JP2501583Y2 - Lsiのヒ―トシンク取付構造 - Google Patents
Lsiのヒ―トシンク取付構造Info
- Publication number
- JP2501583Y2 JP2501583Y2 JP1990030316U JP3031690U JP2501583Y2 JP 2501583 Y2 JP2501583 Y2 JP 2501583Y2 JP 1990030316 U JP1990030316 U JP 1990030316U JP 3031690 U JP3031690 U JP 3031690U JP 2501583 Y2 JP2501583 Y2 JP 2501583Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lsi
- assembly
- heat sink
- heat
- mounting structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はLSIのヒートシンク構造に関する。
従来、この種のLSIのヒートシンク取付構造は第7図
に示すように、銀粒子等の熱伝導性のフィラーの入った
接着剤51でLSIケース52とヒートシンク53とを接着した
ものである。
に示すように、銀粒子等の熱伝導性のフィラーの入った
接着剤51でLSIケース52とヒートシンク53とを接着した
ものである。
上述した従来のヒートシンク取付構造は、接着構造で
あるため、ヒートシンク53が取外しできず、フラットパ
ックなどの表面実装型部品のプリント板両面搭載時の組
立において、片面に部品搭載後の裏面搭載時にヒートシ
ンク53による凹凸があり、プリント板の保持が難しく、
部品装着時や半田付け時に障害となる。
あるため、ヒートシンク53が取外しできず、フラットパ
ックなどの表面実装型部品のプリント板両面搭載時の組
立において、片面に部品搭載後の裏面搭載時にヒートシ
ンク53による凹凸があり、プリント板の保持が難しく、
部品装着時や半田付け時に障害となる。
また、半導体素子の高集積化による発熱量の増大に対
し、ヒートシンクが大型化しており、ヒートシンクの熱
容量が大きくなったため、半田付け工程の加熱むらが生
じ、半田付け工程の障害となっている。
し、ヒートシンクが大型化しており、ヒートシンクの熱
容量が大きくなったため、半田付け工程の加熱むらが生
じ、半田付け工程の障害となっている。
また、フラットパック型のLSIケースでは、半田付け
と半田付け検査のため、リードを目視検査する必要があ
り、LSIケースより大きく、リードを隠すようなヒート
シンクをつけることができなかった。
と半田付け検査のため、リードを目視検査する必要があ
り、LSIケースより大きく、リードを隠すようなヒート
シンクをつけることができなかった。
本考案の目的は前記課題を解決したLSIのヒートシン
ク取付構造を提供することにある。
ク取付構造を提供することにある。
前記目的を達成するため、本考案に係るLSIのヒート
シンク取付構造においては、LSI組立体と、ヒートシン
ク組立体との組合せからなるLSIのヒートシンク取付け
構造であって、 前記LSI組立体は、発熱するLSIを含み、その放熱面
に、断面形状が略鳩尾状に形成された複数の円弧状スリ
ットを同一円上に配列して設けたものであり、該円弧状
スリットはその始端側に大径の案内孔を備えており、 前記ヒートシンク組立体は、前記LSI組立体の放熱面
に搭載されて放熱作用を行うものであり、前記LSI組立
体の円弧状スリットにそれぞれ差込むスタッドと、該ス
タッドの軸端に一体に取付けられ、前記大径の案内孔よ
り円弧状スリット内に誘導される鍔部とを有しており、 前記LSI組立体とヒートシンク組立体とを相対回動さ
せることにより、前記スタッドの鍔部を前記円弧状スリ
ットの開口縁内端に係止させて前記LSI組立体に前記ヒ
ートシンク組立体を脱着可能に密着締結したものであ
る。
シンク取付構造においては、LSI組立体と、ヒートシン
ク組立体との組合せからなるLSIのヒートシンク取付け
構造であって、 前記LSI組立体は、発熱するLSIを含み、その放熱面
に、断面形状が略鳩尾状に形成された複数の円弧状スリ
ットを同一円上に配列して設けたものであり、該円弧状
スリットはその始端側に大径の案内孔を備えており、 前記ヒートシンク組立体は、前記LSI組立体の放熱面
に搭載されて放熱作用を行うものであり、前記LSI組立
体の円弧状スリットにそれぞれ差込むスタッドと、該ス
タッドの軸端に一体に取付けられ、前記大径の案内孔よ
り円弧状スリット内に誘導される鍔部とを有しており、 前記LSI組立体とヒートシンク組立体とを相対回動さ
せることにより、前記スタッドの鍔部を前記円弧状スリ
ットの開口縁内端に係止させて前記LSI組立体に前記ヒ
ートシンク組立体を脱着可能に密着締結したものであ
る。
また、本考案においては、前記ヒートシンク組立体
は、該ヒートシンク組立体の受熱面を前記LSI組立体の
放熱面に密着させるスプリングを装備しているものであ
り、前記LSI組立体は、LSIの搭載位置を中心とした軌跡
の同一円上に前記複数の円弧状スリットを配列して設け
たものである。
は、該ヒートシンク組立体の受熱面を前記LSI組立体の
放熱面に密着させるスプリングを装備しているものであ
り、前記LSI組立体は、LSIの搭載位置を中心とした軌跡
の同一円上に前記複数の円弧状スリットを配列して設け
たものである。
以下、本考案の一実施例を図により説明する。
第1図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第2図は
スタッドとスプリングとの関係を示す図、第3図は第1
図のIII-III矢視図、第4図は第3図のIV-IV線断面図、
第5図は第3図のV−V線断面図、第6図(a),
(b)は組立順序を示す断面図である。
スタッドとスプリングとの関係を示す図、第3図は第1
図のIII-III矢視図、第4図は第3図のIV-IV線断面図、
第5図は第3図のV−V線断面図、第6図(a),
(b)は組立順序を示す断面図である。
図において、本考案に係るLSIのヒートシンク取付け
構造は、LSI組立体10とヒートシンク組立体20との組合
せからなる。
構造は、LSI組立体10とヒートシンク組立体20との組合
せからなる。
LSI組立体10は、プリント板1に電気的に接続するリ
ード12を備えたLSIケース11と、LSIケース11の凹部11a
内に実装され、リード12に電気的に接続されたLSI素子1
4と、凹部11aを気密に封止するキャップ17と、LSIケー
ス11の上面に熱伝導性接着剤13に接着されたベース15と
を含む。
ード12を備えたLSIケース11と、LSIケース11の凹部11a
内に実装され、リード12に電気的に接続されたLSI素子1
4と、凹部11aを気密に封止するキャップ17と、LSIケー
ス11の上面に熱伝導性接着剤13に接着されたベース15と
を含む。
LSI組立体10は、ベース15の上面の放熱面15aに、発熱
するLSI素子14の搭載位置を中心Gとして半径Rの同一
円S上に複数(実施例では2個)の円弧状スリット16,1
6を配列して設けてある。円弧状スリット16,16は断面形
状が略鳩尾状に形成され、その上面開口縁部16aの巾が
狭くなっており、その始端側に大径の案内孔18が設けら
れている。
するLSI素子14の搭載位置を中心Gとして半径Rの同一
円S上に複数(実施例では2個)の円弧状スリット16,1
6を配列して設けてある。円弧状スリット16,16は断面形
状が略鳩尾状に形成され、その上面開口縁部16aの巾が
狭くなっており、その始端側に大径の案内孔18が設けら
れている。
ヒートシンク組立体20は、ヒートシンク21と、LSI組
立体10のスリット16に差込むスタッド22と、スタッド22
の下端軸端に一体に取付けられ、大径の案内孔18よりス
リット16内に誘導される鍔部22aとを有している。
立体10のスリット16に差込むスタッド22と、スタッド22
の下端軸端に一体に取付けられ、大径の案内孔18よりス
リット16内に誘導される鍔部22aとを有している。
LSI組立体10とヒートシンク組立体20とを相対回動さ
せることにより、スタッド22の鍔部22aを円弧状スリッ
ト16の開口縁内端16bに係止させてLSI組立体10とヒート
シンク組立体20とを脱着可能に締結する。
せることにより、スタッド22の鍔部22aを円弧状スリッ
ト16の開口縁内端16bに係止させてLSI組立体10とヒート
シンク組立体20とを脱着可能に締結する。
また、ヒートシンク組立体20は、ヒートシンク組立体
20の受熱面20aをLSI組立体10の放熱面15aに圧着させる
スプリング23を備えており、スプリング23はその両端が
スタッド22の鍔部22aに係止され、その中央部にスリッ
ト16の開口縁内端16bに弾接して反力を生じさせる作用
部23aが形成されている。
20の受熱面20aをLSI組立体10の放熱面15aに圧着させる
スプリング23を備えており、スプリング23はその両端が
スタッド22の鍔部22aに係止され、その中央部にスリッ
ト16の開口縁内端16bに弾接して反力を生じさせる作用
部23aが形成されている。
実施例において、第6図(a)に示すように、スリッ
ト16の案内孔18にスタッド22の鍔部22aを位置合せし
て、スタッド22の鍔部22aをスリット16内に差込む。次
に、LSI組立体10とヒートシンク組立体20とを第1図の
P方向に相対回動させることにより、スプリング23の作
用部23aを圧縮しつつスタッド22の鍔部22aをスリット16
の開口縁内端16bに係止させる。スプリング23の作用部2
3aが圧縮されることによる反力が作用して、ヒートシン
ク組立体20の受熱面20aとLSI組立体10の放熱面15aとの
間の隙間がなくなって圧着し、LSI素子14からの熱はヒ
ートシンク21より外部に放出される。
ト16の案内孔18にスタッド22の鍔部22aを位置合せし
て、スタッド22の鍔部22aをスリット16内に差込む。次
に、LSI組立体10とヒートシンク組立体20とを第1図の
P方向に相対回動させることにより、スプリング23の作
用部23aを圧縮しつつスタッド22の鍔部22aをスリット16
の開口縁内端16bに係止させる。スプリング23の作用部2
3aが圧縮されることによる反力が作用して、ヒートシン
ク組立体20の受熱面20aとLSI組立体10の放熱面15aとの
間の隙間がなくなって圧着し、LSI素子14からの熱はヒ
ートシンク21より外部に放出される。
また、LSI組立体10とヒートシンク組立体20とを前記
と逆方向に相対回動させてスタッド22の鍔部22aとスリ
ット16の開口縁内端16bとの係止状態を解除すれば、LSI
組立体10からヒートシンク組立体20を分離することが可
能となる。
と逆方向に相対回動させてスタッド22の鍔部22aとスリ
ット16の開口縁内端16bとの係止状態を解除すれば、LSI
組立体10からヒートシンク組立体20を分離することが可
能となる。
尚、実施例ではスプリング23によりヒートシンク組立
体20とLSI組立体10とを密着させたが、スプリング23を
使用せずに、ヒートシンク組立体20とLSI組立体10との
摺り合わせにより密着させるようにしてもよい。
体20とLSI組立体10とを密着させたが、スプリング23を
使用せずに、ヒートシンク組立体20とLSI組立体10との
摺り合わせにより密着させるようにしてもよい。
以上説明したように本考案はヒートシンク組立体が脱
着可能であるため、ヒートシンク組立体を取外して部品
装着時や半田付け時の作業を行うことができ、しかもLS
Iケースより大径のヒートシンクを用いても半田付けや
検査による支障を与えることがない。さらにヒートシン
ク組立体とLSI組立体とを密着させるため、熱の授受損
失を少なくでき、有効に放熱でき、しかも、LSIの搭載
位置に対応してヒートシンク組立体を取付けているた
め、LSIからの放熱を有効に行うことができる。
着可能であるため、ヒートシンク組立体を取外して部品
装着時や半田付け時の作業を行うことができ、しかもLS
Iケースより大径のヒートシンクを用いても半田付けや
検査による支障を与えることがない。さらにヒートシン
ク組立体とLSI組立体とを密着させるため、熱の授受損
失を少なくでき、有効に放熱でき、しかも、LSIの搭載
位置に対応してヒートシンク組立体を取付けているた
め、LSIからの放熱を有効に行うことができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第2図はス
タッド部の詳細図、第3図は第1図のIII-III矢視図、
第4図は第3図のIV-IV線断面図、第5図は第3図のV
−V線断面図、第6図(a),(b)はヒートシンクの
ベースへの取付順序を示す断面図、第7図は従来のLSI
のヒートシンク取付構造を示す縦断面図である。 1……プリント板、10……LSI組立体 11……LSIケース、12……リード 13……接着剤、14……LSI素子 15……ベース、16……スリット 17……キャップ、20……ヒートシンク組立体 21……ヒーシシンク、22……スタッド 22a……鍔部、23……スプリング
タッド部の詳細図、第3図は第1図のIII-III矢視図、
第4図は第3図のIV-IV線断面図、第5図は第3図のV
−V線断面図、第6図(a),(b)はヒートシンクの
ベースへの取付順序を示す断面図、第7図は従来のLSI
のヒートシンク取付構造を示す縦断面図である。 1……プリント板、10……LSI組立体 11……LSIケース、12……リード 13……接着剤、14……LSI素子 15……ベース、16……スリット 17……キャップ、20……ヒートシンク組立体 21……ヒーシシンク、22……スタッド 22a……鍔部、23……スプリング
Claims (3)
- 【請求項1】LSI組立体と、ヒートシンク組立体との組
合せからなるLSIのヒートシンク取付け構造であって、 前記LSI組立体は、発熱するLSIを含み、その放熱面に、
断面形状が略鳩尾状に形成された複数の円弧状スリット
を同一円上に配列して設けたものであり、該円弧状スリ
ットはその始端側に大径の案内孔を備えており、 前記ヒートシンク組立体は、前記LSI組立体の放熱面に
搭載されて放熱作用を行うものであり、前記LSI組立体
の円弧状スリットにそれぞれ差込むスタッドと、該スタ
ッドの軸端に一体に取付けられ、前記大径の案内孔より
円弧状スリット内に誘導される鍔部とを有しており、 前記LSI組立体とヒートシンク組立体とを相対回動させ
ることにより、前記スタッドの鍔部を前記円弧状スリッ
トの開口縁内端に係止させて前記LSI組立体に前記ヒー
トシンク組立体を脱着可能に密着締結したことを特徴と
するLSIのヒートシンク取付構造。 - 【請求項2】前記ヒートシンク組立体は、該ヒートシン
ク組立体の受熱面を前記LSI組立体の放熱面に密着させ
るスプリングを装備していることを特徴とする請求項第
(1)項に記載のLSIのヒートシンク取付構造。 - 【請求項3】前記LSI組立体は、LSIの搭載位置を中心と
した軌跡の同一円上に前記複数の円弧状スリットを配列
して設けたことを特徴とする請求項第(1)項に記載の
LSIのヒートシンク取付構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990030316U JP2501583Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Lsiのヒ―トシンク取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990030316U JP2501583Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Lsiのヒ―トシンク取付構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03120044U JPH03120044U (ja) | 1991-12-10 |
JP2501583Y2 true JP2501583Y2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=31533038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990030316U Expired - Lifetime JP2501583Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Lsiのヒ―トシンク取付構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2501583Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4819152B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-11-24 | シャープ株式会社 | 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP4768060B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP4764942B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP4764941B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 |
JP5898919B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-04-06 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP1990030316U patent/JP2501583Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03120044U (ja) | 1991-12-10 |
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