[go: up one dir, main page]

JP2022137162A - パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ - Google Patents

パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ Download PDF

Info

Publication number
JP2022137162A
JP2022137162A JP2022110117A JP2022110117A JP2022137162A JP 2022137162 A JP2022137162 A JP 2022137162A JP 2022110117 A JP2022110117 A JP 2022110117A JP 2022110117 A JP2022110117 A JP 2022110117A JP 2022137162 A JP2022137162 A JP 2022137162A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
power module
current
terminal
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022110117A
Other languages
English (en)
Inventor
秀寿 池田
Hidetoshi Ikeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Corp
Original Assignee
Nidec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nidec Corp filed Critical Nidec Corp
Publication of JP2022137162A publication Critical patent/JP2022137162A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of the types provided for in two or more different main groups of the same subclass of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0009—Devices or circuits for detecting current in a converter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Figure 2022137162000001
【課題】高価な部品を用いることなく、電流の大きさの程度を測定することができるパワーモジュール及びＤＣ－ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、第１スイッチング素子Ｆ１と、第１スイッチング素子が出力する電流が流入する電流電圧変換回路ＴＤと、電流の大きさを測定する測定回路ＭＣと、測定回路が測定した電流の大きさを示す出力信号が出力される出力端子Ｔｅ３と、を備える。測定回路は、電流電圧変換回路の抵抗値に基づいて、第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定し、第１スイッチング素子と、測定回路とは、１つの半導体パッケージ内に形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、パワーモジュール及びＤＣ－ＤＣコンバータに関する。
従来、電源回路に実装される電界効果トランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に流れる電流をシャント抵抗に流し、シャント抵抗の両端に生じる電圧差を検出することにより、当該電流を測定する技術が知られている。この場合、ＭＯＳＦＥＴからシャント抵抗までの配線パターンの影響によって電流の測定精度が低下するという問題があった。配線パターンの影響とは、例えば、配線が有する寄生インダクタンス、抵抗及び容量成分や、当該配線に対する外来ノイズの影響等である。
この問題を解決するために、特許文献１には、電源回路内にロゴスキーコイルを実装して電源回路を流れる電流を検出する例が開示されている。また、特許文献２には、電源回路を流れる電流が所定の閾値を超えたか否かを検出する検出部を備える例が開示されている。
特開平１１－２６５９７４号公報 特開２０１６－１６３５１２号公報
しかしながら、特許文献１の技術では、比較的高価なロゴスキーコイルを用いることによって、電源回路のコストを低減することができないという問題があった。また、特許文献２の技術では、電源回路を流れる電流の大きさの程度までは検出することができなかった。
そこで、本発明は、上記の問題を解決するために、高価な部品を用いることなく、電流の大きさの程度を測定することができるパワーモジュール及びＤＣ－ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子が出力する電流が流入する電流電圧変換回路と、電流の大きさを測定する測定回路と、前記測定回路が測定した前記電流の大きさを示す出力信号が出力される出力端子と、を備え、前記測定回路は、前記電流電圧変換回路の抵抗値に基づいて、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定し、前記第１スイッチング素子と、前記測定回路とは、１つの半導体パッケージ内に形成される。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記電流電圧変換回路は、前記第１スイッチング素子とは異なる材料によって形成されるスイッチング素子であって、前記第１スイッチング素子と比較してスイッチング動作が低速である第２スイッチング素子を備える。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記第１スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子とは、カスコード接続され、前記測定回路は、前記第２スイッチング素子と同一の材料によって形成される。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記第１スイッチング素子は、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）を含み、前記第２スイッチング素子を形成する材料とは異なる材料によって形成される。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記測定回路は、前記電流電圧変換回路のオン抵抗によって生じる前記電流電圧変換回路の両端の電位差に基づいて、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定する。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記第１スイッチング素子とは異なる材料によって形成されるスイッチング素子であって、前記第１スイッチング素子と比較してスイッチング動作が低速であり、前記第１スイッチング素子とカスコード接続される第２スイッチング素子を備え、前記電流電圧変換回路は、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを前記測定回路が測定する場合にオン状態にされるスイッチング素子であって、前記第２スイッチング素子と並列に接続される経路に、前記電流の少なくとも一部を、前記オン状態において流す第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に直列に接続される抵抗と、を備え、前記測定回路は、前記抵抗の両端の電位差と、前記抵抗の抵抗値とに基づいて、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定する。
本発明のパワーモジュールの一つの態様は、前記電流電圧変換回路は、前記第１スイッチング素子に流れる電流に比例する電流を流す電流供給部と、前記電流供給部に直列に接続される抵抗と、を備え、前記測定回路は、前記抵抗の両端の電位差と、前記抵抗の抵抗値とに基づいて、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定する。
本発明のＤＣ－ＤＣコンバータの一つの態様は、上述のいずれかに記載のパワーモジュールと、前記パワーモジュールの出力信号に基づく制御信号を、前記パワーモジュールが備える前記第１スイッチング素子を制御する信号として出力する制御装置と、を備える。
本発明のＤＣ－ＤＣコンバータの一つの態様は、前記制御装置は、前記パワーモジュールが測定する電流の大きさに基づいて、前記制御信号を出力する。
高価な部品を用いることなく、電流の大きさの程度を測定することができる。
パワーモジュールの概要を示す図である。 パワーモジュール内部接続の一例を示す図である。 パワーモジュールの基本構成の一例を示す図である。 第１実施形態に係るパワーモジュールの構成の一例を示す図である。 第２実施形態に係るパワーモジュールの構成の一例を示す図である。 第３実施形態に係るパワーモジュールの構成の一例を示す図である。 第４実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータの構成の一例を示す図である。
［第１実施形態］ 以下、本発明の第１実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、図１を参照して、パワーモジュール１０の概要について説明する。
＜１－１．パワーモジュール１０の概要＞ 図１は、パワーモジュール１０の概要を示す図である。 パワーモジュール１０は、例えば、種類が異なる２つの材料によって形成される。図１に示される一例において、パワーモジュール１０は、第１材料ＷＬ１と、第２材料ＷＬ２とによって形成される。第１材料ＷＬ１とは、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）等の材料である。また、第２材料ＷＬ２とは、例えば、珪素（Ｓｉ）等の材料である。ここで、第１材料ＷＬ１と、第２材料ＷＬ２とでは、第１材料ＷＬ１の方がバンドギャップの幅が広い、又は電子移動度が高い材料である。パワーモジュール１０は、外部の回路と接続される外部端子（以下、外部端子Ｔｅ）を備える。外部端子Ｔｅとは、例えば、電極である。図１に示される一例において、パワーモジュール１０は、外部端子Ｔｅ１～Ｔｅ７の外部端子を備える。外部端子Ｔｅのうち、外部端子Ｔｅ１～Ｔｅ６は、第２材料ＷＬ２に配置され、外部端子Ｔｅ７は、第１材料ＷＬ１に配置される。また、パワーモジュール１０内の第１材料ＷＬ１及び第２材料ＷＬ２は、第１材料ＷＬ１及び第２材料ＷＬ２に形成される電極パッド間が、ボンディングワイヤによって接続される。以降の説明において、電極パットを内部端子（以下、内部端子Ｔｉ）とも記載する。
＜１－２．第１材料ＷＬ１に形成される回路について＞ 第１材料ＷＬ１には、第１スイッチング素子Ｆ１が形成される。第１スイッチング素子Ｆ１とは、例えば、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。以下、第１スイッチング素子Ｆ１がノーマリーオン型のＦＥＴである場合について説明する。第１スイッチング素子Ｆ１は、ゲート端子と、ソース端子と、ドレイン端子を備える。以降の説明において、第１スイッチング素子Ｆ１が備えるゲート端子を第１ゲート端子と記載し、ドレイン端子を第１ドレイン端子と記載し、ソース端子を第１ソース端子と記載する。第１スイッチング素子Ｆ１は、例えば、第１ゲート端子に入力される信号に基づいて、高速に大容量電力をスイッチングする素子である。第１材料ＷＬ１は、２つの内部端子Ｔｉ（内部端子Ｔｉ１～Ｔｉ２）を備える。第１ドレイン端子は、外部端子Ｔｅ７と接続される。第１ゲート端子は、内部端子Ｔｉ１と接続される。第１ソース端子は、内部端子Ｔｉ２と接続される。
＜１－３．第２材料ＷＬ２に形成される回路について＞ 第２材料ＷＬ２には、測定回路ＭＣが形成される。また、第２材料ＷＬ２は、内部端子Ｔｉ３～Ｔｉ４を備える。ゲートドライバＧＤ（不図示）は、制御装置（不図示）が発生させるＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ ｗｉｄｔｈ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号をスイッチング素子がオン動作するレベルに変換する素子である。ゲートドライバＧＤの出力端子と、パワーモジュール１０の外部端子Ｔｅ１とは、接続される。したがって、外部端子Ｔｅ１には、ゲートドライバＧＤの出力端子から出力された信号（以下、ゲート信号）が入力される。ゲート信号は、ＰＷＭ信号をスイッチング素子がオン動作するレベルに変換した信号である。なお、以降の説明において、制御装置（不図示）から出力され、スイッチング素子に入力される信号（つまり、ＰＷＭ信号及びゲート信号）を総称して制御信号と記載することがある。外部端子Ｔｅ１は、内部端子Ｔｉ３に接続される。内部端子Ｔｉ３と、内部端子Ｔｉ１とは、ボンディングワイヤによって接続される。したがって、ゲートドライバＧＤが出力したゲート信号は、第１スイッチング素子Ｆ１の第１ゲート端子に入力される。
測定回路ＭＣは、第１スイッチング素子Ｆ１がオン動作する際に流れる電流（以下、ドレイン電流）を測定する回路である。ここで、内部端子Ｔｉ２と、内部端子Ｔｉ４とは、ボンディングワイヤによって接続される。また、内部端子Ｔｉ４と、外部端子Ｔｅ５とは、第２材料ＷＬ２に形成される配線パターンによって接続される。したがって、第１スイッチング素子Ｆ１がオン動作する際のドレイン電流は、当該配線パターンを流れる。測定回路ＭＣは、電流電圧変換回路ＴＤの両端（図示する点Ｐ１及び点Ｐ２）に生じる電位差と、電流電圧変換回路ＴＤの抵抗値とに基づいて、電流を測定する。測定回路ＭＣは、測定した測定結果を示す信号（以下、出力信号）を出力する。出力信号とは、例えば、ドレイン電流の変化を電圧によって示す信号である。測定回路ＭＣは、出力端子（図示するｏｕｔ端子）と、テスト端子（図示するｔｅｓｔ端子）とを備える。測定回路ＭＣの出力端子は、外部端子Ｔｅ３と接続される。したがって、測定回路ＭＣは、外部端子Ｔｅ３から測定した測定結果として出力信号を出力する。テスト端子は、外部端子Ｔｅ４と接続される。測定回路ＭＣは、外部端子Ｔｅ４から入力される信号（以下、テスト信号）に応じて、ドレイン電流を測定する動作を行う。
また、第２材料ＷＬ２は、第２材料ＷＬ２に印加される電圧が接続される外部端子Ｔｅ２と、当該電圧のＧＮＤ側の端子で
ある外部端子Ｔｅ６とを備える。第２材料ＷＬ２に形成される回路は、第２材料ＷＬ２に印加される電圧の電位（図示する電位ＶＤＤ）に印加される電圧によって駆動される。
＜１－４．パワーモジュール１０の内部接続＞ 図２は、パワーモジュール１０の内部接続の一例を示す図である。パワーモジュール１０のパッケージ内には、第１材料ＷＬ１によって形成される回路と、第２材料ＷＬ２部によって形成される回路とが含まれる。パワーモジュール１０の外部端子Ｔｅ１～Ｔｅ６は、第２材料ＷＬ２の電極パッドとそれぞれボンディングワイヤによって接続される。また、外部端子Ｔｅ７は、第１材料ＷＬ１の電極パッドとボンディングワイヤによって接続される。ここで、ドレイン電流が流れる端子は、複数の電極と、電極パットによって構成されてもよい。図２に示される一例において、外部端子Ｔｅ５及び外部端子Ｔｅ７は、それぞれ８つの電極と、電極パッドとによって構成される。また、内部端子Ｔｉ２及び内部端子Ｔｉ４は、それぞれ８つの電極パッドによって構成される。これにより、外部端子Ｔｅ５、外部端子Ｔｅ７、内部端子Ｔｉ２及び内部端子Ｔｉ４は、複数の電極や電極パッドによって構成されない外部端子Ｔｅや内部端子Ｔｉよりも、大電流のドレイン電流を流すことができる。 なお、上述では、外部端子Ｔｅ５及び外部端子Ｔｅ７がそれぞれ８つの電極と、電極パッドとによって構成される場合について説明したが、これに限られない。外部端子Ｔｅと、電極パッドとの数は、当該外部端子Ｔｅを流れる電流に応じた数であれば、いずれの数であってもよい。また、上述では、内部端子Ｔｉ２及び内部端子Ｔｉ４は、それぞれ８つの電極パッドによって構成される場合について説明したが、これに限られない。内部端子Ｔｉと、電極パッドとの数は、当該内部端子Ｔｉを流れる電流に応じた数であれば、いずれの数であってもよい。
＜１－５．パワーモジュール１０の基本構成＞ 以下、パワーモジュール１０の基本構成について説明する。 図３は、パワーモジュール１０の基本構成の一例を示す図である。 具体的には、図３は、電流電圧変換回路ＴＤが第２スイッチング素子Ｆ２である一例を示す図である。 図３に示される一例において、パワーモジュール１０の第２材料ＷＬ２には、第２スイッチング素子Ｆ２と、制御信号出力回路ＣＣとが形成される。第２スイッチング素子Ｆ２とは、例えば、ノーマリーオフ型のＦＥＴである。以降の説明において、第２スイッチング素子Ｆ２が備えるゲート端子を第２ゲート端子と記載し、ドレイン端子を第２ドレイン端子と記載し、ソース端子を第２ソース端子と記載する。図３に示される一例において、第２ドレイン端子と、内部端子Ｔｉ４とは、接続される。また、第２ソース端子と、外部端子Ｔｅ５が接続される。したがって、第１スイッチング素子Ｆ１と、第２スイッチング素子Ｆ２とは、カスコード接続される。第２スイッチング素子Ｆ２は、例えば、第２ゲート端子に入力される信号（以下、制御信号）に基づいて、スイッチング動作する素子である。
制御信号出力回路ＣＣは、制御信号を出力する出力端子（図示するｏｕｔ端子）を備える。出力端子と、第２スイッチング素子Ｆ２の第２ゲート端子とは、接続される。したがって、第２スイッチング素子Ｆ２は、制御信号出力回路ＣＣが出力する制御信号に基づいてスイッチング動作する。
上述したように、第１スイッチング素子Ｆ１は、ノーマリーオン型の素子であるため、スイッチング電源装置などに一般的に用いられるノーマリーオフ型の素子が出力する信号に基づいてオフ動作することができない。ここで、ノーマリーオン型の第１スイッチング素子Ｆ１をオフ動作させる場合に、第１ソース端子にノーマリーオフ型の第２スイッチング素子Ｆ２の第２ドレイン端子を接続して、カスコード回路を構成する（例えば、図３）。これにより、第２スイッチング素子Ｆ２が制御信号出力回路ＣＣの制御信号に基づいてオフ動作される場合、第１スイッチング素子Ｆ１は、第２スイッチング素子Ｆ２と同様にオフ動作する。
図３に示される一例において、第１スイッチング素子Ｆ１がオン動作する際のドレイン電流は、内部端子Ｔｉ４から、第２ドレイン端子と、第２ソース端子とを経由して外部端子Ｔｅ５まで（図示する、経路ＲＴ１）を流れる。測定回路ＭＣは、例えば、経路ＲＴ１のうち、第２ドレイン端子と、第２ソース端子間（つまり、図示する点Ｐ１及び点Ｐ２間）を流れるドレイン電流を測定する。測定回路ＭＣは、測定した測定結果を示す信号を出力する。
＜１－６．パワーモジュール１０の構成＞ 以下、第１実施形態のパワーモジュール１０（以下、パワーモジュール１０ａ）の詳細について説明する。 図４は、第１実施形態に係るパワーモジュール１０ａの構成の一例を示す図である。 具体的には、図４は、電流電圧変換回路ＴＤが第３スイッチング素子Ｆ３と、シャント抵抗Ｒ１とを備える構成の一例を示す図である。 第１実施形態のパワーモジュール１０ａは、第１材料ＷＬ１と、第２材料ＷＬ２ａとによって形成される。第２材料ＷＬ２ａには、第２スイッチング素子Ｆ２と、制御信号出力回路ＣＣと、第３スイッチング素子Ｆ３と、シャント抵抗Ｒ１と、測定回路ＭＣａとが形成される。なお、本実施形態において、ゲートドライバＧＤは、半導体パッケージの外部に設けられるが、１つの半導体パッケージ内に設けられても良い。
第３スイッチング素子Ｆ３は、例えば、ノーマリーオフ型のＦＥＴである。以降の説明において、第３スイッチング素子Ｆ３が備えるゲート端子を第３ゲート端子と記載し、ドレイン端子を第３ドレイン端子と記載し、ソース端子を第３ソース端子と記載する。内部端子Ｔｉ４と、第２ドレイン端子と、第３ドレイン端子とは、接続される。また、第３ゲート端子と、外部端子Ｔｅ４とは、接続される。第３ソース端子と、シャント抵抗Ｒ１の一端とが接続される。シャント抵抗Ｒ１の他の一端と、第２ソース端子と、外部端子Ｔｅ５とが接続される。
図４に示される一例において、制御信号出力回路ＣＣは、テスト端子（図示するｔｅｓｔ端子）を備える。制御信号出力回路ＣＣは、外部端子Ｔｅ４と接続される。制御信号出力回路ＣＣは、外部端子Ｔｅ４から入力されるテスト信号に応じて制御信号を出力し、第２スイッチング素子Ｆ２をオン状態又はオフ状態に制御する。
測定回路ＭＣａは、演算増幅器ＯＰ１と、開閉器ＳＷ１と、開閉器ＳＷ２と、抵抗Ｒ２と、抵抗Ｒ３と、抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ５とを備える。開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、それぞれ２つの端子を備え、開閉によって端子間の接続を切り替える。開閉器ＳＷ１の一端は、第３ソース端子と、シャント抵抗Ｒ１との接続点（図示する点Ｐ１）に接続され、他の一端は、抵抗Ｒ２に接続される。開閉器ＳＷ２の一端は、第２ソース端子と、シャント抵抗Ｒ１の他の一端と、外部端子Ｔｅ５との接続点（図示する点Ｐ２）に接続され、他の一端は、抵抗Ｒ３に接続される。開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、外部端子Ｔｅ４に接続される。開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、テスト信号に応じて開閉する。抵抗Ｒ２の他の一端は、演算増幅器ＯＰ１の非反転入力端子に接続される。また、抵抗Ｒ３の他の一端は、演算増幅器ＯＰ１の反転入力端子に接続される。また、抵抗Ｒ４は、一端が非反転入力端子に接続され、他の一端が接地される。また、抵抗Ｒ５は、一端が反転入力端子に接続され、他の一端が演算増幅器ＯＰ１の出力端子に接続される。演算増幅器ＯＰ１の出力端子は、外部端子Ｔｅ３に接続される。
＜１－７．パワーモジュール１０の動作モードについて＞ 本実施形態では、パワーモジュール１０は、通常モードと、テストモードとによって動作する。通常モードにおいて、テスト信号は、例えば、ローレベルの信号である。制御信号出力回路ＣＣは、通常モードにおいて、第２スイッチング素子Ｆ２を、第１スイッチング素子Ｆ１のオフ状態又はオフ状態に制御するスイッチング素子として制御する。また、通常モードにおいて、第３スイッチング素子Ｆ３は、ローレベルのテスト信号が入力されることに応じて、オフ状態に制御される。また、通常モードにおいて、測定回路ＭＣａは、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定する動作を行わない。具体的には、開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、ローレベルのテスト信号が入力されることに応じて、開状態に制御される。したがって、演算増幅器ＯＰ１は、通常モードにおいて、反転入力端子、及び非反転入力端子には信号が入力されない。
テストモードにおいて、テスト信号は、例えば、ハイレベルの信号である。制御信号出力回路ＣＣは、テストモードにおいて、第２スイッチング素子Ｆ２をオフ状態に制御する。また、テストモードにおいて、第３スイッチング素子Ｆ３は、ハイレベルのテスト信号が入力されることに応じて、オン状態に制御される。したがって、テストモードにおいて、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流は、内部端子Ｔｉ４から、第３ドレイン端子と、第３ソース端子とシャント抵抗Ｒ１とを経由して外部端子Ｔｅ５まで（図示する、経路ＲＴ２）を流れる。ここで、経路ＲＴ１と、経路ＲＴ２とは、並列に接続される経路である。
また、テストモードにおいて、測定回路ＭＣａは、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定する動作を行う。具体的には、開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、ハイレベルのテスト信号が入力されることに応じて、閉状態に制御される。この場合、測定回路ＭＣａは、演算増幅器ＯＰ１の反転入力端子と、非反転入力端子との間に生じる電位差（この一例では、シャント抵抗Ｒ１によって生じる電位差（つまり、点Ｐ１及び点Ｐ２間の電位差））を抵抗Ｒ２～Ｒ５の抵抗値によって定められるゲインによって増幅した電圧を出力端子から出力する。
＜１－８．第１実施形態のまとめ＞ 以上説明したように、本実施形態のパワーモジュール１０は、第１スイッチング素子Ｆ１と、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流（この一例では、ドレイン電流）が流入する電流電圧変換回路ＴＤと、電流（この一例では、ドレイン電流）の大きさを測定する測定回路ＭＣとを備え、測定回路ＭＣは、電流電圧変換回路ＴＤの抵抗値に基づいて、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流の大きさを測定し、第１スイッチング素子Ｆ１と、測定回路ＭＣとは、１つの半導体パッケージ内に形成される。 従来の技術では、第１スイッチング素子Ｆ１からシャント抵抗までの配線パターンの影響によって精度高くドレイン電流を測定することが困難である場合があった。本実施形態のパワーモジュール１０は、第１スイッチング素子Ｆ１と、測定回路ＭＣとが同一のパッケージ内に形成される。このため、本実施形態のパワーモジュール１０は、配線パターンの影響によって生じる測定誤差を低減することができる。したがって、本実施形態のパワーモジュール１０は、高価な部品（例えば、ロゴスキーコイル）を用いることなく、精度高く電流を測定することができる。
また、本実施形態のパワーモジュール１０の電流電圧変換回路ＴＤは、第１スイッチング素子Ｆ１とは異なる材料によって形成されるスイッチング素子であって、第１スイッチング素子Ｆ１と比較してスイッチング動作が低速である第２スイッチング素子Ｆ２を備える。本実施形態のパワーモジュール１０において、第１スイッチング素子Ｆ１と、第２スイッチング素子Ｆ２とは、カスコード接続され、測定回路ＭＣは、第２スイッチング素子Ｆ２と同一の材料（この一例では、珪素（Ｓｉ））によって形成される。ここで、スイッチング動作が高速である第１スイッチング素子Ｆ１は、一般に、ノーマリーオン型のＦＥＴである。この場合、第１スイッチング素子Ｆ１は、スイッチング電源装置などに一般的に用いられるノーマリーオン型の素子が出力する信号に基づいてオフ動作することができない。本実施形態のパワーモジュール１０は、第１スイッチング素子Ｆ１に第２スイッチング素子Ｆ２をカスコード接続し
、第２スイッチング素子Ｆ２をオフ動作にすることにより、第１スイッチング素子Ｆ１をオフ状態に制御することができる。
また、本実施形態のパワーモジュール１０は、第１スイッチング素子Ｆ１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）を含み、第２スイッチング素子Ｆ２を形成する材料（この一例では、珪素（Ｓｉ））とは異なる材料によって形成される。ここで、第１材料ＷＬ１に形成されるスイッチング素子（例えば、第１スイッチング素子Ｆ１）と、第２材料ＷＬ２に形成されるスイッチング素子（例えば、第２スイッチング素子Ｆ２）とでは、第１材料ＷＬ１に形成されるスイッチング素子の方が大電流のドレイン電流を流しつつ、かつ高速にスイッチング動作することが可能である。したがって、本実施形態のパワーモジュール１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）の第１材料ＷＬ１にスイッチング素子（この一例では、第１スイッチング素子Ｆ１）を形成することにより、大電流のドレイン電流を流しつつ、かつ高速にスイッチング動作することができる。
また、本実施形態のパワーモジュール１０ａは、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流（この一例では、ドレイン電流）の大きさを測定回路ＭＣが測定する場合にオン状態にされるスイッチング素子であって、第２スイッチング素子Ｆ２と並列に接続される（経路ＲＴ２）に、ドレイン電流の少なくとも一部を、オン状態において流す第３スイッチング素子Ｆ３と、第３スイッチング素子Ｆ３に直列に接続される抵抗（この一例では、シャント抵抗Ｒ１）と、を更に有し、測定回路ＭＣａは、シャント抵抗Ｒ１の両端の電位差と、シャント抵抗Ｒ１の抵抗値とに基づいて、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流の大きさを測定する。これにより、本実施形態のパワーモジュール１０ａは、簡便な回路構成によって第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定することができる。
＜２－１．パワーモジュール１０の構成＞ 以下、第１実施形態のパワーモジュール１０（以下、パワーモジュール１０ｂ）の詳細について説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図５は、第２実施形態に係るパワーモジュール１０ｂの構成の一例を示す図である。 具体的には、図５は、電流電圧変換回路ＴＤが第２スイッチング素子Ｆ２である一例を示す図である。 第２実施形態のパワーモジュール１０ｂは、第１材料ＷＬ１と、第２材料ＷＬ２ｂとによって形成される。第２材料ＷＬ２ｂには、第２スイッチング素子Ｆ２と、制御信号出力回路ＣＣと、測定回路ＭＣａとが形成される。なお、本実施形態において、ゲートドライバＧＤは、半導体パッケージ外部に設けられるが、１つの半導体パッケージ内に設けられても良い。
本実施形態の制御信号出力回路ＣＣは、通常モードと、テストモードとに関わらず、第２スイッチング素子Ｆ２を、第１スイッチング素子Ｆ１をオフ状態又はオン状態に制御するスイッチング素子として制御する。
図５に示される一例において、開閉器ＳＷ１の一端は、内部端子Ｔｉ４（第１ソース端子）と、第２ドレイン端子との接続点（図示する点Ｐ１）に接続される。また、開閉器ＳＷ２の一端は、第２ソース端子と、外部端子Ｔｅ５との接続点（図示する点Ｐ２）に接続される。通常モードにおいて、測定回路ＭＣａは、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定する動作を行わない。具体的には、開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、ローレベルのテスト信号が入力されることに応じて、開状態に制御さる。したがって、演算増幅器ＯＰ１は、通常モードにおいて、反転入力端子、及び非反転入力端子には信号が入力されない。また、テストモードにおいて、測定回路ＭＣａは、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定する動作を行う。具体的には、開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、ハイレベルのテスト信号が入力されることに応じて、閉状態に制御される。この場合、測定回路ＭＣａは、演算増幅器ＯＰ１の反転入力端子と、非反転入力端子との間に生じる電位差（この一例では、第２ドレイン端子と、第２ソース端子との間に生じる電位差（つまり、点Ｐ１及び点Ｐ２間の電位差））を抵抗Ｒ２～Ｒ５の抵抗値によって定められるゲインによって増幅した電圧を出力端子から出力する。第２ドレイン端子と、第２ソース端子との間に生じる電位差とは、第２スイッチング素子Ｆ２のオン抵抗によって生じる電位差である。
＜２－２．第２実施形態のまとめ＞ 以上説明したように、本実施形態のパワーモジュール１０ａにおいて、測定回路ＭＣａは、第２スイッチング素子Ｆ２のオン抵抗によって生じる第２スイッチング素子Ｆ２の両端（この一例では、第２ドレイン端子と、第２ソース端子との間）の電位差に基づいて、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流（この一例では、ドレイン電流）の大きさを測定する。これにより、本実施形態のパワーモジュール１０ａは、シャント抵抗Ｒ１を備えない簡便な回路構成によって第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定することができる。
＜３－１．パワーモジュール１０の構成＞ 以下、第３実施形態のパワーモジュール１０（以下、パワーモジュール１０ｃ）の詳細について説明する。なお、上述した第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図６は、第３実施形態に係るパワーモジュール１０ｃの構成の一例を示す図である。 具体的には、図６は、電流電圧変換回路ＴＤがシャント抵抗Ｒ６と、第４スイッチング素子Ｆ４と、第５スイッチング素子Ｆ５とを備える構成の一例を示す図である。 第３実施形態のパワーモジュール１０ｃは、第１材料ＷＬ１と、第２材料ＷＬ２ｃとによって形成される。第２材料ＷＬ２ｃには、第２スイッチング素子Ｆ２と、制御信号出力回路ＣＣと、測定回路ＭＣｃとが形成される。なお、本実施形態において、ゲートドライバＧＤは、半導体パッケージ外部に設けられるが、１つの半導体パッケージ内に設けられても良い。
測定回路ＭＣｃは、演算増幅器ＯＰ２と、開閉器ＳＷ３と、開閉器ＳＷ４と、第４スイッチング素子Ｆ４と、第５スイッチング素子Ｆ５と、シャント抵抗Ｒ６と、反転増幅回路ＡＰＣとを備える。第４スイッチング素子Ｆ４及び第５スイッチング素子Ｆ５とは、例えば、ＦＥＴである。第５スイッチング素子Ｆ５には、第２スイッチング素子Ｆ２と、第５スイッチング素子Ｆ５とのゲート幅の比が、例えば、１０００：１となるＦＥＴが選定される。ただし、ゲート幅の比はこれに限らない。以降の説明において、第４スイッチング素子Ｆ４が備えるゲート端子を第４ゲート端子と記載し、ドレイン端子を第４ドレイン端子と記載し、ソース端子を第４ソース端子と記載する。また、第５スイッチング素子Ｆ５が備えるゲート端子を第５ゲート端子と記載し、ドレイン端子を第５ドレイン端子と記載し、ソース端子を第５ソース端子と記載する。開閉器ＳＷ３及び開閉器ＳＷ４は、それぞれ２つの端子を備え、開閉によって端子間の接続を切り替える。開閉器ＳＷ３の一端は、内部端子Ｔｉ４（第１ドレイン端子）と、第２ドレイン端子との接続点（図示する点Ｐ１）に接続される。また、開閉器ＳＷ３の他の一端は、演算増幅器ＯＰ２の非反転入力端子に接続される。開閉器ＳＷ４の一端は、第２ソース端子と、外部端子Ｔｅ５との接続点（図示する点Ｐ２）に接続される。また、開閉器ＳＷ４の他の一端は、第５ソース端子に接続される。開閉器ＳＷ３及び開閉器ＳＷ４は、外部端子Ｔｅ４に接続される。開閉器ＳＷ３及び開閉器ＳＷ４は、テスト信号に応じて開閉する。
シャント抵抗Ｒ６の一端は、第２材料ＷＬ２に印加される電圧の電位（図示する電位ＶＤＤ）に接続される。シャント抵抗Ｒ６の他の一端は、反転増幅回路ＡＰＣの入力端子と、第４ドレイン端子と接続される。第４ソース端子と、第５ドレイン端子と、演算増幅器ＯＰ２の反転入力端子とは、接続される。第５スイッチング素子Ｆ５の第５ゲート端子と、外部端子Ｔｅ４とは、接続される。
本実施形態の制御信号出力回路ＣＣは、通常モードと、テストモードとに関わらず、第２スイッチング素子Ｆ２を、第１スイッチング素子Ｆ１をオフ状態又はオン状態に制御するスイッチング素子として制御する。
反転増幅回路ＡＰＣは、演算増幅器ＯＰ３と、抵抗Ｒ７と、抵抗Ｒ８とを備える。反転増幅回路ＡＰＣは、入力端子（図示するｉｎ端子）と、出力端子（図示するｏｕｔ端子）とを備える。抵抗Ｒ７の一端と、入力端子と、は、接続される。抵抗Ｒ７の他の一端と、抵抗Ｒ８の一端と、演算増幅器ＯＰ３の反転入力端子とは、接続される。演算増幅器ＯＰ３の非反転入力端子と、抵抗Ｒ８の他の一端が接地される。演算増幅器ＯＰ３の出力端子と、反転増幅回路ＡＰＣの出力端子とは、接続される。また、反転増幅回路ＡＰＣの出力端子と、外部端子Ｔｅ３と接続される。
＜３－２．パワーモジュール１０ｃの動作モードについて＞ 本実施形態では、パワーモジュール１０ｃは、通常モードと、テストモードとによって動作する。通常モードにおいて、テスト信号は、例えば、ローレベルの信号である。通常モードにおいて、第５スイッチング素子Ｆ５は、第５ゲート端子にローレベルのテスト信号が入力されることに応じて、オフ状態に制御される。また、通常モードにおいて、測定回路ＭＣａは、第１スイッチング素子Ｆ１のドレイン電流を測定する動作を行わない。具体的には、開閉器ＳＷ１及び開閉器ＳＷ２は、ローレベルのテスト信号が入力されることに応じて、開状態に制御され、測定回路ＭＣｃ（演算増幅器ＯＰ２）には、信号が入力されず、出力信号を出力しない。
テストモードにおいて、テスト信号は、例えば、ハイレベルの信号である。開閉器ＳＷ３及び開閉器ＳＷ４は、ハイレベルのテスト信号が入力されることに応じて、閉状態に制御される。テストモードにおいて、第５スイッチング素子Ｆ５は、ハイレベルのテスト信号が入力されることに応じて、オン状態に制御される。測定回路ＭＣｃの演算増幅器ＯＰ２は、点Ｐ１と、点Ｐ２との間に生じる電位差に応じた電圧を、出力端子から出力する。また、第４スイッチング素子Ｆ４の第４ゲート端子には、当該電位差に応じた電圧が印加され、第４スイッチング素子Ｆ４の第４ドレイン端子と、第４ソース端子との間には、当該電位差に応じたドレイン電流が流れる。このドレイン電流が流れる経路は、シャント抵抗Ｒ６から第４ドレイン端子と、第４ソース端子と、第５ドレイン端子と、第５ソース端子とを経由して外部端子Ｔｅ５まで（図示する、経路ＲＴ３）を流れる。上述したように、第２スイッチング素子Ｆ２と、第５スイッチング素子Ｆ５とは、ゲート幅が例えば、１０００：１に設定される。したがって、経路ＲＴ３に流れるドレイン電流は、経路ＲＴ１に流れるドレイン電流に比例する電流の大きさであって、経路ＲＴ１に流れるドレイン電流の１／１０００の大きさの電流である。ここで、第４スイッチング素子Ｆ４及び第５スイッチング素子Ｆ５は、電流供給部の一例である。 なお、上述では、第２スイッチング素子Ｆ２と、第５スイッチング素子Ｆ５とは、ゲート幅が１０００：１に設定される場合について説明したが、これに限られない。ここで、経路ＲＴ３を流れる電流がシャント抵抗Ｒ６を流れることによって消費される電力損失は、比較的小さいほうが好ましい。第２スイッチング素子Ｆ２と、第５スイッチング素子Ｆ５とのゲート幅の比率は、当該電力損失が比較的小さくなるような値であれば、いずれの値であってもよい。
上述したように、テストモードにおいて、この一例では、経路ＲＴ３には、経路ＲＴ１に流れるドレイン電流の１／１０００の大きさのドレイン電流が流れる。また、シャント抵抗Ｒ６の両端には、当該ドレイン電流に応じた電位差（つまり、点Ｐ１及び点Ｐ２間の電位差に応じた電位差）が生じる。反転増幅回路ＡＰＣの演算増幅器ＯＰ３は、当該電位差を抵抗Ｒ７～Ｒ８の
抵抗値によって定められるゲインによって反転増幅した電圧を出力端子から出力する。なお、反転増幅回路ＡＰＣは、反転増幅する構成に代えて、当該電位差を非反転増幅する構成であってもよい。
＜３－３．第３実施形態のまとめ＞ 以上説明したように、本実施形態のパワーモジュール１０ｃにおいて、電流電圧変換回路ＴＤは、第１スイッチング素子Ｆ１に流れる電流（この一例では、ドレイン電流）に比例する電流を流す電流供給部（この一例では、第４スイッチング素子Ｆ４及び第５スイッチング素子Ｆ５）と、電流供給部に直列に接続される抵抗（この一例では、シャント抵抗Ｒ６）と、を備え、測定回路ＭＣｃは、シャント抵抗Ｒ６の両端の電位差と、シャント抵抗Ｒ６の抵抗値とに基づいて、第１スイッチング素子Ｆ１が出力する電流の大きさを測定する。
ここで、テストモードにおいて、ドレイン電流をシャント抵抗（例えば、図４に示すシャント抵抗Ｒ１）にすべて流す場合、熱によって電力が損失する場合があった。これに対し、本実施形態のパワーモジュール１０ｃは、第２スイッチング素子Ｆ２と、第５スイッチング素子Ｆ５とのゲート幅が調節され、経路ＲＴ３には、経路ＲＴ１に流れるドレイン電流に比例する電流（この一例では、１／１０００）が流れる。したがって、本実施形態のパワーモジュール１０ｃによれば、第１スイッチング素子Ｆ１に流れるドレイン電流に応じた（比例する）少量の電流をシャント抵抗Ｒ６に流すことにより、電流測定に伴う電力損失を低減することができる。 また、第２スイッチング素子Ｆ２のオン抵抗に基づいて、ドレイン電流を測定する場合、第２材料ＷＬ２に第２スイッチング素子Ｆ２を形成した後、第２スイッチング素子Ｆ２のオン抵抗を測定し、抵抗値を取得しておくことが求められる。これに対し、本実施形態のパワーモジュール１０ｃは、シャント抵抗Ｒ６の両端に生じる電位差によって電流を測定するため、第２スイッチング素子Ｆ２のオン抵抗に基づいて電流を測定する場合と比較してより精度高くドレイン電流を測定することができる。
＜４－１．ＤＣ－ＤＣコンバータ１の構成＞ 以下、第４実施形態のＤＣ－ＤＣコンバータ１について説明する。なお、上述した第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図７は、第４実施形態に係るＤＣ－ＤＣコンバータ１の構成の一例を示す図である。 第４実施形態のＤＣ－ＤＣコンバータ１は、パワーモジュール１０ａ、パワーモジュール１０ｂ及びパワーモジュール１０ｃのいずれかのパワーモジュール１０と、定電圧源ＰＷと、インダクタＬと、ダイオードＤと、コンデンサＢＣと、第１分圧抵抗ＰＲ１と、第２分圧抵抗ＰＲ２と、負荷ＬＤと、制御装置３０とを備える。 外部端子Ｔｅ1と、ゲートドライバＧＤとは、接続される。外部端子Ｔｅ２には、電位ＶＤＤが印加される。外部端子Ｔｅ３と、制御装置３０とは、接続され、パワーモジュール１０は、外部端子Ｔｅ３から制御装置３０に出力信号を出力する。制御装置３０と、外部端子Ｔｅ４とは接続され、制御装置３０は、パワーモジュール１０（外部端子Ｔｅ４）にテスト信号を入力する。制御装置３０と、ゲートドライバＧＤとは、接続され、制御装置３０は、ゲートドライバＧＤにＰＷＭ信号を入力する。ゲートドライバＧＤと、外部端子Ｔｅ１とは、接続され、ゲートドライバＧＤは、パワーモジュール１０（外部端子Ｔｅ１）にゲート信号を入力する。外部端子Ｔｅ５と、外部端子Ｔｅ６とは、設置される。外部端子Ｔｅ７には、インダクタＬを介して電位ＶＤＤが印加される。また、外部端子Ｔｅ７には、ダイオードＤのアノードが接続される。ダイオードＤのカソードには、負荷ＬＤの一端が接続される。負荷ＬＤの他の一端は、設置される。第１分圧抵抗ＰＲ１と、第２分圧抵抗ＰＲ２とは、直列に接続される。直列に接続された第１分圧抵抗ＰＲ１及び第２分圧抵抗ＰＲ２は、負荷ＬＤに並列に接続される。また、負荷ＬＤには、コンデンサＢＣが並列に接続される。負荷ＬＤには、第１スイッチング素子Ｆ１がスイッチングする信号が印加される。制御装置３０は、パワーモジュール１０が出力する出力信号に基づいて、パワーモジュール１０の動作を制御する。具体的には、制御装置３０は、過電流となるドレイン電流が負荷ＬＤに流されていることを出力信号が示す場合、スイッチングを停止させるＰＷＭ信号をゲートドライバＧＤに入力する。
なお、第２スイッチング素子Ｆ２が、通常モードと、テストモードとに関わらず、第１スイッチング素子Ｆ１をオフ状態又はオン状態に制御するスイッチング素子として動作する場合であって、かつ第２スイッチング素子Ｆ２が、第１スイッチング素子Ｆ１をオン状態にし続ける場合、外部端子Ｔｅ４には、電位ＶＤＤが印加される構成であってもよい。
＜４－２．第４実施形態のまとめ＞ 以上説明したように、本実施形態のＤＣ－ＤＣコンバータ１は、パワーモジュール１０と、パワーモジュール１０の出力信号に基づく制御信号を、パワーモジュール１０が備える第１スイッチング素子Ｆ１を制御する信号（この一例では、ゲートドライバＧＤを制御するＰＷＭ信号）として出力する制御装置３０と、入力される電力を第１スイッチング素子Ｆ１のスイッチング動作により変換して出力する電力変換回路と、を備える。また、本実施形態の制御装置３０はパワーモジュール１０が測定する電流の大きさに基づいて、制御信号を出力する。なお、上述では、制御装置３０は、スイッチング素子を制御する制御信号の一例として、ＰＷＭ信号を出力する例を示したが、制御装置３０は、ＰＷＭ信号に代えてＰＡＭ信号を出力してもよい。 従来の技術では、パワーモジュールによって、ドレイン電流を測定し、測定した電流が過電流であるか否かの２値化された情報しか出力できない場合があった。本実施形態のＤＣ－ＤＣコンバータ１において、制御装置３０は、パワーモジュール１０が出力する出力信号であって、ドレイン電流の変化に応じた出力信号を第１スイッチング素子Ｆ１の制御に用いることができる。
なお、上述では、パワーモジュール１０が、種類が異なる２つの材料（この一例では、第１材料ＷＬ１及び第２材料ＷＬ２）によって形成される場合について説明したが、これに限られない。例えば、パワーモジュール１０は、第１材料ＷＬ１によって形成される構成であってもよい。この場合、第２材料ＷＬ２に形成される各回路は、第１材料ＷＬ１に形成される。
また、上記実施形態及び各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせられてよい。
１…ＤＣ－ＤＣコンバータ、１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…パワーモジュール、３０…制御装置、ＡＰＣ…反転増幅回路、ＣＣ…制御信号出力回路、Ｆ１…第１スイッチング素子、Ｆ２…第２スイッチング素子、Ｆ３…第３スイッチング素子、Ｆ４…第４スイッチング素子、Ｆ５…第５スイッチング素子、ＭＣ、ＭＣａ、ＭＣｃ…測定回路、ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３…演算増幅器、Ｒ１、Ｒ６…シャント抵抗、ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３…経路、ＷＬ１…第１材料、ＷＬ２、ＷＬ２ａ、ＷＬ２ｂ、ＷＬ２ｃ…第２材料

Claims (6)

  1. 第１スイッチング素子と、
    前記第１スイッチング素子にカスコード接続される第２スイッチング素子と、
    前記第２スイッチング素子と並列に接続され、前記第１スイッチング素子が出力する電流の少なくとも一部が流入する電流電圧変換回路と、
    前記電流電圧変換回路に接続される測定回路と、
    を備え、
    前記測定回路は、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定する、
    パワーモジュール。
  2. 前記第１スイッチング素子は第１材料によって形成され、
    前記第２スイッチング素子、前記電流電圧変換回路および前記測定回路は、第２材料によって形成され、
    前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記電流電圧変換回路および前記測定回路は、１つの半導体パッケージ内に形成される、
    請求項１に記載のパワーモジュール。
  3. 前記第１材料は窒化ガリウム（ＧａＮ）または炭化珪素（ＳｉＣ）を含み、
    前記第２材料は珪素（Ｓｉ）を含む、
    請求項２に記載のパワーモジュール。
  4. 前記電流電圧変換回路は、
    前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを前記測定回路が測定する場合にオン状態にされるスイッチング素子であって、前記第２スイッチング素子と並列に接続される経路に、前記電流の少なくとも一部を、前記オン状態において流す第３スイッチング素子と、
    前記第３スイッチング素子に直列に接続される抵抗と、
    を備え、
    前記測定回路は、前記抵抗の両端の電位差と、前記抵抗の抵抗値とに基づいて、前記第１スイッチング素子が出力する電流の大きさを測定する、
    請求項１から３のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  5. 請求項１から３のいずれか１項に記載のパワーモジュールと、
    前記パワーモジュールの出力信号に基づく制御信号を、前記パワーモジュールが備える前記第１スイッチング素子を制御する信号として出力する制御装置と、
    を備えるＤＣ－ＤＣコンバータ。
  6. 前記制御装置は、前記パワーモジュールが測定する電流の大きさに基づいて、前記制御信号を出力する、
    請求項５に記載のＤＣ－ＤＣコンバータ。
JP2022110117A 2017-09-29 2022-07-08 パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ Pending JP2022137162A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017191841 2017-09-29
JP2017191841 2017-09-29
JP2019544520A JPWO2019065173A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-10 パワーモジュール及びｄｃ−ｄｃコンバータ
PCT/JP2018/033357 WO2019065173A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-10 パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019544520A Division JPWO2019065173A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-10 パワーモジュール及びｄｃ−ｄｃコンバータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022137162A true JP2022137162A (ja) 2022-09-21

Family

ID=65903683

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019544520A Pending JPWO2019065173A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-10 パワーモジュール及びｄｃ−ｄｃコンバータ
JP2022110117A Pending JP2022137162A (ja) 2017-09-29 2022-07-08 パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019544520A Pending JPWO2019065173A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-10 パワーモジュール及びｄｃ−ｄｃコンバータ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11303209B2 (ja)
JP (2) JPWO2019065173A1 (ja)
CN (2) CN116260335A (ja)
WO (1) WO2019065173A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7293176B2 (ja) * 2020-09-11 2023-06-19 株式会社東芝 半導体装置
CN116137490A (zh) * 2021-11-18 2023-05-19 台达电子企业管理（上海）有限公司 开关模块
DE102021134029A1 (de) 2021-12-21 2023-06-22 Infineon Technologies Ag Strommessschaltung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010536032A (ja) * 2007-08-08 2010-11-25 アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド ディスクリートパワー半導体デバイスのカスコード電流センサ
JP2012170211A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Toyota Motor Corp 異常判定装置、異常素子検出装置および車両駆動システム
JP2015070754A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 負荷駆動回路の故障検出回路
JP2016201693A (ja) * 2015-04-10 2016-12-01 シャープ株式会社 半導体装置
JP2017129526A (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 株式会社デンソー 電流補正回路

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11265974A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Hitachi Ltd 電力用半導体モジュール
JP2005137172A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Ricoh Co Ltd 電源回路
US20070019450A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-25 Texas Instruments Incorporated System and method for regulating an output of a switching supply circuit
JP4841329B2 (ja) * 2005-07-20 2011-12-21 パナソニック株式会社 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP5326421B2 (ja) * 2008-08-18 2013-10-30 富士電機株式会社 Ｄｃ−ｄｃコンバータの異常電流防止回路
JP2012029415A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Mitsumi Electric Co Ltd Ｄｃ−ｄｃコンバータおよびスイッチング制御回路
JP5574898B2 (ja) * 2010-09-17 2014-08-20 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP5431445B2 (ja) 2011-12-27 2014-03-05 シャープ株式会社 スイッチング電源回路
US9310819B2 (en) * 2012-09-07 2016-04-12 Infineon Technologies Americas Corp. Power converter including integrated driver providing overcurrent protection
JP2014193022A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Mitsubishi Electric Corp スイッチング回路および電力変換装置
JP5788538B2 (ja) * 2014-01-08 2015-09-30 ファナック株式会社 絶縁劣化検出機能を備えたモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法
KR20150096197A (ko) * 2014-02-14 2015-08-24 삼성전자주식회사 반도체 집적회로의 누설전류 측정 회로
CN104467416B (zh) * 2014-11-26 2017-05-03 上海华力微电子有限公司 Dc‑dc转换电路
US20160172279A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Infineon Technologies Americas Corp. Integrated Power Assembly with Reduced Form Factor and Enhanced Thermal Dissipation
JP6430295B2 (ja) 2015-03-05 2018-11-28 三菱電機株式会社 インテリジェントパワーモジュールの評価方法
JP6487280B2 (ja) * 2015-06-11 2019-03-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10211732B2 (en) * 2015-09-15 2019-02-19 Mediatek Inc. Switched mode power supply circuit for avoiding excessive output current

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010536032A (ja) * 2007-08-08 2010-11-25 アドバンスト・アナロジック・テクノロジーズ・インコーポレイテッド ディスクリートパワー半導体デバイスのカスコード電流センサ
JP2012170211A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Toyota Motor Corp 異常判定装置、異常素子検出装置および車両駆動システム
JP2015070754A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 負荷駆動回路の故障検出回路
JP2016201693A (ja) * 2015-04-10 2016-12-01 シャープ株式会社 半導体装置
JP2017129526A (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 株式会社デンソー 電流補正回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019065173A1 (ja) 2020-11-05
US20200366199A1 (en) 2020-11-19
CN111033988B (zh) 2023-04-18
CN111033988A (zh) 2020-04-17
CN116260335A (zh) 2023-06-13
US11303209B2 (en) 2022-04-12
WO2019065173A1 (ja) 2019-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022137162A (ja) パワーモジュール及びｄｃ－ｄｃコンバータ
JP6396730B2 (ja) 半導体装置
JP7004585B2 (ja) 半導体装置、負荷駆動システムおよびインダクタ電流の電流検出方法
US8049523B2 (en) Current sensing on a MOSFET
CN108474811B (zh) 用于感测电流的方法和装置
US9513318B2 (en) Current or voltage sensing
US10018658B2 (en) Class D audio amplifier and method for reading a current supplied by the amplifier
US7180278B2 (en) Real current sense apparatus for a DC-to-DC converter
US20220060184A1 (en) Switch Module, Driver Circuit and Related Methods
JP4976194B2 (ja) 電流検出装置
US11831303B2 (en) High accuracy current sensing for GaN power switching devices
JP2009075957A (ja) 電源回路および半導体装置
US20150346239A1 (en) Broad-range current measurement using duty cycling
US20150346241A1 (en) Broad-range current measurement using variable resistance
CN117581462A (zh) 半导体装置以及电力变换装置
JP6785705B2 (ja) 過電流保護回路及びボルテージレギュレータ
US7310582B2 (en) Electromagnetic flow meter with reduced power consumption and reduced exciting current
US6181171B1 (en) Circuit configuration for pulsed current regulation of inductive loads
US7859810B2 (en) Photocoupler
CA3139966A1 (en) Electronic cigarette
US6166526A (en) DC/DC converter
JP4184245B2 (ja) 電流／電圧変換回路
JP2021141443A (ja) 半導体集積回路装置および電流検出回路
KR20040030978A (ko) 열 보상방법 및 온도 의존형 전류 감지소자를 갖는회로용 장치
KR102837456B1 (ko) 가변 전류원 회로 및 이를 구비한 직류배전용 전력반도체의 노화 진단을 위한 온 상태 전압 계측회로

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230526

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230704