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JP2570123B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JP2570123B2
JP2570123B2 JP5195544A JP19554493A JP2570123B2 JP 2570123 B2 JP2570123 B2 JP 2570123B2 JP 5195544 A JP5195544 A JP 5195544A JP 19554493 A JP19554493 A JP 19554493A JP 2570123 B2 JP2570123 B2 JP 2570123B2
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浩樹 伊藤
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にワイヤーボンディングによって電気的に接続を行う薄
型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置において、半導体素子
と外部電極とを電気的に接合させる方法は、ＴＡＢ方
式、ワイヤーボンディング方式等がある。ＴＡＢ方式に
よる場合は、半導体素子上に設けられたバンプとＴＡＢ
テープのインナーリードを接合することで導通を実現さ
せている。ワイヤーボンディング方式による半導体装置
には、図５、図６に示すものがある。図５においてＴＡ
Ｂテープ７は、デバイスホールの片側をＩＣ固定用接着
材層９を介して、シート８で覆われている。半導体素子
１は、デバイスホールの中央にダイボンディングされ、
Ａｕワイヤー２でワイヤーボンディングされている。ま
た、ＴＡＢテープ７には、導体パターン固定接着層１０
導体パターン１５を有している。そして、移送成型法に
より、樹脂封止されている。さらに別の例である図６に
おいて、ＴＡＢテープ７は凹型に成型されており、凹部
は中央に半導体素子１を固着し、Ａｕワイヤー２でワイ
ヤーボンディングされている。封止樹脂３は凹部及びそ
の周辺をポッティング法により樹脂封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＴＡＢ方式
による半導体装置では、半導体素子上、あるいはインナ
ーリード部に、バンプを形成しなければならず、そのた
めには、高度な技術が必要であり、高価な設備を導入し
なければならない。図５、図６に示すワイヤーボンディ
ング方式による半導体装置は、技術的に容易で、高価な
設備も必要としない。しかし、図５に示す半導体装置で
は、移送成型法により樹脂封止を行っており、その封止
樹脂には、成型完了後、成型用金型から封止樹脂が離型
しやすい様にワックス等の離型材が添加されている。そ
のため封止樹脂と半導体素子、Ａｕワイヤー、外部電極
との密着力が低下し、耐湿性試験において短時間で腐食
がおきやすい。また図６に示す半導体装置では凹部を熱
プレスによって成型しており、ＴＡＢテープの導体パタ
ーンの近傍まで熱プレスにより凹形に成型される為、導
体パターンの位置精度を一定の範囲内に保つのが困難で
ある。また、熱プレスにより凹形に成型されたＴＡＢテ
ープの底面は、わん曲した形状になりやすく、ダイボン
ディング、ワイヤーボンディング性が劣化しやすいとい
う欠点を有している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
有機系絶縁性基板上に搭載された半導体素子と、前記有
機系絶縁性基板に貼付され、ＴＡＢテープを主構成部材
とする外部電極と、前記半導体素子の電極部と前記外部
電極とをボンディングするＡｕワイヤーとを含む半導体
装置であって、少なくとも前記半導体素子と前記Ａｕワ
イヤーとがスクリーン印刷樹脂部材で樹脂封止されてい
ることを特徴とするものである。また、有機系絶縁性基
板の表面に絶縁ペーストを塗付し、Ｐｄメッキ付ＴＡＢ
テープを貼り付け、また半導体素子をボンディングし、
次いで半導体素子の電極部とＰｄメッキ付一層ＴＡＢの
導体パターンとをＡｕワイヤーでボンディングし、これ
をスクリーン印刷によって樹脂封止することを特徴とす
る上記の半導体装置の製造方法である。
【０００５】
【作用】本発明においては、有機系絶縁性基板上に搭載
された半導体基板と有機系絶縁性基板に貼付されＴＡＢ
テープを主構成部材とする外部電極と半導体基板と外部
電極とをボンディングするＡｕワイヤーとを含む半導体
装置で、少なくとも前記半導体素子と前記ワイヤーとが
スクリーン印刷樹脂部材で樹脂封止されているもので、
薄型にでき、また、離型剤の添加を必要とせず、封止樹
脂と半導体素子、ワイヤー、リードとの密着力が低下す
ることもないので、高密着となり、高い耐湿性をえるこ
とができるものである。具体的には、半導体素子と半導
体素子を固着するための、絶縁ペーストを塗布した有機
系絶縁性基板に、半導体素子を囲む様に固着された、パ
ラジウムメッキ付一層ＴＡＢと、Ａｕワイヤーボンディ
ングにより電気的に接続された、半導体素子とパラジウ
ムメッキ付一層ＴＡＢをスクリーン印刷法により、樹脂
封止した樹脂成型部材を備えているので、薄型にでき、
また、離型剤の添加を必要とせず、封止樹脂と半導体素
子、Ａｕワイヤー、リードとの密着力が低下することも
ないので、高密着となり、高い耐湿性をえることができ
るものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は、本発明の一実施例の半導体装置の断
面図である。また図２は本発明の一実施例の半導体装置
の製造過程を示す概略図であり、製造過程順に説明す
る。まず、図２（ａ）の様に、エポキシ系で主に一液性
の樹脂を、絶縁ペースト６として有機系絶縁性基板５の
表面に一定の高さに塗布する。塗布はスクリーン印刷法
で行う。次に図２（ｂ）の様に、絶縁ペースト６を塗布
した有機系絶縁性基板５に、Ｐｄメッキ付ＴＡＢテープ
４を貼り付ける。その後図２（ｃ）の様に半導体素子１
を絶縁ペースト６に塗布した有機系絶縁性基板５の中央
にボンディングさせる。この状態の半完成品の半導体装
置を約１２０℃の恒温に保たれたベーク炉に３時間入れ
て、半導体素子と、Ｐｄメッキ付ＴＡＢテープ４とガラ
エポ基板を固着させる。続いて、図２（ｄ）の様にＡｕ
ワイヤーで、半導体素子１の電極部とＰｄメッキ付一層
ＴＡＢ４の導体パターンをワイヤーボンディングする。
【０００７】最後に、図２（ｅ）の様に有機性絶縁性基
板５より上方をスクリーン印刷法により、主に、一液性
エポキシ樹脂である封止樹脂３を印刷し、９５℃の恒温
に保たれたベーク炉に１０時間入れて、封止樹脂３を固
着させる。ここで有機系絶縁基板５の厚さは２００μ
ｍ、絶縁ペーストの厚さは３０μｍ、Ｐｄメッキ付一層
ＴＡＢテープ厚は７０μｍ、封止樹脂厚は３００μｍで
半導体装置の全体厚は６００μｍになる。図３は、スク
リーン印刷法による樹脂封止の概略図である。ここで
は、封止樹脂３を用いてボンディング済の半完成品の半
導体装置について説明する。ボンディング済半完成品の
半導体装置をテーブル１６にセットし、バキュームで固
定する。次にエポキシ系の一液性樹脂１３をスクリーン
上にのせ、スキージ１１を強く下方に押しながら、右か
ら左に移動させる。この時、樹脂１３がスクリーンメッ
シュ１２を必要量通過して半完成品の半導体装置を封止
する。スクリーン１７は、樹脂で作られており、スクリ
ーンの厚さの分だけ樹脂１３を塗布する。図４は、本発
明の第２の実施例の半導体装置の断面図である。ここで
は絶縁ペースト６を塗布した有機系絶縁基板５にパラジ
ウムメッキ付リードフレーム１８を貼り付けている。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、ワイヤーボンディングにより接続を行うに
もかかわらず薄型にできる。また、樹脂封止はスクリー
ン印刷法によって行うので、離型剤の添加を必要とせ
ず、封止樹脂と半導体素子、Ａｕワイヤー、リードとの
密着力が低下することはないので、高密着となり、高い
耐湿性を得ることができる。さらに、ＴＡＢテープを熱
プレス等で成形する必要がないので、ダイボンィング、
ワイヤーボンィング性が安定して実現できるという効果
を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の断面図
【図２】本発明の一実施例の半導体装置の製造過程を示
す概略図
【図３】スクリーン印刷法による樹脂封止の概略図
【図４】本発明の第２の実施例の断面図
【図５】従来の半導体装置の例を示す図
【図６】従来の半導体装置の例を示す図
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ Ａｕワイヤー ３ 封止樹脂 ４ パラジウムメッキ付一層ＴＡＢテープ ５ 有機系絶縁基板 ６ 絶縁ペースト ７ ＴＡＢテープ ８ シート ９ ＩＣ固定接着層 １０ 導体パターン固定接着層 １１ スキージ １２ スクリーンメッシュ １３ 樹脂 １４ 吸着穴 １５ 導体パターン １６ テーブル

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】有機系絶縁性基板上に搭載された半導体素
    子と、前記有機系絶縁性基板に貼付され、ＴＡＢテープ
    を主構成部材とする外部電極と、前記半導体素子の電極
    部と前記外部電極とをボンディングするＡｕワイヤーと
    を含む半導体装置であって、少なくとも前記半導体素子
    と前記Ａｕワイヤーとがスクリーン印刷樹脂部材で樹脂
    封止されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】有機系絶縁性基板の表面に絶縁ペーストを
    塗付し、Ｐｄメッキ付ＴＡＢテープを貼り付け、また半
    導体素子をボンディングし、次いで半導体素子の電極部
    とＰｄメッキ付一層ＴＡＢの導体パターンとをＡｕワイ
    ヤーでボンディングし、これをスクリーン印刷によって
    樹脂封止することを特徴とする請求項１に記載の半導体
    装置の製造方法。
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