JP2023135633A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージを小型化することが可能な発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、上部、下部、及び、１または複数の側部を有し、上部、下部、及び、１又は複数の側部によって画定される閉空間を有するパッケージと、上面に１又は複数の出射点を有し、下部の実装面に配置される第１発光素子と、１又は複数の出射点から、上方に出射された光を反射する第１反射面を有する反射部とを備える。第１反射面は、閉空間に設けられ、１または複数の側部は、光透過部を有する第１側部を含む。第１反射面によって反射された光が光透過部を透過して外部に出射される。【選択図】図２

Description

本開示は、発光装置に関する。

垂直共振器面発光レーザ素子を備える光モジュールが知られている。特許文献１は、基板と、基板上に実装された垂直共振器面発光レーザ素子と、垂直共振器面発光レーザ素子を覆うように基板上に配置された透明部材とを備える光モジュールを開示している。当該透明部材は、垂直共振器面発光レーザ素子から上方に出射される光を側方に反射する反射面を有する。

特開２０１１－１４２２６８号公報

発光装置を小型にしたいというニーズがある。

本開示の発光装置は、例示的で非限定的な実施形態において、上部、下部、及び、１または複数の側部を有し、前記上部、前記下部、及び、前記側部に囲まれた閉空間を画定するパッケージと、上面に１又は複数の出射点を有し、前記下部の実装面に配置される第１光素子と、前記１又は複数の出射点から、上方に出射された光を反射する第１反射面を有する反射部と、を備え、前記第１反射面は、前記閉空間に設けられ、前記１又は複数の側部は、光透過部を有する第１側部を含み、前記第１反射面によって反射された光が前記光透過部を透過して外部に出射される。

本開示の実施形態によれば、パッケージを小型化することが可能な発光装置を提供できる。

図１は、本開示の第１実施形態及び第３実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る発光装置の分解斜視図である。 図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ断面線における発光装置の断面図である。 図４Ａは、垂直共振器面発光レーザ素子の構成例を模式的に示すＹＺ平面に平行な断面図である。 図４Ｂは、図４Ａに示す構成の上面図である。 図５は、図３に示す断面図における、発光素子から出射される光の光軸と第１反射面との交点とその近傍を拡大した拡大断面図である。 図６は、図１のＶＩ－ＶＩ断面線における本開示の第１実施形態の変形例に係る発光装置の断面図である。 図７は、図６に示す発光装置からキャップを除いた状態の上面図である。 図８は、本開示の第２及び第３実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図９は、本開示の第２実施形態に係る発光装置からキャップ及び反射部を除いた上面図である。 図１０は、図８のＸ－Ｘ断面線における発光装置の断面図である。 図１１Ａは、図１０に示す発光装置において破線で囲まれた部分を拡大した拡大断面図である。 図１１Ｂは、図１０に示す発光装置において破線で囲まれた部分を、キャップ及び反射部を除いた状態で拡大した拡大上面図である。 図１２は、本開示の第２実施形態に係る発光装置の他の構造例を示す拡大断面図である。 図１３Ａは、発光素子が複数の出射点を有する場合における発光素子及び受光素子の配置の例を示す模式図である。 図１３Ｂは、発光素子が複数の出射点を有する場合における発光素子及び受光素子の配置の他の例を示す模式図である。 図１４Ａは、図８のＸＩＶＡ－ＸＩＶＡ断面線における第２実施形態の変形例１に係る発光装置の拡大断面図である。 図１４Ｂは、図８のＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ断面線における第２実施形態の変形例２に係る発光装置の拡大断面図である。 図１４Ｃは、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す発光装置からキャップ及び反射部を除いた状態の上面図である。 図１５は、本開示の第２実施形態の変形例３に係る発光装置の断面図である。 図１６は、図１のＸＶＩ－ＸＶＩ断面線における第３実施形態に係る発光装置の断面図である。 図１７は、図８のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ断面線における第３実施形態に係る発光装置の他の構造例を示す断面図である。 図１８は、本開示の第４実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１９は、図１８に示す発光装置からキャップを除いた上面図である。 図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ断面線における発光装置の断面図である。 図２１は、本開示の第５実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２２は、図２１に示す発光装置からキャップを除いた上面図である。 図２３Ａは、図２１のＸＸＩＩＩＡ－ＸＸＩＩＩＡ断面線における第５実施形態に係る発光装置の断面図である。 図２３Ｂは、図２１のＸＸＩＩＩＢ－ＸＸＩＩＩＢ断面線における第５実施形態に係る発光装置の他の構造例を示す断面図である。 図２４は、図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ断面線における発光装置の断面図である。 図２５は、図２４に示す断面図の部分Ｘ２を拡大した拡大断面図である。 図２６は、第６実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２７は、図２６に示す発光装置から蓋部及び反射部材を除いた上面図である。 図２８は、図２６のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ断面線における発光装置の断面図である。 図２９は、第６実施形態の変形例に係る発光装置の斜視図である。 図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ断面線における発光装置の断面図である。

本明細書又は特許請求の範囲において、三角形、四角形などの多角形は、数学的に厳密な意味の多角形に限定されず、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含むものとする。また、多角形の隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”に含まれる。

多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”には加工された部分も含まれる。部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

本明細書又は特許請求の範囲において、ある名称によって特定される要素が複数あり、それぞれの要素を区別して表現する場合に、要素のそれぞれの頭に“第１”、“第２”などの序数詞を付記することがある。例えば、請求項では「発光素子が基板上に配されている」と記載されている場合、明細書中において「第１発光素子と第２発光素子とが基板上に配列されている」と記載されることがある。“第１”及び“第２”の序数詞は、２個の発光素子を区別するために使用されている。同一の序数詞が付された要素名が、明細書と特許請求の範囲との間で、同一の要素を指さない場合がある。例えば、明細書において“第１発光素子”、“第２発光素子”、“第３発光素子”の用語で特定される要素が記載されている場合、特許請求の範囲における“第１発光素子”及び“第２発光素子”が、明細書における“第１発光素子”及び“第３発光素子”に相当することがある。また、特許請求の範囲に記載された請求項１において、“第１発光素子”の用語が使用され、“第２発光素子”の用語が使用されていない場合、請求項１に係る発明は、１個の発光素子を備えていればよく、その発光素子は、明細書中の“第１発光素子”に限定されず、“第２発光素子” 又は“第３発光素子”であり得る。

本明細書又は特許請求の範囲において、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」、「前」、「後」）を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置のわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。

図面に示される要素又は部材の寸法、寸法比率、形状、配置間隔等は、わかり易さのために誇張されている場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。

以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。実施形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。実施形態の説明で示される数値、形状、材料、などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。以下の説明において、同一の名称、符号によって特定される要素は、同一又は同種の要素であり、それらの要素について重複した説明を省略することがある。

本開示の実施形態に係る発光装置は、上部、下部、及び１または複数の側部を有するパッケージと、１又は複数の発光素子と、反射部とを備える。発光装置は、後述するように、受光素子、サブマウント、レンズ部材、及びビームコンバイナの少なくとも１個の構成要素をさらに備え得る。さらに、発光装置は、例えば製品仕様に応じて、ツェナーダイオードに代表される保護素子および／またはサーミスタなどの、内部温度を測定するための温度測定素子を備え得る。ただし、これらの構成要素は必須でない。

本開示の実施形態に係る発光装置において、上部、下部、及び１または複数の側部とで画定される閉空間に、１又は複数の発光素子及び反射部が配置される。下部に配置された１又は複数の発光素子から上方に出射された光は、発光素子の上方に設けられた反射部の反射面で側方に反射され、画定された閉空間内を側方に進み、１または複数の側部の少なくとも一部に含まれる光透過部を透過して外部に出射される。

＜第１実施形態＞
図１から図７を参照して、本開示の第１実施形態に係る発光装置の構造例を説明する。以下の説明において、３個の発光素子を備える発光装置の構成例を説明する。ただし、発光素子の数はこれに限定されず、１個、２個又は４個以上であり得る。

図１から図３は、第１実施形態に係る発光装置の基本的な構成を説明するための図面である。添付する図面において、参考のため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。以降、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の方向を、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向と記載する。Ｚ方向は、発光素子からの光がパッケージの外部に出射される方向である。また、Ｙ方向は、下部の実装面に垂直な方向（法線方向）である。「上面視」という用語は、下部の実装面に垂直な方向、つまりＹ方向から見る上面視を意味する。

図１は、第１実施形態に係る発光装置１００の斜視図である。図２は、発光装置１００の分解斜視図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ断面線における発光装置１００の断面図である。図３において、発光素子２０から出射される光の光軸Ｌが点線の矢印で示されている。

第１実施形態に係る発光装置１００は、概ね箱型形状を有する。Ｘ方向のサイズは、例えば１ｍｍ以上である。Ｚ方向のサイズは、例えば０．８ｍｍ以上であり得る。Ｙ方向のサイズは、例えば０．６ｍｍ以上であり得る。あるいは、Ｘ方向のサイズは、例えば１５ｍｍ以下である。Ｚ方向のサイズは、例えば１０ｍｍ以下であり得る。Ｙ方向の高さは、例えば４ｍｍ以下であり得る。

先ず、各構成要素を説明する。

（パッケージ１０）
パッケージ１０は、実装面１１Ｍを有する下部１１と、下部１１と接続し、上方に延伸する１または複数の側部１３、及び１又は複数の側部１３と接続する上部１４とを有する。図示する例では、１または複数の側部１３は下部１１の実装面１１Ｍと接続する。パッケージ１０は、例えば平板形状の基板１２と、１または複数の側部１３及び上部１４が一体に形成されたキャップ１５とで構成される。

下部１１は、上面、及び上面に対向する下面を有する。下部１１の上面が、図示する発光装置１００が備える実装面１１Ｍである。実装面１１Ｍは平面であり得る。実装面１１Ｍは、１以上の構成要素が配置される第１実装領域１１Ｍａを含む。図示する例で、下部１１は基板１２に含まれる。基板１２はセラミックを主材料として形成することができる。セラミックの例には、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、及び炭化ケイ素が挙げられる。

下部１１の実装面１１Ｍは、周辺領域１１Ｐをさらに含む。周辺領域１１Ｐは、実装面１１Ｍにおいて第１実装領域１１Ｍａの周囲に位置する。周辺領域１１Ｐは、１または複数の側部１３が接続する領域であり得る。図示する例において、周辺領域１１Ｐは、キャップ１５が接合される領域である。周辺領域１１Ｐにはこの接合のための金属膜が形成され得る。

パッケージ１０は、下部１１、１または複数の側部１３及び上部１４によって画定される閉空間Ｖを内部に形成する。閉空間Ｖは、封止された空間であり、気密された状態になり得る。図示する例では、基板１２とキャップ１５とによって閉空間Ｖが形成される。キャップ１５の外形は、上面視で矩形である。ただし、キャップ１５の外形は矩形である必要はなく、例えば、上面視で、四角形以外の多角形又は円形であってもよい。なお、パッケージ１０は、図示される形状の基板１２及びキャップ１５によって構成されなくてもよい。

１または複数の側部１３は、下部１１の第１実装領域１１Ｍａを囲い、実装面１１Ｍよりも上方に延びる。第１実装領域１１Ｍａに配置される１以上の構成要素は、１または複数の側部１３によって囲まれる。上部１４は、実装面１１Ｍよりも上方に位置し、１または複数の側部１３に接続される。上部１４は、下部１１の実装面１１Ｍ（上面）に対向する下面１４ｂを有する。

図示するキャップ１５は、同じ材料を主材料に用いて１または複数の側部１３と上部１４とが一体になるように形成される。キャップ１５は、例えば、ガラス、プラスチック、石英、サファイアなどの透光性材料から形成され、例えばエッチングなどの加工技術を利用して作製することが可能である。なお、キャップ１５は、異なる材料を主材料に用いて側部１３と上部１４とを個別に形成し、これらを接合して形成してもよい。例えば、１または複数の側部１３の主材料はガラス等の透光性材料であり、上部１４の主材料は単結晶又は多結晶シリコン等の非透光性材料であり得る。

１または複数の側部１３は、１又は複数の外側面を有し得る。１又は複数の外側面のうちの少なくとも１つの面が光取出面１０ｂである。図示する例では、１または複数の側部１３は、キャップ１５の矩形の外形に対応する４つの外側面を有している。１または複数の側部１３は、光取出面１０ｂである外側面を備える第１側部１３－１、及び閉空間Ｖを挟んで第１側部１３－１に対向する第２側部１３－２を有する。図示する例において、第１側部１３－１の光取出面１０ｂ及び第２側部１３－２の外側面は、互いに平行である。光取出面１０ｂは、図示するＸＹ平面に平行である。第１側部１３－１は、外側面である光取出面１０ｂの反対側に、光入射面１０ａとなる内側面を有する。第１側部１３－１は、少なくとも光入射面１０ａの一部及び光取出面１０ｂの一部を含み、透光性を有する光透過部１６が含まれる。

第１側部１３－１と第２側部１３－２は、閉空間Ｖ、第３側部１３－３、及び第４側部１３－４を挟んで離隔する。図示する例において、第１側部１３－１は、Ｚ方向に延伸する第３側部１３－３及び第４側部１３－４に接続する。第２側部１３－２は、第３側部１３－３及び第４側部１３－４に接続する。第１側部１３－１は、第２側部１３－２が備える外側面を有さない。第２側部１３－２は、第１側部１３－１が備える外側面を有さない。

ここで、「透光性を有する」とは、その領域に入射する主要な光の透過率が８０％以上であるという性質を満たすことを意味する。図示する例におけるパッケージ１０は、４つの外側面のすべてが透光性を有し、４つの外側面のうちの第１側部１３－１の外側面が光取出面１０ｂとなる。

第２側部１３－２は、第１側部１３－１の光入射面１０ａに対向する内側面１３－２ａを有する。光入射面１０ａ及び光取出面１０ｂのそれぞれは実装面１１Ｍに対して垂直であり得る。なお、ここでの垂直は、±５度以内の誤差を含む。ただし、光入射面１０ａ及び光取出面１０ｂのそれぞれは、実装面１１Ｍに対して傾斜していてもよい。

下部１１は、発光素子を含む電子部品などの構成要素に電気的に接続される１又は複数の金属層を有し得る。１又は複数の金属層は、例えば金属などの導電体から形成され、パターニングされ、実装面１１Ｍ上に設けられ得る。電子部品は、例えば金属ワイヤを介して実装面１１Ｍ上の金属層に電気的に接続される。実装面１１Ｍ上の金属層は、例えばビアホールを介して、実装面１１Ｍの反対側の面（例えば下面）に設けられた１又は複数の金属層に電気的に接続される。なお、本開示の実施形態におけるパッケージ構造は、図示される例に限定されない。本開示の実施形態における「パッケージ」は、１又は複数の部材が配置される「下部」と、１又は複数の部材を囲む「側部」と、を有する構造体全般であり得る。

（発光素子２０）
発光素子２０の例は、垂直共振器面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ素子）もしくは端面発光レーザ素子などの半導体レーザ素子、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）である。以下、垂直共振器面発光レーザ素子をＶＣＳＥＬ素子と記載する。図２に例示する発光素子２０はＶＣＳＥＬ素子である。図示する発光素子２０は、上面視で矩形の外形を有し得る。ＶＣＳＥＬ素子は、端面発光レーザ素子に比べ、より円形のビーム形状が得られる点、複数のエミッタを２次元に並べることで２次元アレイが比較的容易に得られる点、又は低消費電力で駆動できる点において優れている。発光素子２０は、上面２０ａを有する。上面２０ａには、１又は複数の出射点（エミッタ）２０ｅが位置する。上面２０ａは光出射面として機能する。このように、発光素子２０は、１個のエミッタを有するシングルエミッタであってもよく、あるいは、２個以上のエミッタを有するマルチエミッタであってもよい。

発光素子２０として、例えば、青色の光を出射する半導体レーザ素子、緑色の光を出射する半導体レーザ素子、又は、赤色の光を出射する半導体レーザ素子を採用することができる。また、これら以外の光、例えば赤外光を出射する半導体レーザ素子を採用してもよい。

発光素子２０がＶＣＳＥＬ素子又は端面発光レーザ素子などの半導体レーザ素子である場合について説明を補足しておく。半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、拡がりを有する発散光である。レーザ光は、光出射面に平行な面において略円形状、又は楕円形状のファーフィールドパターン（以下、「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、光出射面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。ＶＣＳＥＬ素子から出射されるレーザ光のＦＦＰの形状は略円形状であり得、端面発光レーザ素子から出射されるレーザ光のＦＦＰの形状は楕円形状であり得る。レーザ光のＦＦＰの形状の中心を通る光線を、レーザ光の光軸と呼ぶ。光軸上を進む光は、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度を示す。本開示の実施形態では、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光を、「主要部分」の光と呼び、ピーク強度値に対して１／ｅ２未満の強度を有する光を、「周辺部分」の光と呼んで、「主要部分」の光と「周辺部分」の光とを区別する。ただし、「半値全幅」と呼ばれる、ＦＦＰの光強度分布において強度がピーク強度値の半分となるビーム径によって、「主要部分」の光と「周辺部分」の光とを区別してもよい。

ＦＦＰの光強度分布に基づき、光強度分布の１／ｅ２に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰが略円形状である場合、その直径方向の拡がり角は、例えば３度以上である。一方、半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰが楕円形状である場合、楕円の短径方向を遅軸方向、長径方向を速軸方向と呼ぶ。遅軸方向における拡がり角は、速軸方向における拡がり角よりも小さい。半導体レーザ素子から出射される遅軸方向における拡がり角は、例えば３度以上である。

図４Ａ及び図４Ｂを参照して、ＶＣＳＥＬ素子の構造例を説明する。ただし、以下で説明する構造例は一例であり、本開示の実施形態におけるＶＣＳＥＬ素子が備える構造はこれに限定されない。

図４Ａは、ＶＣＳＥＬ素子の構成例を模式的に示すＹＺ平面に平行な断面図である。図４Ｂは、図４Ａに示す構成の上面図である。図示する例におけるＶＣＳＥＬ素子は、半導体基板２０－１と、ｎ側反射膜２０－２と、ｎ型半導体層２０－３と、活性層２０－４と、ｐ型半導体層２０－５と、ｐ側反射膜２０－６とをこの順に積層した積層構造を備える。ｐ型及びｎ型の導電型は逆の関係であってもよい。半導体基板２０－１は除去されていてもよい。

ｎ型半導体層２０－３は、平板部及び平板部から上方（Ｙ方向）に突出する凸部を有する。ｎ型半導体層２０－３の凸部の上面には活性層２０－４が設けられており、活性層２０－４の上面にはｐ型半導体層２０－５が設けられている。ｐ型半導体層２０－５の上面のうち、周縁領域以外の領域にｐ側反射膜２０－６が設けられている。ＶＣＳＥＬ素子は、ｎ型半導体層２０－３のうち、平板部の上面及び凸部の側面を覆う絶縁層２０－７を備える。ただし、ｎ型半導体層２０－３の平板部の上面の一部は、絶縁層２０－７で覆われず、露出している。ＶＣＳＥＬ素子は、ｐ型半導体層２０－５に電気的に接続されるｐ側電極２０－８ｐ、及びｎ型半導体層２０－３が露出している部分に電気的に接続されるｎ側電極２０－８ｎを備える。ｎ側反射膜２０－２及びｐ側反射膜２０－６はそれぞれ、例えば分布ブラッグ反射器（Distributed Bragg Reflector：ＤＢＲ）から形成され得る。

図４Ｂに例示するように、上面視において、ｐ側反射膜２０－６、絶縁層２０－７、ｐ側電極２０－８ｐ、及びｎ側電極２０－８ｎが露出している。ｐ側電極２０－８ｐは、上面視において、ｐ側反射膜２０－６を囲むリング形状の部分と、当該リング形状の部分からＺ方向に沿って延びる直線部分とを含む。ｎ側電極２０－８ｎは、上面視において、ｐ側電極２０－８ｐのリング形状の部分及びｐ側反射膜２０－６を囲むＣ型形状の部分と、当該Ｃ型形状の部分からＺ方向に沿って延びる直線部分とを含む。ｐ側電極２０－８ｐ及びｎ側電極２０－８ｎが電極対２０－８を構成する。ただし、図示する例に限定されず、積層構造において、ｎ側電極２０－８ｎは、活性層２０－４を基準にしてｐ側電極２０－８ｐとは反対側に設けられ得る。

ｐ側電極２０－８ｐ及びｎ側電極２０－８ｎから、活性層２０－４に電流注入することによって活性層２０－４では反転分布が生じ、所望の発振波長で誘導放出による光の増幅、すなわちレーザ発振が生じる。活性層２０－４においてレーザ発振により増幅された光が、ｐ側反射膜２０－６を通過して上方に出射する。したがって、ＶＣＳＥＬ素子の発光点２０ｅは、上面視でｐ側反射膜２０－６内にある。

赤色の光を出射する半導体レーザ素子は、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系、ＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、及びＡｌＧａＡｓ系の半導体材料からなる群から選択される少なくとも１つから形成され得る。そのような半導体レーザ素子の一例として、図示する発光素子２０は、半導体基板２０－１がｎ型ＧａＡｓから形成され、ｎ側反射膜２０－２及びｐ側反射膜２０－６の積層構造は、それぞれ、組成比が異なるｎ型及びｐ型ＡｌＧａＡｓから形成され得る。ｎ型半導体層２０－３及びｐ型半導体層２０－５は、それぞれ、ｎ型及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰから形成され、活性層２０－４はＧａＩｎＰから形成され得る。

緑色又は青色の光を出射する半導体レーザ素子は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮからなる群から選択される少なくとも１つの半導体材料から形成され得る。そのような半導体レーザ素子の一例として、図示する発光素子２０は、半導体基板２０－１がＧａＮから形成され得る。ｎ側反射膜２０－２の積層構造はＡｌＩｎＮ及びＧａＮから形成され、ｐ側反射膜２０－６の積層構造はＳｉＯ２及びＮｂ２Ｏ５などの誘電体材料から形成され得る。ｎ型半導体層２０－３及びｐ型半導体層２０－５は、それぞれ、ｎ型及びｐ型ＧａＮから形成され、活性層２０－４はＩｎＧａＮから形成され得る。

本開示の実施形態における発光素子２０が出射する青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。

（反射部３０）
第１実施形態における反射部３０は、角柱の形状を有し得る。角柱は多角形を底面とする柱体である。反射部３０は、１または複数の反射面を有する。また、反射部３０は、反射面とは別に、他の部材と接合する面を有していてもよい。図示する発光装置１００の例では、反射部３０は、他の部材に接合する接合面３０ａを有する。反射部３０は、反射面として、接合面３０ａに対し傾斜する第１反射面３１を有する。図２に例示する反射部３０はＸ方向に延び、ＹＺ平面に平行なその端面は六角形である。なお、反射部３０の形状は角柱に限定されない。反射部３０の主材料の例はガラス又はシリコンである。

第１反射面３１は、接合面３０ａに対して、例えば２５度以上６５度以下の傾斜角度を成す平面で構成され得る。傾斜角度の範囲は、より好ましくは、４０度以上５０度以下である。図示する発光装置１００の例では、第１反射面３１は、接合面３０ａに対して、４５度の傾斜角度を成す平面で構成されている。なお、ここでの「４５度」は、±１度未満の角度の誤差を含む。第１反射面３１は、入射光の一部を透過させ残りを反射する部分反射面であってもよい。

第１反射面３１は、例えば、入射光を反射する光反射制御膜をガラスなどの透光性材料の上に設けることによって形成され得る。光反射制御膜は、例えば、Ａｇ、Ａｌなどの金属膜から形成され得る。あるいは、光反射制御膜は、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２などから形成された誘電体多層膜であり得る。例えば、光反射制御膜の膜厚および／または材料を変えることによって、第１反射面３１の反射率又は透過率を制御することが可能となる。

反射部３０の主材料が例えばガラスである場合、第１反射面３１には、光反射制御膜の代わりに、回折光学素子が設けられ得る。回折光学素子の例は反射型回折格子である。あるいは、第１反射面３１には、ＤＢＲ膜が設けられ得る。

（発光装置１００）
次に、発光装置１００を説明する。

第１実施形態に係る発光装置１００は、１又は複数の発光素子２０を有する。図示する例における発光装置１００は、それぞれの発光素子２０は、ＶＣＳＥＬ素子である。図示する例で、複数の発光素子２０の数は、３個である。３個の発光素子２０を、それぞれ、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子と呼んでもよい。３個の発光素子２０は、それぞれ、赤色の光、緑色の光及び青色の光から選択される互いに異なる色の光を出射する。発光素子２０は、可視光以外の光、例えば赤外光を出射し得る。複数の発光素子２０は、実装面１１Ｍの第１実装領域１１Ｍａに並んで配置されている。より詳細には、複数の発光素子２０は実装面１１Ｍに平行な方向に並んで配置される。実装面１１Ｍに平行な平面において、複数の発光素子２０から出射され、反射部３０の第１反射面３１で反射された光の光軸に垂直な第１方向に複数の発光素子２０は配置され得る。図示する例において、第１方向とＸ方向は一致する。なお、発光装置１００が備える発光素子２０の数は３個に限られない。発光素子２０は、例えばＡｕ粒子などを含む金属接着剤、金錫、はんだなどの金属を含む金属バンプ、又ははんだ合金などの金属から形成された接合部材を介して第１実装領域１１Ｍａに接合され得る。

発光装置１００は、さらに１または複数の反射部３０を有する。図示される例において、１個の反射部３０が、３個の発光素子２０の上方に配置されている。なお、３個の発光素子２０に対応した３個の反射部３０をそれぞれの発光素子２０の上方に配置してもよい。反射部３０は、その接合面３０ａにおいて、キャップ１５の上部１４の下面１４ｂ又は実装面１１Ｍの少なくとも一方に接合し得る。図示する発光装置１００の例における反射部３０は、キャップ１５の上部１４の下面１４ｂ上に配置され、接合面３０ａにおいて下面１４ｂに接合される。反射部３０は、キャップ１５とは異なる別体の部材である。この場合、反射部３０は例えばシリコンを主材料として形成され得る。反射部３０は、この例のようにキャップ１５とは別部材であるとき、「反射部材」と呼ぶ場合がある。

反射部３０は、例えばＡｕ粒子などを含む金属接着剤、金錫、はんだなどの金属を含む金属バンプ、又ははんだ合金などの金属から形成された接合部材を介して上部１４に接合され得る。

各発光素子２０及び反射部３０は、パッケージの閉空間Ｖ内に配置され、反射部３０の第１反射面３１は閉空間Ｖ内に設けられている。反射部３０は、３個の発光素子２０を上方から覆うように位置する。第１反射面３１は、実装面１１Ｍに対し例えば４５度の角度で傾斜し、発光素子２０の上面２０ａの上方に位置している。

キャップ１５の１または複数の側部１３は、第１側部１３－１と、発光素子２０を基準として第１側部１３－１と反対側に位置する第２側部１３－２とを含む。反射部３０は、第１反射面３１が第１側部１３－１の光入射面１０ａに対向するように閉空間Ｖに配置される。言い換えると、図３に示す断面図において、第１反射面３１の下端よりも上端が、第１側部１３－１の光入射面１０ａに近い。図示される例において、第１反射面３１は、第２側部１３－２の内側面１３－２ａから離隔して、閉空間Ｖに配置される。

各発光素子２０から上方（Ｙ方向）に出射された光は、第１反射面３１によって側方（Ｚ方向）に反射される。キャップ１５が有する第１側部１３－１の光透過部１６は、第１反射面３１によって反射された光が横切る位置に配置されている。第１反射面３１によって反射された光は、閉空間Ｖ内を進行してから光透過部１６の光入射面１０ａに入射し、光透過部１６を透過し、光取出面１０ｂからパッケージ１０の外部に出射される。

反射部３０の第１反射面３１は、閉空間Ｖとの境界となり得る。図示する例において、反射部３０の第１反射面３１は、他の部材と接することなく、画定する閉空間Ｖと接する。

図５は、図３の発光素子２０から出射される光の光軸と第１反射面３１との交点３１ｃとその近傍を拡大した拡大断面図である。なお、図面の見やすさのため、各部材のハッチングを省略している。図５には、発光素子２０の上面２０ａの中心２０ｃを含む、ＹＺ平面に平行な断面が示されている。発光素子２０の上面２０ａの形状は、例えば、矩形、円形又は多角形であり得る。上面２０ａの形状が矩形である場合には、上面２０ａの中心２０ｃは２本の対角線の交点を意味する。上面２０ａの形状が円形である場合には、上面２０ａの中心２０ｃは円の中心を意味する。上面２０ａの形状が多角形である場合には、上面２０ａの中心２０ｃは例えば多角形の内接円の中心を意味する。また、本明細書では、図５に示す断面図における、第１反射面３１の上端に位置する最上点３１ｓと、第１反射面３１の下端に位置する最下点３１ｔとを両端とする線分上の中点を、第１反射面３１の中点３１ｍと呼ぶ。なお、図５に示す断面図において、最上点３１ｓ、最下点３１ｔ及び中点３１ｍのそれぞれを丸印で囲んでいる。

図５に例示する発光装置１００における発光素子２０は、１個の出射点２０ｅを有し、上面２０ａの形状は矩形である（図２も参照）。出射点２０ｅは、例えば、上面２０ａの中心２０ｃに位置する。実装面１１Ｍの法線方向において、実装面１１Ｍから上部１４の下面１４ｂまでの距離は、実装面１１Ｍから第１反射面３１の中点３１ｍまでの距離よりも大きい。また、実装面１１Ｍから下面１４ｂまでの距離を第１距離とすると、第１距離は、発光素子２０の上面２０ａから第１反射面３１の中点３１ｍまでの第２距離よりも大きい。第１距離は、第２距離の例えば１．５倍以上であり得る。また、第１反射面３１の中点３１ｍと、発光素子２０の上面２０ａの出射点２０ｅから出射した光の光軸Ｌと第１反射面３１との交点３１ｃとの距離は、例えば３０μｍ以下である。このような距離とすることで、反射部３０を小型化することが可能である。図示する例では、第１反射面の中点３１ｍが上面視で発光素子２０の出射点２０ｅと重なるように、反射部３０は配置される。この時、第１反射面３１上の、交点３１ｃと中点３１ｍとは重なる。

発光素子２０は複数の出射点（いわゆるマルチエミッタ）を有し得る。この場合、第１反射面３１の中点３１ｍは、複数の出射点２０ｅのうちのいずれか１個の出射点２０ｅから出射した光の光軸Ｌと、第１反射面３１との交点３１ｃと重なる。発光素子２０の上面２０ａの中心２０ｃに位置する出射点２０ｅ、あるいは中心２０ｃの最も近くに位置する出射点２０ｅから出射した光の光軸Ｌと、第１反射面３１との交点３１ｃを第１点と呼ぶ。第１反射面３１の中点３１ｍは、第１点と重なることが望ましい。このように、発光素子２０と第１反射面３１とを配置することで、複数の出射点２０ｅから出射する光を、第１反射面３１で効率よく反射させることができる。例えば、発光素子２０から出射する光の主要部分をすべて反射させることが可能である。また、第１反射面３１及び反射部３０の小型化を奏することができる。第１実施形態によれば、出射点２０ｅと第１反射面３１の中点３１ｍとの距離を、例えば１０μｍ程度まで近づけることができる。

本明細書において、第１反射面３１で反射された光が進行する方向を「光進行方向」と呼ぶ。２つ以上の構成又は部材を比較する場合、これらのうちの一つがより光進行方向の側に位置することを、「光進行側」に位置すると呼ぶ。なお、「光進行方向」は、光入射面１０ａに垂直な方向であり得る。前述の第１方向及び「光進行方向」は、光入射面１０ａに垂直である。図示する例では、「光進行方向」は、Ｚ方向と平行である。発光素子２０の側面のうち、最も光進行側に位置する発光素子２０の側面は、第１反射面３１の最上点３１ｓよりも光進行側に位置する。図示する例では、最も光進行側に位置する発光素子２０の側面全体が、第１反射面３１の最上点３１ｓよりも光進行側に位置する。なお、図５には、第１反射面３１の最上点３１ｓを通り、Ｙ方向に平行な二点鎖線が示されている。

実装面１１Ｍの法線方向、つまりＹ方向において、第１反射面３１の最下点３１ｔと、発光素子２０の上面２０ａとの距離が２０μｍ以下となるように発光素子２０及び反射部３０を配置することができる。このような配置とすることで、発光素子２０の上面２０ａを第１反射面３１に近づけることができ、発光装置１００の高さ方向、つまりＹ方向の小型化を奏することができる。図示する例において、発光素子２０の上面２０ａは、第１反射面３１の最下点３１ｔよりも下方に位置する。なお、最下点３１ｔが上面２０ａと同じ高さか、あるいは、上面２０ａよりも下方に位置するように発光素子２０及び反射部３０を配置してもよい。また、実装面１１Ｍの法線方向において、発光素子２０の出射点２０ｅから、出射点２０ｅから出射された光の光軸と第１反射面３１との交点３１ｃまでの距離を３０μｍ以上８００μｍ以下とすることができる。発光素子２０の上面２０ａを第１反射面３１に近づけることで、発光装置１００の小型化を奏することができる。

閉空間Ｖを、実装面１１Ｍに平行な平面（ＸＺ平面）で、実装面１１Ｍの法線方向（Ｙ方向）に関して３等分した空間をＹ方向において高い方から順にそれぞれ第１空間、第２空間、第３空間とする。第１反射面３１の最上点３１ｓは、第１空間に位置する。第１点である交点３１ｃは、第２空間に位置する。次に、閉空間Ｖを、実装面１１Ｍに実装面１１Ｍに平行な平面（ＸＺ平面）で、実装面１１Ｍの法線方向（Ｙ方向）に関して２等分した空間をＹ方向において高い方から順にそれぞれ第４空間、第５空間とする。第１反射面３１の最下点３１ｔは、第５空間に位置する。

実装面１１Ｍの法線方向、つまりＹ方向に関して、実装面１１Ｍと上部１４の下面１４ｂとの間の長さは、発光素子の長さの２倍以上２０倍以下であることが好ましい。２倍以上とすることで、上面視で反射部３０及び発光素子２０が重なるように、それぞれの部材を配置することが容易となる。２０倍以下とすることで、発光装置１００全体の高さを小型化することができる。

発光素子２０から上方に出射された光は、第１反射面３１によって側方に進行するように反射されて、キャップ１５の光透過部１６を透過し、外部に出射される。この時、発光素子２０がＶＣＳＥＬ素子などの半導体レーザ素子である場合、前述したように、発光素子２０から出射されるレーザ光は、拡がり角を有する発散光である。レーザ光は進行すればするほど、そのＦＦＰは大きくなる。したがって、発光素子２０の上面２０ａから第１反射面３１の中点３１ｍまでの距離（第２距離）が短いほど、発光素子２０から出射される光で照射される第１反射面３１上の照射領域のサイズを小さく抑えることができる。例えば、第１反射面３１の中点３１ｍと発光素子２０の出射点２０ｅとのＹ方向の距離が１０μｍ程度である場合、照射領域のサイズを例えば直径５μｍ程度に抑えることができる。その結果、面積の小さい第１反射面３１によって、発光素子２０から出射される光の主要部分をすべて反射することが可能となる。これにより、反射部３０の小型化、及び、発光装置１００全体の小型化が可能となる。

発光素子２０が複数の出射点２０ｅを有する場合には、複数の出射点２０ｅを第１反射面３１に近づけることにより、第１反射面３１上の照射領域全体のサイズを小さく抑えることが可能となる。このことは、発光装置の小型化に優れた効果を発揮し得る。

（第１実施形態の変形例）
次に、図６及び図７を参照して、第１実施形態に係る発光装置の変形例を説明する。変形例に係る発光装置１０１では、下部１１の実装面１１Ｍに反射部３０－１が接合される。図１には、発光装置１０１の斜視図が示されている。図６は、反射部３０－１を備える発光装置１０１の断面図である。図６に示す発光装置１０１の断面は、図１のＶＩ－ＶＩ断面線における断面に相当する。図７は、発光装置１０１からキャップ１５を除いた状態の斜視図である。

図６に例示する発光装置１０１は、下部１１の実装面１１Ｍに接合される反射部３０－１を備える。この例では、反射部３０－１の下面が接合面３０ａとして機能する。反射部３０－１は、例えばガラスを主材料として形成され、第１反射面３１には、光反射制御膜、回折光学素子又はＤＢＲ膜が設けられ得る。

反射部３０－１の接合面３０ａは、実装面１１Ｍに接合され、反射部３０－１は、実装面１１Ｍの第１実装領域１１Ｍａに配置される。第１実施形態の発光装置１００と同様に、発光素子２０の上面２０ａを第１反射面３１に近づけることができるために、発光装置１０１における反射部３０－１も、反射部の小型化に貢献し得る。また、発光素子２０と同じ実装面１１Ｍで反射部３０－１が実装されるため、このことが実装位置の調整に役立つ場合がある。

図示する例では、１個の反射部３０－１が、複数の発光素子２０の上方に配置される。なお、複数の発光素子２０に対応した複数の反射部３０－１をそれぞれの発光素子２０の上方に配置してもよい。発光素子２０は、反射部３０－１の接合面３０ａよりも光進行側で実装面１１Ｍに配置される。接合面３０ａの面積は、発光素子２０が実装面１１Ｍと接する面積よりも大きい。

＜第２実施形態＞
図８から図１５を参照して、本開示の第２実施形態に係る発光装置の構成例を説明する。第２実施形態に係る発光装置２００は、１又は複数の受光素子４０、発光素子２０が配置されるサブマウント５０、レンズ部材６０、及びビームコンバイナ７０をさらに備えるという点で、第１実施形態に係る発光装置１００と相違する。なお、発光装置２００は、第１実施形態に係る発光装置が備える構成に加えて受光素子４０、サブマウント５０、レンズ部材６０、ビームコンバイナ７０の全てを備えていなくてもよい。例えば、受光素子４０のみを加えた構成、又はレンズ部材６０のみを加えた構成であってもよい。受光素子４０は、例えばモニタ用の光の強度を測定することに用いられる。レンズ部材６０は、例えば発光素子２０から出射される光をコリメートするために用いられる。図示される発光装置２００は、発光素子２０と同じ個数の受光素子４０、レンズ部材６０、ビームコンバイナ７０を備える。なお、これらの部材は、発光素子２０と同じ個数でなくてもよい。

図８から図１２を参照して、受光素子４０、及びレンズ部材６０を備える発光装置２００の構成例を説明する。図８は、発光装置２００の斜視図である。図９は、発光装置２００からキャップ１５及び反射部３０を除いた状態の上面図である。図１０は、図８のＸ－Ｘ断面線における発光装置２００の断面図である。図１１Ａは、図１０に示される発光装置２００の断面図の、破線の矩形で囲んだ部分Ｘ１を拡大した拡大断面図である。図１１Ｂは、図１０に示す発光装置２００において破線で囲まれた部分を、キャップ１５及び反射部３０を除いた状態で拡大した拡大上面図である。また、後述する反射部３０の第１反射面３１及び下面３３の説明のために、第１反射面３１を点線で、下面３３を破線で示している。図１２は、サブマウント５０を備える発光装置２００の他の構成例を示す断面の部分拡大図である。図１２に示す部分拡大図は、図１０に示す破線の矩形で囲んだ部分Ｘ１を拡大した図に相当する。

先ず、各構成要素を説明する。なお、第１実施形態と重複する構成については、説明を省略する。

（下部１１、基板１２）
発光装置２００が備える下部１１の実装面１１Ｍは、第１実装領域１１Ｍａと、第２実装領域１１Ｍｂとを備える。第１実装領域１１Ｍａと第２実装領域１１Ｍｂとの間に、周辺領域１１Ｐが設けられる。図示する例では、基板１２が下部１１である。

（受光素子４０）
受光素子４０は、受光面４１を上面に有する。受光素子４０の例は、入射光の強度又は光量に応じた電気信号を出力する光電変換素子（フォトダイオード）である。図９及び図１１Ｂに例示する受光素子４０の外形は直方体であるが、これに限定されない。また、受光面４１の形状は矩形であるが、これに限定されない。

（サブマウント５０）
図示される例におけるサブマウント５０は、上面及び上面と反対側に位置する下面を有し、直方体の形状を有する。ただし、サブマウント５０の形状は直方体に限られない。サブマウント５０の上面及び下面が、それぞれ、２つの接合面として機能し得る。サブマウント５０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素から形成することができる。サブマウント５０の下面には、接合のための金属膜が設けられ得る。一方、サブマウント５０の上面には、他の構成要素に電気的に接続される複数の配線領域が設けられ得る。

（レンズ部材６０）
レンズ部材６０は入射光をコリメートする。なお、レンズ部材６０は、入射光をコリメートするものでなくてもよい。レンズ部材６０は、例えば入射光を集光してもよい。レンズ部材６０は、入射面６１及び出射面６２を有する。入射面６１及び出射面６２のそれぞれは、球面又は非球面のレンズ形状を有し得る。レンズ部材６０は、透光性を有する材料、例えばガラス、プラスチック又は樹脂から形成され得る。

（ビームコンバイナ７０）
ビームコンバイナ７０は、入射する複数の発光素子から出射されるそれぞれの光を同軸に合わせることにより、合波した光を出射する。ビームコンバイナ７０は複数の光学素子７１を接合した構造を有し得る。光学素子７１は、可視光を透過するガラス又はプラスチックなどの透明材料から形成され得る。光学素子７１は、例えばダイクロイックミラーによって実現される。ダイクロイックミラーは、所定の波長選択性を有する誘電体多層膜を有し得る。誘電体多層膜は、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２などから形成され得る。

（発光装置２００）
次に、発光装置２００について説明する。

第２実施形態に係る発光装置２００は、第１実施形態に係る発光装置１００が備える構成に加え、１または複数の受光素子４０、サブマウント５０、１または複数のレンズ部材６０、ビームコンバイナ７０をさらに備え得る。

複数の発光素子２０は、１または複数のサブマウント５０に配置される。図示される例において、複数の発光素子２０は、１個のサブマウント５０の上面に配置される。サブマウント５０は、下部１１の実装面１１Ｍの第１実装領域１１Ｍａに接合される。なお、複数の発光素子２０のそれぞれは、複数のサブマウント５０のうちの対応するサブマウント５０に配置してもよい。サブマウント５０の上面に発光素子２０を配置することで、発光素子２０からの熱を、サブマウント５０を通して効率よく放熱することができる。

１または複数の受光素子４０は、実装面１１Ｍに配置される。１または複数の受光素子４０は、１または複数の発光素子２０が配置される第１実装領域１１Ｍａに配置される。光を出射する発光素子２０と、出射された光を受光する受光素子４０は、例えば前述の光進行方向に並んで配置される。図示する例では、光進行方向はＺ方向と平行である。

複数の発光素子２０に対応して、それぞれの発光素子２０からの出射光を受光する複数の受光素子４０が第１実装領域１１Ｍａに配置され得る。複数の受光素子４０は、前述の第１方向に平行な方向に並んで配置され得る。図示する例では、３個の発光素子２０に対応する３個の受光素子４０が、実装面１１Ｍの第１実装領域１１ＭａにＸ方向に並んで配置される。１または複数の発光素子２０は、出射光を受光する受光素子４０よりも、光進行側に位置する。図示する例では、Ｚ方向において、３個の発光素子２０が、それぞれの出射光を受光する受光素子４０よりも光入射面１０ａに近い側に配置される。このように、発光素子２０は、光入射面１０ａに近づけて配置される。これにより、発光素子２０の出射点２０ｅから光入射面１０ａまでの光路長を比較的短くすることができる。

なお、図１２に示される例のように、受光素子４０は、発光素子２０が配置されるサブマウント５０の上面に配置され得る。このように配置することで、発光素子２０と受光素子４０とを近づけて配置することができる。これにより、発光装置２００全体の光進行方向のサイズを小型化することができる。

図１１Ａに例示する発光装置２００における第１反射面３１は、入射する光のうちの一部の光を反射し、残りの光を透過する部分反射面である。反射部３０の接合面３０ａには、例えば、Ａｇ、Ａｌなどの金属膜が接合層として形成され得る。反射部３０の接合面３０ａは、接合層を介して上部１４の下面１４ｂに接合される。この接合層と接合面３０ａとの界面の全部又は一部は反射面として機能する。以降、この反射面を、第１反射面３１と区別して「第２反射面３２」と呼ぶ。

発光装置２００における反射部３０は、発光素子２０から出射され、第１反射面３１を透過する光を反射する第２反射面３２をさらに有する。また、反射部３０は、第２反射面３２の反対側に設けられ、第１反射面と接続する下面３３を有する。発光素子２０から出射された光のうちの一部は、第１反射面３１で反射され、光透過部１６に入射し、残りの光の一部は、第１反射面３１を透過し、第２反射面３２で反射され、受光素子４０の受光面４１に入射する。

上面視において、第１反射面３１は、発光素子２０の上面２０ａ全体に重なり、第２反射面３２は、受光素子４０の受光面４１の少なくとも一部に重なり得る。第１反射面３１が、発光素子２０の上面２０ａ全体に重なることで、発光素子２０から出射した光を、第１反射面３１で効率よく反射することができる。図１１Ｂに示す例では、第１反射面３１は、３個の発光素子２０の３個の上面２０ａ全体に重なっている。また、反射部３０の下面３３と発光素子２０とは、上面視で重ならないように配置される。このような配置とすることで、発光素子２０と、第１反射面３１との距離を短くすることができる。下面３３は、受光素子４０の受光面４１の少なくとも一部または全部に重なる。受光素子の受光面４１と下面３３とが重なる領域の面積は、例えば受光面４１全体の面積の１／２以上である。図示する例では、下面３３は、受光面４１の全部に重なる。

実装面１１Ｍの法線方向において、下面３３は、受光面４１よりも上方に位置する。下面３３は、受光素子４０の上面とは直接接しない。図示する例で、下面３３は、実装面１１Ｍの法線方向において、受光素子４０の受光面４１と、発光素子２０の上面２０ａとの間に位置する。下面３３がこのように位置するように反射部３０を配置することで、発光素子２０の上面２０ａと第１反射面３１とを近づけることができる。また、発光装置２００全体の高さ方向のサイズを小型化することができる。

光進行方向において、発光素子２０と受光素子４０との間の距離が、例えば、発光素子２０全体の長さよりも短くなるように、発光素子２０と受光素子４０とを配置することができる。光進行方向は、例えば光入射面１０ａに垂直である。例えば、受光素子４０と発光素子２０との間隔を、２０μｍ以下とすることができる。このように配置することにより、発光素子２０及び受光素子４０の上方に配置される反射部３０を小型化することができる。このことは、発光装置２００全体の小型化に寄与し得る。

第２実施形態に係る発光装置２００は、１または複数の発光素子２０から出射された光が入射する１または複数のレンズ部材６０をさらに備える。図に示す例における発光装置２００は、３個の発光素子２０に対応した３個のレンズ部材６０を備える。また、発光装置２００は、３個のレンズ部材６０に対応した３個の光学素子７１を有するビームコンバイナ７０をさらに備える。なお、レンズ部材６０及び光学素子７１の数は、これに限定されない。

１または複数のレンズ部材６０は、下部１１の実装面１１Ｍに配置される。実装面１１Ｍの法線方向において、１または複数のレンズ部材６０は、１または複数の発光素子２０が配置される実装面１１Ｍと同じ平面上に配置される。より詳細には、１または複数のレンズ部材は、実装面１１Ｍの第２実装領域１１Ｍｂに配置される。図示する例では、３個のレンズ部材６０及びビームコンバイナ７０が、キャップ１５の外側に位置する第２実装領域１１Ｍｂに配置される。発光装置２００において、３個の発光素子２０及び反射部３０はキャップ１５の内側に位置し、３個のレンズ部材６０及びビームコンバイナ７０はキャップ１５の外側に位置する。

レンズ部材６０は、入射面６１が反射部３０の第１反射面３１及びキャップ１５の光取出面１０ｂを向き、光取出面１０ｂから出射される光を受ける位置に配置される。図８には３個のレンズ部材６０が個別に示されているが、レンズ部材はこれに限定されず、３個のレンズ部材６０が一体的に形成された構造を有し得る。

図示する発光装置２００の例では、実装面１１Ｍの法線方向において、レンズ部材６０のレンズ光軸Ｌ２は、発光素子２０の出射点２０ｅから出射される光の光軸Ｌ１と、第１反射面３１との交点３１ｃを通る。また、レンズ部材６０のレンズ光軸Ｌ２は、発光素子２０の中心に位置する出射点２０ｅ、または中心に最も近い出射点２０ｅから出射される光の光軸Ｌ１との交点である第１点を通ることが好ましい。図示する例において、第１点である交点３１ｃは、第１反射面３１の中点３１ｍよりも上方に位置する。レンズ光軸Ｌ２の高さがこのようなレンズ部材６０を配置することで、第１反射面３１によって反射される光の主要部分を、レンズ部材６０の入射面６１に効率よく入射させることができる。Ｙ方向において、第１点である交点３１ｃと、第１反射面３１の中点３１ｍとの距離は、例えば１００μｍ以下であり得る。このような距離とすることで、レンズ部材６０の高さ方向（Ｙ方向）の大型化を抑制することができる。

各レンズ部材６０は、各発光素子２０から出射され、光透過部１６を透過した光をコリメートする。ビームコンバイナ７０は、３個のレンズ部材６０のそれぞれから出射される光を同軸に合わせることにより、合波した光を例えばＺ方向に出射する。

図１３Ａ及び図１３Ｂは、発光素子２０が複数の出射点２０ｅを有する場合における発光素子２０及び受光素子４０の配置の例を示す模式図である。図１３Ａ及び図１３Ｂに示す配置の例において、発光素子２０の上面２０ａ及び受光素子４０の受光面４１のそれぞれは、矩形である。ただし、前述したように、これらの形状は矩形に限定されない。

図１３Ａに示す例では、受光素子４０の受光面４１の長辺と、発光素子２０の上面２０ａの長辺とは、Ｚ方向に平行であり、かつ、受光素子４０の受光面４１の短辺と、発光素子２０の上面２０ａの短辺とは、Ｘ方向に平行である。このような配置とすることで、実装面１１Ｍ上の発光装置２００のＸ方向の長さを小さくすることができる。

図１３Ｂに示す例では、受光素子４０の受光面４１の長辺と、発光素子２０の上面２０ａの長辺とは、Ｘ方向に平行であり、かつ、受光素子４０の受光面４１の短辺と、発光素子２０の上面２０ａの短辺とは、Ｚ方向に平行である。このような配置とすることで、実装面１１Ｍ上の発光装置２００のＺ方向の長さを小さくすることができる。また、発光素子２０及び受光素子４０の上方に配置される反射部３０のＹ方向の長さを小さくすることができるため、発光装置２００全体のＹ方向の大きさを小型化することができる。

図１３Ａ及び図１３Ｂのいずれの場合においても、発光素子２０及び受光素子４０の長辺方向と短辺方向が揃っているので、複数の出射点２０ｅから出射されるそれぞれの光を効率よく受光素子４０の受光面に入射させることができる。

（第２実施形態の変形例１）
次に、図８、図１４Ａ及び図１４Ｃを参照して、第２実施形態の変形例１を説明する。図８に、第２実施形態の変形例１に係る発光装置２０１の斜視図が示されている。図１４Ａは、図８のＸＩＶＡ－ＸＩＶＡ断面線における発光装置２０１の断面の一部を拡大した部分拡大図である。図１４Ａに示す部分拡大図は、図１０に示す破線の矩形で囲んだ部分Ｘ１を拡大した図に相当する。図１４Ｃは、図１４Ａに示す発光装置２０１からキャップ１５及び反射部３０－２を除いた状態の上面図である。図１４Ｃには、参考のために、反射部３０－２の第１反射面３１の外形が点線で示されている。

この例では、Ｚ方向において、発光素子２０よりも受光素子４０が、第１側部１３－１の光入射面１０ａに近い側に配置される。反射部３０－２は、回折光学素子を第１反射面３１に有し得る。回折光学素子は、発光素子２０から出射された光のうちの一部を回折して受光素子４０の受光面４１に入射させる。図１４Ａに示す発光装置２０１の例において、回折光学素子によって、反射光の一部は光入射面１０ａに向けられ、反射光の残りの一部は受光素子４０の受光面４１に向けられる。このように、回折光学素子を用いて、発光素子２０から出射され、第１反射面３１によって反射された光をメイン光とモニタ光とに分けることが可能となる。

発光素子２０から出射された光の光軸と第１反射面３１との交点３１ｃと、発光素子２０の上面２０ａの光進行側の端点とを結んだ直線上に、受光素子４０の少なくとも一部が位置する。このように、発光素子２０と受光素子４０を近づけて配置することにより、発光装置２００の光進行方向におけるサイズを小型化することができる。

（第２実施形態の変形例２）
図８、１４Ｂ及び図１４Ｃを参照して、第２実施形態の変形例２を説明する。図８に、第２実施形態の変形例２に係る発光装置２０２の斜視図が示されている。図１４Ｂは、図８のＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ断面線における発光装置２０２の断面の一部を拡大した部分拡大図である。図１４Ｃに示す部分拡大図は、図１０に示す破線の矩形で囲んだ部分Ｘ１を拡大した図に相当する。図１４Ｃは、図８の発光装置２０２からキャップ１５及び反射部３０－２を除いた状態の上面図である。

図１４Ｂに例示する発光装置２０２において、光透過部１６は、光入射面１０ａに回折光学素子を有する。回折光学素子は、第１反射面３１によって反射された光のうちの一部を回折して受光素子４０の受光面４１に入射させる。この例においても、回折光学素子を用いて、発光素子２０から出射され、第１反射面３１によって反射された光をメイン光とモニタ光とに分けることが可能となる。

発光装置２０１、２０２の構成例によれば、反射部３０－２の第１反射面３１は、発光装置２００が備える反射部３０の第１反射面３１と同様に、上面視で、発光素子２０と少なくとも一部が重なる。一方で、反射部３０－２は、第２反射面３２を有さない。また、反射部３０－２の第１反射面３１は、上面視で、受光面４１と重ならないように設けられ得る。例えば、受光素子４０よりも発光素子２０を第１側部１３－１の光入射面１０ａに近い側に配置する場合と比べ（図１１Ａを参照）、反射部３０－２全体のサイズを相対的に小さくすることが可能である。

（第２実施形態の変形例３）
図１５は、第２実施形態の変形例３に係る発光装置２０３の構成例を示す断面図である。

図１５に例示する発光装置２０３は、下部１１と異なる更なる基板９１を備える。パッケージ１０、３個のレンズ部材６０及びビームコンバイナ７０は、基板９１上に配置される。実装面１１Ｍの法線方向において、３個のレンズ部材６０及びビームコンバイナ７０は、実装面１１Ｍよりも低い平面上に配置されている。レンズ部材６０とパッケージ１０との高さの差ｈｇ（Ｙ方向のサイズ差）は、例えば４００μｍ以下であり、例えば２００μｍ以下であることが好ましい。この構成例によれば、実装面１１Ｍよりも低い平面上にレンズ部材６０を配置することにより、レンズ部材６０のサイズを比較的大きくすることができる。これにより、入射面６１の面積を拡大することができ、その結果、第１反射面３１によって反射される光の主要部分を効率的にコリメートすることが可能となる。

なお、１または複数のレンズ部材６０及びビームコンバイナ７０を備える発光装置として、図８に示す発光装置２００を例示したが、本開示はこれに限定されない。図８に例示する発光装置２００におけるパッケージ１０の内部の構成を、例えば、前述した図３または図６に例示する発光装置の構成に置き換えることが可能である。

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る発光装置は、第１反射面が、上部と１または複数の側部とに接続するように設けられる点で、第１実施形態、及び第２実施形態に係る発光装置と相違する。以下、相違点を主に説明し、共通部分の説明は省略する。

図１、図８、図１６及び図１７を参照して、第３実施形態に係る発光装置を説明する。図１に、発光装置３００の斜視図が示されている。図１６は、図１のＸＶＩ－ＸＶＩ断面線における発光装置３００の断面図である。

発光装置３００は、下部１１、１または複数の側部１３、上部１４、及び１または複数の発光素子２０を備える。発光装置３００は、１または複数の側部１３及び上部１４と一体に形成される反射部３０Ａをさらに備える。

図示する例で、発光装置３００は、基板１２、キャップ１５Ａ、及び３個の発光素子２０を備える。基板１２は、下部１１を含む。キャップ１５Ａは、第１側部１３－１、第２側部１３－２、上部１４、及び反射部３０Ａが一体に形成された構造を備える。なお、第１側部１３－１に相当する第１キャップと、第２側部１３－２、上部１４、反射部３０Ａが一体に形成された第２キャップとで、キャップ１５Ａが構成されてもよい。

図１６では、キャップ１５Ａが有する第１側部１３－１、第２側部１３－２、上部１４、及び反射部３０Ａの仮想的な境界を点線で示している。第２側部１３－２と反射部３０Ａの境界は、第２側部１３－２と反射部３０Ａの交線を通り、実装面１１Ｍに垂直な第１仮想面上にある。上部１４と反射部３０Ａの境界は、上部１４と反射部３０Ａの交線を通り、実装面１１Ｍに平行な第２仮想面上にある。反射部３０Ａは、第１反射面３１Ａと第１仮想面と第２仮想面とで画定される。第２側部１３－２は、外側面を有する。上部１４は、上面及び下面１４ｂを有する。上部１４の上面は、下面１４ｂよりもその面積が大きい。反射部３０Ａは、第１反射面３１Ａを有する。第１反射面３１Ａは、キャップ１５Ａの内側面の少なくとも一部を構成する。反射部３０Ａは、外側面を有さない。

第１反射面３１Ａは、上部１４と第２側部１３－２とに接続するように設けられる。さらに、第１反射面３１Ａは、下部１１の実装面１１Ｍと上部１４の下面１４ｂとに接するように設けられる。第１反射面３１Ａの実装面１１Ｍに対する傾斜角度は、下面１４ｂの実装面１１Ｍに対する傾斜角度よりも大きい。図示する例では、下面１４ｂは実装面１１Ｍに対して平行である。このようにすることにより、発光装置３００全体のＹ方向のサイズを小型化することができる。なお、ここでの「平行」とは±３度の誤差を含む。

１または複数の発光素子２０は、下部１１の実装面１１Ｍに配置される。上面視で、発光素子２０は、第１反射面３１に重なるように配置される。上面視で、発光素子２０は、下面１４ｂには重ならない。光進行方向において、第１反射面３１Ａの長さは、下面１４ｂの長さよりも長い。第１反射面３１Ａの長さは、例えば下面１４ｂの長さの３倍であり得る。光進行方向において、第１側部１３－１の光入射面１０ａから発光素子２０の出射点２０ｅまでの距離と、第１反射面３１Ａと第２側部１３－２との境界から発光素子２０の出射点２０ｅまでの距離は、例えば０．２倍以上５倍以下である。図示する例では、第１反射面３１Ａと実装面１１Ｍとが接続する点が第１反射面３１Ａと第２側部１３－２との境界である。

キャップ１５Ａが含む反射部３０Ａの表面（つまり第１反射面３１Ａ）には、例えば光反射制御膜、回折光学素子又はＤＢＲ膜が設けられる。キャップ１５Ａが含む第１側部１３－１の光入射面１０ａには、反射防止膜が形成され得る。

（第３実施形態の変形例）
図８は、第３実施形態の変形例に係る発光装置３０１の構成例を示す斜視図である。図１７は、図８のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ断面線における発光装置３０１の断面図である。第３実施形態の変形例に係る発光装置３０１は、第３実施形態に係る発光装置３００が備える構成に加えて、１または複数の受光素子４０、サブマウント５０、１または複数のレンズ部材６０、及びビームコンバイナ７０をさらに備える。第３実施形態に係る発光装置３００、３０１は、上部、側部、及び反射部とが一体に形成されることにより、発光装置３００、３０１全体の小型化を奏することができる。

＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る発光装置は、下部、側部、及び上部により画定される閉空間内に、レンズ部材が配置される点で、第１から第３実施形態と相違する。以下、相違点を主に説明し、共通部分の説明は省略する。

図１８から図２０を参照して、第４実施形態に係る発光装置４００を説明する。図１８は、発光装置４００の斜視図である。図１９は、発光装置４００からキャップ１５を除いた状態の上面図である。図２０は、図１８のＸＸ－ＸＸ断面線における発光装置４００の断面図である。

発光装置４００において、１または複数のレンズ部材６０は、第１実装領域１１Ｍａに配置される。１または複数のレンズ部材６０は、下部１１、１または複数の側部１３、及び上部１４で画定される閉空間Ｖ内に配置される。図示する例では、発光装置４００は、複数の発光素子２０、反射部３０、複数のレンズ部材６０、及びビームコンバイナ７０を備える。複数の発光素子２０、反射部３０、及び複数のレンズ部材６０は、基板１２及びキャップ１５により形成される閉空間Ｖ内に配置される。ビームコンバイナ７０は、キャップ１５を挟んで、第２実装領域１１Ｍｂに配置される。

発光素子２０の最も光進行側に位置する端点と、レンズ部材６０の入射面６１との距離は、発光素子２０の光進行方向における長さよりも短い。このような距離とすることで、発光装置４００全体の光進行方向における長さを短くすることができる。また、レンズ部材６０を発光素子２０に近づけることで、発光素子２０から出射した光が、レンズ部材６０の入射面６１に入射するまでの光路長を短くすることができる。これにより、レンズ部材６０の入射面６１における照射領域を小さくすることができるので、レンズ部材６０の高さ方向、つまりＹ方向における大きさを小型化することができる。発光素子２０の最も光進行側に位置する端点と、入射面６１までの距離は例えば５００μｍ以下とすることができる。

実装面１１Ｍの法線方向において、反射部３０の第１反射面３１の最上点３１ｓよりもレンズ部材６０の入射面６１の最上点６１ｓが下方に位置する。レンズ部材６０の高さ方向をこのような大きさとすることで、発光装置４００全体の大きさを小型化することができる。実装面１１Ｍの法線方向において、反射部３０の第１反射面３１の中点３１ｍ（第１実施形態の図５を参照）よりもレンズ部材６０の入射面６１の最上点６１ｓが上方に位置する。レンズ部材６０の高さ方向をこのような大きさとすることで、第１反射面３１で反射された光の主要部分を、効率よく入射面６１に取り込むことができる。

＜第５実施形態＞
第５実施形態に係る発光装置は、ＶＣＳＥＬ素子及び端面発光レーザ素子を含む複数の発光素子を備える点で、第１から第４実施形態に係る発光装置と相違する。以下、相違点を主に説明し、共通部分の説明は省略する。以下の説明において、ＶＣＳＥＬ素子及び端面発光レーザ素子を、それぞれ、第１発光素子２０ｓ及び第２発光素子２０ｔと記載し、両者を区別する。

図２１から図２５を参照して、第５実施形態に係る発光装置５００を説明する。図２１は、発光装置５００の斜視図である。図２２は、発光装置５００からキャップ１５を除いた状態の上面図である。図２３Ａは、図２１のＸＸＩＩＩＡ－ＸＸＩＩＩＡ断面線における発光装置５００の断面図である。図２３Ｂは、図２１のＸＸＩＩＩＢ－ＸＸＩＩＩＢ断面線における発光装置５００の他の構造例の断面図である。図２４は、図２１のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ断面線における発光装置５００の断面図である。図２５は、図２４の断面図における部分Ｘ２を拡大した部分拡大図である。図２５には、第１発光素子２０ｓ、第２発光素子２０ｔ、反射部３０、及びそれらの近傍が拡大して示されている。

図２１に例示する発光装置５００は、２個の第１発光素子２０ｓ及び１個の第２発光素子２０ｔを備える。ただし、第１発光素子２０ｓ及び第２発光素子２０ｔのそれぞれの個数はこれに限定されない。２個の第１発光素子２０ｓ及び１個の第２発光素子２０ｔは、実装面１１Ｍに配置され、パッケージ１０の内部に位置している。例えば、２個の第１発光素子２０ｓの一方が、青色の光を出射し、他方が緑色の光を出射する。第２発光素子２０ｔが赤色の光を出射する。

第２発光素子２０ｔは、実装面１１Ｍに平行な方向に光を出射する１又は複数の出射点２０ｅを有する。第２発光素子２０ｔから出射される光は、光透過部１６を透過して外部に出射される。第２発光素子２０ｔから出射される光の主要部分は、例えば楕円形状のＦＦＰを有し得る。第２発光素子２０ｔから出射される光の速軸方向の拡がり角は、第１発光素子２０ｓから出射される直径方向の拡がり角よりも大きい。

図２３Ａに示す例のように、第１発光素子２０ｓから出射した光Ｌｓは、第１反射面３１により側方に反射される。第１反射面３１で反射され、側方に進行した光Ｌｓは、光入射面１０ａにおいて、光入射面１０ａを透過する光Ｌｓと、反射される光Ｌｓに分光する。光入射面１０ａを透過した光Ｌｓはレンズ部材６０の入射面に入射する。光入射面１０ａで反射された光Ｌｓは、受光素子４０の上面に入射する。

第１発光素子２０ｓから出射された光Ｌｓの分光は、光入射面１０ａでの分光に限定されない。図２３Ｂに示す例のように、第１発光素子２０ｓから出射した光Ｌｓは、反射部３０の第１反射面３１で反射され、側方に進行し光入射面１０ａに入射する光Ｌｓと、受光素子４０の上面に入射する光に分光されてもよい。

図２４で示す例のように、第２発光素子２０ｔから出射した光Ｌｔは、側方に向かって進行する。側方に進行する光Ｌｔは、光入射面１０ａにおいて、光入射面１０ａを透過する光Ｌｔと、反射される光Ｌｔに分光する。光入射面１０ａを透過した光Ｌｓはレンズ部材６０の入射面に入射する。光入射面１０ａで反射された光Ｌｓは、受光素子４０の上面に入射する。

光進行方向において、第１発光素子２０ｓの出射点から光入射面１０ａまでの距離は、第２発光素子２０ｔの出射点から光入射面１０ａまでの距離よりも短い。このような配置とすることで、第１発光素子２０ｓから出射されて、第１反射面３１に反射されて光入射面１０ａに入射するまでの光Ｌｓの光路長と、第２発光素子２０ｔから出射されて、光入射面１０ａに入射する光Ｌｔの光路長を近づけることができる。図示される例において、Ｘ方向から見る側面視で、第２発光素子２０ｔの出射端面と、第１発光素子２０ｓとは重ならない。

発光装置５００は、実装面１１Ｍに配置されるサブマウント５０をさらに備える。図示するように、第１発光素子２０ｓ及び第２発光素子２０ｔは、それぞれ、第１サブマウント５０Ａの上面５０ａ及び第２サブマウント５０Ｂの上面５０ｂに配置される。実装面１１Ｍの法線方向において、実装面１１Ｍから第２サブマウント５０Ｂの上面５０ｂまでの距離は、実装面１１Ｍから第１反射面３１の最下点３１ｔまでの距離よりも大きい。実装面１１Ｍから第２サブマウント５０Ｂの上面５０ｂまでの距離を、実装面１１Ｍから第１反射面３１の最下点３１ｔまでの距離よりも大きくすることで、第１発光素子２０ｓから出射し、光透過部１６を通過する光の光軸のＺ方向の高さに、第２発光素子２０ｔから出射し、光透過部１６を通過する光の光軸のＺ方向の高さを近づけることができる。

発光装置５００において、実装面１１Ｍから第２発光素子２０ｔの出射点２０ｅまでの高さｈ１と、実装面１１Ｍから、第１発光素子２０ｓの出射点２０ｅから出射される光Ｌｓの光軸と第１反射面３１との交点３１ｃまでの高さｈ２とを揃えることが望ましい。第２サブマウント５０Ｂに第２発光素子２０ｔを配置し、第２サブマウント５０Ｂの厚さを調整することによって、高さｈ１と高さｈ２とを揃えることができる。高さｈ１と高さｈ２との差の絶対値は、例えば３００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。高さｈ１と高さｈ２とを揃えることにより、第１発光素子２０ｓから出射された光、及び第２発光素子２０ｔから出射された光の光軸をコリメートする３個のレンズ部材６０の高さ方向の大きさを等しくすることができる。また、各出射面６２から出射されるコリメート光の光軸の高さを等しくすることができる。

２個の第１発光素子２０ｓを配置する第１サブマウント５０Ａと、第２発光素子２０ｔを配置する第２サブマウント５０Ｂとの厚さの差の絶対値は、例えば１ｍｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。このように、第１発光素子２０ｓが配置される第１サブマウント５０Ａの高さと、第２発光素子２０ｔが配置される第２サブマウント５０Ｂの高さとを調整することで、高さｈ１と高さｈ２とを等しくすることができる。なお、発光装置５００は、第１サブマウント５０Ａ、第２サブマウント５０Ｂの代わりに、下部１１が、第１発光素子２０ｓ、第２発光素子２０ｔが配置される位置に凸部を有していてもよい。また、第１発光素子２０ｓが実装面１１Ｍに直接配置され、第２発光素子２０ｔが第２サブマウント５０Ｂの上面に配置されてもよい。

第５実施形態に係る発光装置５００によれば、ＶＣＳＥＬ素子及び端面発光レーザ素子を混載した、パッケージの側方に光を出射する新規な発光装置が提供される。これにより、発光装置に搭載する発光素子の選択肢を拡張することができ、柔軟な対応が可能となる。ＲＧＢの発光素子を備える発光装置は、ディスプレイのバックライトとして好適に利用され得る。

＜第６実施形態＞
第６実施形態に係る発光装置は、側部がその少なくとも一部に開口部と、開口部に設けられる封止部とを有する点で、第１から第５実施形態に係る発光装置と相違する。以下、相違点を主に説明し、共通部分の説明は省略する。

図２６～図３０を参照して、第６実施形態に係る発光装置６００、６０１について説明する。図２６は、発光装置６００の斜視図である。図２７は、図２６の発光装置６００から蓋部１８及び反射部３０－１を除いた上面図である。図２８は、図２６のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ断面線における発光装置６００の断面図である。

（パッケージ１０Ａ）
パッケージ１０Ａは、封止部１６Ａと、凹形状を有するキャビティ１７と、蓋部１８とを備える。キャビティ１７は、底面１７ａ、底面１７ａの反対側に位置する下面１７ｂ、底面１７ａに接続する１又は複数の内側面、下面１７ｂに接続する１又は複数の外側面、及び内側面と外側面と接続する上面１７ｃを有する。蓋部１８は、キャビティ１７の上面１７ｃに接合される。蓋部１８は、上面１８ａと、上面１８ａの反対側に位置し、キャビテティ１７の上面１７ｃに接合される下面１８ｂを有する。

キャビティ１７には、キャビティ１７の１つの内側面とその反対側の外側面を貫通する開口が設けられている。さらに、キャビティ１７の開口に、封止部１６Ａが設けられている。封止部１６Ａ、キャビティ１７、及び蓋部１８によって、封止空間Ｖが形成される。また、封止部１６Ａは、ガラス、プラスチック、石英、サファイアなどの透光性材料から形成される。キャビティ１７は、例えばセラミック、金属等を主材料として形成できる。蓋部１８は、例えば金属等から形成することができる。このように、封止部１６Ａのみを透光性を有する領域とすることで、封止部１６Ａ以外から光が漏れることを抑制できる。

ここで、パッケージ１０Ａは、他の実施形態と同様に、下部１１、側部１３、及び上部１４を有するとみなすことができる。本実施形態では、キャビティ１７のうち、底面１７ａよりも下面１７ｂ側の部分を下部１１、その他の部分を側部１３とする。側部１３は、発開口に設けられた封止部１６Ａを含む。封止部１６Ａが設けられる側部１３が、第１側部１３－１である。また、蓋部１８を上部１４とする。

（発光装置６００）
１又は複数の発光素子２０及び反射部は、封止空間Ｖに配置される。図示する例では、反射部は、第１実施形態に係る反射部３０－１である。図示する例で、１又は複数の発光素子２０は、３つのＶＣＳＥＬ素子である。１又は複数の発光素子２０の上面から出射した光は、反射部３０－１の第１反射面３１で反射され、側方に進行する。側方に進行する光は、封止部１６Ａの封止空間Ｖに接する内側面に入射し、その反対側の外側面より出射する。本実施形態では、内側面が光入射面１０ａであり、外側面が光取出面１０ｂである。封止部１６Ａを通過する光の進行方向において、光入射面１０ａは、キャビティ１７の外側面よりも光進行方向側に位置する

１又は複数の発光素子２０及び反射部３０－１は、光入射面１０ａに垂直な方向に並んで底面１７ａに配置される。これらの部材は、例えば金属接着剤により底面１７ａに接合される。光入射面１０ａに垂直な方向において、１又は複数の発光素子２０は、反射部３０―１が接合される位置よりも光入射面１０ａ側に近い位置で、底面１７ａに接合される。

（第６実施形態の変形例）
次に、図２９及び図３０を参照して、第６実施形態に係る発光装置６０１を説明する。図２９は、発光装置６０１の斜視図である。図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ断面線における発光装置６０１の断面図である。発光装置６００と共通する部分については適宜省略して説明する。

（パッケージ１０Ｂ）
発光装置６０１は、パッケージ１０Ｂを備える。パッケージ１０Ｂは、基板１２Ａと、キャップ１５Ｂと、封止部１６Ａとを備える。図示する例において、基板１２Ａは、第１上面１２ａ、第２上面１２ｂ、下面１２ｃ、及び複数の側面を有する。１つの側面に垂直な方向から見る側面視において、基板１２Ａは凸形状を有する。図示する例において、第１上面１２ａと第２上面１２ｂは同じ方向を向く面である。下面１２ｃは、第１上面１２ａ及び第２上面１２ｂとは反対側を向く面である。第２上面１２ｂは、第１上面１２ａよりも下面１２ｃ側に位置する。以下、下面１２ｃから第１上面１２ａに向かう方向を上方、その反対側に向かう方向を下方とする。第１上面１２ａ、第２上面１２ｂ、及び下面１２ｃは、例えば互いに平行であってよい。

図示する例で、キャップ１５Ｂは、基板１２Ａの第２上面１２ｂに接合され、上方に延伸する。また、キャップ１５Ｂは、その側壁部分に開口を有し、その開口に封止部１６Ａが設けられる。基板１２Ａと、キャップ１５Ｂと、封止部１６Ａとによって、封止空間Ｖが形成される。キャップ１５Ｂは、例えばセラミック、金属等を主材料として形成してもよい。

ここで、パッケージ１０Ａは、発光装置６００と同様に、下部１１、側部１３、及び上部１４を有するとみなすことができる。本実施形態では、基板１２Ａが下部１１である。キャップ１５Ｂの側壁部分が側部１３である。側部１３は、封止部１６Ａを含む。キャップ１５Ｂの側壁部分に接続し、基板１２Ａの上方に位置する部分を上部１４とする。

（発光装置６０１）
１又は複数の発光素子２０及び反射部は、封止空間Ｖに配置される１又は複数の発光素子２０の上面から出射した光は、反射部３０－１の第１反射面３１で反射され、側方に進行する。側方に進行する光は、封止部１６Ａの封止空間Ｖに接する内側面に入射し、その反対側の外側面より出射する。封止部１６Ａを通過する光の進行方向において、基板１２Ａの最も光進行方向側に位置する側面は、光入射面１０ａよりも光進行方向側に位置する。一方で、光取出面１０ｂは、個の側面よりも、光進行方向側に位置する。

図示する例で、１又は複数の発光素子２０及び反射部３０－１は、基板１２Ａの第１上面１２ａに配置される。このように、１又は複数の発光素子２０及び反射部３０－１を、キャップ１５Ｂが接合される第２上面１２ｂよりも上方に配置することにより、封止部１６Ａから出射する光の高さを高くすることができる。

実施形態に係る発光装置は、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクタ、照明、ディスプレイ等に使用することができる。

１０、１０Ａ、１０Ｂ ：パッケージ
１０ａ ：光入射面
１０ｂ ：光取出面
１１ ：下部
１１Ｍ ：実装面
１１Ｍａ ：第１実装領域
１１Ｍｂ ：第２実装領域
１１Ｐ ：周辺領域
１２、１２Ａ ：基板
１３ ：側部
１３－１ ：第１側部
１３－２ ：第２側部
１３－２ａ ：内側面
１４ ：上部
１４ｂ ：下面
１５、１５Ａ、１５Ｂ ：キャップ
１６ ：光透過部
１６Ａ ：封止部
１７ ：キャビティ
１８ ：蓋部
２０ ：発光素子
２０ｓ ：第１発光素子
２０ｔ ：第２発光素子
２０ａ ：上面
２０ｃ ：中心
２０ｅ ：出射点
３０、３０－１、３０－２、３０Ａ ：反射部
３０ａ ：接合面
３１ ：第１反射面
３１ｃ ：交点（第１点）
３１ｍ ：中点
３１ｓ ：最上点
３１ｔ ：最下点
３２ ：第２反射面
３３ ：下面
４０ ：受光素子
４１ ：受光面
５０ ：サブマウント
５０Ａ ：第１サブマウント
５０Ｂ ：第２サブマウント
６０ ：レンズ部材
６１ ：入射面
６２ ：出射面
７０ ：ビームコンバイナ
７１ ：光学素子
９１ ：基板
１００、１０１、２００～２０３、３００、３０１、４００、５００、６００、６０１：発光装置
Ｖ ：閉空間

Claims (15)

1. 上部、下部、及び、１または複数の側部を有し、前記上部、前記下部、及び、前記側部によって画定される閉空間を有するパッケージと、
   上面に１又は複数の出射点を有し、前記下部の実装面に配置される第１発光素子と、
   前記１又は複数の出射点から、上方に出射された光を反射する第１反射面を有する反射部と、
   を備え、
   前記第１反射面は、前記閉空間に設けられ、
   前記１または複数の側部は、光透過部を有する第１側部を含み、
   前記第１反射面によって反射された光が前記光透過部を透過して外部に出射され、
   前記実装面の法線方向において、前記上部の下面から前記実装面までの第１距離は、前記第１発光素子の前記上面から前記第１反射面の中点までの第２距離の１．５倍以上である、発光装置。
2. 前記１または複数の側部は、前記第１発光素子を基準として前記第１側部と反対側に位置する第２側部を含み、
   前記反射部は、前記第１反射面が前記第２側部と離隔して、前記閉空間に配される、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記反射部は、さらに接合面を有し、
   前記接合面は、前記上部の下面又は前記実装面の少なくとも一方に接合する、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記反射部の前記接合面は、前記上部の下面に接合し、
   前記反射部の主材料はシリコンである、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記第１反射面が、前記上部と前記側部とに接続するように設けられる、請求項１に記載の発光装置。
6. 前記１または複数の側部は、前記第１発光素子を基準として前記第１側部の反対側に位置する第２側部を有し、
   前記上部と、前記第２側部と、前記反射部とは、一体に形成され、前記反射部の表面に反射膜が設けられており、
   前記第１側部は、反射防止膜が設けられた表面を有する、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第１反射面の中点は、前記第１発光素子の前記上面の中心に位置する出射点、あるいは、前記第１発光素子の前記上面の中心に最も近い出射点から出射した光の光軸と、前記第１反射面との交点である第１点と重なる、請求項１に記載の発光装置。
8. 前記実装面に配置される、受光面を有する受光素子をさらに備え、
   前記第１側部は、前記第１反射面によって反射した光が入射する光入射面を有し、
   前記光入射面の法線方向において、前記第１発光素子と前記受光素子との間隔は、前記第１発光素子の長さよりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
9. 前記第１発光素子及び前記受光素子は、前記光入射面の法線方向に並ぶように配置され、
   前記光入射面の法線方向において、前記受光素子よりも前記第１発光素子は、前記光入射面に近い側に配置される、請求項８に記載の発光装置。
10. 前記反射部は、前記第１発光素子から出射され、前記第１反射面を透過する光を反射する第２反射面をさらに有し、
    前記実装面の法線方向から見る上面視において、前記第１反射面は、前記第１発光素子の前記上面の全体に重なり、
    前記第２反射面は、前記受光素子の前記受光面の少なくとも一部に重なる、請求項９に記載の発光装置。
11. 前記第１発光素子から出射され、前記光透過部を透過した光をコリメートするレンズ部材をさらに備える、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記実装面の法線方向において、前記レンズ部材は、前記実装面と同じ平面、又は、前記実装面よりも低い平面上に配置され、
    前記実装面の法線方向において、前記レンズ部材のレンズ光軸は、前記第１発光素子から出射される光の光軸と、前記第１反射面との交点を通る、請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記実装面に平行な方向に光を出射する１又は複数の出射点を有し、前記実装面に配置された第２発光素子をさらに備え、
    前記第２発光素子から出射される光は、前記光透過部を透過して外部に出射される、請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、半導体レーザ素子であり、
    前記第１発光素子は、青色又は緑色の光を出射し、前記第２発光素子は、赤色の光を出射する、請求項１３に記載の発光装置。
15. 前記実装面に配置されるサブマウントをさらに備え、
    前記第２発光素子は、前記サブマウントの上面に配置され、
    前記実装面の法線方向において、前記実装面から前記サブマウントの前記上面までの距離は、前記実装面から前記第１反射面の最下点の距離よりも大きい、請求項１３に記載の発光装置。

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