JP2021166232A5 - - Google Patents
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Description
実施形態において、Ｍｇの濃度が急激に変化する第３結晶領域１３と、Ｍｇ濃度の変化率が小さい（または変化しない）第４結晶領域１４と、が設けられる。例えば、第４結晶領域１４の、第２結晶領域１２の近傍に２次元電子ガスが形成される。第４結晶領域１４におけるＭｇの濃度が高い場合、Ｍｇにより、電子の移動が妨げられる。第４結晶領域１４におけるＭｇの濃度が低いことで、電子の移動がＭｇにより妨げられることが抑制される。第４結晶領域１４におけるＭｇの濃度が低いことで、高い電子移動度が得やすくなる。
図５の横軸は、キャリア密度ＣＤである。縦軸は、キャリア移動度μである。図５に示すように、同じキャリア密度ＣＤで比較したときに、半導体装置１１０においては、半導体装置１１９よりも高い移動度が得られる。これは、半導体装置１１０においては、第２結晶領域１２及び第４結晶領域１４においてＭｇの濃度が低いことに起因していると考えられる。実施形態によれば、高い移動度μが得られる。これにより、低いオン抵抗が得られる。
第２結晶領域１２の厚さｔ２（図１参照）は、例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｔ２が１ｎｍ以上であることで、例えば、高い電子移動度を安定して得やすい。厚さｔ１が５０ｎｍ以下であることで、例えば、良好なＭＩＳ構造ゲート特性が得やすい。厚さｔ２が１０ｎｍ以下であることで、例えば、高いしきい値電圧を得やすい。厚さｔ１、厚さｔ２、厚さｔ３及び厚さｔ４は、例えば、Ｚ軸方向に沿う長さである。
Claims (2)
- Ａｌｘ１Ｇａ１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含みマグネシウムを含む第１結晶領域と、
Ａｌｘ２Ｇａ１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２≦１）を含む第２結晶領域と、
前記第１結晶領域と前記第２結晶領域との間に設けられＡｌｘ３Ｇａ１－ｘ３Ｎ（０≦ｘ３≦１、ｘ３＜ｘ２）を含み、酸素を含む第３結晶領域と、
前記第３結晶領域と前記第２結晶領域との間に設けられＡｌｘ４Ｇａ１－ｘ４Ｎ（０≦ｘ４＜１、ｘ４＜ｘ２）を含む第４結晶領域と、
を備えた、半導体装置。 - Ａｌｘ１Ｇａ１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含みマグネシウムを含む第１結晶領域と、
Ａｌｘ２Ｇａ１－ｘ２Ｎ（０＜ｘ２≦１、ｘ１＜ｘ２）を含む第２結晶領域と、
前記第１結晶領域と前記第２結晶領域との間に設けられＡｌｘ３Ｇａ１－ｘ３Ｎ（０≦ｘ３≦１）を含み、シリコンを含む第３結晶領域と、
前記第３結晶領域と前記第２結晶領域との間に設けられＡｌｘ４Ｇａ１－ｘ４Ｎ（０≦ｘ４＜１、ｘ４＜ｘ２）を含む第４結晶領域と、
を備え、
前記第３結晶領域は、シリコンを含み、
前記第１結晶領域は、シリコンを含まない、または、前記第１結晶領域におけるシリコンの濃度は、前記第３結晶領域におけるシリコンの濃度よりも低い、半導体装置。
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