JP2696056B2 - エレクトロルミネッセンス及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス及びその製造方法Info
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- JP2696056B2 JP2696056B2 JP5253113A JP25311393A JP2696056B2 JP 2696056 B2 JP2696056 B2 JP 2696056B2 JP 5253113 A JP5253113 A JP 5253113A JP 25311393 A JP25311393 A JP 25311393A JP 2696056 B2 JP2696056 B2 JP 2696056B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス及びその製造方法に関するものである。
ンス及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、エレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬと称する。）は、透明基板と背面電極との間
に、透明電極と発光層と誘電体層とからなる積層体を有
しており、さらに、このようなＥＬの中には、上記積層
体が複数重ねられたいわゆる多色発光型のものもある
（例えば特開昭５８−３００９３号公報）。このＥＬに
おいて、上記透明電極を形成する手段としては、次のよ
うな方法が知られている。
下、ＥＬと称する。）は、透明基板と背面電極との間
に、透明電極と発光層と誘電体層とからなる積層体を有
しており、さらに、このようなＥＬの中には、上記積層
体が複数重ねられたいわゆる多色発光型のものもある
（例えば特開昭５８−３００９３号公報）。このＥＬに
おいて、上記透明電極を形成する手段としては、次のよ
うな方法が知られている。
【０００３】Ａ）インジウム−錫酸化物（In2O3とSnO2
の混合系；以下、ＩＴＯと称する）を透明電極と隣接さ
せる層（誘電体層や透明基板）の表面に真空蒸着するこ
とにより導電薄膜を形成する。
の混合系；以下、ＩＴＯと称する）を透明電極と隣接さ
せる層（誘電体層や透明基板）の表面に真空蒸着するこ
とにより導電薄膜を形成する。
【０００４】Ｂ）予め焼成した粒状ＩＴＯ結晶を高分子
バインダに練り込み、これを透明電極と隣接させる層の
表面に塗布して乾燥させることにより、透明電極を形成
する。
バインダに練り込み、これを透明電極と隣接させる層の
表面に塗布して乾燥させることにより、透明電極を形成
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ａ）の方法では、導電
性に優れた薄膜を形成できるものの、真空蒸着を行うた
めに大がかりな設備を要し、その作業性も悪く、コスト
が高い。また、透明導電膜を挾む層のポリマーが熱伸縮
することにより透明導電膜にクラックが生じて発光不良
を招くおそれがある。
性に優れた薄膜を形成できるものの、真空蒸着を行うた
めに大がかりな設備を要し、その作業性も悪く、コスト
が高い。また、透明導電膜を挾む層のポリマーが熱伸縮
することにより透明導電膜にクラックが生じて発光不良
を招くおそれがある。
【０００６】これに対し、Ｂ）の方法では、簡単な作業
で低廉なＥＬを製造できるものの、粒状ＩＴＯ結晶同士
の間にバインダが介在するために透明電極の導電抵抗が
大きく、特に、発光面積の大きなＥＬでは実用が困難で
ある。
で低廉なＥＬを製造できるものの、粒状ＩＴＯ結晶同士
の間にバインダが介在するために透明電極の導電抵抗が
大きく、特に、発光面積の大きなＥＬでは実用が困難で
ある。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、大がか
りな設備を要しない簡単な作業で、導電性に優れた透明
電極を形成することができるＥＬ及びその製造方法を提
供することを目的とする。
りな設備を要しない簡単な作業で、導電性に優れた透明
電極を形成することができるＥＬ及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明は、前方から順に透明電極、発光
層、及び誘電体層が積層された積層体を複数重ね、その
背面に背面電極が設けられるＥＬにおいて、少なくと
も、上記誘電体層と隣接する透明電極を、ＩＴＯ（イン
ジウム−錫酸化物）の針状結晶とそのバインダとで構成
したものである（請求項１）。
の手段として、本発明は、前方から順に透明電極、発光
層、及び誘電体層が積層された積層体を複数重ね、その
背面に背面電極が設けられるＥＬにおいて、少なくと
も、上記誘電体層と隣接する透明電極を、ＩＴＯ（イン
ジウム−錫酸化物）の針状結晶とそのバインダとで構成
したものである（請求項１）。
【０００９】また本発明は、透明基板と背面電極との間
に、前方から順に透明電極、発光層、及び誘電体層が積
層された積層体が介在するＥＬにおいて、上記透明基板
と隣接する透明電極をＩＴＯの針状結晶とそのバインダ
とで構成したものである（請求項２）。
に、前方から順に透明電極、発光層、及び誘電体層が積
層された積層体が介在するＥＬにおいて、上記透明基板
と隣接する透明電極をＩＴＯの針状結晶とそのバインダ
とで構成したものである（請求項２）。
【００１０】これらのＥＬは、ＩＴＯの針状結晶をバイ
ンダに混在させた後、これを上記誘電体層の表面（請求
項５）や上記透明基板の表面（請求項６）に塗布して乾
燥させることにより上記透明電極を形成するものであ
る。
ンダに混在させた後、これを上記誘電体層の表面（請求
項５）や上記透明基板の表面（請求項６）に塗布して乾
燥させることにより上記透明電極を形成するものであ
る。
【００１１】これらのＥＬにおいて、上記針状結晶とし
てはアスペクト比が６以上のものがより好ましい（請求
項３）。
てはアスペクト比が６以上のものがより好ましい（請求
項３）。
【００１２】また、上記透明電極のバインダは、これと
隣接する誘電体層のバインダと同じ高分子材料で形成す
るのが、より好ましい（請求項４）。
隣接する誘電体層のバインダと同じ高分子材料で形成す
るのが、より好ましい（請求項４）。
【００１３】
【作用】請求項１，２記載のＥＬによれば、請求項５，
６記載の方法のように、予め焼成したＩＴＯ結晶をバイ
ンダに練り込んで隣接層（誘電体層や透明基板）に塗布
し、これを乾燥させるだけで透明電極を形成することが
できる。しかも、この透明電極がＩＴＯ結晶をバインダ
で練り合せたものであっても、このＩＴＯ結晶が針状を
なしている（請求項３記載のＥＬでは６以上のアスペク
ト比を有している）ために、従来の粒状ＩＴＯ結晶に比
べて結晶同士が相互接触する度合が高く、その分導電性
も高い。
６記載の方法のように、予め焼成したＩＴＯ結晶をバイ
ンダに練り込んで隣接層（誘電体層や透明基板）に塗布
し、これを乾燥させるだけで透明電極を形成することが
できる。しかも、この透明電極がＩＴＯ結晶をバインダ
で練り合せたものであっても、このＩＴＯ結晶が針状を
なしている（請求項３記載のＥＬでは６以上のアスペク
ト比を有している）ために、従来の粒状ＩＴＯ結晶に比
べて結晶同士が相互接触する度合が高く、その分導電性
も高い。
【００１４】また、請求項４記載のＥＬでは、上記透明
電極のバインダが、この透明電極と隣接する誘電体層の
バインダと同じ高分子材料で形成されているので、両バ
インダが融合することにより、両バインダの界面が消滅
して両者が一体化される。このため、両層間での剥離が
なくなり、また誘電率が大きいため、発光層への電圧降
下を極力抑えることができる。
電極のバインダが、この透明電極と隣接する誘電体層の
バインダと同じ高分子材料で形成されているので、両バ
インダが融合することにより、両バインダの界面が消滅
して両者が一体化される。このため、両層間での剥離が
なくなり、また誘電率が大きいため、発光層への電圧降
下を極力抑えることができる。
【００１５】
【実施例】本発明のＥＬの製造方法の一例を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１６】まず、図１に示すように、ガラスからなる
透明基板１０上に透明電極１２を形成する。この透明電
極１２は、予めＩＴＯの微粉末を焼成して針状結晶を形
成し、この針状結晶をシアノエチルセルロースからなる
バインダに練り込み、この混合物を上記透明基板１０上
にスクリーン印刷等で塗布して乾燥させることにより、
形成することができる。なお、上記ＩＴＯにおけるIn2O
3とSnO2との混合比は、従来と同様、良好な導電性が得
られる範囲で適当に定めれば良く、この実施例では重量
比にして SnO2を 4.8％含有させている。
透明基板１０上に透明電極１２を形成する。この透明電
極１２は、予めＩＴＯの微粉末を焼成して針状結晶を形
成し、この針状結晶をシアノエチルセルロースからなる
バインダに練り込み、この混合物を上記透明基板１０上
にスクリーン印刷等で塗布して乾燥させることにより、
形成することができる。なお、上記ＩＴＯにおけるIn2O
3とSnO2との混合比は、従来と同様、良好な導電性が得
られる範囲で適当に定めれば良く、この実施例では重量
比にして SnO2を 4.8％含有させている。
【００１７】次に、この透明電極１２の表面に第１の発
光（ここでは橙色発光）層１４、及び第１の誘電体層１
６を形成する。第１の発光層１４は、ZnS：Mn 等の発光
素子と前記シアノエチルセルロースからなるバインダと
の混合物を上記透明電極１２の表面に塗布し、これを乾
燥させることにより形成することが可能であり、第１の
誘電体層１６は、BaTiO3と前記シアノエチルセルロース
からなるバインダとの混合物を第１の発光層１４の表面
に塗布し、これを乾燥させることにより、形成が可能で
ある。
光（ここでは橙色発光）層１４、及び第１の誘電体層１
６を形成する。第１の発光層１４は、ZnS：Mn 等の発光
素子と前記シアノエチルセルロースからなるバインダと
の混合物を上記透明電極１２の表面に塗布し、これを乾
燥させることにより形成することが可能であり、第１の
誘電体層１６は、BaTiO3と前記シアノエチルセルロース
からなるバインダとの混合物を第１の発光層１４の表面
に塗布し、これを乾燥させることにより、形成が可能で
ある。
【００１８】ただし、本発明では上記第１の発光層１４
や第１の誘電体層１６の具体的な構成及び形成方法につ
いては何ら問わない。
や第１の誘電体層１６の具体的な構成及び形成方法につ
いては何ら問わない。
【００１９】次に、上記第１の誘電体層１６の表面に、
第２の透明電極１８を形成する。この第２の透明電極１
８は、前記透明電極１２と同様、予め焼成したＩＴＯの
針状結晶をシアノエチルセルロースからなるバインダに
練り込み、これを上記誘電体層１６上にスクリーン印刷
等で塗布し、これを乾燥させることにより、形成するこ
とができる。
第２の透明電極１８を形成する。この第２の透明電極１
８は、前記透明電極１２と同様、予め焼成したＩＴＯの
針状結晶をシアノエチルセルロースからなるバインダに
練り込み、これを上記誘電体層１６上にスクリーン印刷
等で塗布し、これを乾燥させることにより、形成するこ
とができる。
【００２０】次に、図２に示すように、上記第２の透明
電極１８の表面にZnS:Cu等の発光素子とバインダとから
なる第２の発光（ここでは緑色発光）層２０を形成し、
この第２の発光層２０の表面に上記第１の誘電体層１６
と同様の第２の誘電体層２２を形成し、この第２の誘電
体層２２の表面に背面電極２４を積層することにより、
多色発光分散型ＥＬを完成することができる。
電極１８の表面にZnS:Cu等の発光素子とバインダとから
なる第２の発光（ここでは緑色発光）層２０を形成し、
この第２の発光層２０の表面に上記第１の誘電体層１６
と同様の第２の誘電体層２２を形成し、この第２の誘電
体層２２の表面に背面電極２４を積層することにより、
多色発光分散型ＥＬを完成することができる。
【００２１】そして、図３に示すように、上記ＥＬの第
２の透明電極１８に交流電源２６を接続し、この交流電
源２６を上記透明電極１２及び背面電極２４にそれぞれ
スイッチ２８，３０を介して接続する。この状態で、ス
イッチ２８のみをオンにして第１の発光層１４に電界を
形成すれば橙色発光を得ることができ、スイッチ３０の
みをオンにして第２の発光層２０に電界を形成すれば緑
色発光を得ることができ、スイッチ２８，３０を同時に
オンにして両発光層１４，２０に電界を同時形成すれば
黄色発光を得ることができる。
２の透明電極１８に交流電源２６を接続し、この交流電
源２６を上記透明電極１２及び背面電極２４にそれぞれ
スイッチ２８，３０を介して接続する。この状態で、ス
イッチ２８のみをオンにして第１の発光層１４に電界を
形成すれば橙色発光を得ることができ、スイッチ３０の
みをオンにして第２の発光層２０に電界を形成すれば緑
色発光を得ることができ、スイッチ２８，３０を同時に
オンにして両発光層１４，２０に電界を同時形成すれば
黄色発光を得ることができる。
【００２２】以上のように、このＥＬでは、予め焼成し
たＩＴＯ結晶をバインダに練り込み、これを第１の誘電
体層１６や透明基板１０の表面に塗布することにより第
２の透明電極１８や第１の透明電極１２を形成している
ので、真空蒸着によって透明電極１８，１２を形成する
場合と異なり、大がかりな設備及び面倒な作業を伴うこ
となく、塗布したバインダを乾燥させるための低温加熱
（約100℃）だけで透明電極１８，１２を形成すること
ができる。しかも、上記ＩＴＯ結晶は針状をなしている
ので、膜厚を特に増やすことなく、従来のように粒状の
ＩＴＯ結晶を用いる場合に比べて結晶同士の接触度合を
高めることができ、これにより導電性を飛躍的に高める
ことができる。
たＩＴＯ結晶をバインダに練り込み、これを第１の誘電
体層１６や透明基板１０の表面に塗布することにより第
２の透明電極１８や第１の透明電極１２を形成している
ので、真空蒸着によって透明電極１８，１２を形成する
場合と異なり、大がかりな設備及び面倒な作業を伴うこ
となく、塗布したバインダを乾燥させるための低温加熱
（約100℃）だけで透明電極１８，１２を形成すること
ができる。しかも、上記ＩＴＯ結晶は針状をなしている
ので、膜厚を特に増やすことなく、従来のように粒状の
ＩＴＯ結晶を用いる場合に比べて結晶同士の接触度合を
高めることができ、これにより導電性を飛躍的に高める
ことができる。
【００２３】次の表１は、単色発光のＥＬ、すなわち図
２において第２の透明電極１８、第２の発光層２０、及
び第２の誘電体層２２を省略して第１の誘電体層１６上
に直接背面電極２４を積層したＥＬであって、従来のよ
うにＩＴＯの真空蒸着により第１の透明電極１２を形成
したＥＬ、ＩＴＯの粒状結晶をバインダに練り込んだも
ので第１の透明電極１２を形成したＥＬ、ＩＴＯの針状
結晶をバインダに練り込んだもので第１の透明電極１２
を形成したＥＬについての性能をテストした結果を示し
たものである。
２において第２の透明電極１８、第２の発光層２０、及
び第２の誘電体層２２を省略して第１の誘電体層１６上
に直接背面電極２４を積層したＥＬであって、従来のよ
うにＩＴＯの真空蒸着により第１の透明電極１２を形成
したＥＬ、ＩＴＯの粒状結晶をバインダに練り込んだも
ので第１の透明電極１２を形成したＥＬ、ＩＴＯの針状
結晶をバインダに練り込んだもので第１の透明電極１２
を形成したＥＬについての性能をテストした結果を示し
たものである。
【００２４】
【表１】
【００２５】この表１から、ＩＴＯの針状結晶、特にア
スペクト比が６以上の結晶を用いたＥＬによれば、ＩＴ
Ｏの真空蒸着により第１の透明電極１２を形成したＥＬ
と比べると発光効率は少し劣るものの、ＩＴＯの粒状結
晶を用いたＥＬと比べれば格段優れた導電性を得ること
ができ、十分実用に供することが可能であるのが分か
る。
スペクト比が６以上の結晶を用いたＥＬによれば、ＩＴ
Ｏの真空蒸着により第１の透明電極１２を形成したＥＬ
と比べると発光効率は少し劣るものの、ＩＴＯの粒状結
晶を用いたＥＬと比べれば格段優れた導電性を得ること
ができ、十分実用に供することが可能であるのが分か
る。
【００２６】なお、本発明はこのような実施例に限定さ
れるものでなく、例として次のような態様をとることも
可能である。
れるものでなく、例として次のような態様をとることも
可能である。
【００２７】(1) 上記実施例では、第１の透明電極１２
と第２の透明電極１８との双方にＩＴＯの針状結晶を用
いたものを示したが、本発明では両電極１２，１８の少
なくとも一方（好ましくは第１の誘電体層１６の表面に
形成される第２の透明電極１８）にＩＴＯの針状結晶を
用いればよく、例えば第１の透明電極１２については、
従来から用いられている SnO2またはＩＴＯの粒状結晶
をバインダに練り込んで塗布する方法や、化学蒸着、ス
パッタ法等の真空蒸着法を用いて形成するようにしても
よい。
と第２の透明電極１８との双方にＩＴＯの針状結晶を用
いたものを示したが、本発明では両電極１２，１８の少
なくとも一方（好ましくは第１の誘電体層１６の表面に
形成される第２の透明電極１８）にＩＴＯの針状結晶を
用いればよく、例えば第１の透明電極１２については、
従来から用いられている SnO2またはＩＴＯの粒状結晶
をバインダに練り込んで塗布する方法や、化学蒸着、ス
パッタ法等の真空蒸着法を用いて形成するようにしても
よい。
【００２８】(2) 上記実施例では、透明基板１０と背面
電極２４との間に、透明電極１２（１８）、発光層１４
（２０）、及び誘電体層１６（２２）からなる積層体を
２つ重ねたものを示したが、本発明は、単一の積層体を
もつＥＬ（すなわち単色ＥＬ）、もしくは３つ以上の積
層体を重ねたＥＬにも適用が可能である。前者の場合
は、前記実施例にも示したように、透明基板１０の表面
にＩＴＯ針状結晶とバインダとの混合物を直接塗布する
ようにすればよい。
電極２４との間に、透明電極１２（１８）、発光層１４
（２０）、及び誘電体層１６（２２）からなる積層体を
２つ重ねたものを示したが、本発明は、単一の積層体を
もつＥＬ（すなわち単色ＥＬ）、もしくは３つ以上の積
層体を重ねたＥＬにも適用が可能である。前者の場合
は、前記実施例にも示したように、透明基板１０の表面
にＩＴＯ針状結晶とバインダとの混合物を直接塗布する
ようにすればよい。
【００２９】(3) 上記実施例では、ＩＴＯの針状結晶と
バインダだけで上記透明電極１２，１８を構成したもの
を示したが、上記針状結晶にＩＴＯの粒状結晶が混在し
ていても特に差し支えはない。
バインダだけで上記透明電極１２，１８を構成したもの
を示したが、上記針状結晶にＩＴＯの粒状結晶が混在し
ていても特に差し支えはない。
【００３０】(4) 本発明では、各層のバインダの種類は
問わず、上記シアノエチルセルロース以外でも、その他
のシアノエチル化した高誘電ポリマー等が適用可能であ
る。ただし、上記実施例のように、上記第２の透明電極
１８のバインダとして、これに隣接する第１の誘電体層
１６のバインダと同じ材料のものを用いれば、第１の誘
電体層１６の表面に上記バインダを塗布し、乾燥させる
際、両バインダ同士が融合して界面が消え、一体化され
るので、界面剥離を起こさない高強度の積層を実現する
ことができ、また、界面に空気層を残すことにより誘電
率を降下させて発光ムラを招くのを確実に防ぐことがで
きる利点が生じる。
問わず、上記シアノエチルセルロース以外でも、その他
のシアノエチル化した高誘電ポリマー等が適用可能であ
る。ただし、上記実施例のように、上記第２の透明電極
１８のバインダとして、これに隣接する第１の誘電体層
１６のバインダと同じ材料のものを用いれば、第１の誘
電体層１６の表面に上記バインダを塗布し、乾燥させる
際、両バインダ同士が融合して界面が消え、一体化され
るので、界面剥離を起こさない高強度の積層を実現する
ことができ、また、界面に空気層を残すことにより誘電
率を降下させて発光ムラを招くのを確実に防ぐことがで
きる利点が生じる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、ＩＴＯの針状結
晶をバインダ内に混在させ、これを誘電体層や透明基板
に塗布して乾燥させることにより、透明電極を形成した
ものであるので、大がかりな設備や高温加熱を伴わない
簡単な作業で、導電性に優れた透明電極をもつＥＬを得
ることができ、その低廉化を図ることができる。特に、
上記針状結晶としてアスペクト比が６以上の結晶を用い
たものによれば、粒状結晶を用いたものに比べて透明電
極の導電性を飛躍的に高めることができる効果がある。
晶をバインダ内に混在させ、これを誘電体層や透明基板
に塗布して乾燥させることにより、透明電極を形成した
ものであるので、大がかりな設備や高温加熱を伴わない
簡単な作業で、導電性に優れた透明電極をもつＥＬを得
ることができ、その低廉化を図ることができる。特に、
上記針状結晶としてアスペクト比が６以上の結晶を用い
たものによれば、粒状結晶を用いたものに比べて透明電
極の導電性を飛躍的に高めることができる効果がある。
【００３２】また、誘電体層との隣接する透明電極を上
記針状結晶とバインダとで構成したものにおいて、この
バインダを上記誘電体層のバインダと同じ材料で形成し
たものによれば、両バインダを融合、一体化させて界面
を消滅させることにより、界面剥離の生じない高強度の
積層を実現するとともに、誘電率が大きいため、発光層
への電圧降下を極力抑えることができる効果がある。
記針状結晶とバインダとで構成したものにおいて、この
バインダを上記誘電体層のバインダと同じ材料で形成し
たものによれば、両バインダを融合、一体化させて界面
を消滅させることにより、界面剥離の生じない高強度の
積層を実現するとともに、誘電率が大きいため、発光層
への電圧降下を極力抑えることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例において透明基板上に第１の
積層体を積層した状態を示す断面図である。
積層体を積層した状態を示す断面図である。
【図２】上記第１の積層体に第２の積層体及び背面電極
を積層したＥＬの断面図である。
を積層したＥＬの断面図である。
【図３】上記ＥＬに交流電源を接続した状態を示す断面
図である。
図である。
１０ 透明基板 １２ 第１の透明電極 １４ 第１の発光層 １６ 第１の誘電体層 １８ 第２の透明電極 ２０ 第２の発光層 ２２ 第２の誘電体層 ２４ 背面電極
Claims (6)
- 【請求項１】 前方から順に透明電極、発光層、及び誘
電体層が積層された積層体を複数重ね、その背面に背面
電極が設けられるエレクトロルミネッセンスにおいて、
少なくとも、上記誘電体層と隣接する透明電極を、イン
ジウム−錫酸化物の針状結晶とそのバインダとで構成し
たことを特徴とするエレクトロルミネッセンス。 - 【請求項２】 透明基板と背面電極との間に、前方から
順に透明電極、発光層、及び誘電体層が積層された積層
体が介在するエレクトロルミネッセンスにおいて、上記
透明基板と隣接する透明電極をインジウム−錫酸化物の
針状結晶とそのバインダとで構成したことを特徴とする
エレクトロルミネッセンス。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のエレクトロルミ
ネッセンスにおいて、上記針状結晶はアスペクト比が６
以上の結晶であることを特徴とするエレクトロルミネッ
センス。 - 【請求項４】 請求項１記載のエレクトロルミネッセン
スにおいて、上記透明電極のバインダをこれと隣接する
誘電体層のバインダと同じ高分子材料で形成したことを
特徴とするエレクトロルミネッセンス。 - 【請求項５】 請求項１記載のエレクトロルミネッセン
スの製造方法において、インジウム−錫酸化物の針状結
晶をバインダに混在させた後、これを誘電体層の表面に
塗布して乾燥させることにより上記透明電極を形成する
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンスの製造方
法。 - 【請求項６】 請求項２記載のエレクトロルミネッセン
スの製造方法において、インジウム−錫酸化物の針状結
晶をバインダに混在させた後、これを透明基板の表面に
塗布して乾燥させることにより上記透明電極を形成する
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253113A JP2696056B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | エレクトロルミネッセンス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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