JP2584785B2 - 熱電素子モジュ−ル - Google Patents
熱電素子モジュ−ルInfo
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- JP2584785B2 JP2584785B2 JP62214169A JP21416987A JP2584785B2 JP 2584785 B2 JP2584785 B2 JP 2584785B2 JP 62214169 A JP62214169 A JP 62214169A JP 21416987 A JP21416987 A JP 21416987A JP 2584785 B2 JP2584785 B2 JP 2584785B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子の放熱部又は
吸熱部を熱伝導率の高い金属製のベースプレートに接続
・固定し、熱伝導率の低い材質からなる包囲体で前記半
導体熱電素子を包囲するとともに、内部を真空とするよ
うに前記ベースプレートに気密封止した熱電素子モジュ
ールに関し、 熱伝導率の高い金属製のベースプレートと、熱伝導率
の低い材質からなる包囲体との間の熱膨張率の差による
熱応力を効果的に吸収しかつ両者間の気密性を良好にす
ることを目的とし、 包囲体とベースプレートとの間に軟質金属のパッキン
を介在させたことを特徴とする熱電素子モジュールを構
成する。
吸熱部を熱伝導率の高い金属製のベースプレートに接続
・固定し、熱伝導率の低い材質からなる包囲体で前記半
導体熱電素子を包囲するとともに、内部を真空とするよ
うに前記ベースプレートに気密封止した熱電素子モジュ
ールに関し、 熱伝導率の高い金属製のベースプレートと、熱伝導率
の低い材質からなる包囲体との間の熱膨張率の差による
熱応力を効果的に吸収しかつ両者間の気密性を良好にす
ることを目的とし、 包囲体とベースプレートとの間に軟質金属のパッキン
を介在させたことを特徴とする熱電素子モジュールを構
成する。
本発明は熱電素子モジュール、特にペルチェ効果を利
用した半導体熱電素子の放熱部又は吸熱部を熱伝導率の
高い金属製のベースプレートに接続・固定し、熱伝導率
の低い材質からなる包囲体で前記半導体熱電素子を包囲
するとともに、内部を真空とするように前記ベースプレ
ートに気密封止した熱電素子モジュールに関する。
用した半導体熱電素子の放熱部又は吸熱部を熱伝導率の
高い金属製のベースプレートに接続・固定し、熱伝導率
の低い材質からなる包囲体で前記半導体熱電素子を包囲
するとともに、内部を真空とするように前記ベースプレ
ートに気密封止した熱電素子モジュールに関する。
ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子として現在一
般に使用されている材質は、ビスマス、アンチモン等の
合金であり、それ自体機械的に弱くてもろい。またこの
種の素子の接続は、素子自体の耐熱性等の条件により低
融点のハンダ等により接続され、セラミック等の絶縁基
板に接着されている。従って、熱電素子の取付けは素子
に引張り応力及び曲げモーメントが加わらないように平
らに押さえつけるように取付けなくてはならない。ま
た、熱電素子の冷却効率は、加熱側の効率に対して数倍
悪いため、熱電素子を使用して冷却を行う場合、加熱側
から冷却側への熱の流入を防ぐよう、熱電素子を、放熱
部と被冷却部との間に熱的に遮断するように機械的に接
続しなければならない。
般に使用されている材質は、ビスマス、アンチモン等の
合金であり、それ自体機械的に弱くてもろい。またこの
種の素子の接続は、素子自体の耐熱性等の条件により低
融点のハンダ等により接続され、セラミック等の絶縁基
板に接着されている。従って、熱電素子の取付けは素子
に引張り応力及び曲げモーメントが加わらないように平
らに押さえつけるように取付けなくてはならない。ま
た、熱電素子の冷却効率は、加熱側の効率に対して数倍
悪いため、熱電素子を使用して冷却を行う場合、加熱側
から冷却側への熱の流入を防ぐよう、熱電素子を、放熱
部と被冷却部との間に熱的に遮断するように機械的に接
続しなければならない。
以上のような目的を実現する１つの従来方法として、
半導体熱電素子の周囲をガラス管にて真空密封する方法
が提案されている（例えば、特公昭59−31995号）即
ち、この従来例では、ペルチェ効果を利用する半導体熱
電素子の放熱側をベースプレートとし、冷却側に熱伝導
性リードを出し、前記半導体素子の周囲をガラス管にて
真空封止した熱電素子モジュールが開示されている。
半導体熱電素子の周囲をガラス管にて真空密封する方法
が提案されている（例えば、特公昭59−31995号）即
ち、この従来例では、ペルチェ効果を利用する半導体熱
電素子の放熱側をベースプレートとし、冷却側に熱伝導
性リードを出し、前記半導体素子の周囲をガラス管にて
真空封止した熱電素子モジュールが開示されている。
しかし、この従来例では、半導体熱電素子の放熱側に
接続されるベースプレートとして、熱伝導性に優れかつ
熱膨張率が真空密封ガラスと同等の材料のものが要求さ
れる。これは、ベースプレートとガラス管とが真空封止
されており、素子の放熱側にあるベースプレートの熱的
変化によりガラス管が熱応力を受けるためである。しか
し、一般にベースプレートとして使用される銅、アルミ
ニウムといった材質では、このような条件を容易に満足
することができない。そこで、モジュール自体の大きさ
が、この熱応力を許容しうる程度の小型形状の範囲に限
定されるという欠点がある。
接続されるベースプレートとして、熱伝導性に優れかつ
熱膨張率が真空密封ガラスと同等の材料のものが要求さ
れる。これは、ベースプレートとガラス管とが真空封止
されており、素子の放熱側にあるベースプレートの熱的
変化によりガラス管が熱応力を受けるためである。しか
し、一般にベースプレートとして使用される銅、アルミ
ニウムといった材質では、このような条件を容易に満足
することができない。そこで、モジュール自体の大きさ
が、この熱応力を許容しうる程度の小型形状の範囲に限
定されるという欠点がある。
そこで、本発明は、熱伝導率の高い金属製のベースプ
レートと、熱伝導率の低い材質、例えばガラス等からな
る包囲体との間の熱膨張率の差による熱応力を効果的に
吸収しかつ両者間の気密性を良好にすることを目的とす
る。
レートと、熱伝導率の低い材質、例えばガラス等からな
る包囲体との間の熱膨張率の差による熱応力を効果的に
吸収しかつ両者間の気密性を良好にすることを目的とす
る。
このような問題点を解決するために、本発明によれ
ば、ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子の放熱部又
は吸熱部を熱伝導率の高い金属製のベースプレートに接
続し、熱伝導率の低い材質からなる包囲体で前記半導体
熱電素子を包囲するとともに、内部を真空とするように
前記ベースプレートに気密封止した熱電素子モジュール
において、前記包囲体とベースプレートとの間に軟質金
属のパッキンを介在させたことを特徴とする熱電素子モ
ジュールが提供される。
ば、ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子の放熱部又
は吸熱部を熱伝導率の高い金属製のベースプレートに接
続し、熱伝導率の低い材質からなる包囲体で前記半導体
熱電素子を包囲するとともに、内部を真空とするように
前記ベースプレートに気密封止した熱電素子モジュール
において、前記包囲体とベースプレートとの間に軟質金
属のパッキンを介在させたことを特徴とする熱電素子モ
ジュールが提供される。
熱伝導率の高い金属製のベースプレートは一般に熱膨
張係数も高く、また熱伝導率の低い材質、例えばガラス
等からなる包囲体は一般に熱膨張係数も低い。従って、
ペルチェ効果による半導体素子の放熱側と吸熱側との温
度差によりベースプレートと包囲体との間に温度変化が
生じ、熱膨張差が生ずる。しかし、包囲体とベースプレ
ートとの間には軟質金属のパッキンが介在されているの
で、該パッキンが両者間の膨張差を吸収し、包囲体の内
部の気密性を良好に維持する。
張係数も高く、また熱伝導率の低い材質、例えばガラス
等からなる包囲体は一般に熱膨張係数も低い。従って、
ペルチェ効果による半導体素子の放熱側と吸熱側との温
度差によりベースプレートと包囲体との間に温度変化が
生じ、熱膨張差が生ずる。しかし、包囲体とベースプレ
ートとの間には軟質金属のパッキンが介在されているの
で、該パッキンが両者間の膨張差を吸収し、包囲体の内
部の気密性を良好に維持する。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
図は、ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子１及び
２を二段に重ね合わせて実装した本発明の熱電素子モジ
ュールの一実施例を断面図で示すものである。半導体熱
電素子１及び２は、ペルチェ効果を有する熱電材料、例
えばビスマス、アンチモン等の合金で構成され、所定の
直流電流を流すことによりその素子１、２の上下両平面
間に所望の温度差を生ずる。
２を二段に重ね合わせて実装した本発明の熱電素子モジ
ュールの一実施例を断面図で示すものである。半導体熱
電素子１及び２は、ペルチェ効果を有する熱電材料、例
えばビスマス、アンチモン等の合金で構成され、所定の
直流電流を流すことによりその素子１、２の上下両平面
間に所望の温度差を生ずる。
半導体熱電素子１及び２は両者ともほぼ同じ程度の厚
さを有する平板状で、上側の比較的小さな半導体熱電素
子１と下側の比較的大きな半導体熱電素子２とを重ね合
わせ、熱伝導性の高い金属材料、例えば銅、アルミニウ
ム等からなる円板状のベースプレート３、４間に上下か
ら挟む。上側のベースプレート３は被温度制御部、例え
ば冷却を必要とする電子部品（図示せず）に接続され、
下側のベースプレート４は放熱器（図示せず）に接続さ
れる。各ベースプレート３、４に設けたねじ穴3a、4aは
それぞれ被温度制御部、放熱器を接続するために使用さ
れる。半導体熱電素子１、２の上下両面にイジュームシ
ート12を張り、両素子１、２間及びこれらの素子１、２
とベースプレート３、４との間の接触を良好にしてい
る。
さを有する平板状で、上側の比較的小さな半導体熱電素
子１と下側の比較的大きな半導体熱電素子２とを重ね合
わせ、熱伝導性の高い金属材料、例えば銅、アルミニウ
ム等からなる円板状のベースプレート３、４間に上下か
ら挟む。上側のベースプレート３は被温度制御部、例え
ば冷却を必要とする電子部品（図示せず）に接続され、
下側のベースプレート４は放熱器（図示せず）に接続さ
れる。各ベースプレート３、４に設けたねじ穴3a、4aは
それぞれ被温度制御部、放熱器を接続するために使用さ
れる。半導体熱電素子１、２の上下両面にイジュームシ
ート12を張り、両素子１、２間及びこれらの素子１、２
とベースプレート３、４との間の接触を良好にしてい
る。
ベースプレート３、４の対向面周囲は、軟質金属、例
えばインジュームよりなる上下のリング状パッキン８を
介して円筒状ガラス管５で包囲される。これらのリング
状パッキン８は、例えばステンレス鋼よりなるリング９
の内側にインジューム金属10を圧接成形したもので、リ
ング９の内面がベースプレート３、４の外周壁面及び円
筒状ガラス管５の外周壁面に接触して、インジューム金
属10を保持するとともに、リング状のインジューム金属
10の上下面がベースプレート３、４の周囲内側面と円筒
状ガラス管５の端面に接触する。これにより、ガラス管
５の内部には半導体熱電素子１及び２を包囲する空間７
が形成される。
えばインジュームよりなる上下のリング状パッキン８を
介して円筒状ガラス管５で包囲される。これらのリング
状パッキン８は、例えばステンレス鋼よりなるリング９
の内側にインジューム金属10を圧接成形したもので、リ
ング９の内面がベースプレート３、４の外周壁面及び円
筒状ガラス管５の外周壁面に接触して、インジューム金
属10を保持するとともに、リング状のインジューム金属
10の上下面がベースプレート３、４の周囲内側面と円筒
状ガラス管５の端面に接触する。これにより、ガラス管
５の内部には半導体熱電素子１及び２を包囲する空間７
が形成される。
円筒状ガラス管５はその周壁の一部に外方に突出した
チップ管６を有し、このチップ管６を利用して所望の圧
力でチップ封止を行う。即ち、チップ管６の先端を開放
して所定の減圧器（図示せず）に接続し、所望の真空度
（例えば10-5Torr程度）になるまで減圧する。所望の真
空度に達した後、チップ管６の先端を熱封止して空間７
を真空密閉する。これにより、モジュール外部の大気圧
の作用でベースプレート３、４には上下から圧力がかか
り、インジュームパッキン８が上下のベースプレート
３、４と円筒状ガラス管５との間に適度な軽い圧力で挟
まれ、空間７の真空気密性を維持する。一方、ベースプ
レート３、４の上下にかかる圧力により半導体熱電素子
１、２も適度な軽い均等な圧力を受け、半導体熱電素子
１、２間及び両素子１、２とベースプレート３、４との
間の良好な接触を維持する。
チップ管６を有し、このチップ管６を利用して所望の圧
力でチップ封止を行う。即ち、チップ管６の先端を開放
して所定の減圧器（図示せず）に接続し、所望の真空度
（例えば10-5Torr程度）になるまで減圧する。所望の真
空度に達した後、チップ管６の先端を熱封止して空間７
を真空密閉する。これにより、モジュール外部の大気圧
の作用でベースプレート３、４には上下から圧力がかか
り、インジュームパッキン８が上下のベースプレート
３、４と円筒状ガラス管５との間に適度な軽い圧力で挟
まれ、空間７の真空気密性を維持する。一方、ベースプ
レート３、４の上下にかかる圧力により半導体熱電素子
１、２も適度な軽い均等な圧力を受け、半導体熱電素子
１、２間及び両素子１、２とベースプレート３、４との
間の良好な接触を維持する。
ビスマス、アンチモン等の合金で構成される半導体熱
電素子１、２それ自体は強度的に弱く脆いものではある
が、素子１、２は上記のように軽い適度な圧力しか受け
ず、強度な引っ張り応力、曲げ応力がかかることはない
ので、各接触部において熱的に良好な接続が維持され
る。また、半導体熱電素子１、２の放熱側（図示実施例
では下側）から吸熱側（図示実施例では上側）への熱貫
流は真空空間７により遮断される。
電素子１、２それ自体は強度的に弱く脆いものではある
が、素子１、２は上記のように軽い適度な圧力しか受け
ず、強度な引っ張り応力、曲げ応力がかかることはない
ので、各接触部において熱的に良好な接続が維持され
る。また、半導体熱電素子１、２の放熱側（図示実施例
では下側）から吸熱側（図示実施例では上側）への熱貫
流は真空空間７により遮断される。
さらに、この真空空間７内における輻射による熱伝達
を防止するため、熱反射面である円筒ガラス管５及びベ
ースプレート３、４の内面に、例えばニッケル・クロー
ム（NiCr）等を蒸着してなるメタライズ層13を形成す
る。なお、14は半導体熱電素子１、２を直流電源又はア
ースに接続する電線、15は電線14を外部に接続するため
の気密端子である。
を防止するため、熱反射面である円筒ガラス管５及びベ
ースプレート３、４の内面に、例えばニッケル・クロー
ム（NiCr）等を蒸着してなるメタライズ層13を形成す
る。なお、14は半導体熱電素子１、２を直流電源又はア
ースに接続する電線、15は電線14を外部に接続するため
の気密端子である。
前述のように、半導体熱電素子１及び２に所定の直流
電流を流すことによりそれらの上下両平面に所望の温度
差を生じ、この実施例の場合、下側が放熱部、上側が吸
熱部となる。これにより、ベースプレート３側の被温度
制御部では吸熱・冷却作用が、ベースプレート４側の放
熱部では放熱作用がそれぞれ行われる。このような温度
差が生ずることにより、ベースプレート３、４間でも温
度差による熱膨張差が生ずる。一般に熱伝導率の高いベ
ースプレート３、４と熱伝導率の低いガラス管５とでは
熱膨張係数を異なるので、これらの間を機械的な剛結合
とすれば大きな熱応力に伴う熱歪み生ずることとなる
が、本発明では、インジュームパッキン８のインジュー
ム10の柔軟性によりガラス管５とベースプレート３、４
との間の熱膨張率差による応力を吸収することができ
る。尚、このようなインジュームパッキンを用いた気密
封止方法それ自体は、テレビカメラ等で公知の技術であ
る。
電流を流すことによりそれらの上下両平面に所望の温度
差を生じ、この実施例の場合、下側が放熱部、上側が吸
熱部となる。これにより、ベースプレート３側の被温度
制御部では吸熱・冷却作用が、ベースプレート４側の放
熱部では放熱作用がそれぞれ行われる。このような温度
差が生ずることにより、ベースプレート３、４間でも温
度差による熱膨張差が生ずる。一般に熱伝導率の高いベ
ースプレート３、４と熱伝導率の低いガラス管５とでは
熱膨張係数を異なるので、これらの間を機械的な剛結合
とすれば大きな熱応力に伴う熱歪み生ずることとなる
が、本発明では、インジュームパッキン８のインジュー
ム10の柔軟性によりガラス管５とベースプレート３、４
との間の熱膨張率差による応力を吸収することができ
る。尚、このようなインジュームパッキンを用いた気密
封止方法それ自体は、テレビカメラ等で公知の技術であ
る。
以上のように、本発明は熱電素子の放熱部或いは吸熱
部に接続される熱伝導性の高いベースプレートと、真空
密封するためのガラス管のような熱伝導性の低い包囲体
との間を、機械的に剛接合とせずに、ベースプレートと
包囲体との間にインジュームパッキンを挟んで軟接合と
したので、両者間に熱膨張差が生じても、ガラス管のよ
うな包囲体−スプレートの熱応力を都合良く吸収し、真
空密封性を良好に維持することができる。また、半導体
熱電素子相互間やこれらの素子とベースプレートとの間
は適度な圧力により良好に接触が維持される。
部に接続される熱伝導性の高いベースプレートと、真空
密封するためのガラス管のような熱伝導性の低い包囲体
との間を、機械的に剛接合とせずに、ベースプレートと
包囲体との間にインジュームパッキンを挟んで軟接合と
したので、両者間に熱膨張差が生じても、ガラス管のよ
うな包囲体−スプレートの熱応力を都合良く吸収し、真
空密封性を良好に維持することができる。また、半導体
熱電素子相互間やこれらの素子とベースプレートとの間
は適度な圧力により良好に接触が維持される。
図は、ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子１及び２
を二段に重ね合わせて実装した本発明の熱電素子モジュ
ールの一実施例を断面図で示すものである。 １、２……半導体熱電素子、 ３、４……ベースプレート、 ５……包囲体（円筒状ガラス管）、 ６……チップ管、 ７……密封空間、 ８……軟質金属の（インジューム）パッキン、 ９……ステンレスリング、 10……インジューム金属、 13……メタライズ層。
を二段に重ね合わせて実装した本発明の熱電素子モジュ
ールの一実施例を断面図で示すものである。 １、２……半導体熱電素子、 ３、４……ベースプレート、 ５……包囲体（円筒状ガラス管）、 ６……チップ管、 ７……密封空間、 ８……軟質金属の（インジューム）パッキン、 ９……ステンレスリング、 10……インジューム金属、 13……メタライズ層。
Claims (2)
- 【請求項１】ペルチェ効果を利用した半導体熱電素子
（１、２）の放熱部又は吸熱部を熱伝導率の高い金属製
のベースプレート（３、４）に接続し、熱伝導率の低い
材質からなる包囲体（５）で前記半導体熱電素子を包囲
するとともに、内部を真空とするように前記ベースプレ
ートに気密封止した熱電素子モジュールにおいて、前記
包囲体とベースプレートとの間に軟質金属のパッキン
（８）を介在させたことを特徴とする熱電素子モジュー
ル。 - 【請求項２】前記包囲体（５）の内面に輻射熱を反射す
るためのメタライズ層（13）が形成されている特許請求
の範囲第１項記載の熱電素子モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214169A JP2584785B2 (ja) | 1987-08-29 | 1987-08-29 | 熱電素子モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214169A JP2584785B2 (ja) | 1987-08-29 | 1987-08-29 | 熱電素子モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6459877A JPS6459877A (en) | 1989-03-07 |
| JP2584785B2 true JP2584785B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16651378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62214169A Expired - Fee Related JP2584785B2 (ja) | 1987-08-29 | 1987-08-29 | 熱電素子モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584785B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000274872A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Matsushita Refrig Co Ltd | 熱電モジュールを内蔵するマニホールド |
| JP2000274871A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Matsushita Refrig Co Ltd | 熱電装置、並びに、熱電マニホールド |
| JP4488778B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 熱電変換装置 |
| JP4287262B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2009-07-01 | 株式会社東芝 | 熱電変換装置 |
| DE102007035931A1 (de) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Anordnung für einen thermoelektrischen Generator |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4426445Y1 (ja) * | 1965-07-09 | 1969-11-06 | ||
| JPS5931995A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-21 | 本田技研工業株式会社 | 表示装置 |
| JPS60247187A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Citizen Watch Co Ltd | 腕時計のケ−スとガラスの固定構造 |
-
1987
- 1987-08-29 JP JP62214169A patent/JP2584785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6459877A (en) | 1989-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |