JP2517559B2 - 光磁気情報記録装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は光磁気記録媒体に光ビームを照射するととも
に、照射部にバイアス磁界を印加し、該媒体に情報を記
録又は媒体に記録された情報を消去する光磁気情報記録
装置に係り、特にバイアス磁界印加手段として電磁石を
用いる装置に関する。

〔従来技術〕

光磁気情報記録装置は書き換えのできる大容量のメモ
リーとして近年さかんに研究が行なわれている。これに
用いる光磁気記録媒体としてはデイスク形態のもの（光
磁気デイスク）が多く用いられている。光磁気デイスク
はガラス、プラスチツク等の基板上に垂直磁化膜を形成
して成る。また、この垂直磁化膜は一方向に磁化方向を
そろえられる。情報を記録するに当っては、情報信号に
よってデジタル的に変調されたレーザビームを垂直磁化
膜に照射して、垂直磁化膜の温度をキユリー点以上にす
る。そうするとレーザビームの照射された部分は磁化方
向がなくなり、冷却されるとき外部から印加される直流
バイアス磁界によって磁化方向を周囲と逆にして再び磁
化される。こうして情報に応じた信号ピツト列が生成さ
れる。

光磁気デイスク上に記録された情報を読み取るために
は垂直磁化膜に読取用レーザビームを照射し垂直磁化膜
の磁化方向の相異により反射ビームの偏光面の方向が変
わる磁化カー効果を利用して読み取っている。記録ピツ
トを消去する場合には記録ピツト列上をトラッキングし
ながらレーザビームを記録ピツト部分に照射し、記録ピ
ツトと反対方向の磁化方向の直流バイアス磁界をかけ再
び垂直磁化膜の磁化方向をそろえる。

上記の直流バイアス磁界は当然の事ながら記録時と消
去時において磁化方向を切り換える必要がある。一般に
直流バイアス磁界を発生させる方法としては、永久磁石
を用いる方法と電磁石を用いる方法があるが、永久磁石
を用いる方法では磁化を反転させる機構が必要なこと
と、磁化を反転させるのに時間がかかる欠点があるた
め、通常は電磁石を用いることが多い。

第８図は従来より一般的に用いられている電磁石を使
用した光磁気情報記録装置の斜視図である。

同図においてバイアス磁界印加手段21は主ヨーク22と
その両側に配置されたサイドヨーク23,24と主ヨーク2
2、サイドヨーク23,24の一端を結合するヨーク板26およ
び主ヨーク22に巻かれたコイル25から成っている。主ヨ
ーク22はコイル巻きが簡単になるようにＴ字型になって
いる。

バイアス磁界印加手段21は光磁気デイスク28に対して
光ヘツド27の反対側にかつ主ヨーク22の長手方向が光磁
気デイスク28の半径方向と一致するように配置されてい
る。光ヘツド27は半導体レーザ等の光源と、この光源か
ら射出した光ビームを光磁気デイスク28上に集光させる
対物レンズ等を含み、不図示の機構によって光磁気デイ
スクの半径方向に移動される。

しかし以上説明した構成においては主ヨーク22から出
た磁力線は空気中を通ってサイドヨーク23,24に入るた
め補助磁界印加装置によって生じる磁束のほんのわずか
しか光磁気デイスク28の記録すべき部分には集中せず、
必要な磁場の強さを得るために大きな電流を流したりコ
イルを数百ターンも巻く必要があった。

また大きな電流を流すためには大型で高価な電源が必
要であり、温度上昇も無視できなくなる。さらに巻き数
を増す場合には補助磁界印加装置の大型化は避けられ
ず、巻き数に応じてコイルのリアクタンスも増加し記録
から消去又はその逆の切り換えのための時間が長くなる
等の欠点があった。

〔発明の概要〕 本発明の目的は、バイアス磁界の磁束を光磁気記録媒
体の記録部に集中させ、効率の良い記録或いは消去が可
能な光磁気情報記録装置を提供することにある。

本発明の目的は、光磁気記録媒体に光ビームを照射す
る手段及び前記光ビームの照射部分に近接して前記媒体
に空間を介して直接対面して設けられた、コイルが巻回
された第１の突出部と前記第１の突出部の両側に、前記
媒体面に沿った方向に離れて設けられた２つの第２の突
出部とを有するヨークを含むバイアス磁界印加手段とか
らなる光磁気情報記録装置において、 前記ヨークの第２の突出部夫々は、前記媒体に近い側
で前記第１の突出部に向かって折れ曲がった略Ｌ字形状
をしていると共に前記ヨークの第１の突出部と前記光磁
気記録媒体との間の距離をｄ、前記ヨークの第２の突出
部夫々の前記媒体に近い側の第１の突出部からの距離を
δとした時に、条件0.5d≦δ≦5dを満足するように構成
されていることによって達成される。

〔実施例」 以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の光磁気情報記録装置の一実施例の概
略構成を示す斜視図である。ここで、バイアス磁界印加
手段１は主ヨーク２とその両側に配置されたサイドヨー
ク3,4と主ヨーク２、サイドヨーク3,4の一端を結合する
ヨーク板６および主ヨーク２に巻かれたコイル５から成
っている。バイアス磁界印加手段１は光磁気デイスク８
に対して該媒体に光ビームを照射する光ヘツド７の反対
側に、かつ主ヨーク２の長手方向が光磁気デイスク８の
半径方向と一致するように、更に光磁気ディスク８に対
して空間を介して直接対面して配置されている。主ヨー
ク２、サイドヨーク3,4、ヨーク板は例えば電磁軟鉄等
の純鉄或いはSi-Fe,Ni-Fe等の鉄系合金等の磁性体で作
られ、コイル５は線径φ0.3〜0.6mm程度の銅線が300〜1
000ターン程度巻かれ接着剤等で固定されている。コイ
ル５に電流を流すと、主ヨーク２に光磁気デイスク８の
媒体面に垂直な方向の直流バイアス磁界が発生する。主
ヨーク２はコイル５を巻きやすいようにＴ字型の形状に
なっている。サイドヨーク3,4は光磁気記録媒体側の部
分が主ヨーク側に伸びたＬ字型の形状となっている。

第２図は第１図示の光磁気情報記録装置の断面図を示
したものである。図中、斜線部は光磁気デイスク８の断
面を示している。第３図は、第２図におけるδつまり主
ヨーク２とサイドヨーク３および４との距離と光磁気媒
体上のスポツト位置における磁束密度Ｂの関係を示した
グラフであり、横軸が距離δ、縦軸が磁束密度Ｂであ
る。

第３図においてδが０に近い場合には主ヨーク２から
出た磁束はほんど光磁気媒体まで届かずにサイドヨーク
3,4に入るためＢは小さくなる。またδ＝Ｌ、つまり従
来例の場合には逆に主ヨーク２とサイドヨーク3,4との
距離が大きくなり過ぎて、磁束が集中せずにＢは下がっ
てしまう。

もっとも高い磁束の得られるδの値δmaxは、第２図
に示す主ヨーク２と光磁気媒体８との距離ｄによっても
変化するし、駆動電流Ｉによっても変化する。第４図に
ｄの値を変化させた時のδとＢの関係を示す。又、第６
図にδmaxとｄの関係を示す。ｄが大きい時、つまり主
ヨークから離れた場所では、デイスク方向への漏れ磁束
が多い方がデイスクに垂直な方向の磁束密度が大きくな
るため、δが大きい方がよく、δmaxは大きくなる。

第５図にはコイルに流す電流Ｉを変化させた時のδと
Ｂの関係、第７図にδmaxとＩとの関係を示す。Ｉが大
きければそれだけ発生する磁束が大きくなり、漏れ磁束
も大きいため、δをある程度大きくした方が媒体面上で
大きな磁束密度を得ることができる。

このようにd,Iの変化により、δmaxの値は変化する
が、ｄつまりバイアス磁石と記録媒体の距離は、記録媒
体保護のために透明層の厚さやデイスクの最大面ブレ量
等により最小値は決まり、効率を良くするためには、こ
の最小値付近で使用することになる。例えば透明層の厚
みを1.2mm、デイスクの最大面ブレ量を0.4mm程度とする
とｄは２〜3mm程度になる。

一方、コイルに流す電流Ｉに関しては、消去磁界の発
生時つまり最大電流を流す場合に最も効率の良いδmax
の値を選ぶべきである。この場合、記録磁界の発生時に
は電流Ｉは消去磁界発生時よりも小さいため、多少効率
が悪くなるが、消去時により高い磁界強度が求められる
ことを考慮すると、上述のように最大電流を流す時に最
適なδmaxを選んだほうが良い。

第６図におけるｄとδmaxの関係は、一般な消去磁界
（媒体面上で300〜500ガウス）発生時の場合である。こ
の時のｄとδmaxの関係はほぼδmax＝ｄと近似すること
ができる。つまり消去磁界発生時には主ヨークとサイド
ヨークの間の距離δをバイアス磁石と記録媒体の距離ｄ
にほぼ等しくした時に最大の磁界が得られる。しかし、
消去磁界の強さは、記録媒体の感度、レーザパワー、さ
らには装置の構成等により大きく変化する可能性があ
り、その変化を考慮に入れると、δの値は0.5dから5dの
間で様々な条件に応じて最適な値を選択することが望ま
しい。δ＝0.5d、或いはδ＝5dとした場合の磁界強度
は、δ＝ｄの場合に得られる最大磁界強度の75％程度と
なる。

逆にこの範囲内であれば、多少条件や構成が変わって
も著しく効率の悪い構成にはならず光磁気媒体面上でか
なり効率よく磁束を集中させることができる。

また、上記の実施例ではデイスク状記録媒体を使用し
た場合について記述したが、カード状の光磁気記録媒体
を用いる装置にも本発明を適用することができる。一般
にバイアス磁界印加手段は使用する記録媒体の形状およ
び光ヘツドの記録媒体上へのアクセスの方法によりその
大きさ、構成が決められ、主ヨークの形状も装置にあわ
せて種々変化する。これは、装置ごとに記録媒体上に要
求される磁界の強さ、広がりが微妙に違うためである。
しかしそのような種々の光磁気情報記録装置においても
本発明の構造が適用できることは明らかである。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明によればコイルのタ
ーン数、電流値などを変えずにヨークの形状を変えるだ
けで磁束をより集中させることができ、より効率の高い
光磁気情報記録装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づく光磁気情報記録装置の一実施例
の概略構成を示す斜視図、第２図は第１図示の装置の略
断面図、第３図乃至第５図は夫々突出部間の距離と媒体
の記録部における磁束密度との関係を示す図、第６図は
最も高密度の磁束が得られる突出部間の距離と、ヨーク
及び媒体間の距離との関係を示す図、第７図は最も高密
度の磁束が得られる突出部間の距離と、コイルに流す電
流との関係を示す図、第８図は従来の光磁気情報記録装
置の概略構成を示す斜視図である。 １……バイアス磁界印加手段、２……主ヨーク、3,4…
…サイドヨーク、５……コイル、６……ヨーク板、７…
…光ヘツド、８……光磁気デイスク。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気記録媒体に光ビームを照射する手段
   及び前記光ビームの照射部分に近接して前記媒体に空間
   を介して直接対面して設けられた、コイルが巻回された
   第１の突出部と前記第１の突出部の両側に、前記媒体面
   に沿った方向に離れて設けられた２つの第２の突出部と
   を有するヨークを含むバイアス磁界印加手段とからなる
   光磁気情報記録装置において、 前記ヨークの第２の突出部夫々は、前記媒体に近い側で
   前記第１の突出部に向かって折れ曲がった略Ｌ字形状を
   していると共に前記ヨークの第１の突出部と前記光磁気
   記録媒体との間の距離をｄ、前記ヨークの第２の突出部
   夫々の前記媒体に近い側の第１の突出部からの距離をδ
   とした時に、条件0.5d≦δ≦5dを満足するように構成さ
   れていることを特徴とする光磁気情報記録装置。