JP2021516761A - 圧力及び温度測定用のセンサ素子 - Google Patents

Abstract

圧力及び温度測定用のセンサ素子（２ａ，２ｂ）は、膜（１１０）と、前記膜（１１０）の周りに配置された周縁ゾーン（１２０）と、を有する基体（１００）を含んでいる。センサ素子（２ａ，２ｂ）は、更に、前記基体（１００）の前記膜（１１０）の上に配置された第１の領域（１１）と、前記基体（１００）の前記周縁ゾーン（１２０）の上に配置された第２の領域（１２）と、を有する導電層（１０）を含んでいる。前記膜（１１０）は、前記基体（１００）の感圧性のゾーンとして形成されており、前記周縁ゾーン（１２０）は、前記基体（１００）の非感圧性のゾーンとして形成されている。前記導電層（１０）は、前記第２の領域（１２）に少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）が形成されるように、前記第２の領域（１２）において構造化されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、圧力及び温度測定用のセンサ素子に関する。

薄膜技術に基づく圧力測定用のセンサは、膜として形成された薄い領域を備える基体を含む。膜の上面に作用する例えば周囲雰囲気の圧力のような基準圧力、及び、膜の下面に作用する測定されるべき圧力に依存して、膜の変形が生じる。膜の変形は、電気的に把握することができる。抵抗型の圧力センサの場合、膜の変形に依存して電気抵抗が変化するセンサ層が、膜の上に配置されている。

多くの応用分野では、圧力情報に加えて、センサの周囲を支配する温度に関する温度情報が必要とされる。圧力及び温度情報は、多くの用途において、例えばシステムを制御及び／又は調整するために必要である。

本発明の課題は、圧力及び温度測定のための機能を有すると共に、圧力及び温度測定を省スペース且つ低製造コストでセンサ素子に統合することができる、圧力及び温度測定用のセンサ素子を提供することである。

圧力測定の機能及び温度測定の機能を、製造技術的に容易な方法でセンサ素子に統合することができる圧力及び温度測定用のセンサ素子の実施形態が、請求項１に提示されている。

圧力及び温度測定用のセンサ素子は、膜と、当該膜の周りに配置された周縁ゾーンと、を有する基体を含んでいる。更に、センサ素子は、基体の膜の上に配置された第１の領域を有する導電層を含んでいる。導電層は、更に、基体の周縁ゾーンの上に配置された第２の領域を含んでいる。膜は、膜の上面と下面との間の圧力差に依存して当該膜が変形するように、基体の感圧性のゾーンとして形成されている。それに対して、周縁ゾーンは、基体の非感圧性のゾーンとして形成されている。導電層は、第２の領域に少なくとも１つの温度依存性の抵抗が形成されるように、第２の領域において、すなわち基体の周縁ゾーンの上において、構造化されている。

導電層の第１の領域には、少なくとも１つの圧力依存性の抵抗を配置することができる。温度依存性の抵抗は、導電層の第２の領域に、すなわち膜の外側の非感圧性の周縁ゾーンに配置されているので、導電層の第１の領域に少なくとも１つの圧力依存性の抵抗を形成するために設けられた同一の導電性の材料が、第２の領域にも存在することができる。導電層を形成するために、導電層の第１の領域及び第２の領域に、同一の材料を使用することができる。

導電層は、膜の上の第１の領域及び周縁ゾーンの上の第２の領域において、同一の材料から形成されているので、少なくとも１つの温度依存性の抵抗及び少なくとも１つの圧力依存性の抵抗を構造化するために、単一の構造化プロセスを使用することができる。少なくとも１つの温度依存性の抵抗及び少なくとも１つの圧力依存性の抵抗を製造するための導電層の構造化は、同一の構造化プロセスを用いる１つの加工ステップで行うことができる。少なくとも１つの圧力依存性の抵抗を製造するための第１の領域における導電層の構造化、並びに、少なくとも１つの温度依存性の抵抗を製造するための第２の領域における導電層の構造化は、例えばレーザ切断によって行うことができる。少なくとも１つの圧力依存性の抵抗及び少なくとも１つの温度依存性の抵抗を製造するために、同一の構造化プロセスを使用することができるので、圧力及び温度測定を伴うセンサ素子を、製造技術的に容易な、したがって安価な方法で製造することができる。

少なくとも１つの温度依存性の抵抗を形成するために、導電層の第２の領域は、導電層の第２の領域に導電路が形成されるように構造化される。更に、導電層の第２の領域は、導電層の第２の領域に導電路の接触のための接触面が形成されるように構造化することができる。導電路の幅及び／又は長さは、特定の温度における温度依存性の抵抗の抵抗値を決定する。

導電層の構造化は、基体の周縁ゾーンの上の第２の領域において、導電層の第２の領域に複数の温度依存性の抵抗が配置されるように行うことができる。これらの抵抗は、同一の温度において、同一の若しくは類似の抵抗値又は異なる抵抗値を有するように、構造化することができる。

導電層の第２の領域の温度依存性の抵抗が、同一の温度において同一の抵抗値を有する場合、抵抗のそれぞれの導電路は、同一の幅及び／又は長さを有することができる。温度依存性の抵抗は、例えば、各抵抗の導電路が異なる幅及び／又は長さを有することにより、同一の温度において異なる抵抗値を有するように製造することができる。用途に応じて、この実施形態では、用途目的に最も適した温度依存性の抵抗を、そのために付加的なスペースを必要とすることなく、又は、抵抗値の出力に関して制約が生ずることなく、使用することができる。

本発明が、以下において、本発明の実施例を示す図面を参照して詳細に説明される。

圧力依存性の抵抗を備える圧力測定用のセンサ素子の上面図及び側面図を示している。 圧力依存性の抵抗及び温度依存性の抵抗を備える圧力及び温度測定用のセンサ素子の第１の実施形態の上面図を示している。 センサ素子の基体の周縁ゾーンに温度依存性の抵抗を備える、圧力及び温度測定用のセンサ素子の導電層のセグメントの拡大図を示している。 異なる抵抗値を有する圧力依存性の抵抗及び温度依存性の抵抗を備える、圧力及び温度測定用のセンサ素子の第３の実施形態の上面図を示している。 センサ素子の導電層のセグメント間に圧力依存性の抵抗を備える、圧力測定用のセンサ素子の上面図を示している。

図１は、上部の領域において、圧力測定用のセンサ素子１の上面図を、下部の領域において、その側面図を、それぞれ示している。センサ素子は、感圧性の膜１１０と、当該膜１１０の周りに配置された圧力非依存性の周縁ゾーン１２０と、を有する基体１００を含んでいる。膜１１０は、分離ゾーン７０によって、基体１００の非感圧性の周縁ゾーン１２０から分離されている。膜１１０の上には、導電層１０が配置されている。導電層１０は、例えば、ピエゾ抵抗特性を有するセンサ層として形成されている。基体１００は、膜の下面Ｕ１１０に空洞を備えている。測定されるべき圧力を有する媒体は、膜１１０の下面Ｕ１１０に作用する。例えば周囲の圧力のような基準圧力は、膜の上面Ｏ１１０に作用する。

膜１１０は、基体１００の感圧性のゾーンとして形成されている。膜１１０は、膜の上面Ｏ１１０と下面Ｕ１１０との間の圧力差に依存して変形する。膜１１０の変形に起因して、センサ層１０の電気抵抗が変化する。生じた抵抗変化の評価を通じて、膜の下面Ｕ１１０上の圧力を、膜１１０の上面Ｏ１１０上の基準圧力に依存して確定することができる。導電層１０の構造化を通じて、１つ又は複数の圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４を、導電層内に配置することができる。

図２Ａは、圧力及び温度測定用のセンサ素子２ａの第１の実施形態の上面図を示しており、当該センサ素子においては、圧力測定の機能及び温度測定の機能が、センサ素子内に統合されている。センサ素子は、膜１１０と、当該膜１１０の周りに配置された周縁ゾーン１２０と、を有する基体１００を含んでいる。更に、センサ素子２ａは、圧力及び温度測定用のセンサ層として形成された導電層１０を含んでいる。導電層１０は、基体１００の膜１１０の上に配置された第１の領域１１を備えている。更に、導電層１０は、基体１００の周縁ゾーン１２０の上に配置された第２の領域１２を備えている。

導電層１０の第１の領域１１は、複数のセグメント８１、８２、８３、８４に細分されている。個々のセグメント間で、領域１１の導電層は中断されている。図２Ｂは、センサ素子２ａを、導電層１０のセグメント８３の拡大図と共に示している。

膜１１０は、基体１００の感圧性のゾーンとして形成されている。図１に示されたセンサ素子の実施形態の場合と同様に、センサ素子２ａにおける膜１１０は、基体１００の薄い領域として形成されている。膜１１０は、測定セルに面する膜の下面と上面との間の圧力差に依存して当該膜が変形するように、基体の感圧性のゾーンとして形成されている。基体１００の周縁ゾーン１２０は、基体の非感圧性のゾーンとして形成されている。したがって、周縁ゾーン１２０の領域では、基体１００の変形は生じない。

温度測定を実現するために、導電層１０は、第２の領域１２に少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０が形成されるよう、第２の領域１２において、すなわち基体１００の非感圧性の周縁ゾーンの上の領域において構造化されている。

図２Ａ及び２Ｂに示されたセンサ素子２ａにおいて、導電層１０は、第２の領域１２に複数の温度依存性の抵抗２０が存在するように、第２の領域１２において構造化されている。特に、導電層１０の第２の領域１２は、当該第２の領域１２が、第１の温度依存性の抵抗２１と、少なくとも１つの第２の温度依存性の抵抗２２、２３、２４と、を含むように構造化することができる。図２Ａに示されたセンサ素子２ａの実施形態において、センサ素子は、導電層１０の第２の領域１２に、温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４を含んでいる。用途に応じて、抵抗のうちの１つ又は複数を温度測定のために使用することができ、又は、電気回路に接続することができる。

抵抗２１、２２、２３、２４の各々は、導電層１０の領域１１のセグメント８１、８２、８３及び８４のうちの１つの外側に隣接する、導電層の領域１２の１つのセクションに位置している。セグメント８１、８２、８３及び８４は、分離ゾーン７０によって、導電層１０の領域１２の別のセクションから分離されている。セグメント８１、８２、８３及び８４、並びに、導電層１０の領域１２のそれぞれのセクションは、例えば、四分円セグメント／セクションとして具現化されている。

導電層１０は、第２の領域１２に、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０の外部接触のための少なくとも１つの第１の接触面３０及び少なくとも１つの第２の接触面４０を有するように、第２の領域１２において構造化されている。更に、導電層１０は、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０が導電路５０として形成されるように、第２の領域１２において構造化されている。温度依存性の抵抗のそれぞれの導電路５０は、温度依存性の抵抗のそれぞれの第１の接触面３０及びそれぞれの第２の接触面４０に接続されている。特に、それぞれの導電路５０は、それぞれの第１及び第２の接触面３０、４０の間に配置されている。

それぞれの導電路５０の幅は、それに接続されたそれぞれの第１及び第２の接触面３０及び４０の幅よりも小さい。温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４の各導電路５０は、導電層１０の幅の狭いストリップとして形成されており、当該ストリップは、導電層の中断によって、それを取り囲む導電層の面セクションから分離されている。

図２Ａ及び２Ｂに示されたセンサ素子２ａの実施形態において、第１の温度依存性の抵抗２１及び少なくとも１つの第２の温度依存性の抵抗２２、２３、２４は、同一の温度において同一の抵抗値を示す。そのために、温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４のそれぞれの導電路５０の幅及び／又は長さは、同じであってもよい。

図３は、圧力及び温度測定用のセンサ素子２ｂの第２の実施形態を示している。センサ素子２ｂは、図２及び２Ｂに示された実施形態の場合のように、基体１００の膜１１０の上に配置された第１の領域１１と、基体１００の周縁ゾーン１２０の上に配置された第２の領域１２と、を有する導電層１０を含んでいる。膜１１０は、基体の感圧性のゾーンとして形成されており、基体１００の周縁ゾーン１２０は、非感圧性のゾーンとして形成されている。

図２Ａに示された実施形態の場合のように、導電層１０は、第２の領域１２に少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０が形成されるように、第２の領域１２において構造化されている。図３に示された実施形態では、導電層１０の第２の領域１２に温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４が形成されている。導電層１０は、第２の領域１２に、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０の外部接触のための少なくとも１つの第１の接触面３０及び少なくとも１つの第２の接触面４０を有するように、第２の領域１２において構造化されている。

導電層１０は、温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４がそれぞれ導電路５０として形成されるように、第２の領域１２において構造化されている。温度依存性の抵抗のそれぞれの導電路５０は、それぞれ、第１の接触面３０のうちの１つと第２の接触面４０のうちの１つとの間に配置されており、それぞれの第１の接触面３０及びそれぞれの第２の接触面４０に接続されている。

図２Ａに示されたセンサ素子２ａの実施形態とは異なり、センサ素子２ｂにおいては、導電層１０は、異なる温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４が同一の温度において異なる抵抗値を示すように、第２の領域１２において構造化されている。

そのために、温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４は、それぞれの導電路５０の幅及び／又は長さが異なっている。図３に示された実施形態では、用途に応じて、温度依存性の抵抗のうち電気回路内への統合に最も適したものを、温度測定のために使用することができる。温度依存性の抵抗２１、２２、２３及び２４を、導電層１０の第２の領域１２に、すなわち基体１００の非感圧性の周縁領域１２０の上に配置することにより、専ら圧力測定に用いられる図１に示されたセンサ素子１の実施形態と比較して、付加的なスペースを必要とすることなく、又は、抵抗値の読み出しに関して制約を生ずることなく、異なる抵抗値を有する多数の温度依存性の抵抗を設けることができる。

図４は、膜１１０又はセンサ素子２ａ及び２ｂの導電層１０の第１の領域１１の上面図を示している。導電層１０は、第１の領域１１に少なくとも１つの圧力依存性の抵抗６０を備えるように、第１の領域１１において構造化されている。特に、センサ素子２ａ及び２ｂにおける導電層１０は、第１の領域１１に複数の圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４を備えるように構造化されている。導電層１０は、ピエゾ抵抗特性を有するセンサ層として形成されている。膜の上面と下面との間の圧力差の結果として膜１１０が変形した場合、抵抗６１、６２、６３及び６４において抵抗変化が生じる。

図２Ａ、３及び４に示されたセンサ素子２ａ、２ｂの実施形態では、導電層１０は第１の領域１１に圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４を備えている。抵抗６１、６２、６３及び６４は、有利には、経時変化又は圧力測定の際の温度変動に起因する第１の領域１１における導電層１０の抵抗の変化を均一化するために、抵抗ブリッジを形成している。

導電層１０の第１の領域１１は、複数のセグメント８１、８２、８３及び８４に細分されている。導電層１０のセグメントは、導電層１０の中断部１４によって互いに絶縁されている。

隣接するそれぞれ２つのセグメントは、圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４のうちの１つを介して、電気的に互いに接続されている。その際、セグメント８１、８２、８３及び８４の面積は、圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４の面積よりも大きい。圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４は、それぞれ、導電層１０の第１の領域１１の中断によって規定される経路９０として形成されている。経路９０を介して、隣接する２つのセグメント８１、８２又は８１、８４及び８２、８３又は８３、８４は、電気的に互いに接続されている。

圧力依存性の抵抗６１、６２、６３及び６４の接触のための電気接点１３は、膜１１０の中立領域１４０に位置している。中立領域１４０では、膜１１０が湾曲した際に、センサ層１０の圧縮又は伸張は生じない。したがって、圧力依存性の抵抗の接触のための電気接点は、損傷を受けない。

以下において、圧力及び温度測定用のセンサ素子の製造方法を説明する。センサ素子２ａ及び２ｂを製造するために、先ず、膜１１０と、当該膜１１０の周りに配置された周縁ゾーン１２０と、を有する基体１００が準備される。基体１００は、セラミック材料、又は、例えば（ステンレス）鋼から製造することができる。膜１１０は、上面Ｏ１１０と下面Ｕ１１０との間の圧力差に依存して変形するように、基体１００の感圧性のゾーンとして形成されている。周縁ゾーン１２０は、基体１００の非感圧性のゾーンとして形成されている。

導電層１０は、第１の領域１１で基体１００の膜１１０の上に、第２の領域１２で基体１００の周縁ゾーン１２０の上に、それぞれ塗布される。導電層１０は、ピエゾ抵抗材料を含む。導電層１０としては、例えば、アモルファスカーボン中に導電性の良好な金属粒子が加えられた、ニッケルカーボン、コバルトカーボン又はパラジウムカーボンのような複合材料を使用することができる。

基体１００がセラミック材料を含む場合、導電層１０は、基体１００のセラミック基板上で直接的に析出させることができる。特に、基体１００のセラミック基板と導電層１０との間に、絶縁層は必要とされない。それにより、センサ素子２ａ及び２ｂを製造するために、比較的少量のプロセスステップしか必要とされない。

導電層１０は、第２の領域１２に少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０が形成されるように、第２の領域１２において構造化される。更に、導電層１０は、第２の領域１２に、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０の外部接触のための１つの第１の接触面３０及び１つの第２の接触面４０を有するように、第２の領域１２において構造化される。更に、導電層１０は、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０が第１及び第２の接触面３０及び４０と接続された導電路として形成されるように、第２の領域１２において構造化される。

少なくとも１つの温度依存性の抵抗は、導電層１０の第２の領域１２に、すなわち基体１００の非感圧性のゾーンに形成されているので、導電層１０は、少なくとも１つの圧力依存性の抵抗６０を有する第１の領域１１、及び、少なくとも１つの温度依存性の抵抗２０を有する第２の領域１２において、同一の材料から製造することができる。導電層１０は、第１の領域１１及び第２の領域１２において同一の材料を含むので、第１及び第２の領域における導電層１０は、同一の方法によって構造化することができる。構造化のためには、例えば、レーザ切断プロセスを利用することができる。レーザ加工は、フォトリソグラフィプロセスと比較して、製造技術的により容易で、より安価なプロセスである。

１ 圧力測定用のセンサ素子
２ａ、２ｂ 圧力及び温度測定用のセンサ素子
１０ 導電層／センサ層
１１ センサ層の第１の領域
１２ センサ層の第２の領域
１３ 電気接点
１４ センサ層の中断部
２０，２１，２２，２３，２４ 温度依存性の抵抗
３０ 第１の接触面
４０ 第２の接触面
５０ 導電路
６０，６１，６２，６３，６４ 圧力依存性の抵抗
７０ 分離ゾーン
８１，８２，８３，８４ 導電層のセグメント
９０ 導電性の経路
１００ 基体
１１０ 膜
１２０ 周縁ゾーン
１３０ 測定セル
１４０ 中立領域

Claims (15)

1. 圧力及び温度測定用のセンサ素子であって、
   膜（１１０）と、前記膜（１１０）の周りに配置された周縁ゾーン（１２０）と、を有する基体（１００）と、
   前記基体（１００）の前記膜（１１０）の上に配置された第１の領域（１１）と、前記基体（１００）の前記周縁ゾーン（１２０）の上に配置された第２の領域（１２）と、を有する導電層（１０）と、を含み、
   前記膜（１１０）は、前記膜の上面（Ｏ１１０）と下面（Ｕ１１０）との間の圧力差に依存して前記膜（１１０）が変形するように、前記基体（１００）の感圧性のゾーンとして形成されており、
   前記周縁ゾーン（１２０）は、前記基体（１００）の非感圧性のゾーンとして形成されており、
   前記導電層（１０）は、前記第２の領域（１２）に少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）が形成されるように、前記第２の領域（１２）において構造化されている、センサ素子。
2. 前記導電層（１０）は、前記第１の領域（１１）及び前記第２の領域（１２）において、同一の材料から形成されている、請求項１に記載のセンサ素子。
3. 前記導電層（１０）は、前記少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）の外部接触のための１つの第１の接触面（３０）及び１つの第２の接触面（４０）を前記第２の領域（１２）に備えるように、前記第２の領域（１２）において構造化されている、請求項１又は２に記載のセンサ素子。
4. 前記導電層（１０）は、前記少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）が、前記第１の接触面（３０）及び前記第２の接触面（４０）と接続された導電路（５０）として形成されるように、前記第２の領域（１２）において構造化されている、請求項３に記載のセンサ素子。
5. 前記温度依存性の抵抗（２０）の前記導電路（５０）は、前記第１の接触面（３０）と前記第２の接触面（４０）との間に配置されており、
   前記導電路（５０）の幅は、前記第１の接触面（３０）及び前記第２の接触面（４０）の幅及び／又は長さよりも小さい、請求項４に記載のセンサ素子。
6. 前記少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）は、１つの第１の温度依存性の抵抗（２１）と、少なくとも１つの第２の温度依存性の抵抗（２２，２３，２４）と、含み、
   前記第１の温度依存性の抵抗（２１）及び前記少なくとも１つの第２の温度依存性の抵抗（２２，２３，２４）は、それぞれの導電路（５０）の幅及び／又は長さが異なる、請求項４又は５に記載のセンサ素子。
7. 前記導電層（１０）は、前記第１の領域（１１）に少なくとも１つの圧力依存性の抵抗（６０）を備えるように、前記第１の領域（１１）において構造化されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のセンサ素子。
8. 前記導電層（１０）の前記第１の領域（１１）及び前記第２の領域（１２）は、分離ゾーン（７０）によって電気的に互いに絶縁されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のセンサ素子。
9. 前記導電層（１０）は、前記第１の領域（１１）に複数の圧力依存性の抵抗（６１，６２，６３，６４）を備えるように、前記第１の領域（１１）において構造化されており、
   前記複数の圧力依存性の抵抗（６１，６２，６３，６４）は、抵抗ブリッジを形成している、請求項１〜８のいずれか１項に記載のセンサ素子。
10. 前記導電層（１０）の前記第１の領域（１１）は、複数のセグメント（８１，８２，８３，８４）に細分されており、
    隣接するそれぞれ２つのセグメント（８１，８２，８３，８４）は、前記圧力依存性の抵抗（６１，６２，６３，６４）のうちの１つによって電気的に互いに接続されており、
    前記セグメント（８１，８２，８３，８４）の面積は、前記圧力依存性の抵抗（６１，６２，６３，６４）の面積よりも大きく、
    前記圧力依存性の抵抗（６１，６２，６３，６４）は、前記導電層（１０）の前記第１の領域（１１）の中断によって規定された経路（９０）として形成されており、前記経路（９０）を介して、前記隣接する２つのセグメント（８１，８２，８３，８４）が電気的に接続されている、請求項９に記載のセンサ素子。
11. 圧力及び温度測定用のセンサ素子の製造方法であって、
    膜（１１０）と、前記膜（１１０）の周りに配置された周縁ゾーン（１２０）と、を有する基体（１００）を準備するステップであって、前記膜（１１０）は、その上面（Ｏ１１０）と下面（Ｕ１１０）との間の圧力差に依存して変形するよう、前記基体（１００）の感圧性のゾーンとして形成されており、前記周縁ゾーン（１２０）は、前記基体（１００）の非感圧性のゾーンとして形成されているステップと、
    前記基体（１００）の前記膜（１１０）の上の第１の領域（１１）と、前記基体（１００）の前記周縁ゾーン（１２０）の上の第２の領域（１２）と、を有する導電層（１０）を塗布するステップと、
    前記導電層（１０）の前記第２の領域（１２）に少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）が形成されるように、前記記導電層（１０）を前記第２の領域（１２）において構造化するステップと、を含む方法。
12. 前記記導電層（１０）が、前記少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）の外部接触のための第１の接触面（３０）及び第２の接触面（４０）を前記第２の領域（１２）に備え、前記少なくとも１つの温度依存性の抵抗（２０）が前記第１の接触面（３０）及び前記第２の接触面（４０）と接続された導電路（５０）として形成されるように、前記導電層（１０）を前記第２の領域（１２）において構造化するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記導電層（１０）が、前記第１の領域（１１）に少なくとも１つの圧力依存性の抵抗（６０）を備えるように、前記導電層（１０）を前記第１の領域（１１）において構造化するステップを含む、請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 前記第１の領域（１１）及び前記第２の領域（１２）における前記導電層（１０）の構造化は、レーザ切断によって行われる、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 前記導電層（１０）は、前記第１の領域（１１）及び前記第２の領域（１２）において、同一の材料から形成されている、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。

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