JP2538239Y2 - 低周波増幅回路 - Google Patents
低周波増幅回路Info
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- JP2538239Y2 JP2538239Y2 JP1990100858U JP10085890U JP2538239Y2 JP 2538239 Y2 JP2538239 Y2 JP 2538239Y2 JP 1990100858 U JP1990100858 U JP 1990100858U JP 10085890 U JP10085890 U JP 10085890U JP 2538239 Y2 JP2538239 Y2 JP 2538239Y2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
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- 102000016550 Complement Factor H Human genes 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、低電圧源用の低周波増幅回路に関するもの
であり、大電流を出力し得ると共に電圧損失の少ない省
電力型の低周波増幅回路に係るものである。
であり、大電流を出力し得ると共に電圧損失の少ない省
電力型の低周波増幅回路に係るものである。
第２図は、従来の低周波増幅回路の一例を示す回路図
である。トランジスタQ10のコレクタは、電源電圧VCCに
接続され、そのエミッタがトランジスタQ11のコクレタ
に接続され、Q11のエミッタが接地されて低電圧用の低
周波増幅回路の出力段を形成している。周知の如く出力
端子20に負荷回路RL1が接続さ、負荷に大電流を流し込
む場合には、トランジスタQ10のコクレタ電流ICを大電
流とするべく、トランジスタQ10のベースにベース電流I
Bを多く流し込まねばならない。トランジスタQ12，Q13
は出力段のバイアス回路であり、10は入力端子である。
である。トランジスタQ10のコレクタは、電源電圧VCCに
接続され、そのエミッタがトランジスタQ11のコクレタ
に接続され、Q11のエミッタが接地されて低電圧用の低
周波増幅回路の出力段を形成している。周知の如く出力
端子20に負荷回路RL1が接続さ、負荷に大電流を流し込
む場合には、トランジスタQ10のコクレタ電流ICを大電
流とするべく、トランジスタQ10のベースにベース電流I
Bを多く流し込まねばならない。トランジスタQ12，Q13
は出力段のバイアス回路であり、10は入力端子である。
通常、この様な電力用の低周波増幅回路では、大電流
を得るために出力段がダーリントン回路で構成されてい
る。
を得るために出力段がダーリントン回路で構成されてい
る。
従来の低周波増幅回路では、大電流を取り扱う場合、
仮に出力段のトランジスタQ10にコレクタ電流ICとし100
mAの電流を供給しようとすると、（IB＝IC／HFE）（但
し、HFEは電流増幅率であり、HFEが50であるとする。）
の関係式からベース電流IBは約2mAとなり、従って、ト
ランジスタQ12のコレクタ電流として少なくとも2mAの電
流を用意する必要がある。しかし、PNPトランジスタに
よって充分な電流を供給するのは必ずしも容易ではな
く、たとえ用意できたとしても、常時、大電流を流さね
ばならないために省電力化には相応しくない。
仮に出力段のトランジスタQ10にコレクタ電流ICとし100
mAの電流を供給しようとすると、（IB＝IC／HFE）（但
し、HFEは電流増幅率であり、HFEが50であるとする。）
の関係式からベース電流IBは約2mAとなり、従って、ト
ランジスタQ12のコレクタ電流として少なくとも2mAの電
流を用意する必要がある。しかし、PNPトランジスタに
よって充分な電流を供給するのは必ずしも容易ではな
く、たとえ用意できたとしても、常時、大電流を流さね
ばならないために省電力化には相応しくない。
通常、このような低周波増幅回路では、出力段にダー
リントン回路を用いている場合が多いが、電源電圧VCC
が２〜３ボルトの場合には、ダーリントン回路を構成す
るトランジスタのベース・エミッタ間電圧VBEとコレク
タ・エミッタ間飽和電圧VCE(sat)によって、約1.6ボル
ト程度の電圧損失がある為に充分な振幅を得ることがで
きない欠点があり、低電圧電源の場合にはダーリントン
回路は使用することできない。
リントン回路を用いている場合が多いが、電源電圧VCC
が２〜３ボルトの場合には、ダーリントン回路を構成す
るトランジスタのベース・エミッタ間電圧VBEとコレク
タ・エミッタ間飽和電圧VCE(sat)によって、約1.6ボル
ト程度の電圧損失がある為に充分な振幅を得ることがで
きない欠点があり、低電圧電源の場合にはダーリントン
回路は使用することできない。
本考案は、上述の如き課題に基づいてなされたもの
で、その主な目的は、２〜３ボルトの低電圧源であって
負荷回路に100mA程度の大電流を出力し得ると共に、省
電力型の低周波増幅回路を提供するものである。
で、その主な目的は、２〜３ボルトの低電圧源であって
負荷回路に100mA程度の大電流を出力し得ると共に、省
電力型の低周波増幅回路を提供するものである。
本考案の低周波増幅回路は、出力段のトランジスタか
ら出力電流が供給される抵抗の端子間電圧によってバイ
アスされるトランジスタのコレクタが出力段のトランジ
スタのベースに接続さ、該抵抗によってバイアスされる
トランジスタと他のダイオード接続されたトランジスタ
とによって電流ミラー回路を構成していることを特徴と
する。
ら出力電流が供給される抵抗の端子間電圧によってバイ
アスされるトランジスタのコレクタが出力段のトランジ
スタのベースに接続さ、該抵抗によってバイアスされる
トランジスタと他のダイオード接続されたトランジスタ
とによって電流ミラー回路を構成していることを特徴と
する。
本考案の低周波増幅回路は、出力段のトランジスタに
正帰還を掛けて入力信号の振幅に応じて出力段のトラン
ジスタにベース電流を供給して、大電流を出力し得るよ
うになされたものである。
正帰還を掛けて入力信号の振幅に応じて出力段のトラン
ジスタにベース電流を供給して、大電流を出力し得るよ
うになされたものである。
第１図は、本考案に掛かる低周波増幅回路の一実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
図に於いて、トランジスタQ1とQ2は低周波増幅回路の
出力段Ａのトランジスタである。トランジスタQ1のエミ
ッタとトランジスタQ2のコレクタは接続され、その接続
点はカップリング・コンデンサＣを介して出力端子２に
接続さ、出力端子２にはスピーカ等の負荷回路RLが接続
される。トランジスタQ1のコレクタは抵抗R1が接続さ
れ、トランジスタQ2のエミッタは接地される。トランジ
スタQ1のベースは電流源用のトランジスタQ4のコレクタ
とダイオードD1のアノードに接続され、D1のカソードが
トランジスタQ3のコレクタに接続される。トランジスタ
Q4は定電流源３に接続されダイオード接続されたトラン
ジスタQ5とによって電流ミラー回路７を形成し、出力段
Ａのバイアス回路Ｂを構成している。トランジスタQ1の
コレクタと抵抗Ｒとの接続点はダイオード接続されたト
ランジスタQ6のエミッタに接続さ、そのコレクタ・ベー
スに定電流源５が接続される。トランジスタQ6はトラン
ジスタQ7とによって電流ミラー回路４を形成し、トラン
ジスタQ7のコレクタは、トランジスタQ1のベースに接続
される。
出力段Ａのトランジスタである。トランジスタQ1のエミ
ッタとトランジスタQ2のコレクタは接続され、その接続
点はカップリング・コンデンサＣを介して出力端子２に
接続さ、出力端子２にはスピーカ等の負荷回路RLが接続
される。トランジスタQ1のコレクタは抵抗R1が接続さ
れ、トランジスタQ2のエミッタは接地される。トランジ
スタQ1のベースは電流源用のトランジスタQ4のコレクタ
とダイオードD1のアノードに接続され、D1のカソードが
トランジスタQ3のコレクタに接続される。トランジスタ
Q4は定電流源３に接続されダイオード接続されたトラン
ジスタQ5とによって電流ミラー回路７を形成し、出力段
Ａのバイアス回路Ｂを構成している。トランジスタQ1の
コレクタと抵抗Ｒとの接続点はダイオード接続されたト
ランジスタQ6のエミッタに接続さ、そのコレクタ・ベー
スに定電流源５が接続される。トランジスタQ6はトラン
ジスタQ7とによって電流ミラー回路４を形成し、トラン
ジスタQ7のコレクタは、トランジスタQ1のベースに接続
される。
バイアス回路Ｂは種々の回路があり、実施例に限定す
るものではない。又、電流ミラー回路4,7もまた実施例
に限定するものではなく、公知の種々の回路が実施し得
る。
るものではない。又、電流ミラー回路4,7もまた実施例
に限定するものではなく、公知の種々の回路が実施し得
る。
無論、図示されていないが、トランジスタQ7のエミッ
タと電源電圧端子６間に抵抗を付加して帰還電流を調整
してもよい。
タと電源電圧端子６間に抵抗を付加して帰還電流を調整
してもよい。
次に、本考案の低周波増幅回路の動作について説明す
る。通常、低周波増幅回路の出力段のトランジスタに
は、クロスオーバー歪みの発生を防ぐべく微小電流が流
されているが、無視して説明する。
る。通常、低周波増幅回路の出力段のトランジスタに
は、クロスオーバー歪みの発生を防ぐべく微小電流が流
されているが、無視して説明する。
入力端子１からは、所定のバイアス電流iBに信号電流
（±Δｉ）が重畳されたベース電流（iB±Δｉ）がトラ
ンジスタQ2，Q3のベースに供給されると、トランジスタ
Q3のコレクタ電流とし（IC±ΔＩ）の電流が流れる。
（±Δｉ）が重畳されたベース電流（iB±Δｉ）がトラ
ンジスタQ2，Q3のベースに供給されると、トランジスタ
Q3のコレクタ電流とし（IC±ΔＩ）の電流が流れる。
さて、バイアス電流iBに重畳された半サイクルの信号
成分（＋Δｉ）がトランジスタQ3のベースに供給される
と、電流源用トランジスタQ4からのコレクタ電流IS1が
トランジスタQ3のコレクタ電流として吸い込まれる。従
って、トランジスタQ1のベース電流IB1の信号成分は抑
制され、そのコクレタ電流IC1は減少し、信号成分は零
となる。一方、トランジスタQ2のベースに供給されるベ
ース電流（iB＋Δｉ）は、トランジスタQ2によって増幅
され、出力端子２からカップリング・コンデンサＣを介
して信号成分Δｉに電流増幅率HFEを乗じた値のコレク
タ電流IC2が引き込まれ、信号成分の半サイクルの出力
が得られる。
成分（＋Δｉ）がトランジスタQ3のベースに供給される
と、電流源用トランジスタQ4からのコレクタ電流IS1が
トランジスタQ3のコレクタ電流として吸い込まれる。従
って、トランジスタQ1のベース電流IB1の信号成分は抑
制され、そのコクレタ電流IC1は減少し、信号成分は零
となる。一方、トランジスタQ2のベースに供給されるベ
ース電流（iB＋Δｉ）は、トランジスタQ2によって増幅
され、出力端子２からカップリング・コンデンサＣを介
して信号成分Δｉに電流増幅率HFEを乗じた値のコレク
タ電流IC2が引き込まれ、信号成分の半サイクルの出力
が得られる。
又、バイアス電流iBに重畳された半サイクルの信号成
分（−Δｉ）が入力端子１に供給されたとすると、トラ
ンジスタQ3のコレクタ電流として、（IS1−ΔＩ）の電
流がトランジスタQ3に引き込まれる。同時にトランジス
タQ1のベースには、略信号成分ΔＩであるベース電流I
B1が供給され、信号成分ΔＩの電流増幅率HFEを乗じた
値のコクレタ電流IC1がトランジスタQ1のコレクタから
カップリング・コンデンサＣを介して負荷回路RLに流れ
る。
分（−Δｉ）が入力端子１に供給されたとすると、トラ
ンジスタQ3のコレクタ電流として、（IS1−ΔＩ）の電
流がトランジスタQ3に引き込まれる。同時にトランジス
タQ1のベースには、略信号成分ΔＩであるベース電流I
B1が供給され、信号成分ΔＩの電流増幅率HFEを乗じた
値のコクレタ電流IC1がトランジスタQ1のコレクタから
カップリング・コンデンサＣを介して負荷回路RLに流れ
る。
しかしながら電流源用トランジスタQ4はPNPトランジ
スタである為、大きな出力を得難い。本願考案の低周波
増幅回路では、NPNトランジスタQ4の電流供給不足によ
って電流ミラー回路７から供給される電流が不足する為
に、トランジスタQ1のコクレタ電流IC1を抵抗R1に流
し、抵抗R1の端子間電圧（R1・IC1）によって電流ミラ
ー回路４のトランジスタQ7をバイアスしてそのコレクタ
電流IB2をトランジスタQ1のベース電流IB1に加算して、
供給し、不足分を補いトランジスタQ1のコレクタ電流I
C1として大電流が流れる得るようにしたものである。
スタである為、大きな出力を得難い。本願考案の低周波
増幅回路では、NPNトランジスタQ4の電流供給不足によ
って電流ミラー回路７から供給される電流が不足する為
に、トランジスタQ1のコクレタ電流IC1を抵抗R1に流
し、抵抗R1の端子間電圧（R1・IC1）によって電流ミラ
ー回路４のトランジスタQ7をバイアスしてそのコレクタ
電流IB2をトランジスタQ1のベース電流IB1に加算して、
供給し、不足分を補いトランジスタQ1のコレクタ電流I
C1として大電流が流れる得るようにしたものである。
因に、電流ミラー回路４は、通常定電流源５を介して
微小電流ISが流されており、トランジスタQ6とQ7の夫々
のベースと電源電圧端子６間の電圧の関係は、トランジ
スタQ6とQ7のベース・エミッタ間電圧VBE6，VBE7と抵抗
R1の端子間電圧Vaは次式のように表される。
微小電流ISが流されており、トランジスタQ6とQ7の夫々
のベースと電源電圧端子６間の電圧の関係は、トランジ
スタQ6とQ7のベース・エミッタ間電圧VBE6，VBE7と抵抗
R1の端子間電圧Vaは次式のように表される。
VBE6＋Va＝VBE7 VBE6＋R1・IS＝VBE7 ……（１） （但し、R1は抵抗R1の抵抗値） 従って、入力信号によりトランジスタQ1のコレクタ電
流IC1が増大すれば、抵抗R1の端子間電圧Vaは大きくな
って（１）式に基づいてトランジスタQ7のベース・エミ
ッタ間電圧VBE7が増大し、トランジスタQ7のコレクタ電
流IB2は増大してトランジスタQ1に正帰還が掛り、その
コレクタ電流IC1が増大して大電力を出力し得る。
流IC1が増大すれば、抵抗R1の端子間電圧Vaは大きくな
って（１）式に基づいてトランジスタQ7のベース・エミ
ッタ間電圧VBE7が増大し、トランジスタQ7のコレクタ電
流IB2は増大してトランジスタQ1に正帰還が掛り、その
コレクタ電流IC1が増大して大電力を出力し得る。
無論、入力信号の振幅レベルに応じてコレクタ電流I
C1が減衰すればトランジスタQ7のコレクタ電流IB2も減
衰し入力信号の振幅に応じて出力も振動する。
C1が減衰すればトランジスタQ7のコレクタ電流IB2も減
衰し入力信号の振幅に応じて出力も振動する。
本考案の低周波増幅回路は、その出力段に入力信号の
振幅レベルに応じて出力段のトランジスタのベースにベ
ース電流を供給する正帰還回路を具えている為に出力に
歪みを発生させることなく、２〜３ボルトの低電圧源で
あっても電圧損失が少なく、而も大電流を出力し得るき
わめて効果的な低周波増幅回路である。
振幅レベルに応じて出力段のトランジスタのベースにベ
ース電流を供給する正帰還回路を具えている為に出力に
歪みを発生させることなく、２〜３ボルトの低電圧源で
あっても電圧損失が少なく、而も大電流を出力し得るき
わめて効果的な低周波増幅回路である。
又、本考案の低周波増幅回路は、出力段のトランジス
タのバイアス回路のバイアス電流を大出力に合わせてバ
イアス電流値を設定する必要がなく極めて省電力化が可
能である。
タのバイアス回路のバイアス電流を大出力に合わせてバ
イアス電流値を設定する必要がなく極めて省電力化が可
能である。
第１図は、本考案に係る低周波増幅回路の一実施例を説
明する為の回路図、第２図は、従来の低周波増幅回路の
一例を示す回路図である。 1:入力端子,2:出力端子,3,5:定電流源,4,7:電流ミラー
回路,6:電源電圧端子,A:出力段,B:バイアス回路
明する為の回路図、第２図は、従来の低周波増幅回路の
一例を示す回路図である。 1:入力端子,2:出力端子,3,5:定電流源,4,7:電流ミラー
回路,6:電源電圧端子,A:出力段,B:バイアス回路
Claims (1)
- 【請求項１】第１のトランジスタのコレクタに抵抗が接
続され、第１のトランジスタのエミッタに第２のトラン
ジスタのコレクタが接続され、第２のトランジスタのエ
ミッタが接地され、該第１のトランジスタのエミッタと
該第２のトランジスタのコレクタの接続点から出力を得
る出力段と、該出力段の第１と第２のトランジスタのベ
ースにバイアス電流に重畳された信号電流を供給するバ
イアス回路と、該第１のトランジスタのコレクタと該抵
抗との接続点にエミッタを接続されると共にダイオード
接続され、コレクタを定電流源に接続された第３のトラ
ンジスタと第１のトランジスタのベースにコレクタを接
続されてミラー電流を供給する第４のトランジスタから
なる電流ミラー回路とを含むことを特徴とする低周波増
幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100858U JP2538239Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 低周波増幅回路 |
| US08/531,063 US5717684A (en) | 1990-01-29 | 1995-09-20 | Disk cartridge having chamfered wall portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100858U JP2538239Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 低周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457912U JPH0457912U (ja) | 1992-05-19 |
| JP2538239Y2 true JP2538239Y2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=31843829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990100858U Expired - Lifetime JP2538239Y2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-09-26 | 低周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538239Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559105U (ja) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP1990100858U patent/JP2538239Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457912U (ja) | 1992-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |