UHFFFAOYSA-N 1,4,10,13-tetraoxa-7,16-diazacyclooctadecane Chemical compound C1COCCOCCNCCOCCOCCN1 NLMDJJTUQPXZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane Chemical compound C1CNCCNCCCNCCNC1 MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002739 cryptand Substances 0.000 claims description 2
- 150000001923 cyclic compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical class 0.000 claims description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N ovalene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C(C=C3)=CC=C3C6=C6C(C=C3)=C3)C4=C5C6=C2C3=C1 LSQODMMMSXHVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 claims description 2
- 230000036647 reaction Effects 0.000 claims description 2
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 66
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 59
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 22
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 21
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 19
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 8
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 7
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 6
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 5
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 5
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N dibenzo-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOC2=CC=CC=C21 YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)F NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005727 Friedel-Crafts reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical group 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxole Chemical compound C1OC=CO1 ABADUMLIAZCWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HIZVCIIORGCREW-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxene Chemical compound C1COC=CO1 HIZVCIIORGCREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N F.F.F.F.C=C Chemical compound F.F.F.F.C=C PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N benzo-15-crown-5 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- UBIJTWDKTYCPMQ-UHFFFAOYSA-N hexachlorophosphazene Chemical compound ClP1(Cl)=NP(Cl)(Cl)=NP(Cl)(Cl)=N1 UBIJTWDKTYCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910002102 lithium manganese oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VLXXBCXTUVRROQ-UHFFFAOYSA-N lithium;oxido-oxo-(oxomanganiooxy)manganese Chemical compound [Li+].[O-][Mn](=O)O[Mn]=O VLXXBCXTUVRROQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002832 nitroso derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NALFRYPTRXKZPN-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(tert-butylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CC(C)(C)CC(OOC(C)(C)C)(OOC(C)(C)C)C1 NALFRYPTRXKZPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBRWPVTUQDJKCC-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(2-tert-butylperoxypropan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC(C(C)(C)OOC(C)(C)C)=C1 UBRWPVTUQDJKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STHIZMRUXPMSCW-UHFFFAOYSA-N 1,4,10-trioxa-7,13-diazacyclopentadecane Chemical compound C1COCCNCCOCCOCCN1 STHIZMRUXPMSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetraoxa-13-azacyclopentadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCN1 BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIENEYMINSOSNQ-UHFFFAOYSA-N 1,5,9,13,17,21-hexathiacyclotetracosane-3,11,19-triol Chemical compound OC1CSCCCSCC(O)CSCCCSCC(O)CSCCCSC1 QIENEYMINSOSNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKLHHIPXESCOQU-UHFFFAOYSA-N 1,5,9,13-tetrathiacyclohexadecane-3,11-diol Chemical compound OC1CSCCCSCC(O)CSCCCSC1 UKLHHIPXESCOQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJPKMTDFFUTLGM-UHFFFAOYSA-N 1-aminoethanol Chemical compound CC(N)O UJPKMTDFFUTLGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGDQOAKAHLFKBV-UHFFFAOYSA-N 13-phenyl-1,4,7,10-tetraoxa-13-azacyclopentadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCN1C1=CC=CC=C1 SGDQOAKAHLFKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(tert-butylperoxy)butane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(CC)OOC(C)(C)C HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(22),18,20-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(C)(C)C DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHRHANASDXMZLU-UHFFFAOYSA-N 3-[10-(2-carboxyethyl)anthracen-9-yl]propanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCC(=O)O)=C(C=CC=C3)C3=C(CCC(O)=O)C2=C1 PHRHANASDXMZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAHZGOBRKWVALN-UHFFFAOYSA-N 7,16-dibenzyl-1,4,10,13-tetraoxa-7,16-diazacyclooctadecane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(CCOCCOCC1)CCOCCOCCN1CC1=CC=CC=C1 WAHZGOBRKWVALN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHYUCQLUMXYVRT-UHFFFAOYSA-N 8-[2-[2-[2-(2-quinolin-8-yloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C(OCCOCCOCCOCCOC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 GHYUCQLUMXYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 9-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMIXHJPMNBXMBU-QIIXEHPYSA-N Nonactin Chemical compound C[C@H]([C@H]1CC[C@H](O1)C[C@@H](OC(=O)[C@@H](C)[C@@H]1CC[C@@H](O1)C[C@@H](C)OC(=O)[C@H](C)[C@H]1CC[C@H](O1)C[C@H](C)OC(=O)[C@H]1C)C)C(=O)O[C@H](C)C[C@H]2CC[C@@H]1O2 RMIXHJPMNBXMBU-QIIXEHPYSA-N 0.000 description 1
- RMIXHJPMNBXMBU-UHFFFAOYSA-N Nonactin Natural products CC1C(=O)OC(C)CC(O2)CCC2C(C)C(=O)OC(C)CC(O2)CCC2C(C)C(=O)OC(C)CC(O2)CCC2C(C)C(=O)OC(C)CC2CCC1O2 RMIXHJPMNBXMBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001157 Poly(2-vinylnaphthalene) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N bis(2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-17-ylmethyl) heptanedioate Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(COC(CCCCCC(=O)OCC=3C=C4OCCOCCOCCOCCOC4=CC=3)=O)=CC=C21 LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N dibenzo-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N dibenzo-30-crown-10 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N dilithium phthalocyanine Chemical compound [Li+].[Li+].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011964 heteropoly acid Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- VUFYPLUHTVSSGR-UHFFFAOYSA-M hydroxy(oxo)nickel Chemical compound O[Ni]=O VUFYPLUHTVSSGR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000012690 ionic polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000398 iron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phosphate Chemical compound [Fe+3].[O-]P([O-])([O-])=O WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- APVPOHHVBBYQAV-UHFFFAOYSA-N n-(4-aminophenyl)sulfonyloctadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 APVPOHHVBBYQAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000483 nickel oxide hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLUBVTJUEUUZMR-UHFFFAOYSA-B silicon(4+);tetraphosphate Chemical compound [Si+4].[Si+4].[Si+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XLUBVTJUEUUZMR-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M sodium benzoate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004299 sodium benzoate Substances 0.000 description 1
- 235000010234 sodium benzoate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N tert-butylperoxybenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC1=CC=CC=C1 PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LRIUTQPZISVIHK-UHFFFAOYSA-N tetradeca-1,3-diene Chemical compound CCCCCCCCCCC=CC=C LRIUTQPZISVIHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCAGGTLUGWSHOV-UHFFFAOYSA-N tris(tert-butylperoxy)-ethenylsilane Chemical compound CC(C)(C)OO[Si](OOC(C)(C)C)(OOC(C)(C)C)C=C WCAGGTLUGWSHOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000012991 xanthate Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L zinc hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Zn+2] UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940007718 zinc hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910021511 zinc hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リチウムを負極に用い
るリチウム二次電池、亜鉛を負極に用いるニッケル亜鉛
二次電池及び空気亜鉛二次電池に関する。特に、充放電
の繰り返しによって発生するリチウムあるいは亜鉛のデ
ンドライトを抑えた二次電池に関する。
るリチウム二次電池、亜鉛を負極に用いるニッケル亜鉛
二次電池及び空気亜鉛二次電池に関する。特に、充放電
の繰り返しによって発生するリチウムあるいは亜鉛のデ
ンドライトを抑えた二次電池に関する。
【0002】
【従来技術】最近、CO2の増加による温室効果で地球
の温暖化が生じることが予測され、新たな火力発電所の
建設が難しくなってくるため、発電機の有効利用として
夜間電力を一般家庭に設置した二次電池に蓄えて負荷を
平準化する、いわゆるロードレベリングを行うことが考
案されている。また、大気汚染物質を排出しない電気自
動車のための高エネルギー密度の二次電池の開発の要
求、ブック型パーソナルコンピューターやワードプロセ
ッサーやビデオカメラや携帯電話などのポータブル機器
の電源に高性能な二次電池の要求がますます高まってい
る。
の温暖化が生じることが予測され、新たな火力発電所の
建設が難しくなってくるため、発電機の有効利用として
夜間電力を一般家庭に設置した二次電池に蓄えて負荷を
平準化する、いわゆるロードレベリングを行うことが考
案されている。また、大気汚染物質を排出しない電気自
動車のための高エネルギー密度の二次電池の開発の要
求、ブック型パーソナルコンピューターやワードプロセ
ッサーやビデオカメラや携帯電話などのポータブル機器
の電源に高性能な二次電池の要求がますます高まってい
る。
【0003】上記高性能の二次電池としてリチウムイオ
ンを層間化合物に導入したものを正極活物質に、負極活
物質にカーボンを用いたロッキングチェアー型リチウム
イオン電池の開発が進み、一部実用化されつつある。し
かし、リチウムイオン電池は、金属リチウムを正極活物
質に使用するリチウム電池本来の特徴である高エネルギ
ー密度を達成していない。いまだ、リチウム金属を正極
に用いる高容量のリチウム蓄電池が実用化されていない
のは、充放電の繰り返しによって発生し、短絡の主原因
になるリチウムのデンドライトの発生を抑えることに成
功していないためである。リチウムのデンドライトが成
長して、負極と正極が電池内部で短絡すると充電ができ
なくなる。
ンを層間化合物に導入したものを正極活物質に、負極活
物質にカーボンを用いたロッキングチェアー型リチウム
イオン電池の開発が進み、一部実用化されつつある。し
かし、リチウムイオン電池は、金属リチウムを正極活物
質に使用するリチウム電池本来の特徴である高エネルギ
ー密度を達成していない。いまだ、リチウム金属を正極
に用いる高容量のリチウム蓄電池が実用化されていない
のは、充放電の繰り返しによって発生し、短絡の主原因
になるリチウムのデンドライトの発生を抑えることに成
功していないためである。リチウムのデンドライトが成
長して、負極と正極が電池内部で短絡すると充電ができ
なくなる。
【0004】また、短絡の程度が大きい場合には、電池
の持つエネルギーが短時間で消費されるため、発熱し、
電解液の溶媒が分解しガスを発生し内圧が高まり仕舞に
は爆発する、あるいは発火するといった事故が発生する
ことも希に起こる可能性がある。したがって、上記充放
電の繰り返しによっても内部短絡が起きにくい、長寿命
のリチウム蓄電池の開発が望まれている。また、ニッケ
ル亜鉛電池,空気亜鉛電池においても、充放電の繰り返
しによって、亜鉛のデンドライトが発生し、セパレータ
ーを貫通して、亜鉛負極と正極が短絡してしまうため、
サイクル寿命が非常に短かった。
の持つエネルギーが短時間で消費されるため、発熱し、
電解液の溶媒が分解しガスを発生し内圧が高まり仕舞に
は爆発する、あるいは発火するといった事故が発生する
ことも希に起こる可能性がある。したがって、上記充放
電の繰り返しによっても内部短絡が起きにくい、長寿命
のリチウム蓄電池の開発が望まれている。また、ニッケ
ル亜鉛電池,空気亜鉛電池においても、充放電の繰り返
しによって、亜鉛のデンドライトが発生し、セパレータ
ーを貫通して、亜鉛負極と正極が短絡してしまうため、
サイクル寿命が非常に短かった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
の欠点を解決し、サイクル寿命の長い、リチウム二次電
池、ニッケル亜鉛二次電池及び空気亜鉛二次電池を提供
することを目的とする。
の欠点を解決し、サイクル寿命の長い、リチウム二次電
池、ニッケル亜鉛二次電池及び空気亜鉛二次電池を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記従来の欠点を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、正
極表面を電子伝導のない電池反応に関与するイオンを透
過できる絶縁体あるいは半導体の薄膜で被覆することに
よって、負極にデンドライトの発生が発生しても電池内
部で負極と正極が短絡しないことを見いだした。
記従来の欠点を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、正
極表面を電子伝導のない電池反応に関与するイオンを透
過できる絶縁体あるいは半導体の薄膜で被覆することに
よって、負極にデンドライトの発生が発生しても電池内
部で負極と正極が短絡しないことを見いだした。
【0007】本発明は、負極、セパレータ、正極、電解
質、集電体と、電池ケースから少なくとも形成された二
次電池において、少なくとも負極に対向する面の正極表
面が電池反応に関与するイオンを透過できる膜であっ
て、 電池反応に関与するイオンを透過できる大環状化合
物、芳香族炭化水素誘導体のポリマー、フッ素樹脂、有
機珪素化合物であるシリコーン樹脂、有機チタン化合物
であるチタンポリマー、リン原子と窒素原子が交互にリ
ン−窒素二重結合を結合したポリマー、無機酸化物を主
成分とする無機ガラス、炭化物、窒化物、ハロゲン化物
からなる群より選択される材料から構成されるイオンを
透過できる絶縁体膜、 少なくとも炭素、珪素、から選択
される一種類または二種類の元素を含有しているイオン
を透過できる半導体膜、 該絶縁体のうち少なくとも一種
の材料及び該半導体のうち少なくとも一種の材料の複合
体の膜、から選択される膜で一層または二層以上被覆さ
れていることを特徴とする二次電池である。
質、集電体と、電池ケースから少なくとも形成された二
次電池において、少なくとも負極に対向する面の正極表
面が電池反応に関与するイオンを透過できる膜であっ
て、 電池反応に関与するイオンを透過できる大環状化合
物、芳香族炭化水素誘導体のポリマー、フッ素樹脂、有
機珪素化合物であるシリコーン樹脂、有機チタン化合物
であるチタンポリマー、リン原子と窒素原子が交互にリ
ン−窒素二重結合を結合したポリマー、無機酸化物を主
成分とする無機ガラス、炭化物、窒化物、ハロゲン化物
からなる群より選択される材料から構成されるイオンを
透過できる絶縁体膜、 少なくとも炭素、珪素、から選択
される一種類または二種類の元素を含有しているイオン
を透過できる半導体膜、 該絶縁体のうち少なくとも一種
の材料及び該半導体のうち少なくとも一種の材料の複合
体の膜、から選択される膜で一層または二層以上被覆さ
れていることを特徴とする二次電池である。
【0008】(電池の構成) 本発明の二次電池の基本構成は、少なくとも負極、セパ
レータ、正極、電解質、集電体から成る。図1に、本発
明の二次電池の基本構成図を示した。図1において、1
00は負極集電体、101は負極、102は正極集電
体、103は正極、104はイオン透過性の被覆膜、1
05は電解質、106は負極端子、107は正極端子、
108はセパレータ、109は電池ケースである。正極
103は主に正極活物質から構成され、負極101は主
に負極活物質から構成されている。
レータ、正極、電解質、集電体から成る。図1に、本発
明の二次電池の基本構成図を示した。図1において、1
00は負極集電体、101は負極、102は正極集電
体、103は正極、104はイオン透過性の被覆膜、1
05は電解質、106は負極端子、107は正極端子、
108はセパレータ、109は電池ケースである。正極
103は主に正極活物質から構成され、負極101は主
に負極活物質から構成されている。
【0009】負極101の負極活物質がリチウムあるい
はリチウム合金であるリチウム電池の場合には、放電反
応で、電解質105中のリチウムイオンが被覆膜104
を透過して正極103の正極活物質の層間に入り、それ
と同時に負極活物質から電解質105中にリチウムイオ
ンが溶けでる。一方、充電反応では、電解質105中の
リチウムイオンが負極活物質にリチウム金属として析出
し(このときデンドライト成長し易い)、同時に正極活
物質103層間のリチウムが電解質中105に溶け出
す。
はリチウム合金であるリチウム電池の場合には、放電反
応で、電解質105中のリチウムイオンが被覆膜104
を透過して正極103の正極活物質の層間に入り、それ
と同時に負極活物質から電解質105中にリチウムイオ
ンが溶けでる。一方、充電反応では、電解質105中の
リチウムイオンが負極活物質にリチウム金属として析出
し(このときデンドライト成長し易い)、同時に正極活
物質103層間のリチウムが電解質中105に溶け出
す。
【0010】負極活物質が亜鉛あるいは亜鉛合金である
アルカリ電池の場合には、放電反応で、電解質105中
の水酸イオンが負極101の負極活物質と反応し、それ
と同時に正極103の正極活物質103から被覆膜10
4を透過して水酸イオンが電解質105中に出てくる。
一方、充電反応では、電解質105中の水酸イオンが負
極から電解質中に出てくる(このとき電解質中の亜鉛イ
オンが負極でデンドライト成長し易い)、同時に正極1
03から水酸イオンが電解質中105に放出される。
アルカリ電池の場合には、放電反応で、電解質105中
の水酸イオンが負極101の負極活物質と反応し、それ
と同時に正極103の正極活物質103から被覆膜10
4を透過して水酸イオンが電解質105中に出てくる。
一方、充電反応では、電解質105中の水酸イオンが負
極から電解質中に出てくる(このとき電解質中の亜鉛イ
オンが負極でデンドライト成長し易い)、同時に正極1
03から水酸イオンが電解質中105に放出される。
【0011】上記負極活物質がリチウムあるいはリチウ
ム合金の場合には、電池反応に関与するイオンはリチウ
ムイオンであり、上記負極活物質が亜鉛のアルカリ電池
の場合には水酸イオンである。負極活物質が亜鉛の場合
の代表的電池としては、ニッケル亜鉛電池あるいは空気
亜鉛電池が挙げられる。上述の充放電反応の繰り返しに
おいて、電池の正極103表面を、電子伝導のない電池
反応に関与するイオンを透過できる絶縁体あるいは半導
体の膜104で被覆することによって、充放電の繰り返
しで負極101からセパレータ108を貫通してリチウ
ムあるいは亜鉛のデンドライトが成長しても、デンドラ
イトが正極103中の導電体あるいは集電体と接触する
ことがほとんどなくなる。結果として、電池内部の短絡
を抑制し、二次電池の寿命を伸ばし、安全性も高めるこ
とができる。
ム合金の場合には、電池反応に関与するイオンはリチウ
ムイオンであり、上記負極活物質が亜鉛のアルカリ電池
の場合には水酸イオンである。負極活物質が亜鉛の場合
の代表的電池としては、ニッケル亜鉛電池あるいは空気
亜鉛電池が挙げられる。上述の充放電反応の繰り返しに
おいて、電池の正極103表面を、電子伝導のない電池
反応に関与するイオンを透過できる絶縁体あるいは半導
体の膜104で被覆することによって、充放電の繰り返
しで負極101からセパレータ108を貫通してリチウ
ムあるいは亜鉛のデンドライトが成長しても、デンドラ
イトが正極103中の導電体あるいは集電体と接触する
ことがほとんどなくなる。結果として、電池内部の短絡
を抑制し、二次電池の寿命を伸ばし、安全性も高めるこ
とができる。
【0012】(二次電池用正極の被覆) 二次電池の正極の被覆材の絶縁体としては、大環状化合
物誘導体のポリマー,芳香族炭化水素誘導体のポリマ
ー,フッ素樹脂,シリコーン樹脂,チタン樹脂,あるい
は無機酸化物,窒化物,炭化物,ハロゲン化物などが使
用できる。大環状化合物誘導体のポリマー,芳香族炭化
水素誘導体のポリマー,フッ素樹脂での正極の被覆は、
特にリチウム二次電池に有効である。
物誘導体のポリマー,芳香族炭化水素誘導体のポリマ
ー,フッ素樹脂,シリコーン樹脂,チタン樹脂,あるい
は無機酸化物,窒化物,炭化物,ハロゲン化物などが使
用できる。大環状化合物誘導体のポリマー,芳香族炭化
水素誘導体のポリマー,フッ素樹脂での正極の被覆は、
特にリチウム二次電池に有効である。
【0013】大環状化合物誘導体のポリマー 上記大環状化合物は、ヘテロ原子が酸素、窒素、硫黄、
リンから選択される少なくとも一種類以上の原子から成
る環状化合物であり、リチウムイオンの透過を良好にす
るために、リチウムイオンの半径以上の半径の空孔を有
する環状ポリエーテルである、環状ポリアミン、環状ポ
リチオエーテル、アザクラウンエーテル、環状チオエー
テル、チオクラウンエーテル、クリプタンド、サイクラ
ム、ノナクチン、バリオマイシン、シリコン原子を有す
るクラウンエーテルであるサイラクラウン、シクロデキ
ストリン、シクロファン、フタロシアニン、ポルフィリ
ン化合物から選択される一種類以上の構造を有する化合
物を使用する。
リンから選択される少なくとも一種類以上の原子から成
る環状化合物であり、リチウムイオンの透過を良好にす
るために、リチウムイオンの半径以上の半径の空孔を有
する環状ポリエーテルである、環状ポリアミン、環状ポ
リチオエーテル、アザクラウンエーテル、環状チオエー
テル、チオクラウンエーテル、クリプタンド、サイクラ
ム、ノナクチン、バリオマイシン、シリコン原子を有す
るクラウンエーテルであるサイラクラウン、シクロデキ
ストリン、シクロファン、フタロシアニン、ポルフィリ
ン化合物から選択される一種類以上の構造を有する化合
物を使用する。
【0014】大環状化合物の正極表面への表面被覆は、 a.上記大環状化合物の誘導体から重合して得られるポ
リマーの溶液のディッピング、スプレー、スクリーン印
刷、コーターなどのコーティング方法で被覆する、 b.バインダーとするポリマーに上記大環状化合物誘導
体を混合させたものを塗布した後、架橋させて皮膜を形
成する、 c.上記大環状化合物の誘導体をモノマーとして電解液
に溶かし電界を印加して電解重合によって正極表面に皮
膜を形成する、 d.アニオン重合する大環状化合物誘導体の溶液に成形
した正極を浸して重合皮膜を形成する、 e.芳香族環を有する大環状化合物とホルムアルデヒド
とをぎ酸中で加熱縮合して得られるポリマーを被覆す
る、 f.大環状化合物や大環状化合物誘導体のポリマーのス
パッタリングあるいは大環状化合物のプラズマ重合によ
り皮膜を形成する、などの方法が利用できる。
リマーの溶液のディッピング、スプレー、スクリーン印
刷、コーターなどのコーティング方法で被覆する、 b.バインダーとするポリマーに上記大環状化合物誘導
体を混合させたものを塗布した後、架橋させて皮膜を形
成する、 c.上記大環状化合物の誘導体をモノマーとして電解液
に溶かし電界を印加して電解重合によって正極表面に皮
膜を形成する、 d.アニオン重合する大環状化合物誘導体の溶液に成形
した正極を浸して重合皮膜を形成する、 e.芳香族環を有する大環状化合物とホルムアルデヒド
とをぎ酸中で加熱縮合して得られるポリマーを被覆す
る、 f.大環状化合物や大環状化合物誘導体のポリマーのス
パッタリングあるいは大環状化合物のプラズマ重合によ
り皮膜を形成する、などの方法が利用できる。
【0015】上記皮膜形成時に、電解質を混合しておい
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。コーティング溶液に用
いるポリマーは、ポリ[(ジベンゾ−18−クラウン−
6)−コ−フォルムアルデヒド]などが使用できる。新
たにコーティングするためのポリマーをつくるには、以
下の重合反応を利用する。大環状化合物で末端基にカル
ボキシル基あるいはアミノ基または水酸基を有するもの
の縮合重合にて、カルボキシル基とアミノ基の反応の場
合にはポリアミド、カルボキシル基と水酸基の反応の場
合にはポリエステルが得られる。また、大環状化合物の
ビニル化合物、あるいは大環状化合物のジエン類は、ラ
ジカル重合、カチオン重合、アニオン重合によって、付
加重合ポリマーが得られる。ラジカル重合の開始剤とし
てはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾ
イルペルオキシド(BPO)やt−ブチルヒドロペルオ
キシドなどが用いられる。カチオン重合の開始剤として
はH2SO4、H3PO4、HClO4、CCl3CO2Hな
どの酸、BF3、AlCl3、TiCl4,SnCl4など
のFriedel−Crafts触媒などが用いられ
る。また、芳香族環を有する大環状化合物は上記Fri
edel−Crafts触媒と酸化剤の組み合わせで脱
水素反応によって重合を行うことができる。アニオン重
合の開始剤としては、アルカリ金属化合物や有機金属化
合物が用いられる。
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。コーティング溶液に用
いるポリマーは、ポリ[(ジベンゾ−18−クラウン−
6)−コ−フォルムアルデヒド]などが使用できる。新
たにコーティングするためのポリマーをつくるには、以
下の重合反応を利用する。大環状化合物で末端基にカル
ボキシル基あるいはアミノ基または水酸基を有するもの
の縮合重合にて、カルボキシル基とアミノ基の反応の場
合にはポリアミド、カルボキシル基と水酸基の反応の場
合にはポリエステルが得られる。また、大環状化合物の
ビニル化合物、あるいは大環状化合物のジエン類は、ラ
ジカル重合、カチオン重合、アニオン重合によって、付
加重合ポリマーが得られる。ラジカル重合の開始剤とし
てはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾ
イルペルオキシド(BPO)やt−ブチルヒドロペルオ
キシドなどが用いられる。カチオン重合の開始剤として
はH2SO4、H3PO4、HClO4、CCl3CO2Hな
どの酸、BF3、AlCl3、TiCl4,SnCl4など
のFriedel−Crafts触媒などが用いられ
る。また、芳香族環を有する大環状化合物は上記Fri
edel−Crafts触媒と酸化剤の組み合わせで脱
水素反応によって重合を行うことができる。アニオン重
合の開始剤としては、アルカリ金属化合物や有機金属化
合物が用いられる。
【0016】重合に用いる大環状化合物のモノマーとし
ては、クラウンエーテル/(+)−18−クラウン−6
−テトラカルボン酸、1,5,9,13,17,21−
ヘキサチアシクロテトラコサン−3,11,19−トリ
オール、1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデ
カン−3,11−ジオール、1−アザ−12−クラウン
−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18
−クラウン−6、1,4,10,13−テトラオキサ−
7,16−ジアザシクロオクタデカン、1,4,10−
トリオキサ−7,13−ジアザシクロペンタデカン、
6,8−ジオキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7
−オン、などがあり、そのほかにジベンゾクラウンエー
テル類が使用できる。
ては、クラウンエーテル/(+)−18−クラウン−6
−テトラカルボン酸、1,5,9,13,17,21−
ヘキサチアシクロテトラコサン−3,11,19−トリ
オール、1,5,9,13−テトラチアシクロヘキサデ
カン−3,11−ジオール、1−アザ−12−クラウン
−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18
−クラウン−6、1,4,10,13−テトラオキサ−
7,16−ジアザシクロオクタデカン、1,4,10−
トリオキサ−7,13−ジアザシクロペンタデカン、
6,8−ジオキサビシクロ[3.2.1]オクタン−7
−オン、などがあり、そのほかにジベンゾクラウンエー
テル類が使用できる。
【0017】上記重合では、大環状化合物誘導体同士の
重合以外の、2種類以上の大環状化合物誘導体の共重
合、大環状化合物誘導体と他のモノマーの共重合も可能
である。さらに、各種ポリマーに大環状化合物誘導体を
置換反応にて導入して得られるポリマーも利用できる。
電池を作製する場合には、電解液の溶媒に溶解しないポ
リマーを選ぶか、ポリマーの架橋反応を進行させて電解
液に溶解しないようにすることが必要である。
重合以外の、2種類以上の大環状化合物誘導体の共重
合、大環状化合物誘導体と他のモノマーの共重合も可能
である。さらに、各種ポリマーに大環状化合物誘導体を
置換反応にて導入して得られるポリマーも利用できる。
電池を作製する場合には、電解液の溶媒に溶解しないポ
リマーを選ぶか、ポリマーの架橋反応を進行させて電解
液に溶解しないようにすることが必要である。
【0018】また、バインダーとしてのポリマーに末端
基にカルボキシル基かアミノ基か水酸基を有するあるい
はビニル結合かジエン結合を有する大環状化合物誘導体
と、架橋剤を混合させて硬化させる。このとき促進剤を
も混入してもよい。架橋剤としては、ジイソシアナー
ト、ポリイソシアナートプレポリマー、ブロックイソシ
アナート、有機過酸化物、ポリアミン、オキシム類、ニ
トロソ化合物、硫黄及び硫黄化合物、セレン、酸化マグ
ネシウム、酸化鉛、酸化亜鉛などが使用される。有機過
酸化物の例としては、ジ−クミル−ペルオキシド、2,
5−ジメチル−2,5ジ−(t−ブチル−ペルオキシ)
ヘキサン、1,3−ビス−(t−ブチル−ペルオキシ−
イソプロピル)ベンゼン、1,1−ビス−(t−ブチル
−ペルオキシ)−3,3,5−トリメチル−シクロヘキ
サン、n−ブチル−4,4−ビス−(t−ブチルペルオ
キシ)バレレート、2,2−ビス−(t−ブチル−ペル
オキシ)ブタン、t−ブチル−ペルオキシ−ベンゼン、
ビニル−トリス−(t−ブチル−ペルオキシ)シランな
どが使用される。促進剤としては、グアニジン系、アル
デヒド−アミン系、アルデヒド−アンモニア系、チアゾ
ール系、スルフェンアミド系、チオ尿素系、チウラム
系、ジチオカーバメート系、ザンテート系などが使用さ
れる。
基にカルボキシル基かアミノ基か水酸基を有するあるい
はビニル結合かジエン結合を有する大環状化合物誘導体
と、架橋剤を混合させて硬化させる。このとき促進剤を
も混入してもよい。架橋剤としては、ジイソシアナー
ト、ポリイソシアナートプレポリマー、ブロックイソシ
アナート、有機過酸化物、ポリアミン、オキシム類、ニ
トロソ化合物、硫黄及び硫黄化合物、セレン、酸化マグ
ネシウム、酸化鉛、酸化亜鉛などが使用される。有機過
酸化物の例としては、ジ−クミル−ペルオキシド、2,
5−ジメチル−2,5ジ−(t−ブチル−ペルオキシ)
ヘキサン、1,3−ビス−(t−ブチル−ペルオキシ−
イソプロピル)ベンゼン、1,1−ビス−(t−ブチル
−ペルオキシ)−3,3,5−トリメチル−シクロヘキ
サン、n−ブチル−4,4−ビス−(t−ブチルペルオ
キシ)バレレート、2,2−ビス−(t−ブチル−ペル
オキシ)ブタン、t−ブチル−ペルオキシ−ベンゼン、
ビニル−トリス−(t−ブチル−ペルオキシ)シランな
どが使用される。促進剤としては、グアニジン系、アル
デヒド−アミン系、アルデヒド−アンモニア系、チアゾ
ール系、スルフェンアミド系、チオ尿素系、チウラム
系、ジチオカーバメート系、ザンテート系などが使用さ
れる。
【0019】バインダーポリマーを用いた他の被覆方法
としては、バインダーポリマーに大環状化合物を混合し
たものを塗布して、放射線や電子線、あるいは紫外線を
照射して架橋させる方法もある。また、電解重合によっ
て正極を被覆する方法としては、ジベンゾクラウンエー
テルなどのモノマーを電解液に混合させた後、正極をア
ノードとして電解重合をする。電解液の溶媒としては、
アセトニトリル:CH3CN,ベンゾニトリル:C6H5
CN,プロピレンカーボネイト:PC,ジメチルホルム
アミド:DMF,テトラハイドロフラン:THF,ニト
ロベンゼン:C6H5NO2、ジクロロエタン、ジエトキ
シエタン、クロロベンゼン、γ−ブチロラクトン、ジオ
キソランなど、およびこれらの混合液が使用できる。
としては、バインダーポリマーに大環状化合物を混合し
たものを塗布して、放射線や電子線、あるいは紫外線を
照射して架橋させる方法もある。また、電解重合によっ
て正極を被覆する方法としては、ジベンゾクラウンエー
テルなどのモノマーを電解液に混合させた後、正極をア
ノードとして電解重合をする。電解液の溶媒としては、
アセトニトリル:CH3CN,ベンゾニトリル:C6H5
CN,プロピレンカーボネイト:PC,ジメチルホルム
アミド:DMF,テトラハイドロフラン:THF,ニト
ロベンゼン:C6H5NO2、ジクロロエタン、ジエトキ
シエタン、クロロベンゼン、γ−ブチロラクトン、ジオ
キソランなど、およびこれらの混合液が使用できる。
【0020】上記溶媒は、活性アルミナ、モレキュラー
シーブ、五酸化リン、塩化カルシウムなどで脱水する
か、溶媒によっては、不活性ガス中でアルカリ金属共存
下で蒸留して不純物除去と脱水をも行うのがよい。支持
電解質は、H2SO4,HCl,HNO3などの酸、一価
金属イオン(Li+,K+,Na+,Rb+,Ag+)ある
いはテトラアンモニウムイオン(テトラブチルアンモニ
ウムイオン:TBA+,テトラエチルアンモニウムイオ
ン:TEA+)とルイス酸イオン(BF4 -,PF6 -,A
sF6 -,ClO4 -)から成る塩、およびこれらの混合塩
を用いる。上記塩は、再結晶化して精製する、減圧下で
加熱したりして十分な脱水と脱酸素を行っておくことが
望ましい。
シーブ、五酸化リン、塩化カルシウムなどで脱水する
か、溶媒によっては、不活性ガス中でアルカリ金属共存
下で蒸留して不純物除去と脱水をも行うのがよい。支持
電解質は、H2SO4,HCl,HNO3などの酸、一価
金属イオン(Li+,K+,Na+,Rb+,Ag+)ある
いはテトラアンモニウムイオン(テトラブチルアンモニ
ウムイオン:TBA+,テトラエチルアンモニウムイオ
ン:TEA+)とルイス酸イオン(BF4 -,PF6 -,A
sF6 -,ClO4 -)から成る塩、およびこれらの混合塩
を用いる。上記塩は、再結晶化して精製する、減圧下で
加熱したりして十分な脱水と脱酸素を行っておくことが
望ましい。
【0021】モノマーとしては、クラウンエーテル/ベ
ンゾ−15−クラウン−5、クラウンエーテル/ベンゾ
−18−クラウン−6、クラウンエーテル/N−フェニ
ルアザ−15−クラウン−5、クラウンエーテル/ジベ
ンゾ−18−クラウン−6、クラウンエーテル/ジベン
ゾピリディノ−18−クラウン−6、クラウンエーテル
/ジベンゾ−24−クラウン−8、1,13−ビス(8
−キノリル)−1,4,7,10,13−ペンタオキサ
トリデカン、5,6−ベンゾ−4,7,13,16,2
1,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ
[8.8.8]−ヘキサコサン、5,6−14,15−
ジベンゾ−4,7,13,16,21,24−ヘキサオ
キサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]−ヘキ
サコサン、ビス[(ベンゾ−15−クラウン−5−)−
15−イルメチル]ピメレイト、クラウンエーテル/ジ
ベンゾ−30−クラウン−10、N,N’−ジベンジル
−1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジア
ザシクロオクタデカン、ジリチウムフタロシアニン、
4’−ニトロベンゾ−15−クラウン−5、3,6,
9,14−テトラチアビシクロ[9.2.1]テトラデ
カ−11,13−ジエンなど、およびこれらの混合物が
使用できる。
ンゾ−15−クラウン−5、クラウンエーテル/ベンゾ
−18−クラウン−6、クラウンエーテル/N−フェニ
ルアザ−15−クラウン−5、クラウンエーテル/ジベ
ンゾ−18−クラウン−6、クラウンエーテル/ジベン
ゾピリディノ−18−クラウン−6、クラウンエーテル
/ジベンゾ−24−クラウン−8、1,13−ビス(8
−キノリル)−1,4,7,10,13−ペンタオキサ
トリデカン、5,6−ベンゾ−4,7,13,16,2
1,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ
[8.8.8]−ヘキサコサン、5,6−14,15−
ジベンゾ−4,7,13,16,21,24−ヘキサオ
キサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]−ヘキ
サコサン、ビス[(ベンゾ−15−クラウン−5−)−
15−イルメチル]ピメレイト、クラウンエーテル/ジ
ベンゾ−30−クラウン−10、N,N’−ジベンジル
−1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジア
ザシクロオクタデカン、ジリチウムフタロシアニン、
4’−ニトロベンゾ−15−クラウン−5、3,6,
9,14−テトラチアビシクロ[9.2.1]テトラデ
カ−11,13−ジエンなど、およびこれらの混合物が
使用できる。
【0022】上記正極表面を被覆するポリマーの被覆膜
は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下す
る原因になるので、架橋している方が好ましい。リチウ
ム表面に形成する皮膜の膜厚は、1nmから100ミク
ロンの範囲が好ましく、5nmから10ミクロンの範囲
がより好ましい。皮膜の最適膜厚は、皮膜の密度あるい
は空隙率によって、さらに使用する電解液の種類によっ
て異なる。皮膜の膜厚の調整は、塗布液中の皮膜形成主
材の濃度を変えることによって可能である。
は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下す
る原因になるので、架橋している方が好ましい。リチウ
ム表面に形成する皮膜の膜厚は、1nmから100ミク
ロンの範囲が好ましく、5nmから10ミクロンの範囲
がより好ましい。皮膜の最適膜厚は、皮膜の密度あるい
は空隙率によって、さらに使用する電解液の種類によっ
て異なる。皮膜の膜厚の調整は、塗布液中の皮膜形成主
材の濃度を変えることによって可能である。
【0023】芳香族炭化水素導体のポリマー 上記リチウムと電荷移動錯体を形成する芳香族炭化水素
誘導体としては、少なくともナフタレン、アントラセ
ン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、トリフェニ
レン、ベリレン、ピセン、ベンゾピレン、コロネン、オ
バレンから選択される1種類以上の誘導体であることを
特徴とする。
誘導体としては、少なくともナフタレン、アントラセ
ン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、トリフェニ
レン、ベリレン、ピセン、ベンゾピレン、コロネン、オ
バレンから選択される1種類以上の誘導体であることを
特徴とする。
【0024】被覆材に使用するポリマーの形成方法は、
ビニルモノマー、アセチレン誘導体モノマー、ジカルボ
ン酸とジアミン、ジカルボン酸とグリコール、などのモ
ノマーの重合、あるいは共重合によって得られる。ビニ
ルモノマーの重合は、ラジカルあるいはイオン重合が可
能である。アセチレン誘導体モノマーは、モリブデンあ
るいはタングステンの塩化物を触媒にして重合が可能で
ある。ジカルボン酸とジアミン、あるいはジカルボン酸
とグリコールは、重縮合が可能である。
ビニルモノマー、アセチレン誘導体モノマー、ジカルボ
ン酸とジアミン、ジカルボン酸とグリコール、などのモ
ノマーの重合、あるいは共重合によって得られる。ビニ
ルモノマーの重合は、ラジカルあるいはイオン重合が可
能である。アセチレン誘導体モノマーは、モリブデンあ
るいはタングステンの塩化物を触媒にして重合が可能で
ある。ジカルボン酸とジアミン、あるいはジカルボン酸
とグリコールは、重縮合が可能である。
【0025】上記ポリマーを形成する芳香族誘導体モノ
マーの例としては、2−ビニルナフタレン、2−ビニル
ビリジン、9−ビニルアントラセン、9,10−アント
ラセンジプロピオニック酸、9,10−ビス(フェニル
エチニル)アントラセン、5,12−ビス(フェニルエ
チニル)ナフタレンなどが使用できる。ラジカル重合の
開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIB
N)、ベンゾイルペルオキシド(BPO)やt−ブチル
ヒドロペルオキシドなどが用いられる。カチオン重合の
開始剤としてはH2SO4,H2PO4,HClO4,CC
l3CO2Hなどの酸、BF3,AlCl3,TiCl4,
SnCl4などのFriedel−Crafts触媒な
どが用いられる。また、芳香族環を有する大環状化合物
は上記Friedel−Crafts触媒と酸化剤の組
み合わせで脱水素反応によって重合を行うことができ
る。アニオン重合の開始剤としては、アルカリ金属化合
物や有機金属化合物が用いられる。
マーの例としては、2−ビニルナフタレン、2−ビニル
ビリジン、9−ビニルアントラセン、9,10−アント
ラセンジプロピオニック酸、9,10−ビス(フェニル
エチニル)アントラセン、5,12−ビス(フェニルエ
チニル)ナフタレンなどが使用できる。ラジカル重合の
開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIB
N)、ベンゾイルペルオキシド(BPO)やt−ブチル
ヒドロペルオキシドなどが用いられる。カチオン重合の
開始剤としてはH2SO4,H2PO4,HClO4,CC
l3CO2Hなどの酸、BF3,AlCl3,TiCl4,
SnCl4などのFriedel−Crafts触媒な
どが用いられる。また、芳香族環を有する大環状化合物
は上記Friedel−Crafts触媒と酸化剤の組
み合わせで脱水素反応によって重合を行うことができ
る。アニオン重合の開始剤としては、アルカリ金属化合
物や有機金属化合物が用いられる。
【0026】また、上記方法以外にも、各種ポリマーの
側鎖を芳香族化合物誘導体で置換反応を起こすことによ
って、芳香族基を導入したポリマーを得ることができ
る。また、モノマーを混合した電解液中で電解重合反応
を起こし、直接正極表面に芳香族化合物ポリマーを被覆
することも可能である。前記ポリマーの溶液を用いて、
正極表面をコーティングする場合には、脱水を十分行っ
た不活性ガス中で、脱水と脱酸素を十分行ったポリマー
溶液を使用するのが望ましい。上記溶液に用いる溶媒
は、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、五酸化リン、
塩化カルシウムなどで脱水するか、溶媒によっては、不
活性ガス中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去
と脱水をも行うのがよい。
側鎖を芳香族化合物誘導体で置換反応を起こすことによ
って、芳香族基を導入したポリマーを得ることができ
る。また、モノマーを混合した電解液中で電解重合反応
を起こし、直接正極表面に芳香族化合物ポリマーを被覆
することも可能である。前記ポリマーの溶液を用いて、
正極表面をコーティングする場合には、脱水を十分行っ
た不活性ガス中で、脱水と脱酸素を十分行ったポリマー
溶液を使用するのが望ましい。上記溶液に用いる溶媒
は、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、五酸化リン、
塩化カルシウムなどで脱水するか、溶媒によっては、不
活性ガス中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去
と脱水をも行うのがよい。
【0027】前記皮膜形成時に、電解質を混合しておい
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。前記ポリマーの被覆膜
は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下す
る原因になるので、架橋している方が好ましい。架橋方
法としては、紫外線,電子線,放射線を照射する、ある
いはラジカル発生剤などの架橋剤を使用する、などの方
法がある。
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。前記ポリマーの被覆膜
は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下す
る原因になるので、架橋している方が好ましい。架橋方
法としては、紫外線,電子線,放射線を照射する、ある
いはラジカル発生剤などの架橋剤を使用する、などの方
法がある。
【0028】フッ素樹脂 正極表面を被覆するための前記フッ素樹脂としては、四
フッ化エチレン−エチレン共重合体,三フッ化塩化エチ
レン樹脂,四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体,四フッ化エチレン−六フッ化プ
ロピレン共重合体,フッ化ビニリデン樹脂,フッ化ビニ
ル樹脂,四フッ化エチレン樹脂などが一般的であるが、
ほとんどが溶媒に溶解しないので、正極の表面を上記フ
ッ素樹脂で被覆するにはスパッタリングあるいはプラズ
マ重合などの方法を用いるのがよい。
フッ化エチレン−エチレン共重合体,三フッ化塩化エチ
レン樹脂,四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体,四フッ化エチレン−六フッ化プ
ロピレン共重合体,フッ化ビニリデン樹脂,フッ化ビニ
ル樹脂,四フッ化エチレン樹脂などが一般的であるが、
ほとんどが溶媒に溶解しないので、正極の表面を上記フ
ッ素樹脂で被覆するにはスパッタリングあるいはプラズ
マ重合などの方法を用いるのがよい。
【0029】フッ素樹脂の中でもエーテル結合を有する
ものは、溶媒に溶解し易く表面被覆を容易にするととも
に、リチウムイオンとの親和性が増すのでより好まし
い。エーテル結合を有するフッ素樹脂の具体的なものと
しては、フッ化エチレンとエーテル結合を有したビニル
エーテル,ジオキソール,ジオキシン,ジオキセン,な
どのビニルモノマーあるいはジエンモノマー誘導体との
共重合体、またはエチレンなどのジエン化合物とフッ素
化したエーテル結合を有したビニルエーテル,ジオキソ
ール,ジオキシン,ジオキセンなどのビニルモノマーあ
るいはジエンモノマー誘導体との共重合体などを使用す
る。フッ化エチレンとしては、四フッ化エチレン、三フ
ッ化塩化エチレン、フッ化ビリニデン、フッ化ビニル、
などのフッ化エチレン誘導体を用いる。エーテル結合含
有のフッ化エチレン共重合体の重合方法としては、溶
液,懸濁,塊状および乳化重合が可能で、開始剤として
は過酸化物,アルキルホウ素,光あるいは放射線などが
用いられる。
ものは、溶媒に溶解し易く表面被覆を容易にするととも
に、リチウムイオンとの親和性が増すのでより好まし
い。エーテル結合を有するフッ素樹脂の具体的なものと
しては、フッ化エチレンとエーテル結合を有したビニル
エーテル,ジオキソール,ジオキシン,ジオキセン,な
どのビニルモノマーあるいはジエンモノマー誘導体との
共重合体、またはエチレンなどのジエン化合物とフッ素
化したエーテル結合を有したビニルエーテル,ジオキソ
ール,ジオキシン,ジオキセンなどのビニルモノマーあ
るいはジエンモノマー誘導体との共重合体などを使用す
る。フッ化エチレンとしては、四フッ化エチレン、三フ
ッ化塩化エチレン、フッ化ビリニデン、フッ化ビニル、
などのフッ化エチレン誘導体を用いる。エーテル結合含
有のフッ化エチレン共重合体の重合方法としては、溶
液,懸濁,塊状および乳化重合が可能で、開始剤として
は過酸化物,アルキルホウ素,光あるいは放射線などが
用いられる。
【0030】上記エーテル結合を有すフッ素樹脂のリチ
ウム金属へのコーティングは、 а・フッ素樹脂の溶液をスプレー,スクリーン印刷,コ
ーター,ディッピング,などの方法で塗布する、 b.フッ素樹脂をスパッタリングなどの真空蒸着法でリ
チウム表面に直接コーティングをする、 c.上記フッ素樹脂の原料となるモノマーの雰囲気下の
プラズマ重合にて直接重合膜を形成する、などの方法が
使用できる。
ウム金属へのコーティングは、 а・フッ素樹脂の溶液をスプレー,スクリーン印刷,コ
ーター,ディッピング,などの方法で塗布する、 b.フッ素樹脂をスパッタリングなどの真空蒸着法でリ
チウム表面に直接コーティングをする、 c.上記フッ素樹脂の原料となるモノマーの雰囲気下の
プラズマ重合にて直接重合膜を形成する、などの方法が
使用できる。
【0031】フッ素樹脂の溶液を用いて、リチウム表面
をコーティングする場合には、脱水を十分行った不活性
ガス中で、脱水と脱酸素を十分行ったフッ素樹脂溶液を
使用するのが望ましい。上記フッ素樹脂溶液に用いる溶
媒は、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、五酸化リ
ン、塩化カルシウムなどで脱水するか、溶媒によって
は、不活性ガス中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純
物除去と脱水をも行うのがよい。
をコーティングする場合には、脱水を十分行った不活性
ガス中で、脱水と脱酸素を十分行ったフッ素樹脂溶液を
使用するのが望ましい。上記フッ素樹脂溶液に用いる溶
媒は、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、五酸化リ
ン、塩化カルシウムなどで脱水するか、溶媒によって
は、不活性ガス中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純
物除去と脱水をも行うのがよい。
【0032】上記皮膜形成時に、電解質を混合しておい
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。上記フッ素樹脂の被覆
膜は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下
する原因になるので、架橋している方が好ましい。上述
のエーテル結合を有すフッ素樹脂溶液を用いたの表面被
覆方法のほかに、フッ化エチレンとビニルモノマーを主
原料にプラズマ重合させて、被覆させる方法も用いるこ
とができる。プラズマ重合を容易に起こす、あるいは、
膜の密着性及び強度を高めるために、主原料となるフッ
素化合物に酸素、水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、炭
化水素、シランなどを混合することが望ましい。プラズ
マの発生方法としては、直流あるいは高周波によるグロ
ー放電、マイクロ波放電、レーザーなどが有効である。
エーテル結合を有すフッ素樹脂をスパッタリングして正
極表面を被覆することも可能である。
てもよい。これにより電解液と皮膜の濡れ性が向上し、
皮膜をイオンが透過し易くなる。上記フッ素樹脂の被覆
膜は、電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下
する原因になるので、架橋している方が好ましい。上述
のエーテル結合を有すフッ素樹脂溶液を用いたの表面被
覆方法のほかに、フッ化エチレンとビニルモノマーを主
原料にプラズマ重合させて、被覆させる方法も用いるこ
とができる。プラズマ重合を容易に起こす、あるいは、
膜の密着性及び強度を高めるために、主原料となるフッ
素化合物に酸素、水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、炭
化水素、シランなどを混合することが望ましい。プラズ
マの発生方法としては、直流あるいは高周波によるグロ
ー放電、マイクロ波放電、レーザーなどが有効である。
エーテル結合を有すフッ素樹脂をスパッタリングして正
極表面を被覆することも可能である。
【0033】リチウム表面に形成する皮膜の膜厚は、1
nmから100ミクロンの範囲が好ましく、5nmから
10ミクロンの範囲がより好ましい。皮膜の最適膜厚
は、皮膜の密度あるいは空隙率によって、さらに使用す
る電解液の種類によって異なる。皮膜の膜厚の調整は、
塗布液中の皮膜形成主材の濃度を変えることによって、
プラズマ重合とスパッタリングの場合には堆積時間を制
御することによって可能である。
nmから100ミクロンの範囲が好ましく、5nmから
10ミクロンの範囲がより好ましい。皮膜の最適膜厚
は、皮膜の密度あるいは空隙率によって、さらに使用す
る電解液の種類によって異なる。皮膜の膜厚の調整は、
塗布液中の皮膜形成主材の濃度を変えることによって、
プラズマ重合とスパッタリングの場合には堆積時間を制
御することによって可能である。
【0034】シリコ−ン樹脂 有機シリコン化合物としては、アルコキシシラン、アル
キルシラン、ハロゲン化シラン、シロキサン、ビニル
基,アミノ基,エポキシ基,メタクリル基,メルカプト
基を導入したシラン、水素変性,ビニル変性,水酸基変
性,アミノ変性,カルボキシル変性,塩素変性,エポキ
シ変性,メタクリロキシ変性,メルカプト変性,フッ素
変性,長鎖アルキル変性,フェニル変性,などのポリシ
ロキサンから形成するシリコーン樹脂、アルレキレンオ
キシド変性シロキサンコポリマー(共重合体)、シリコ
ーン変性コポリマー、アルコキシシラン変性ポリマー、
シリコーン変性ウレタン、シリコーン変性ナイロン、な
どの材料が使用できる。
キルシラン、ハロゲン化シラン、シロキサン、ビニル
基,アミノ基,エポキシ基,メタクリル基,メルカプト
基を導入したシラン、水素変性,ビニル変性,水酸基変
性,アミノ変性,カルボキシル変性,塩素変性,エポキ
シ変性,メタクリロキシ変性,メルカプト変性,フッ素
変性,長鎖アルキル変性,フェニル変性,などのポリシ
ロキサンから形成するシリコーン樹脂、アルレキレンオ
キシド変性シロキサンコポリマー(共重合体)、シリコ
ーン変性コポリマー、アルコキシシラン変性ポリマー、
シリコーン変性ウレタン、シリコーン変性ナイロン、な
どの材料が使用できる。
【0035】被膜の形成方法としては、上記有機化合物
が液体である場合には、直接塗布するか、溶剤に希釈し
た後に塗布することができる。上記有機化合物が固体で
ある場合には、溶剤に溶解させた溶液を塗布することが
できる。塗布方法としては、ディッピング、スクリーン
印刷、スプレイ、ロールコーティング、などの方法が採
用できる。上記塗布液の粘度は、塗布方法に合わせて適
宜調整することが必要である。
が液体である場合には、直接塗布するか、溶剤に希釈し
た後に塗布することができる。上記有機化合物が固体で
ある場合には、溶剤に溶解させた溶液を塗布することが
できる。塗布方法としては、ディッピング、スクリーン
印刷、スプレイ、ロールコーティング、などの方法が採
用できる。上記塗布液の粘度は、塗布方法に合わせて適
宜調整することが必要である。
【0036】チタンポリマ− 有機高分子に有機チタン化合物作用したチタンポリマー
が使用できる。例としては、ポリカルボシラン骨格の主
鎖にチタン有機化合物によって架橋結合したシリコーン
ポリマーのチラノポリマーなどがある。また、チタンポ
リマー以外にも、各種ポリマーに有機アルミニウム化合
物などの他の有機金属化合物誘導体を置換反応にて導入
したものも、被覆材として利用できる。
が使用できる。例としては、ポリカルボシラン骨格の主
鎖にチタン有機化合物によって架橋結合したシリコーン
ポリマーのチラノポリマーなどがある。また、チタンポ
リマー以外にも、各種ポリマーに有機アルミニウム化合
物などの他の有機金属化合物誘導体を置換反応にて導入
したものも、被覆材として利用できる。
【0037】ポリホスファゼン リン原子と窒素原子が交互にリン−窒素二重結合を結合
したポリマーであるポリホスファゼンは、ジクロロホス
ファゼン三量体を200〜300℃に加熱し、開環重合
して得られる。ジクロロホスファゼン三量体は五塩化リ
ンと塩化アンモニウムあるいはアンモニアから合成され
る。重合時に用いられる触媒としては安息香酸、安息香
酸ナトリウム、2,6−ジ−p−クレゾール、水、メタ
ノール、エタノール、ニトロメタン、エーテル、ヘテロ
ポリ酸、イオウ、亜鉛、スズ、ナトリウム、などが挙げ
られる。
したポリマーであるポリホスファゼンは、ジクロロホス
ファゼン三量体を200〜300℃に加熱し、開環重合
して得られる。ジクロロホスファゼン三量体は五塩化リ
ンと塩化アンモニウムあるいはアンモニアから合成され
る。重合時に用いられる触媒としては安息香酸、安息香
酸ナトリウム、2,6−ジ−p−クレゾール、水、メタ
ノール、エタノール、ニトロメタン、エーテル、ヘテロ
ポリ酸、イオウ、亜鉛、スズ、ナトリウム、などが挙げ
られる。
【0038】また、ポリジクロロホスファゼンの塩素原
子を、有機試薬あるいは有機金属試薬で置換することに
よって、各種ポリオルガノホスファゼンが得られる。上
記ポリホスファゼンの溶液を用いて、正極表面をコーテ
ィングする場合には、脱水を十分行った不活性ガス中
で、脱水と脱酸素を十分行ったポリマー溶液を使用する
のが望ましい。上記溶液に用いる溶媒は、活性アルミ
ナ、モレキュラーシーブ、五酸化リン、塩化カルシウム
などで脱水するか、溶媒によっては、不活性ガス中でア
ルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去と脱水をも行う
のがよい。
子を、有機試薬あるいは有機金属試薬で置換することに
よって、各種ポリオルガノホスファゼンが得られる。上
記ポリホスファゼンの溶液を用いて、正極表面をコーテ
ィングする場合には、脱水を十分行った不活性ガス中
で、脱水と脱酸素を十分行ったポリマー溶液を使用する
のが望ましい。上記溶液に用いる溶媒は、活性アルミ
ナ、モレキュラーシーブ、五酸化リン、塩化カルシウム
などで脱水するか、溶媒によっては、不活性ガス中でア
ルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去と脱水をも行う
のがよい。
【0039】皮膜形成時に、電解質を混合しておいても
よい。これにより電解液と被膜の濡れ性が向上し、被膜
をイオンが透過し易くなる。上記ポリマーの被覆膜は、
電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下する原
因になるので、架橋しているのが好ましい。架橋方法と
しては、紫外線,電子線,放射線を照射する、あるいは
ラジカル発生剤などの架橋剤を使用する、などの方法が
ある。
よい。これにより電解液と被膜の濡れ性が向上し、被膜
をイオンが透過し易くなる。上記ポリマーの被覆膜は、
電解液の有機溶媒に溶解すると、電池性能を低下する原
因になるので、架橋しているのが好ましい。架橋方法と
しては、紫外線,電子線,放射線を照射する、あるいは
ラジカル発生剤などの架橋剤を使用する、などの方法が
ある。
【0040】リチウム表面に形成する被膜の膜厚は、1
nmから100ミクロンの範囲が好ましく、5nmから
10ミクロンの範囲がより好ましい。被膜の最適膜厚
は、被膜の密度または空隙率によって、さらに使用する
電解液の種類によって異なる。被膜の膜厚の調整は、塗
布液中の被膜形成主材の濃度を変えることによって可能
である。
nmから100ミクロンの範囲が好ましく、5nmから
10ミクロンの範囲がより好ましい。被膜の最適膜厚
は、被膜の密度または空隙率によって、さらに使用する
電解液の種類によって異なる。被膜の膜厚の調整は、塗
布液中の被膜形成主材の濃度を変えることによって可能
である。
【0041】
【0042】無機酸化物 上記無機ガラスの材料の例として、シリカ、酸化チタ
ン、アルミナ、酸化ジルコニア、酸化マグネシウム、酸
化タンタル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化鉄、酸化クロム、リン酸ア
ルミニウム、リン酸鉄、リン酸珪素、およびこれらの混
合物などの金属酸化物が挙げられる。上記無機ガラスの
形成方法としては、ゾル−ゲル法が適した方法の一つで
ある。無機ガラス構造を有する膜の原料は、金属アルコ
キシドなどの金属有機化合物のアルコールなどの溶液
に、酸あるいは塩基と水を加えて加水分解し、金属原子
−酸素原子の結合を有する微粒子のコロイドを形成した
後、正極の表面被覆は、このコロイド溶液を直接塗布す
るか、コロイド溶液に、モノマー、あるいは有機ポリマ
ー、あるいは有機ポリマーと架橋剤を溶解させた溶液を
塗布した後に、重合あるいは乾燥硬化させて形成する。
有機ポリマーを複合化することによって、クラックや剥
離に対する強度を向上させることができる。さらに、コ
ロイド溶液に、リチウム電池を構成する電解質を溶解さ
せて、皮膜を形成した場合には、電解液との濡れ性が向
上し、イオンの移動が容易になる。
ン、アルミナ、酸化ジルコニア、酸化マグネシウム、酸
化タンタル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化鉄、酸化クロム、リン酸ア
ルミニウム、リン酸鉄、リン酸珪素、およびこれらの混
合物などの金属酸化物が挙げられる。上記無機ガラスの
形成方法としては、ゾル−ゲル法が適した方法の一つで
ある。無機ガラス構造を有する膜の原料は、金属アルコ
キシドなどの金属有機化合物のアルコールなどの溶液
に、酸あるいは塩基と水を加えて加水分解し、金属原子
−酸素原子の結合を有する微粒子のコロイドを形成した
後、正極の表面被覆は、このコロイド溶液を直接塗布す
るか、コロイド溶液に、モノマー、あるいは有機ポリマ
ー、あるいは有機ポリマーと架橋剤を溶解させた溶液を
塗布した後に、重合あるいは乾燥硬化させて形成する。
有機ポリマーを複合化することによって、クラックや剥
離に対する強度を向上させることができる。さらに、コ
ロイド溶液に、リチウム電池を構成する電解質を溶解さ
せて、皮膜を形成した場合には、電解液との濡れ性が向
上し、イオンの移動が容易になる。
【0043】アルコキシド以外の金属有機化合物として
は、アセチルアセトン錯塩、アルキル金属化合物、アセ
チルアセトン金属塩、ナフテン酸金属塩、オクチル酸金
属塩、なども使用できる。複合化するための有機ポリマ
ーの例としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、
ポリスチレン、ポリエチレングリコール、ナイロン、フ
ッ素樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。
は、アセチルアセトン錯塩、アルキル金属化合物、アセ
チルアセトン金属塩、ナフテン酸金属塩、オクチル酸金
属塩、なども使用できる。複合化するための有機ポリマ
ーの例としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン、
ポリスチレン、ポリエチレングリコール、ナイロン、フ
ッ素樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。
【0044】上記ポリマーの架橋剤としては、ジイソシ
アナート、ポリイソシアナートプレポリマー、ブロック
イソシアナート、有機過酸化物、ポリアミン、オキシム
類、ニトロソ化合物、硫黄及び硫黄化合物、セレン、酸
化マグネシウム、酸化鉛、酸化亜鉛などが使用される。
架橋剤を用いる方法以外にも、放射線や電子線や紫外線
を照射して、重合するあるいはポリマーを架橋させる方
法がある。
アナート、ポリイソシアナートプレポリマー、ブロック
イソシアナート、有機過酸化物、ポリアミン、オキシム
類、ニトロソ化合物、硫黄及び硫黄化合物、セレン、酸
化マグネシウム、酸化鉛、酸化亜鉛などが使用される。
架橋剤を用いる方法以外にも、放射線や電子線や紫外線
を照射して、重合するあるいはポリマーを架橋させる方
法がある。
【0045】塗布方法としては、ディッピング、スクリ
ーン印刷、スプレイ、ロールコーティング、などの方法
が採用できる。上記塗布液の粘度は、塗布方法に合わせ
て適宜調整することが必要である。ガラス状無機酸化物
の他の皮膜形成方法としては、スパッタリング,電子ビ
ーム蒸着,プラズマCVD(Chemical Vap
or Deposition),レーザーCVDなどの
各種蒸着法やCVD法の手法が有効である。
ーン印刷、スプレイ、ロールコーティング、などの方法
が採用できる。上記塗布液の粘度は、塗布方法に合わせ
て適宜調整することが必要である。ガラス状無機酸化物
の他の皮膜形成方法としては、スパッタリング,電子ビ
ーム蒸着,プラズマCVD(Chemical Vap
or Deposition),レーザーCVDなどの
各種蒸着法やCVD法の手法が有効である。
【0046】スパッタリングと電子ビーム蒸着法として
は、酸化物の材料を直接蒸着する方法と、シリコンや金
属蒸気に酸素ガスと反応させて皮膜を形成する方法があ
る。プラズマCVDとレーザーCVD法としては、酸素
ガスと、シリコンや金属の水素化物,ハロゲン化物,有
機金属化合物を原料に、放電あるいはレーザーで分解し
て皮膜を形成する。
は、酸化物の材料を直接蒸着する方法と、シリコンや金
属蒸気に酸素ガスと反応させて皮膜を形成する方法があ
る。プラズマCVDとレーザーCVD法としては、酸素
ガスと、シリコンや金属の水素化物,ハロゲン化物,有
機金属化合物を原料に、放電あるいはレーザーで分解し
て皮膜を形成する。
【0047】無機酸化物の別の皮膜形成方法としては、
電気化学的手法があり、アルミニウム,チタン,タンタ
ル,ニオブ,などの金属膜をスパッタリングや電子ビー
ム蒸着法などで形成した後、シュウ酸やリン酸やホウ酸
アンモニウムを電解液として陽極酸化して酸化皮膜を形
成する方法がある。また、水溶液内での平衡反応を利用
して、浸漬した基板表面に酸化物皮膜を析出成長させる
成膜方法が利用可能で、シリカ(酸化シリコン)、酸化
チタン,酸化バナジウム,などの皮膜を形成できる。シ
リカの皮膜を形成する具体的手法としては、ケイフッ化
水素酸の水溶液にシリカを飽和させた液に正極を浸して
皮膜を形成する。
電気化学的手法があり、アルミニウム,チタン,タンタ
ル,ニオブ,などの金属膜をスパッタリングや電子ビー
ム蒸着法などで形成した後、シュウ酸やリン酸やホウ酸
アンモニウムを電解液として陽極酸化して酸化皮膜を形
成する方法がある。また、水溶液内での平衡反応を利用
して、浸漬した基板表面に酸化物皮膜を析出成長させる
成膜方法が利用可能で、シリカ(酸化シリコン)、酸化
チタン,酸化バナジウム,などの皮膜を形成できる。シ
リカの皮膜を形成する具体的手法としては、ケイフッ化
水素酸の水溶液にシリカを飽和させた液に正極を浸して
皮膜を形成する。
【0048】窒化物 窒化物の材料としては、窒化シリコン,窒化チタン,窒
化アルミニウム,窒化ホウ素などが使用できる。正極へ
の窒化物の皮膜形成方法は、スパッタリング,電子ビー
ム蒸着,プラズマCVD,レーザーCVDなどの手法が
有効である。スパッタリングと電子ビーム蒸着法として
は、上記窒化物の材料を直接蒸着する方法と、シリコ
ン,チタン,アルミニウム,の蒸気に窒素ガスやアンモ
ニアガスから発生した窒素プラズマと反応させて皮膜を
形成する方法がある。
化アルミニウム,窒化ホウ素などが使用できる。正極へ
の窒化物の皮膜形成方法は、スパッタリング,電子ビー
ム蒸着,プラズマCVD,レーザーCVDなどの手法が
有効である。スパッタリングと電子ビーム蒸着法として
は、上記窒化物の材料を直接蒸着する方法と、シリコ
ン,チタン,アルミニウム,の蒸気に窒素ガスやアンモ
ニアガスから発生した窒素プラズマと反応させて皮膜を
形成する方法がある。
【0049】プラズマCVDとレーザーCVD法として
は、原料に、窒素ガス,アンモニアガス,三フッ化窒
素,などの窒素の原料と、シリコン,チタン,アルミニ
ウムなどの水素化物,ハロゲン化物,有機金属化合物を
放電あるいはレーザーで分解して皮膜を形成する。炭化物 炭化物の材料としては、非晶質炭素,炭化シリコン,炭
化チタン,炭化バナジウム,炭化タングステンなどが使
用できる。
は、原料に、窒素ガス,アンモニアガス,三フッ化窒
素,などの窒素の原料と、シリコン,チタン,アルミニ
ウムなどの水素化物,ハロゲン化物,有機金属化合物を
放電あるいはレーザーで分解して皮膜を形成する。炭化物 炭化物の材料としては、非晶質炭素,炭化シリコン,炭
化チタン,炭化バナジウム,炭化タングステンなどが使
用できる。
【0050】炭化物の皮膜形成方法は、窒化物の形成方
法と同様の方法が使用できる。スパッタリングと電子ビ
ーム蒸着法としては、上記炭化物の材料を直接蒸着する
方法と、シリコン,チタン,バナジウム,タングステン
などと炭素を原料に皮膜を形成する方法がある。プラズ
マCVDとレーザーCVD法としては、原料に、炭化水
素などの炭素の原料と、シリコン,チタン,バナジウ
ム,タングステンなどの水素化物,ハロゲン化物,有機
金属化合物を放電あるいはレーザーで分解して皮膜を形
成する。
法と同様の方法が使用できる。スパッタリングと電子ビ
ーム蒸着法としては、上記炭化物の材料を直接蒸着する
方法と、シリコン,チタン,バナジウム,タングステン
などと炭素を原料に皮膜を形成する方法がある。プラズ
マCVDとレーザーCVD法としては、原料に、炭化水
素などの炭素の原料と、シリコン,チタン,バナジウ
ム,タングステンなどの水素化物,ハロゲン化物,有機
金属化合物を放電あるいはレーザーで分解して皮膜を形
成する。
【0051】ハロゲン化物 ハロゲン化物の材料としてはフッ化リチウム,フッ化マ
グネシウム,フッ化ナトリウム,フッ化カルシウム,フ
ッ化バリウム,塩化リチウムなどの材料が使用できる。
ハロゲン化物の皮膜は、スパッタリングと電子ビーム蒸
着法で形成することができる。プラズマCVDやレーザ
ーCVDなどのCVDの手法も使用できる。
グネシウム,フッ化ナトリウム,フッ化カルシウム,フ
ッ化バリウム,塩化リチウムなどの材料が使用できる。
ハロゲン化物の皮膜は、スパッタリングと電子ビーム蒸
着法で形成することができる。プラズマCVDやレーザ
ーCVDなどのCVDの手法も使用できる。
【0052】[半導体] 正極を被覆する半導体の材質としては、ダイヤモンド
(炭素),シリコンなどのほかに、酸化ニッケル,酸化
銅,酸化バナジウム,酸化スズ,酸化亜鉛などの金属酸
化物がある。上記半導体には、アルカリ金属やリンやホ
ウ素などの元素を不純物として添加してもよい。
(炭素),シリコンなどのほかに、酸化ニッケル,酸化
銅,酸化バナジウム,酸化スズ,酸化亜鉛などの金属酸
化物がある。上記半導体には、アルカリ金属やリンやホ
ウ素などの元素を不純物として添加してもよい。
【0053】半導体皮膜の形成方法としては、前述の無
機酸化物皮膜の形成方法に加えて、スパッタリング,電
子ビーム蒸着,プラズマCVDやレーザーCVDなどの
CVDの手法が使用できる。 (ニッケル亜鉛二次電池あるいは空気亜鉛二次電池の正
極の被覆) ニッケル亜鉛二次電池あるいは空気亜鉛二次電池の正極
の被覆材料及び被覆方法は、前述のリチウム二次電池の
正極の被覆と同様な材料と方法が使用できる。さらに
は、被覆材料として、有機溶媒には溶解しても水に溶解
しないポリマーも使用できる。被覆材料に撥水性がある
場合には、親水基を導入するか、シランカップリング剤
などで親水処理することが必要である。
機酸化物皮膜の形成方法に加えて、スパッタリング,電
子ビーム蒸着,プラズマCVDやレーザーCVDなどの
CVDの手法が使用できる。 (ニッケル亜鉛二次電池あるいは空気亜鉛二次電池の正
極の被覆) ニッケル亜鉛二次電池あるいは空気亜鉛二次電池の正極
の被覆材料及び被覆方法は、前述のリチウム二次電池の
正極の被覆と同様な材料と方法が使用できる。さらに
は、被覆材料として、有機溶媒には溶解しても水に溶解
しないポリマーも使用できる。被覆材料に撥水性がある
場合には、親水基を導入するか、シランカップリング剤
などで親水処理することが必要である。
【0054】(正極表面の被覆膜の厚み) 正極表面の被覆膜の厚みの調整は、ポリマー溶液やゾル
−ゲル法などの液層反応を利用して被覆する場合は溶液
の濃度を調整することによって、スパッタリングや電池
ビーム蒸着やCVD法あるいはプラズマ重合を使用する
場合には堆積時間を調整することによって、可能であ
る。
−ゲル法などの液層反応を利用して被覆する場合は溶液
の濃度を調整することによって、スパッタリングや電池
ビーム蒸着やCVD法あるいはプラズマ重合を使用する
場合には堆積時間を調整することによって、可能であ
る。
【0055】(正極表面の被覆膜の細孔) 正極表面の被覆膜の細孔及び空隙率の調整は、ポリマー
溶液やゾル−ゲル法などの液層反応を利用して被覆する
場合には、溶液の濃度を調整するか乾燥条件を調整する
ことによってできる。他の方法としては、発泡剤濃度を
調整して発泡させながら皮膜を形成する方法、電解質の
含有率を調整した皮膜を形成し電解質を溶解させる方
法、蒸着速度を制御する方法、反応物質の混合比を調製
する方法、などがある。
溶液やゾル−ゲル法などの液層反応を利用して被覆する
場合には、溶液の濃度を調整するか乾燥条件を調整する
ことによってできる。他の方法としては、発泡剤濃度を
調整して発泡させながら皮膜を形成する方法、電解質の
含有率を調整した皮膜を形成し電解質を溶解させる方
法、蒸着速度を制御する方法、反応物質の混合比を調製
する方法、などがある。
【0056】(正極) 正極は、集電体上に、正極活物質と導電体粉と結着剤な
どを混合して成形してする。負極活物質がリチウムある
いはリチウム合金であるリチウム電池では、正極活物質
は、遷移金属酸化物や遷移金属硫化物が一般に用いられ
る。遷移金属酸化物や遷移金属硫化物の遷移金属元素と
しては、部分的にd殻あるいはf殻を有する元素で、S
c,Y,ランタノイド,アクチノイド,Ti,Zr,H
f,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Tc,R
e,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,P
d,Pt,Cu,Ag,Auを用いる。主には、第一遷
移系列金属のTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,N
i,Cuを使用する。
どを混合して成形してする。負極活物質がリチウムある
いはリチウム合金であるリチウム電池では、正極活物質
は、遷移金属酸化物や遷移金属硫化物が一般に用いられ
る。遷移金属酸化物や遷移金属硫化物の遷移金属元素と
しては、部分的にd殻あるいはf殻を有する元素で、S
c,Y,ランタノイド,アクチノイド,Ti,Zr,H
f,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Tc,R
e,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,P
d,Pt,Cu,Ag,Auを用いる。主には、第一遷
移系列金属のTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,N
i,Cuを使用する。
【0057】負極活物質が亜鉛であるニッケル亜鉛電池
では、正極活物質に酸化水酸化ニッケルを用いる。負極
活物質が亜鉛である空気亜鉛電池では、正極活物質は酸
素であり、正極は集電体と触媒と撥水材から構成されて
いる。触媒には多孔質炭素,多孔質ニッケル,酸化銅な
どが用いられる。撥水材としては、多孔質の四フッ化エ
チレン樹脂のようなフッ素樹脂が用いられる。
では、正極活物質に酸化水酸化ニッケルを用いる。負極
活物質が亜鉛である空気亜鉛電池では、正極活物質は酸
素であり、正極は集電体と触媒と撥水材から構成されて
いる。触媒には多孔質炭素,多孔質ニッケル,酸化銅な
どが用いられる。撥水材としては、多孔質の四フッ化エ
チレン樹脂のようなフッ素樹脂が用いられる。
【0058】(負極の被覆) 前述の正極の被覆材を用いて負極を被覆すると、負極か
ら成長するデンドライトの成長を抑制することができ、
正極の被覆と併せて、二次電池に適用すると電池内部の
短絡を抑える効果が助長され、電池のサイクル寿命も飛
躍的に伸ばすことができる。
ら成長するデンドライトの成長を抑制することができ、
正極の被覆と併せて、二次電池に適用すると電池内部の
短絡を抑える効果が助長され、電池のサイクル寿命も飛
躍的に伸ばすことができる。
【0059】(電解質) 電解質はそのままの状態で使用する場合のほかに、溶媒
に溶解した溶液や溶液にポリマーなどのゲル化剤を添加
して固定化したものを使用する。一般的には、溶媒に電
解質を溶かした電解液を多孔性のセパレーターに保液さ
せて使用する。電解質の導電率は高ければ高いほど好ま
しく、少なくも25℃での導電率は1×10-3S/cm
以上あることが望ましく、5×10-3S/cm以上ある
ことがより好ましい。
に溶解した溶液や溶液にポリマーなどのゲル化剤を添加
して固定化したものを使用する。一般的には、溶媒に電
解質を溶かした電解液を多孔性のセパレーターに保液さ
せて使用する。電解質の導電率は高ければ高いほど好ま
しく、少なくも25℃での導電率は1×10-3S/cm
以上あることが望ましく、5×10-3S/cm以上ある
ことがより好ましい。
【0060】負極活物質がリチウムかリチウム合金の場合 電解質は、H2SO4、HCl,HNO3などの酸、リチ
ウムイオン(Li+)とルイス酸イオン(BF4 -,PF6
-,AsF6 -,ClO4 -)から成る塩、およびこれらの
混合塩を用いる。上記支持電解質のほかには、ナトリウ
ムイオン,カリウムイオン,テトラアルキルアンモニウ
ムイオン,などの陽イオンとルイス酸イオンとの塩も使
用できる。上記塩は、減圧下で加熱したりして、十分な
脱水と脱酸素を行っておくことが望ましい。
ウムイオン(Li+)とルイス酸イオン(BF4 -,PF6
-,AsF6 -,ClO4 -)から成る塩、およびこれらの
混合塩を用いる。上記支持電解質のほかには、ナトリウ
ムイオン,カリウムイオン,テトラアルキルアンモニウ
ムイオン,などの陽イオンとルイス酸イオンとの塩も使
用できる。上記塩は、減圧下で加熱したりして、十分な
脱水と脱酸素を行っておくことが望ましい。
【0061】電解質の溶媒としては、アセトニトリル:
CH3CN,ベンゾニトリル:C6H5CN,プロピレン
カーボネイト:PC,エチレンカーボネート:EC,ジ
メチルホルムアミド:DMF,テトラヒドロフラン:T
HF,ニトロベンゼン:C6H5NO2,ジクロロエタ
ン,ジエトキシエタン,クロロベンゼン,γ−ブチロラ
クトン,ジオキソラン,スルホラン,ニトロメタン,ジ
メチルサルファイド,ジメチルサルオキシド,ジメトキ
シエタン,ギ酸メチル,3−メチル−2−オキダゾリジ
ノン,2−メチルテトラヒドロフラン,二酸化イオウ,
塩化ホスホリル,塩化チオニル,塩化スルフリルなど、
およびこれらの混合液が使用できる。上記溶媒は、活性
アルミナ,モレキュラーシーブ,五酸化リン,塩化カル
シウムなどで脱水するか、溶媒によっては、不活性ガス
中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去と脱水を
も行うのがよい。
CH3CN,ベンゾニトリル:C6H5CN,プロピレン
カーボネイト:PC,エチレンカーボネート:EC,ジ
メチルホルムアミド:DMF,テトラヒドロフラン:T
HF,ニトロベンゼン:C6H5NO2,ジクロロエタ
ン,ジエトキシエタン,クロロベンゼン,γ−ブチロラ
クトン,ジオキソラン,スルホラン,ニトロメタン,ジ
メチルサルファイド,ジメチルサルオキシド,ジメトキ
シエタン,ギ酸メチル,3−メチル−2−オキダゾリジ
ノン,2−メチルテトラヒドロフラン,二酸化イオウ,
塩化ホスホリル,塩化チオニル,塩化スルフリルなど、
およびこれらの混合液が使用できる。上記溶媒は、活性
アルミナ,モレキュラーシーブ,五酸化リン,塩化カル
シウムなどで脱水するか、溶媒によっては、不活性ガス
中でアルカリ金属共存下で蒸留して不純物除去と脱水を
も行うのがよい。
【0062】電解液の漏洩を防止するために、ゲル化す
ることが好ましい。ゲル化剤としては電解液の溶媒を吸
収して膨潤するようなポリマーを用いるのが望ましく、
ポリエチレンオキサイドやポリビニルアルコール、ポリ
アクリルアミドなどのポリマーが用いられる。負極活物質が亜鉛か亜鉛合金の場合 電解質としては、水酸化カリウム,水酸化ナトリウム,
水酸化リチウム,などのアルカリが使用される。
ることが好ましい。ゲル化剤としては電解液の溶媒を吸
収して膨潤するようなポリマーを用いるのが望ましく、
ポリエチレンオキサイドやポリビニルアルコール、ポリ
アクリルアミドなどのポリマーが用いられる。負極活物質が亜鉛か亜鉛合金の場合 電解質としては、水酸化カリウム,水酸化ナトリウム,
水酸化リチウム,などのアルカリが使用される。
【0063】電解液の漏洩を防止するために、ゲル化す
ることが好ましい。ゲル化剤としては電解液の溶媒を吸
収して膨潤するようなポリマーを用いるのが望ましく、
ポリエチレンオキサイド,ポリビニルアルコール,ポリ
アクリルアミドなどのポリマーやデンプンが用いられ
る。集電体 集電体100,102としては、繊維状,多孔状あるい
はメッシュ状のカーボン、ステンレススチール、チタ
ン、ニッケル、銅、白金、金などを使用する。
ることが好ましい。ゲル化剤としては電解液の溶媒を吸
収して膨潤するようなポリマーを用いるのが望ましく、
ポリエチレンオキサイド,ポリビニルアルコール,ポリ
アクリルアミドなどのポリマーやデンプンが用いられ
る。集電体 集電体100,102としては、繊維状,多孔状あるい
はメッシュ状のカーボン、ステンレススチール、チタ
ン、ニッケル、銅、白金、金などを使用する。
【0064】セパレータ セパレータ108としては、負極と正極の短絡を防ぐ役
割を持っている。また、電解液を保持する役目を有する
場合もある。セパレータはリチウムイオンが移動できる
細孔を有し、電解液に不溶で安定である必要があるた
め、ガラス,ポリプロピレン,ポリエチレン,フッ素樹
脂,ポリアミドなどの不織布あるいはミクロポア構造の
材料のものが用いられる。
割を持っている。また、電解液を保持する役目を有する
場合もある。セパレータはリチウムイオンが移動できる
細孔を有し、電解液に不溶で安定である必要があるた
め、ガラス,ポリプロピレン,ポリエチレン,フッ素樹
脂,ポリアミドなどの不織布あるいはミクロポア構造の
材料のものが用いられる。
【0065】(電池の形状及び構造) 実際の電池の形状としては、偏平型や円筒型や直方形
型、シート型などの電池がある。スパイラル型円筒型で
は、負極と正極の間にセパレータをはさんで巻くことに
よって電極面積を大きくすることができ、充放電時に大
電流を流すことができる。また、直方体型では、二次電
池を収納する機器の収納スペースを有効利用することが
できる。構造としても、単層式と多層式などの構造があ
る。
型、シート型などの電池がある。スパイラル型円筒型で
は、負極と正極の間にセパレータをはさんで巻くことに
よって電極面積を大きくすることができ、充放電時に大
電流を流すことができる。また、直方体型では、二次電
池を収納する機器の収納スペースを有効利用することが
できる。構造としても、単層式と多層式などの構造があ
る。
【0066】図2と図3は、それぞれ、単層式偏平型電
池、スパイラル構造円筒型電池の概略断面図の一例であ
る。図2と図3において、200と300は負極集電
体、201と301は負極活物質、203と303は正
極活物質、205と305は負極端子(負極キャッ
プ)、206と306は正極缶、207と307は電解
質とセパレータ、210と310は絶縁パッキング、3
11は絶縁板である。図2や図3の電池の組立の一例と
しては、負極活物質201,301と成形した正極活物
質203,303でセパレータ207,307を挟んで
正極缶206,306に組み込み電解質を注入した後、
負極キャップ205,305と絶縁パッキング210,
310を組み、かしめて電池を作製する。
池、スパイラル構造円筒型電池の概略断面図の一例であ
る。図2と図3において、200と300は負極集電
体、201と301は負極活物質、203と303は正
極活物質、205と305は負極端子(負極キャッ
プ)、206と306は正極缶、207と307は電解
質とセパレータ、210と310は絶縁パッキング、3
11は絶縁板である。図2や図3の電池の組立の一例と
しては、負極活物質201,301と成形した正極活物
質203,303でセパレータ207,307を挟んで
正極缶206,306に組み込み電解質を注入した後、
負極キャップ205,305と絶縁パッキング210,
310を組み、かしめて電池を作製する。
【0067】なお、リチウム電池の材料の調製、および
電池の組立は、水分が十分除去された乾燥空気中、ある
いは乾燥不活性ガス中で行うのが望ましい。絶縁パッキング 絶縁パッキング210,310の材料としては、フッ素
樹脂,ポリアミド樹脂,ポリスルフォン樹脂,各種ゴム
が使用できる。封口方法としては、図2と図3のように
絶縁パッキングなどのガスケットを用いたかしめ以外に
も、ガラス封管,接着剤,溶接,半田付けなどの方法が
用いられる。
電池の組立は、水分が十分除去された乾燥空気中、ある
いは乾燥不活性ガス中で行うのが望ましい。絶縁パッキング 絶縁パッキング210,310の材料としては、フッ素
樹脂,ポリアミド樹脂,ポリスルフォン樹脂,各種ゴム
が使用できる。封口方法としては、図2と図3のように
絶縁パッキングなどのガスケットを用いたかしめ以外に
も、ガラス封管,接着剤,溶接,半田付けなどの方法が
用いられる。
【0068】また、図3の絶縁板の材料としては、各種
有機樹脂材料やセラミックスが用いられる。外缶(電池ケ−ス) 実際の電池の正極缶206,306や負極キャップ20
5,305の材料としては、ステンレススチール、特に
チタンクラッドステンレスや銅クラッドステンレス、ニ
ッケルメッキ鋼板などが用いられる。
有機樹脂材料やセラミックスが用いられる。外缶(電池ケ−ス) 実際の電池の正極缶206,306や負極キャップ20
5,305の材料としては、ステンレススチール、特に
チタンクラッドステンレスや銅クラッドステンレス、ニ
ッケルメッキ鋼板などが用いられる。
【0069】図2と図3では正極缶206,306が電
池ケースを兼ねているが、電池ケースの材質としては、
ステンレススチール以外にも亜鉛などの金属、ポリプロ
ピレンなどのプラスチック、あるいは金属やガラス繊維
とプラスチックの複合材を用いることができる。安全弁 図2と図3には図示されていないが、電池の内圧が高ま
ったときの安全策としては、安全弁が設けるのが一般的
である。
池ケースを兼ねているが、電池ケースの材質としては、
ステンレススチール以外にも亜鉛などの金属、ポリプロ
ピレンなどのプラスチック、あるいは金属やガラス繊維
とプラスチックの複合材を用いることができる。安全弁 図2と図3には図示されていないが、電池の内圧が高ま
ったときの安全策としては、安全弁が設けるのが一般的
である。
【0070】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 (実施例1) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 (実施例1) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。
【0071】正極活物質204としては、電解二酸化マ
ンガンと炭酸リチウムを1:0.4の比率で混合した
後、800℃で加熱してリチウム−マンガン酸化物を調
製した。調製したリチウム−マンガン酸化物にグラファ
イトとテトラフルオロエチレンポリマー粉を混合した
後、ニッケルメッシュに加圧成形して正極を形成した。
次に、正極を、テトラフルオロエチレンと2,2−ビス
トリフルオロメチル−4,5−ジフルオロ−1,3−ジ
オキソールの共重合体であるDUPONT社製テフロン
AFの溶液に浸し、乾燥して、フッ素樹脂で被覆した正
極204を調製した。
ンガンと炭酸リチウムを1:0.4の比率で混合した
後、800℃で加熱してリチウム−マンガン酸化物を調
製した。調製したリチウム−マンガン酸化物にグラファ
イトとテトラフルオロエチレンポリマー粉を混合した
後、ニッケルメッシュに加圧成形して正極を形成した。
次に、正極を、テトラフルオロエチレンと2,2−ビス
トリフルオロメチル−4,5−ジフルオロ−1,3−ジ
オキソールの共重合体であるDUPONT社製テフロン
AFの溶液に浸し、乾燥して、フッ素樹脂で被覆した正
極204を調製した。
【0072】乾燥アルゴンガス雰囲気中で、リチウム金
属箔に裏面側からチタンメッシュ集電体200を圧着し
た後、四フッ化エチレンとビニルエーテルのとの共重合
体である旭硝子社製ルミフロンの溶液に、上記リチウム
金属箔を浸し、乾燥硬化して、フッ素樹脂で被覆したリ
チウム負極201を調製した。電解液208には、プロ
ピレンカーボネート(PC)とジメトキシエタン(DM
E)の等量混合溶媒に、四フッ化ホウ酸リチウム塩を1
M(mol/l)溶解したものを使用した。
属箔に裏面側からチタンメッシュ集電体200を圧着し
た後、四フッ化エチレンとビニルエーテルのとの共重合
体である旭硝子社製ルミフロンの溶液に、上記リチウム
金属箔を浸し、乾燥硬化して、フッ素樹脂で被覆したリ
チウム負極201を調製した。電解液208には、プロ
ピレンカーボネート(PC)とジメトキシエタン(DM
E)の等量混合溶媒に、四フッ化ホウ酸リチウム塩を1
M(mol/l)溶解したものを使用した。
【0073】セパレータ208は、ポリプロピレン不織
布でポリプロピレンの微孔セパレータをサンドイッチし
たものを用いた。組立は、負極201と正極204の間
にセパレータ208をはさみ、チタンクラッドのステン
レス材の正極缶207に挿入して、電解液を注入した
後、チタンクラッドのステンレス材の負極キャップ20
6とフッ素ゴムの絶縁パッキング210で密閉して、リ
チウム二次電池を作製した。
布でポリプロピレンの微孔セパレータをサンドイッチし
たものを用いた。組立は、負極201と正極204の間
にセパレータ208をはさみ、チタンクラッドのステン
レス材の正極缶207に挿入して、電解液を注入した
後、チタンクラッドのステンレス材の負極キャップ20
6とフッ素ゴムの絶縁パッキング210で密閉して、リ
チウム二次電池を作製した。
【0074】(実施例2) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。正極の被覆繰作を除いて、実施
例1と同様にしてリチウム電池を作製した。正極は、実
施例1と同様の操作で調製した。次に、正極を、モノマ
ーのべンゾ−15−クラウン−5を0.1Mと電解質の
四フッ化ホウ酸テトラブチルアンモニウム塩を0.2M
溶解したアセトニトリル溶液に浸し、白金電極をカソー
ド極にして、3ボルトの電圧を印加し、電解重合により
大環状化合物ポリマーの被覆膜を正極表面に形成した。
ム二次電池を作製した。正極の被覆繰作を除いて、実施
例1と同様にしてリチウム電池を作製した。正極は、実
施例1と同様の操作で調製した。次に、正極を、モノマ
ーのべンゾ−15−クラウン−5を0.1Mと電解質の
四フッ化ホウ酸テトラブチルアンモニウム塩を0.2M
溶解したアセトニトリル溶液に浸し、白金電極をカソー
ド極にして、3ボルトの電圧を印加し、電解重合により
大環状化合物ポリマーの被覆膜を正極表面に形成した。
【0075】次に、乾燥アルゴンガス雰囲気中で、リチ
ウム金属箔にチタンメッシュ集電体200を圧着して負
極とした。ついで、実施例1と同様の方法でリチウム二
次電池を作製した。 (実施例3) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。
ウム金属箔にチタンメッシュ集電体200を圧着して負
極とした。ついで、実施例1と同様の方法でリチウム二
次電池を作製した。 (実施例3) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。
【0076】正極は、実施例1と同様の操作で調製し
た。次に、Aldrich Chemical Company, Inc.のポリ(2
−ビニルナフタレン)のテトラハイドロフラン溶液に過
酸化ベンゾイルと四フッ化ホウ酸リチウムを溶解させ、
正極を浸した後、100℃で熱処理をしてポリ(2−ビ
ニルナフタレン)で被覆した正極203を調製した。
た。次に、Aldrich Chemical Company, Inc.のポリ(2
−ビニルナフタレン)のテトラハイドロフラン溶液に過
酸化ベンゾイルと四フッ化ホウ酸リチウムを溶解させ、
正極を浸した後、100℃で熱処理をしてポリ(2−ビ
ニルナフタレン)で被覆した正極203を調製した。
【0077】そのほかは、実施例2と同様の方法でリチ
ウム二次電池を作製した。 (実施例4) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。正極は、実施例1と同様の操作
で調製した。ついで、出光石油化学製PPZ−U100
1のトルエン溶液に四フッ化ホウ酸リチウム塩を添加し
て溶解させた後、正極を浸し、予備乾燥後紫外線を照射
して、ポリホスファゼンで被覆した正極203を調製し
た。
ウム二次電池を作製した。 (実施例4) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。正極は、実施例1と同様の操作
で調製した。ついで、出光石油化学製PPZ−U100
1のトルエン溶液に四フッ化ホウ酸リチウム塩を添加し
て溶解させた後、正極を浸し、予備乾燥後紫外線を照射
して、ポリホスファゼンで被覆した正極203を調製し
た。
【0078】そのほかは、実施例2と同様の方法でリチ
ウム二次電池を作製した。 (実施例5) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。正極は、実施例1と同様の操作
で調製した。ついで、この正極を、スパッタリング装置
に入れ装着し、2×10-6Torrまで真空排気した
後、10%の窒素ガスと5%のアセチレンガスを混合し
たアルゴンガスを流し、3×10-3Torrに内圧を制
御し、フッ化リチウムをターゲット材としてスパッタリ
ングして、正極表面炭素とフッ素含有のに窒化リチウム
膜を形成した。
ウム二次電池を作製した。 (実施例5) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のリチウ
ム二次電池を作製した。正極は、実施例1と同様の操作
で調製した。ついで、この正極を、スパッタリング装置
に入れ装着し、2×10-6Torrまで真空排気した
後、10%の窒素ガスと5%のアセチレンガスを混合し
たアルゴンガスを流し、3×10-3Torrに内圧を制
御し、フッ化リチウムをターゲット材としてスパッタリ
ングして、正極表面炭素とフッ素含有のに窒化リチウム
膜を形成した。
【0079】そのほかは、実施例2と同様の方法でリチ
ウム二次電池を作製した。 (実施例6) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のニッケ
ル亜鉛二次電池を作製した。まず、正極は焼結ニッケル
極板に水酸化亜鉛を含浸させて調製した。次に、テトラ
エトキシランのエチルアルコール溶液に、酢酸と水を添
加して加水分解をした後、ジエチルアミンを添加し、コ
ロイド状シリカを形成した。ついで、シリカのコロイド
溶液に、正極を浸し、100℃で乾燥してシリカの皮膜
を正極表面に形成した。
ウム二次電池を作製した。 (実施例6) 構造と組立が簡単な図2に示した概略断面構造のニッケ
ル亜鉛二次電池を作製した。まず、正極は焼結ニッケル
極板に水酸化亜鉛を含浸させて調製した。次に、テトラ
エトキシランのエチルアルコール溶液に、酢酸と水を添
加して加水分解をした後、ジエチルアミンを添加し、コ
ロイド状シリカを形成した。ついで、シリカのコロイド
溶液に、正極を浸し、100℃で乾燥してシリカの皮膜
を正極表面に形成した。
【0080】負極は銅のパンチングメタルの両面に、亜
鉛粉末と酸化亜鉛粉末の混合物に四フッ化エチレンポリ
マー粉末を結着剤として加えて圧着成形して形成した。
電解液は水酸化リチウムを添加した30wt%水酸化カ
リウム水溶液を使用した。電池の組立は実施例1と同様
にして行った。
鉛粉末と酸化亜鉛粉末の混合物に四フッ化エチレンポリ
マー粉末を結着剤として加えて圧着成形して形成した。
電解液は水酸化リチウムを添加した30wt%水酸化カ
リウム水溶液を使用した。電池の組立は実施例1と同様
にして行った。
【0081】上記実施例で作製した電池の性能を比較評
価するために、以下の比較例の電池を作製した。 (比較例1) 実施例1において、正極とリチウム負極の表面被覆処理
を施さないのを除いて、同様の方法でリチウム二次電池
を作製した。
価するために、以下の比較例の電池を作製した。 (比較例1) 実施例1において、正極とリチウム負極の表面被覆処理
を施さないのを除いて、同様の方法でリチウム二次電池
を作製した。
【0082】(比較例2) 実施例6において、の表面被覆処理を施さないのを除い
て、同様の方法でニッケル亜鉛二次電池を作製した。 (二次電池の性能評価) 実施例および比較例で作製した二次電池の性能評価を以
下の条件で充放電サイクル試験を行い、比較例の電池と
比較して性能を評価した。サイクル試験の条件は、0.
2C(容量/時間の0.2倍の電流)の充放電、30分
の休憩時間、1.0Vのカットオフ電圧とした。電池の
充放電装置には、北斗電工製HJ−101M6を使用し
た。
て、同様の方法でニッケル亜鉛二次電池を作製した。 (二次電池の性能評価) 実施例および比較例で作製した二次電池の性能評価を以
下の条件で充放電サイクル試験を行い、比較例の電池と
比較して性能を評価した。サイクル試験の条件は、0.
2C(容量/時間の0.2倍の電流)の充放電、30分
の休憩時間、1.0Vのカットオフ電圧とした。電池の
充放電装置には、北斗電工製HJ−101M6を使用し
た。
【0083】なお、充放電試験は、放電より開始し、電
池容量は3回目の放電量とし、サイクル寿命は電池容量
の60%を切ったサイクル回数とした。本発明の実施例
で作製した二次電池と比較例で作製した二次電池のサイ
クル寿命に関する性能の評価結果を、比較例の電池の性
能を1.0として、表1にまとめて示した。
池容量は3回目の放電量とし、サイクル寿命は電池容量
の60%を切ったサイクル回数とした。本発明の実施例
で作製した二次電池と比較例で作製した二次電池のサイ
クル寿命に関する性能の評価結果を、比較例の電池の性
能を1.0として、表1にまとめて示した。
【0084】表1の評価結果の、実施例1から5と比較
例1の比較、実施例6と比較例2の比較から、本発明の
構成の二次電池を採用することによって、サイクル寿命
が伸びることがわかった。
例1の比較、実施例6と比較例2の比較から、本発明の
構成の二次電池を採用することによって、サイクル寿命
が伸びることがわかった。
【0085】
【表1】 ┌──────────────────┬─────────────┐ │ 作製した二次電池 │ 実施例のサイクル寿命 │ ├─────────┬────────┤ ────────── │ │ 実施例 │ 比較例 │ 比較例のサイクル寿命 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 1 │ 比較例 1 │ 5.1 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 2 │ 比較例 1 │ 2.0 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 3 │ 比較例 1 │ 1.4 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 4 │ 比較例 1 │ 1.6 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 5 │ 比較例 1 │ 1.8 │ ├─────────┼────────┼─────────────┤ │ 実施例 6 │ 比較例 2 │ 1.7 │ └─────────┴────────┴─────────────┘
【0086】
【発明の効果】本発明によれば、充電時のリチウムある
いは亜鉛のデンドライトが成長しても、負極と正極が短
絡するのを抑え、充放電サイクル寿命の長いリチウム二
次電池やニッケル亜鉛二次電池や空気亜鉛二次電池など
を作製することが可能となる。さらに、金属リチウムを
負極活物質に使用できるため、エネルギー密度の高い二
次電池を作製することができる。
いは亜鉛のデンドライトが成長しても、負極と正極が短
絡するのを抑え、充放電サイクル寿命の長いリチウム二
次電池やニッケル亜鉛二次電池や空気亜鉛二次電池など
を作製することが可能となる。さらに、金属リチウムを
負極活物質に使用できるため、エネルギー密度の高い二
次電池を作製することができる。
【図1】本発明の二次電池の基本構成図である。
【図2】本発明を応用した偏平型電池の概略断面図の一
例である。
例である。
【図3】本発明を応用した円筒型電池の概略断面図の一
例である。
例である。
100,200,300…負極集電体、101,20
1,301…負極活物質、102…正極集電体、103
…正極活物質、104…イオン透過性被覆層、203,
303…イオン透過性皮膜で被覆した正極活物質、10
5…電解質、106,206,306…負極端子、10
7,207,307…正極端子、108…セパレータ
ー、208,308…電解液とセパレーター、109…
電池ケース、210,310…絶縁パッキング、311
…絶縁板。
1,301…負極活物質、102…正極集電体、103
…正極活物質、104…イオン透過性被覆層、203,
303…イオン透過性皮膜で被覆した正極活物質、10
5…電解質、106,206,306…負極端子、10
7,207,307…正極端子、108…セパレータ
ー、208,308…電解液とセパレーター、109…
電池ケース、210,310…絶縁パッキング、311
…絶縁板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−263858(JP,A) 特開 平1−319253(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01M 10/40 H01M 4/02 H01M 4/32 H01M 10/30
Claims (10)
- 【請求項1】 負極、セパレータ、正極、電解質、集電
体と、電池ケースから少なくとも形成された二次電池に
おいて、 少なくとも負極に対向する面の正極表面が電池反応に関
与するイオンを透過できる膜であって、 電池反応に関与するイオンを透過できる大環状化合物、
芳香族炭化水素誘導体のポリマー、フッ素樹脂、有機珪
素化合物であるシリコーン樹脂、有機チタン化合物であ
るチタンポリマー、リン原子と窒素原子が交互にリン−
窒素二重結合を結合したポリマー、無機酸化物を主成分
とする無機ガラス、炭化物、窒化物、ハロゲン化物から
なる群より選択される材料から構成されるイオンを透過
できる絶縁体膜、 少なくとも炭素、珪素、から選択される一種類または二
種類の元素を含有しているイオンを透過できる半導体
膜、 該絶縁体のうち少なくとも一種の材料及び該半導体のう
ち少なくとも一種の材料の複合体の膜、 から選択される膜で一層または二層以上被覆されている
ことを特徴とする二次電池。 - 【請求項2】 前記大環状化合物が、環状ポリエーテ
ル、環状ポリアミン、環状ポリチオエーテル、アザクラ
ウンエーテル、環状チオエーテル、チオクラウンエーテ
ル、クリプタンド、サイクラム、シクロデキストリン、
シクロファン、フタロシアニン、ポルフィリン化合物か
ら選択される一種類以上の構造を有する環状化合物であ
ることを特徴とする請求項1に記載の二次電池。 - 【請求項3】 前記芳香族炭化水素誘導体が、少なくと
もナフタレン、アントラセン、フエナントレン、ナフタ
セン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、ベ
ンゾピレン、コロネン、オバレンから選択される一種類
以上の誘導体であることを特徴とする請求項1に記載の
二次電池。 - 【請求項4】 前記フッ素樹脂が、エーテル結合を有し
ていることを特徴とする請求項1に記載の二次電池。 - 【請求項5】 前記無機ガラスが有機ポリマーと複合化
されていることを特徴とする請求項1に記載の二次電
池。 - 【請求項6】 前記無機酸化物が、少なくとも、珪素,
チタン,アルミニウム,マグネシウム,ジルコニウム,
鉛,カルシウム,から選択される一種類または二種類以
上の元素の酸化物を含有することを特徴とする請求項1
に記載の二次電池。 - 【請求項7】 前記ハロゲン化物が、フッ化物であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の二次電池。 - 【請求項8】 前記負極表面が、電池反応に関与するイ
オンを透過する皮膜で被覆されていることを特徴とする
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の二次電池。 - 【請求項9】 前記負極がリチウムあるいはリチウム合
金で、反応に関与するイオンがリチウムイオンであるこ
とを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の
二次電池。 - 【請求項10】 前記負極が、亜鉛あるいは亜鉛合金
で、反応に関与するイオンが水酸イオンであることを特
徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の二次電
池。
Priority Applications (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4320559A JP2771406B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 二次電池 |
CA002331602A CA2331602C (en) | 1992-11-30 | 1993-11-26 | Method of manufacturing a positive electrode active material of a secondary battery |
CA002110097A CA2110097C (en) | 1992-11-30 | 1993-11-26 | Secondary battery |
AU52003/93A AU5200393A (en) | 1992-11-30 | 1993-11-29 | Secondary battery |
EP93309571A EP0600718B1 (en) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Secondary battery |
DE69328469T DE69328469T2 (de) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Sekundärbatterie |
US08/159,141 US5824434A (en) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Secondary battery |
EP97200434A EP0809314B1 (en) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Positive active material, method of manufacturing and secondary battery using the same |
DE69334239T DE69334239D1 (de) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Positives aktives Material, Verfahren zur Herstellung und dieses verwendende Sekundärbatterie |
US08/482,569 US6391492B1 (en) | 1992-04-05 | 1995-06-07 | Secondary battery |
AU26133/97A AU715180B2 (en) | 1992-11-30 | 1997-06-19 | Secondary battery |
US08/980,055 US6207326B1 (en) | 1992-11-30 | 1997-11-26 | Secondary battery |
US09/163,545 US6395423B1 (en) | 1992-11-30 | 1998-09-30 | High energy density secondary battery for repeated use |
US09/879,227 US7081320B2 (en) | 1992-11-30 | 2001-06-13 | High energy density secondary battery for repeated use |
US11/691,912 US20070180688A1 (en) | 1992-11-30 | 2007-03-27 | Method for producing a lithium secondary battery |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4320559A JP2771406B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 二次電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06168739A JPH06168739A (ja) | 1994-06-14 |
JP2771406B2 true JP2771406B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18122785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4320559A Expired - Fee Related JP2771406B2 (ja) | 1992-04-05 | 1992-11-30 | 二次電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2771406B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3475449B2 (ja) * | 1993-08-24 | 2003-12-08 | 宇部興産株式会社 | 非水電池 |
JP5071055B2 (ja) * | 1995-06-28 | 2012-11-14 | 宇部興産株式会社 | 非水二次電池 |
DE69635450T2 (de) * | 1995-06-28 | 2006-08-03 | Ube Industries, Ltd., Ube | Nichtwässrige sekundärbatterie |
JP3719277B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2005-11-24 | 宇部興産株式会社 | 非水二次電池 |
JPH10214640A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電 池 |
JP4525649B2 (ja) * | 1997-02-05 | 2010-08-18 | 住友化学株式会社 | リチウム二次電池用正極およびリチウム二次電池 |
JP3931413B2 (ja) * | 1997-02-05 | 2007-06-13 | 住友化学株式会社 | リチウム二次電池用正極の製造方法 |
CN1167162C (zh) | 1998-12-25 | 2004-09-15 | 松下电器产业株式会社 | 锂二次电池 |
JP4710099B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2011-06-29 | 株式会社Gsユアサ | 非水電解質二次電池 |
KR100467689B1 (ko) * | 2001-10-24 | 2005-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전해액 및 이를 채용한 리튬 전지 |
JP4196398B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-12-17 | 日本電気株式会社 | 非水電解液二次電池 |
JP4616592B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 非水電解液二次電池とその製造方法及び電解液二次電池用電極材料 |
KR101430615B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2014-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 캐소드 및 이를 채용한 리튬 전지 |
JP5211698B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-06-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体被覆正極活物質およびそれを用いたリチウム二次電池 |
KR101466405B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2014-11-27 | 주식회사 엘지화학 | 전지용 전극 집전체 및 이를 포함하는 이차전지 |
JP5035281B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-26 | 宇部興産株式会社 | 非水二次電池 |
JP5359444B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-12-04 | Tdk株式会社 | リチウムイオン二次電池 |
JPWO2011129053A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2013-07-11 | 三洋化成工業株式会社 | 電極保護膜形成剤及び電解液 |
JP5623199B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-11-12 | 株式会社Nttファシリティーズ | 非水電解液電池 |
JP5623198B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-11-12 | 株式会社Nttファシリティーズ | 非水電解液電池 |
KR101497912B1 (ko) * | 2012-01-17 | 2015-03-05 | 주식회사 엘지화학 | 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
JP5660112B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-01-28 | 株式会社豊田自動織機 | リチウムイオン二次電池用正極及びリチウムイオン二次電池 |
KR101532997B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2015-07-09 | 한국기초과학지원연구원 | 리튬 전이 금속 산화물을 f 패시베이션 시키는 방법 |
US20160104919A1 (en) * | 2013-05-29 | 2016-04-14 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Lithium ion secondary battery |
JP6306914B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2018-04-04 | 株式会社日本触媒 | 電極及び電池 |
JP6315267B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-04-25 | 株式会社豊田自動織機 | 非水二次電池用電極の製造方法 |
ES2942264T3 (es) | 2017-08-11 | 2023-05-31 | Lg Energy Solution Ltd | Conjunto de electrodos, método de fabricación del mismo y batería secundaria que incluye el mismo |
CN111599982B (zh) * | 2019-02-21 | 2024-01-30 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种锂金属负极、其制备方法及金属锂二次电池 |
CN114530589B (zh) | 2020-11-23 | 2023-10-17 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 锂金属负极、其制备方法及其相关的锂金属电池和装置 |
CN114204168B (zh) * | 2021-12-15 | 2024-06-04 | 中国科学技术大学 | 一种无氧环境中可用且可在有氧环境中自充电的复合锌空气二次电池 |
CN118367219A (zh) * | 2023-01-17 | 2024-07-19 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 电极组件、电池单体、电池和用电装置 |
CN116042022B (zh) * | 2023-03-30 | 2023-07-25 | 江苏正力新能电池技术有限公司 | 一种防爆涂料及其在钠离子电池中的应用 |
CN117558998A (zh) * | 2024-01-11 | 2024-02-13 | 吉林大学 | 一种改性硫酸锌电解液及其制备方法和应用、水系锌离子对称电池 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01319253A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | リチウム電池 |
JPH03263858A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 中空型半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4320559A patent/JP2771406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06168739A (ja) | 1994-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2771406B2 (ja) | 二次電池 | |
JP3530544B2 (ja) | 二次電池 | |
JP3717085B2 (ja) | 二次電池用負極、該負極を有する二次電池及び電極の作製方法 | |
EP0600718B1 (en) | Secondary battery | |
US5919589A (en) | Rechargeable battery | |
JP3359164B2 (ja) | 二次電池 | |
KR100243830B1 (ko) | 재충전식 배터리 | |
CA2154212C (en) | Rechargeable batteries having a specific anode and process for the production of them | |
EP0715366A1 (en) | Rechargeable lithium battery having an anode coated by a film containing a specific metal oxide material, process for the production of said anode, and process for the production of said rechargeable lithium battery | |
JP2943127B2 (ja) | 二次電池 | |
US20060234131A1 (en) | Nonaqueous electrolyte secondary battery | |
JP3423338B2 (ja) | 二次電池 | |
CA2331602C (en) | Method of manufacturing a positive electrode active material of a secondary battery | |
JP2002260742A (ja) | 非水電解質二次電池 | |
JP2003331838A (ja) | リチウム二次電池 | |
EP0404578A1 (en) | Secondary battery | |
JPH06310174A (ja) | リチウム二次電池及びその製造方法 | |
US20240213527A1 (en) | Battery cell | |
JP3159725B2 (ja) | 二次電池用電極 | |
AU715180B2 (en) | Secondary battery | |
JP2528798B2 (ja) | フラン系重合錯体膜を含む積層体とその製法 | |
JPH01248471A (ja) | 二次電池 | |
JPH01134855A (ja) | 二次電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100417 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110417 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |