JP2023092401A - 実装装置、照明システムの調整方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ワークの認識精度を向上することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】実装装置は、照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、照明システムの出力制御および前記撮像装置で撮像した画像の画像処理を行う制御部と、を備える。制御部は、ワークの認識エラーが発生した場合、照明値を所定値に設定して、照明システムにより照射されたワークを撮像装置により撮像して取得画像を取得し、取得画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、最も類似するパターン画像とテンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される。
【選択図】図4
【解決手段】実装装置は、照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、照明システムの出力制御および前記撮像装置で撮像した画像の画像処理を行う制御部と、を備える。制御部は、ワークの認識エラーが発生した場合、照明値を所定値に設定して、照明システムにより照射されたワークを撮像装置により撮像して取得画像を取得し、取得画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、最も類似するパターン画像とテンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される。
【選択図】図4
Description
本開示は実装装置に関し、例えばダイや基板を認識するカメラを備えるダイボンダに適用可能である。
半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ(以下、単にダイという。)を配線基板やリードフレーム等(以下、単に基板という。)に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ(以下、単にウエハという。)からダイを分割する工程(ダイシング工程)と、分割したダイを基板の上に搭載するボンド工程とがある。ボンド工程に使用される半導体製造装置がダイボンダ等の実装装置である。
一般的に、ダイボンダでのダイや基板(以下、単にワークという。)の位置決めは、ワークに照明システム(照明装置)で光を照射し、カメラにより撮像した画像を画像処理することにより、行われている。そのため、ワークの認識精度は、照明システムの光量(照明出力)に大きく影響される。
本開示の課題は、ワークの認識精度を向上することが可能な技術を提供することである。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、実装装置は、照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、照明システムの出力制御および撮像装置で撮像した画像の画像処理を行う制御部と、を備える。制御部は、ワークの認識エラーが発生した場合、照明値を所定値に設定して、照明システムにより照射されたワークを撮像装置により撮像して取得画像を取得し、取得画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、最も類似するパターン画像とテンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、所定値を変更して、マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される。
すなわち、実装装置は、照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、照明システムの出力制御および撮像装置で撮像した画像の画像処理を行う制御部と、を備える。制御部は、ワークの認識エラーが発生した場合、照明値を所定値に設定して、照明システムにより照射されたワークを撮像装置により撮像して取得画像を取得し、取得画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、最も類似するパターン画像とテンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、所定値を変更して、マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される。
本開示によれば、ワークの認識精度を向上することができる。
以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
実装装置の一例であるダイボンダの構成について図1および図2を用いて説明する。
ダイボンダ10は、大別して、ダイ供給部1と、ピックアップ部2、中間ステージ部3と、ボンド部4と、搬送部5、基板供給部6と、基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。Y軸方向がダイボンダ10の前後方向であり、X軸方向が左右方向である。ダイ供給部1がダイボンダ10の手前側に配置され、ボンド部4が奥側に配置される。ここで、基板Sには最終的に一つのパッケージとなる、一つ又は複数の製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)がプリントされている。
ダイ供給部1は、ウエハ11を保持するウエハ保持台12と、ウエハ11からダイDを突き上げる点線で示す突上げユニット13と、を有する。ウエハ保持台12は図示しない駆動手段によってXY方向に移動し、ピックアップするダイDを突上げユニット13の位置に移動させる。突上げユニット13は図示しない駆動手段によって上下方向に移動する。ウエハ11はダイシングテープ16上に接着されており、複数のダイDに分割されている。ウエハ11は図示しないウエハリングに保持されている。また、ウエハ11とダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれるフィルム状の接着材料が貼り付けられている。
ピックアップ部2は、ダイDをピックアップするピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23と、コレット22を昇降、回転及びX方向移動させる図示しない各駆動部と、ウエハ11上のダイDの姿勢を認識するためのウエハ認識カメラ24と、を有する。ピックアップヘッド21は、突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット22を有し、ダイ供給部1からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降、回転及びX方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
中間ステージ部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32と、を有する。
ボンド部4は、ボンドヘッド41と、Y駆動部43と、基板認識カメラ44と、を有する。ボンドヘッド41はピックアップヘッド21と同様にダイDを先端に吸着保持するコレット42を備える。Y駆動部43はボンドヘッド41をY軸方向に移動させる。基板認識カメラ44は基板SのパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディング位置を認識する。ボンド部4は、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてくる基板SのパッケージエリアP上にダイをボンドし、又は既に基板SのパッケージエリアPの上にボンドされたダイの上に積層する形でダイをボンドする。このような構成によって、ボンドヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップする。そして、ボンドヘッド41は、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板のパッケージエリアP上に、または既に基板SのパッケージエリアPの上にボンドされたダイの上に積層する形で、ダイDをボンディングする。
搬送部5は、基板Sを掴み搬送する基板搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、搬送レーン52に設けられた基板搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
次に、制御部8について図3を用いて説明する。
制御系80は制御部(制御装置)8と駆動部86と信号部87と光学系88とを備える。制御部8は、大別して、主としてCPU(Central Processing Unit)で構成される制御・演算装置81と、記憶装置82と、入出力装置83と、バスライン84と、電源部85とを有する。記憶装置82は、処理プログラムなどを記憶しているRAM(Random Access Memory)で構成されている主記憶装置82aと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているHDD(Hard Disk Drive)やSSD(Solid State Drive)等で構成されている補助記憶装置82bとを有する。
入出力装置83は、装置状態や情報等を表示するモニタ83aと、オペレータの指示を入力するタッチパネル83bと、モニタを操作するマウス83cと、光学系88からの画像データを取り込む画像取込装置83dと、を有する。また、入出力装置83は、ダイ供給部1のXYテーブル(図示せず)やボンドヘッドテーブルのZY駆動軸等の駆動部86を制御するモータ制御装置83eと、種々のセンサや後述する照明装置26などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む信号部87から信号を取り込み又は制御するI/O信号制御装置83fとを有する。光学系88には、ウエハ認識カメラ24、ステージ認識カメラ32、基板認識カメラ44が含まれる。制御・演算装置81はバスライン84を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド21等の制御や、モニタ83a等に情報を送る。
制御部8は画像取込装置83dを介してウエハ認識カメラ24、ステージ認識カメラ32および基板認識カメラ44で撮像した画像データを記憶装置82に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置81を用いてダイDおよび基板SのパッケージエリアPの位置決め、並びにダイDおよび基板Sの表面検査を行う。制御・演算装置81が算出したダイDおよび基板SのパッケージエリアPの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置83eを介して駆動部86を動かす。このプロセスによりウエハ上のダイの位置決めを行い、ピックアップ部2およびボンド部4の駆動部で動作させダイDを基板SのパッケージエリアP上にボンドする。使用するウエハ認識カメラ24、ステージ認識カメラ32および基板認識カメラ44は光強度や色を数値化する。ウエハ認識カメラ24、ステージ認識カメラ32および基板認識カメラ44は撮像装置ともいう。
次に、半導体装置の製造方法の一工程であるダイボンド工程について説明する。
実施形態のダイボンド工程では、まず、ウエハが組み込まれたウエハリングを準備し、ダイボンダ10に搬入する(P1工程)。制御部8は、ウエハリングをウエハ保持台12に載置し、ウエハ保持台12をダイDのピックアップが行われる基準位置まで搬送する(P2工程)。そして、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する(P3工程)。制御部8は、基板供給部6で基板Sを搬送レーン52に載置する。制御部8は、基板Sを掴み搬送する基板搬送爪51をボンド位置まで移動させる(P4工程)。
P2工程に続いて、制御部8は、ウエハ11が載置されたウエハ保持台12を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイDをピックアップ位置に配置する(P5工程)。
P5工程に続いて、制御部8は、ウエハ認識カメラ24によってピックアップ対象のダイDの主面(上面)を撮影し、取得した画像からピックアップ対象のダイDの上述のピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。制御部8は、この位置ずれ量を基にウエハ11が載置されたウエハ保持台12を移動させ、ピックアップ対象のダイDをピックアップ位置に正確に配置する(P6工程)。そして、制御部8は、ウエハ認識カメラ24によってピックアップ対象のダイDの主面(上面)を撮影し、取得した画像から、ダイDの表面検査を行う(P7工程)。
P4工程に続いて、制御部8は、基板認識カメラ44によって基板Sを撮像して撮像画像に基づいて基板Sの位置決めを行う(P8工程)。そして、制御部8は、基板認識カメラ44によって基板Sを撮像し、取得した画像から、基板SのパッケージエリアPの表面検査を行う(P9工程)。
P8工程に続いて、制御部8は、コレット22を含むピックアップヘッド21によってダイDをダイシングテープ16からピックアップし、中間ステージ31に載置する(P10工程)。以後、同様の手順に従ってダイDが1個ずつダイシングテープ16から剥がされる。不良品を除くすべてのダイDのピックアップが完了すると、それらダイDをウエハ11の外形で保持していたダイシングテープ16およびウエハリング等を搬出する。
P10工程に続いて、制御部8は、中間ステージ31に載置したダイの姿勢ずれの検出をステージ認識カメラ32にて撮像して行う。制御部8は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ31に設けられた駆動装置(不図示)によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ31を駆動させて姿勢ずれを補正する(P11工程)。そして、制御部8は、ステージ認識カメラ32によって中間ステージ31に載置したダイを撮像し、取得した画像から、ダイDの表面検査を行う(P12工程)。
P12工程に続いて、制御部8は、コレット42を含むボンドヘッド41によって中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板SのパッケージエリアPまたは既に基板SのパッケージエリアPにボンドされているダイにダイボンドする(P13工程)。
P13工程に続いて、制御部8は、ダイDをボンドした後、そのボンド位置が正確になされているかを基板認識カメラ44によりダイDおよび基板Sを撮像して検査する(P14工程)。このとき、ダイの中心と、タブの中心を求め、相対位置が正しいかを検査する。そして、制御部8は、基板認識カメラ44によってダイDおよび基板Sを撮像し、取得した画像から、ダイDおよび基板Sの表面検査を行う(P15工程)。
以後、同様の手順に従ってダイDが1個ずつ基板SのパッケージエリアPにボンドする。1つの基板のボンドが完了すると、基板搬送爪51で基板Sを基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す(P16工程)。そして、ダイボンダ10から基板Sを搬出する(P17工程)。
上述したように、ダイDは、ダイアタッチフィルムを介して基板S上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。積層パッケージを製造する場合は、続いて、ダイDが実装された基板Sがダイボンダに搬入されて基板S上に実装されたダイDの上にダイアタッチフィルム18を介して第2のダイDが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。第2以降のダイDは、上述した方法でダイシングテープ16から剥離された後、ボンド位置に搬送されてダイDの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Sをモールド工程に搬送し、複数個のダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、積層パッケージが完成する。
次に、ピックアップ部2の光学系について図4を用いて説明する。
ウエハ認識カメラ24には対物レンズ25が取り付けられ、この対物レンズ25を通してダイDの主面の画像を撮影する構成となっている。対物レンズ25とダイDとの間には、面発光照明(光源)261およびハーフミラー(半透過鏡)262を内部に備えた照明装置26が配置されている。面発光照明261からの照射光は、ハーフミラー262によってウエハ認識カメラ24と同じ光軸へ反射され、ダイDに照射される。ウエハ認識カメラ24と同じ光軸へダイDに照射されたその光は、ダイDで反射し、そのうちの正反射光がハーフミラー262を透過してウエハ認識カメラ24に達し、ダイDの映像を形成する。すなわち、照明装置26は同軸落射照明(同軸照明)の機能を有する。照明装置26は調光装置としての出力コントローラ27に接続されている。出力コントローラ27は制御部8からの照明値(LV)に基づいて照明装置26の照明出力(光量)を制御する。照明装置26および出力コントローラ27は照明システムを構成する。
中間ステージ部3の光学系(ステージ認識カメラ32およびその照明装置)およびボンド部4の光学系(基板認識カメラ44およびその照明装置)はピックアップ部2の光学系(ウエハ認識カメラ24および照明装置26)と同様の構成である。
次に、ダイ位置決めの方法について図5および図6を用いて説明する。
ダイ位置決めアルゴリズムは、主にテンプレートマッチングを用い、一般に知られている正規化相関式での演算とする。その結果をマッチング一致率(マッチングスコア)とする。テンプレートマッチングはリファレンス学習の倣い動作と連続着工用動作がある。
まず、倣い動作について図5および図6を用いて説明する。制御部8はリファレンスサンプルをピックアップ位置に搬送する。制御部8はウエハ認識カメラ24でリファレンスサンプルの画像PCrを取得する。例えば、ダイボンダの操作者がヒューマンインタフェース(タッチパネル83bやマウス83c)により画像内から、図5に示すようなユニークな部分UAを少なくとも一つ選択する。ユニークな部分UAを複数選択するの好ましい。制御部8は選択されたユニークな部分(選択領域)UAとリファレンスサンプルとの位置関係(座標)を記憶装置82に少なくとも一つ保存する。制御部8は図5に示す選択領域UAの画像を図6に示すテンプレート画像PTとして記憶装置82に保存する。複数のテンプレート画像PTを保存するのが好ましい。基準となるワーク画像とその座標を記憶装置に保存する。
次に、連続動作について図6を用いて説明する。制御部8は生産用に部材としての製品用ウエハをピックアップ位置に搬送する。制御部8はウエハ認識カメラ24で製品用ウエハを撮像して製品用ダイの画像PCnを取得する。図6に示すように、制御部8は倣い動作で保存していたテンプレート画像PTと製品用ダイの取得画像PCnとを比較し、最も類似した部分の画像PTnを検索し、検索した画像PTnの座標を算出する。その座標とリファレンスサンプルで測定した座標とを比較し、製品用ダイの位置(画像PTnとテンプレート画像PTとのオフセット)を算出する。
ところで、製造ラインにおいては、同じ機種の製造装置を複数台設置し、1台の装置で製品の種類毎に予め条件出しを行い、それに基づいてレシピデータを作成し、他の装置へレシピデータを移植することで、同条件で処理する方法が行われている。これにより、生産立ち上げに要する時間を最小限に抑えつつ、複数台の装置において同条件での処理が可能となる。
次に、製造ラインにおいて1台の装置(第一装置)で予め条件出しを行い、作成したレシピデータを他の装置(第二装置)へ移植する方法について図7を用いて説明する。
第一装置としての第一のダイボンダ10_1、第二装置としての第二のダイボンダ10_2はダイボンダ10と同様の構成である。ダイボンダ10_1,10_2には、ウエハ認識カメラ24と照明装置26が搭載されている。
上記で説明したダイの位置決めなどで用いる画像、画像に関するパラメータ、座標、照明値(LV)などは各製品を着工するうえでのレシピのデータの一群として製品の種類毎に保持される。その群データをレシピデータ(RCP)と呼ぶ。
レシピデータ(RCP)を装置間で移植する方法としては、USBメモリやCD-ROMなどの外部記憶媒体28を利用する方法、装置間を有線LANまたは無線LAN等の通信手段で接続する方法、第一のダイボンダ10_1と第二のダイボンダ10_2とをホストコンピュータを介して有線LANまたは無線LAN等で接続する方法などがある。
第一のダイボンダ10_1において制御部8がレシピデータ(RCP)を作成し、作成されたレシピデータ(RCP)が第二のダイボンダ10_2に移植されるとする。移植されるレシピデータ(RCP)には、上述した倣い動作により求めたテンプレートマッチングに用いられるテンプレート画像PTや座標データ、照明値(LV)などが含まれる。
第二のダイボンダ10_2の制御部8は、第一のダイボンダ10_1から受け取ったレシピデータ(RCP)の照明値(LV)をもとに照明装置26等により照明し、第二のダイボンダ10_2のウエハ認識カメラ24等により移植されたレシピデータ(RCP)が適用される製品を撮像する。このとき、レシピデータ(RCP)の照明値(LV)が最適な照明値でない場合、第二のダイボンダ10_2では第一のダイボンダ10_1と同様の画像を得ることができない場合がある。また、レシピデータ(RCP)の照明値(LV)が最適な照明値(LV)であっても、第一のダイボンダ10_1と第二のダイボンダ10_2の照明システム、カメラおよびレンズの機差により第二のダイボンダ10_2では第一のダイボンダ10_1と同様の画像を得ることができない場合がある。例えば、図7に示す左右のダイDの画像の濃淡のように、照明システムの機差による照明出力の影響により、製品の映り方が異なってしまい認識エラーが発生する(鮮明な画像でないために正確な認識ができない)場合がある。
つまり、移植されたレシピデータを用いて第二のダイボンダ10_2の制御部8でテンプレートマッチング処理を行うと、同様の製品であってもこれらの機差が要因でマッチング一致率が低下し、生産工程における不測の変化に対する耐久性(ロバスト性)を低下させ、ダイの位置決めなどの画像アルゴリズムを正常に処理できない場合が発生し得る。マッチング一致率が所定値を下回る場合に認識エラーとする。この所定値は、例えば、70~80%である。
また、第一のダイボンダ10_1の制御部8はレシピデータ(RCP)の照明値(LV)をもとに照明装置26等により照明し、ウエハ認識カメラ24等により同じ製品の撮像を繰り返し実施する。繰り返し回数が多くなると、第一のダイボンダ10_1の照明装置26等の経時的な劣化により第一のダイボンダ10_1では以前と同様の画像を得ることができない場合がある。例えば、照明出力の変化により、製品の映り方が異なってしまい認識エラーが発生する。つまり、レシピデータ(RCP)を用いて第一のダイボンダ10_1でテンプレートマッチング処理を行うと、同様の製品であってもこの照明出力等の変化が要因でマッチング一致率が低下し認識エラーが発生し得る。
このような照明システム(照明装置)を含む光学系の問題に対応するため、最適な照明値を求める方法の概要について図8および図9を用いて説明する。
レシピデータ(RCP)が移植先された第二のダイボンダ10_2または経時的な変化を起こした第一のダイボンダ10_1(以下、調整対象装置という。)において、制御部8が上述した連続動作を行った場合に、ダイの認識エラーが発生したとき、以下のような処理を行う。また、以下の処理を行った第二のダイボンダ10_2の照明装置26等が経時的な変化を起こし、ダイの認識エラーが発生した場合も、以下の処理を行う。認識エラーが発生しない場合(認識エラーが発生する前)に行ってもよい。
図8に示すように、レシピデータ(RCP)に含まれるテンプレート画像PTの二つの画像をテンプレート画像A1,A2という。また、調整対象装置におけるウエハ認識カメラ24により撮像した製品画像を取得画像Bという。取得画像Bのうちテンプレート画像A1,A2にそれぞれ最も類似した二つの画像をパターン画像C1,C2という。パターン画像C1,C2を総称してパターン画像Cという。
パターン画像Cとテンプレート画像PTのマッチング一致率(以下、一致度(MR)という。)には、例えば、第一パターン画像C1と第一テンプレート画像A1の一致度(MR1)と、第二のパターン画像C2と第二のテンプレート画像A2の一致度(MR2)と、の平均値を用いる。
調整対象装置の制御部8は照明値(LV)を変更しながらダイを認識して、一致度が最も高くなる照明値(LVm)をサーチする。一致度が最も高くなる照明値(LVm)が複数ある場合は、パターン間距離差(PD)が小さいほうを採用する。ここで、パターン間距離差(PD)は、図9に示すように、第一のテンプレート画像A1と第二のテンプレート画像A2との間の距離(dA)と、第一のパターン画像C1と第二のパターン画像C2との間の距離(dC)と、の差である。一致度が最も高くなる照明値(LVm)が複数あり、パターン間距離差(PD)も同一の場合、パターン間角度差(PA)が小さいほうを採用する。ここで、パターン間角度差(PA)は、図9に示すように、第一のテンプレート画像A1と第二のテンプレート画像A2とを結ぶ直線の角度(θA)と、第一のパターン画像C1と第二のパターン画像C2とを結ぶ直線の角度(θC)と、の差である。
そして、制御部8は取得した一致度が最も高くなる照明値(LVm)を最適な照明値とし、その最適な照明値をレシピデータの照明値(LV)とする。
照明値を自動調整する方法の詳細について図10から図13を用いて説明する。
制御部8は、図10に示すように、照明値(LV)を所定範囲(SR)において所定値としてのチェック間隔(CI)ずつ増やしながら認識をしてパターン画像Cとテンプレート画像PTの一致度が最も高くなる照明値(LVm)をサーチする。ここで、所定範囲(SR)は、照明最小値(LVmin)から照明最大値(LVmax)までである。照明値(LV)は、例えば、0~255の256諧調である(LVmin=0、LVmax=255)。また、CI=1である。一致度が最も高くなる照明値(LVm)における一致度をMRmという。なお、制御部8は照明値(LV)を照明最大値(LVmax)から照明最小値(LVmin)まで所定値ずつ減らしながら認識をしてパターン画像Cとテンプレート画像PTの一致度が最も高くなる照明値(LVm)をサーチするようにしてもよい。また、所定範囲(SR)は照明最小値(LVmin)と照明最大値(LVmax)との間ではなく、照明最小値(LVmin)よりの大きな照明値と照明最大値(LVmax)よりも小さな照明値との間であってもよい。
制御部8は、図11に示すように、ダイ認識における照明値の自動調整を開始する(START)。まず、制御部8は照明値(LV)をチェック照明値(CLV)に変更する(ステップS21)。チェック照明値(CLV)は現在チェックしている照明値(LV)を格納するための変数である。ここで、チェック照明値(CLV)の初期値は0である。
続いて、制御部8はウエハ認識カメラ24の撮像条件をプリセット(設定)する(ステップS22)。
続いて、制御部8はウエハ認識カメラ24によりダイを撮像して、撮像された画像(取得画像B)を取り込む(ステップS23)。
続いて、制御部8は取得画像Bからダイを認識する(ステップS24)。すなわち、制御部8はテンプレート画像PTと最も類似するパターン画像Cを検索し、そのパターン画像Cとテンプレート画像PTとの一致度(MR)を算出する。制御部8は、さらに、パターン間距離差(PD)およびパターン間角度差(PA)を算出する。ここで、パターン間距離差(PD)を合理性距離の測定値(RD)といい、パターン間角度差(PA)を合理性角度の測定値(RA)ともいう。本ステップにおいては一致度(MR)が低くても認識エラーが発生しないようにしている。
続いて、制御部8はダイの認識結果を取得する(ステップS25)。すなわち、制御部8は一致度(MR)、パターン間距離差(PD)およびパターン間角度差(PA)を記憶装置82に格納する。そして、図12に示すステップS26に移動する。
図12に示すように、制御部8はダイの認識結果に問題がないかどうかを判定する(ステップS26)。ここで、認識結果が問題ないことを認識結果OKという。すなわち、制御部8は一致度(MR)が所定値(MRt)以上であるかどうかを判定する。
ステップS26における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8は一致度(MR)がハイスコア構造体(HS)に格納されている一致度(MRh)より高いかどうか判定する(ステップS27)。ここで、ハイスコア構造体(HS)は最も一致度が高くなる照明値(LVm)のデータを格納するための構造体であり、構造体の中身は、照明値(LVh)、一致度(MRh)、合理性距離の測定値(RDh)、合理性角度の測定値(RAh)である。一致度(MRh)の初期値は0である。
ステップS27における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はハイスコア構造体(HS)にデータを格納する(ステップS28)。制御部8は、ステップS24において算出したMR、RD、RAをMRh、RDh、RAhに格納する。制御部8は、ステップS21において設定されたLVをLVhに格納する。そして、制御部8は図13に示すステップS35に移動する。
ステップS27における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8は一致度(MR)がハイスコア構造体(HS)に格納されている一致度(MRh)と同じかどうか判定する(ステップS29)。
ステップS29における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はステップS24において算出した合理性距離の測定値(MD)がハイスコア構造体(HS)に格納されている合理性距離の測定値(MDh)より小さいかどうか判定する(ステップS30)。
ステップS30における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はハイスコア構造体にデータを格納する(ステップS31)。制御部8は、ステップS24において算出したMR、RD、RAをMRh、RDh、RAhに格納する。そして、制御部8は図17に示すステップS35に移動する。
ステップS30における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8はステップS24において算出した合理性距離の測定値(MD)がハイスコア構造体(HS)に格納されている合理性距離の測定値(MDh)と同じかどうか判定する(ステップS32)。
ステップS32における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はステップS24において算出した合理性角度の測定値(MA)がハイスコア構造体(HS)に格納されている合理性角度の測定値(MAh)以下かどうか判定する(ステップS33)。
ステップS33における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はハイスコア構造体にデータを格納する(ステップS34)。制御部8は、ステップS24において算出したMR、RD、RAをMRh、RDh、RAhに格納する。そして、制御部8は図17に示すステップS35に移動する。
ステップS26における判定条件を満たさない場合(NO)、ステップS29における判定条件を満たさない場合(NO)、ステップS32における判定条件を満たさない場合(NO)、およびステップS33における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8は図13に示すステップS35に移動する。
図13に示すように、制御部8はチェック照明値(CLV)≧照明最大値(LVmax)であるかどうかを判定する(ステップS35)。ここで、LVmax=255である。
ステップS35における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8はチェック照明値(CLV)にチェック間隔(CI)を加算する(CLV←CLV+CI)(ステップS36)。
続いて、制御部8はチェック照明値(CLV)>照明最大値(LVmax)であるかどうかを判定する(ステップS37)。
ステップS37における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8はチェック照明値(CLV)を照明最大値(LVmax)にする(ステップS38)。そして、制御部8は図15に示すステップS21に戻る。
ステップS37における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8は図15に示すステップS21に戻る。
ステップS35における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8は認識結果OKが一つ以上有るかどうかの判定(JDG)を行う(ステップS39)。
ステップS39における判定条件を満たす場合(YES)、制御部8は自動調整結果の成功(自動調整結果OK)とする(ステップS40)。制御部8は自動調整結果OKをモニタ83aに表示してもよい。そして、ダイ認識における照明値の自動調整を終了する(END)。
ステップS39における判定条件を満たさない場合(NO)、制御部8は自動調整結果の失敗(自動調整結果NG)として(ステップS41)。制御部8は自動調整結果NGをモニタ83aに表示してもよい。そして、ダイ認識における照明値の自動調整を終了する(END)。
実施形態によれば、下記の一つまたは複数の効果が得られる。
(1)照明値が原因で認識エラーが発生する場合でも、照明値を制御部により自動で調整することができ、手動によるダイ認識を再度行うことによる調整が不要となる。ワーク上に設けた照度測定機(光量測定機)を用いた発光強度の測定やワーク上に設けた反射治具の反射光をカメラで撮像することによる照明出力調整が不要となる。これにより、生産装置(ダイボンダ等)の停止時間が短縮されるので、生産装置における生産性が向上する。
(2)実物の部材(ワーク)および装置(照明システム、カメラおよびレンズ等)を使用して一致度が高くなる照明値をサーチするので、その部材および装置における最適な照明値を決めることができる。これにより、最適な明るさで生産を行えるので、生産装置の品質および信頼性が向上する。
(3)手動による調整が不要となるので、オペレータによる違いがなくなり、人的要因のばらつき排除できるので最適な照明値を設定できる。
(4)照明値のレシピを自己自動生成できるので、別生産装置で作成したレシピデータの照明値が各生産装置の最適照明値に変更できる。
(5)照明値のレシピを自己自動生成できるので、生産装置間ばらつきを低減できる。
<変形例>
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
(第一変形例)
第一変形例における照明値を自動調整する方法について図14を用いて説明する。図14に示す黒丸「●」はサーチ箇所を示している。
第一変形例における照明値を自動調整する方法について図14を用いて説明する。図14に示す黒丸「●」はサーチ箇所を示している。
実施形態では、制御部8が照明値(LV)を所定範囲(SR)において1ずつ増やしながら認識をしてテンプレート画像PTとパターン画像Cの一致度が最も高くなる照明値(LVm)をサーチする例を説明した。第一変形例における制御部8は、図14の上側のグラフに示すように、照明値(LV)を所定範囲(SR)において所定間隔としてのチェック間隔(CI)空けながら照明最小値(LVmin)から照明最大値(LVmax)までサーチするよう構成される。言い換えると、照明値(LV)を照明最小値(LVmin)から照明最大値(LVmax)まで所定値としてのチェック間隔(CI)ずつ増やしながらサーチするよう構成される。チェック間隔(CI)は設定可能である。第一変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速い。なお、照明値(LV)を所定間隔空けながら照明最大値(LVmax)から照明最小値(LVmin)までサーチするようにしてもよい。また、照明最小値(LVmin)と照明最大値(LVmax)との間ではなく、照明最小値(LVmin)よりの大きな照明値と照明最大値(LVmax)よりも小さな照明値との間をサーチするようにしてもよい。
(第二変形例)
第二変形例における照明値を自動調整する方法について図14を用いて説明する。
第二変形例における照明値を自動調整する方法について図14を用いて説明する。
第二変形例における制御部8は、図14の上側のグラフに示すように、第一変形例と同様に照明値(LV)を所定間隔としてのチェック間隔(CI)空けながら照明最小値(LVmin)から照明最大値(LVmax)までサーチする。そして、一致度が最も高い照明値(LVm)を得る。その後、制御部8は、図14の上側のグラフに示す一致度が最も高い照明値(LVm)の前後、すなわち、LVmを含む所定範囲(LVs~LVe)において、図14の下側のグラフに示すように、照明値(LV)を1ずつ増やしながらサーチする。ここで、LVs=LVm-CI、LVe=LVm+CIであり、LVmおよびCIは図14の上側のグラフに示されるものである。制御部8は、照明値(LV)の初期値をLVsとし、照明値最大値(LVmax)をLVeとして、図11から図13に示すフローチャートにより実行する。第二変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速く、実施形態と同程度の精度を得ることができる。なお、所定範囲(LVs~LVe)において照明値(LV)を1ずつ減らしながらサーチするようにしてもよい。
(第三変形例)
第三変形例における照明値を自動調整する方法について図15を用いて説明する。図15に示す黒丸「●は」サーチ箇所を示している。
第三変形例における照明値を自動調整する方法について図15を用いて説明する。図15に示す黒丸「●は」サーチ箇所を示している。
第三変形例における制御部8は、図15の上側のグラフに示すように、現在登録されている一致度が最も高い照明値(LVr)を得る。ここで、現在登録されている一致度が最も高い照明値(LVr)は、例えば、移植されたレシピデータRCPに含まれる照明値、または、認識エラーが発生する前に設定されていた照明値である。その後、制御部8は、第二変形例と同様に、図15の上側のグラフに示す一致度が最も高い照明値(LVr)の前後、すなわち、LVrを含む所定範囲(LVs~LVe)において、図15の下側のグラフに示すように、照明値(LV)を1ずつ増やしながらサーチする。ここで、LVs=LVr-SI、LVe=LVr+SIであり、SIは図14に示すCIと同様の範囲であってもよいし、図14に示すCIよりも大きな範囲であってもよい。第三変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速く、実施形態と同程度の精度を得ることができる。なお、所定範囲(LVs~LVe)において照明値(LV)を1ずつ減らしながらサーチするようにしてもよい。
以上、本開示者らによってなされた発明を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施形態では二つのテンプレート画像A1,A2および二つのパターン画像C1,C2を用いる例を説明したが、テンプレート画像およびパターン画像はそれぞれ一つであってもよいし、三つ以上であってもよい。
また、実施形態ではダイ供給部におけるダイの認識を例にして説明したが、中間ステージ部におけるダイの認識、ボンド前の基板の認識、ボンド後のダイおよび基板の認識、アンダビジョンカメラによるダイまたはコレットの認識等についても適用できる。なお、ボンド後のダイおよび基板の認識における照明値はダイを対象にして最適値を求める。
また、実施形態では同軸照明を例にして説明したが、斜光リング照明または斜光バー照明、若しくは同軸照明とそれらの組み合わせた照明装置であってもよい。
また、実施形態ではダイ位置認識の後にダイ外観検査認識を行っているが、ダイ外観検査認識の後にダイ位置認識を行ってもよい。
また、実施形態ではウエハの裏面にDAFが貼付されているが、DAFはなくてもよい。
また、実施形態ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ1つ備えているが、それぞれ2つ以上であってもよい。また、実施形態では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。
また、実施形態ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。
また、実施形態では半導体製造装置について説明したが、電子部品をプリント基板に実装する実装装置にも適用できる。
8・・・制御部
24・・・ウエハ認識カメラ(撮像装置)
C・・・パターン画像
D・・・ダイ(ワーク)
PT・・・テンプレート画像
24・・・ウエハ認識カメラ(撮像装置)
C・・・パターン画像
D・・・ダイ(ワーク)
PT・・・テンプレート画像
Claims (12)
- 照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、
前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、
前記照明値による前記照明システムの出力制御および前記撮像装置で撮像した画像の画像処理を行うよう構成される制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記照明値を第一の所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記第一の所定値を所定範囲内において変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 - 請求項1の実装装置において、
前記テンプレート画像は第一のテンプレート画像と第二のテンプレート画像を有し、
前記パターン画像は第一のパターン画像と第二のパターン画像を有し、
前記マッチング一致率は、前記第一のテンプレート画像と前記第一のパターン画像とのマッチング率と、前記第二のテンプレート画像と前記第二のパターン画像とのマッチング率と、の平均値である実装装置。 - 請求項2の実装装置において、
前記制御部は、
前記第一のテンプレート画像と前記第二のテンプレート画像との距離である第一距離と、前記第一のパターン画像と前記第二のパターン画像との距離である第二距離と、の差であるパターン間距離差を算出し、
前記マッチング一致率が最も高くなる照明値が複数ある場合は、前記パターン間距離差が小さいほうの照明値を採用するよう構成される実装装置。 - 請求項3の実装装置において、
前記制御部は、
前記第一のテンプレート画像と前記第二のテンプレート画像とを結ぶ直線の角度である第一角度と、前記第一のパターン画像と前記第二のパターン画像とを結ぶ直線の角度である第二角度と、の差であるパターン間角度差を算出し、
前記パターン間距離差が同一の場合、前記パターン間角度差が小さいほうの照明値を採用するよう構成される実装装置。 - 請求項4の実装装置において、
前記制御部は、前記第一の所定値を第二の所定値ずつ増加、または、前記第二の所定値ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 - 請求項5の実装装置において、
前記所定範囲は前記照明値の最小値から最大値であり、前記第二の所定値は1である実装装置。 - 請求項5の実装装置において、
前記所定範囲は前記照明値の最小値から最大値であり、前記第二の所定値は2以上である実装装置。 - 請求項7の実装装置において、
前記第一の所定値を前記第二の所定値ずつ増加、または、前記第二の所定値ずつ減少させて、求めた前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を所定照明値とし、
前記所定照明値から前記第二の所定値を減じた照明値と、前記所定照明値に前記第二の所定値を加えた照明値と、の間を第二の所定範囲内とし、
前記制御部は、前記第一の所定値を、前記第二の所定範囲内を1ずつ増加、または、1ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 - 請求項4の実装装置において、
移植されたレシピに含まれている、または、生産時に使用されていた照明値を所定照明値とし、
前記制御部は、前記第一の所定値を、前記所定照明値を含む第二の所定範囲内を1ずつ増加、または、1ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 - 請求項1の実装装置において、
前記制御部は、
前記テンプレート画像と、前記テンプレート画像の座標データと、を含むレシピデータを有し、
前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を最適照明値として前記レシピデータに保持することが可能なよう構成される実装装置。 - 照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、を備える装置における照明システムの調整方法であって、
前記ワークを搬入工程と、
前記ワークを前記撮像装置により認識する認識工程と、
を含み、
前記認識工程は、
照明値を所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求める照明システムの調整方法。 - 照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、を備える半導体製造装置にワークを搬入する搬入工程と、
前記ワークを前記撮像装置により認識する認識工程と、
を含み、
前記認識工程は、
照明値を所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求める半導体装置の製造方法。
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