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JP2021009968A - デバイスチップの製造方法 - Google Patents

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JP2021009968A
JP2021009968A JP2019124214A JP2019124214A JP2021009968A JP 2021009968 A JP2021009968 A JP 2021009968A JP 2019124214 A JP2019124214 A JP 2019124214A JP 2019124214 A JP2019124214 A JP 2019124214A JP 2021009968 A JP2021009968 A JP 2021009968A
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洋介 村田
Yosuke Murata
洋介 村田
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

【課題】工程数及びコストを低減することが可能なデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面側にそれぞれデバイスが形成された被加工物を複数のデバイスチップに分割するデバイスチップの製造方法であって、被加工物の表面側に第1の切削ブレードを切り込ませ、分割予定ラインに沿ってデバイスチップの厚さ以上の深さを有する溝を形成する溝形成ステップと、溝が形成された被加工物の表面側に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着ステップと、被加工物の裏面側に第1の切削ブレードよりも厚い第2の切削ブレードを切り込ませ、被加工物の厚さがデバイスチップの厚さになるように被加工物の裏面側の全体を切削することにより、溝を被加工物の裏面側に露出させて被加工物を複数のデバイスチップに分割する裏面切削ステップと、を備える。【選択図】図5

Description

本発明は、被加工物を複数のデバイスチップに分割するデバイスチップの製造方法に関する。
格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)によって区画された複数の領域の表面側にそれぞれIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成されたウェーハを、分割予定ラインに沿って分割することにより、それぞれデバイスを備えた複数のデバイスチップが製造される。このデバイスチップは、携帯電話やパーソナルコンピュータ等に代表される様々な電子機器に搭載される。
近年では、電子機器の小型化、薄型化に伴い、デバイスチップにも薄型化が求められている。そこで、ウェーハを分割する前に、ウェーハの裏面側に研削加工を施すことにより、ウェーハを薄化する処理が行われることがある。ウェーハを薄化した後に分割することにより、薄型化されたデバイスチップが得られる。
ウェーハを薄化して複数のデバイスチップに分割する手法として、DBG(Dicing Before Grinding)と称されるプロセスが提案されている(特許文献1参照)。DBGプロセスでは、まず、デバイスが形成されたウェーハの表面側に、深さがウェーハの厚さ未満の溝を分割予定ラインに沿って形成する(ハーフカット)。その後、ウェーハの裏面側に研削加工を施し、ウェーハの裏面側に溝を露出させることにより、ウェーハを複数のデバイスチップに分割する。このDBGプロセスを用いると、ウェーハの裏面側での欠け(チッピング)の発生が抑制される等の効果が得られる。
特開2003−7653号公報
DBGプロセスでは、切削ブレードでウェーハを切削する切削装置を用いてウェーハのハーフカットが行われるとともに、研削砥石でウェーハを研削する研削装置を用いてウェーハが薄化される。そのため、ウェーハをデバイスチップに分割する工程において、少なくとも2種類の加工装置を準備、可動する必要があり、これによって工程数及びコストが増大するという問題がある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、工程数及びコストを低減することが可能なデバイスチップの製造方法の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面側にそれぞれデバイスが形成された被加工物を複数のデバイスチップに分割するデバイスチップの製造方法であって、該被加工物の表面側に第1の切削ブレードを切り込ませ、該分割予定ラインに沿って該デバイスチップの厚さ以上の深さを有する溝を形成する溝形成ステップと、該溝が形成された該被加工物の表面側に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着ステップと、該被加工物の裏面側に該第1の切削ブレードよりも厚い第2の切削ブレードを切り込ませ、該被加工物の厚さが該デバイスチップの厚さになるように該被加工物の裏面側の全体を切削することにより、該溝を該被加工物の裏面側に露出させて該被加工物を複数の該デバイスチップに分割する裏面切削ステップと、を備えるデバイスチップの製造方法が提供される。
なお、好ましくは、該裏面切削ステップでは、該被加工物を保持する保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、回転する該第2の切削ブレードの下端の移動方向と該保持テーブルの移動方向とが一致するように相対的に移動させ、該第2の切削ブレードを該被加工物の裏面側から表面側に向かって切り込ませる。
また、好ましくは、該裏面切削ステップでは、該被加工物を保持面で保持する保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該保持面と平行で該第2の切削ブレードの回転軸と垂直な方向に沿って相対的に移動させながら、該被加工物を該第2の切削ブレードで切削する切削ステップと、該保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該第2の切削ブレードの回転軸と平行な方向に沿って相対的に移動させる切削ブレード移動ステップと、を繰り返すことにより、該被加工物の裏面側の全体を切削する。
また、好ましくは、該裏面切削ステップでは、該被加工物を保持面で保持する保持テーブルを、該保持面と垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転させながら、該保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該第2の切削ブレードの回転軸と平行な方向に沿って相対的に移動させることにより、該被加工物の裏面側を渦巻き状に切削する。
本発明の一態様に係るデバイスチップの製造方法では、第1の切削ブレードによって被加工物の表面側を切削して溝を形成した後、第2の切削ブレードによって被加工物の裏面側を切削して、被加工物を複数のデバイスチップに分割する。そのため、被加工物を複数のデバイスチップに分割する際に、研削装置を用いて被加工物を研削して薄化する工程を省略できる。これにより、研削装置の準備及び稼働が不要となり、デバイスチップの製造に要する工程数及びコストを低減することができる。
切削装置を示す斜視図である。 被加工物を示す斜視図である。 図3(A)は溝形成ステップにおける被加工物を示す斜視図であり、図3(B)は溝形成ステップにおける被加工物を示す断面図である。 図4(A)は粘着テープ貼着ステップにおける被加工物を示す斜視図であり、図4(B)は粘着テープ貼着ステップにおける被加工物を示す断面図である。 図5(A)は裏面切削ステップにおける被加工物を示す斜視図であり、図5(B)は裏面切削ステップにおける被加工物を示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法に用いることが可能な切削装置の構成例について説明する。図1は、切削装置2を示す斜視図である。
切削装置2は、切削装置2を構成する各構成要素が搭載される基台4を備える。基台4の上面4a上には、X軸移動機構6が設けられている。X軸移動機構6は、X軸方向(加工送り方向、前後方向)に沿って配置された一対のX軸ガイドレール8を備え、X軸ガイドレール8には、X軸移動テーブル10がX軸ガイドレール8に沿ってX軸方向にスライド可能な状態で装着されている。
X軸移動テーブル10の下面(裏面)側にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール8に沿って配置されたX軸ボールねじ12が螺合されている。また、X軸ボールねじ12の一端部には、X軸ボールねじ12を回転させるX軸パルスモータ14が連結されている。X軸パルスモータ14でX軸ボールねじ12を回転させると、X軸移動テーブル10がX軸ガイドレール8に沿ってX軸方向に移動する。なお、X軸移動機構6には、X軸移動テーブル10のX軸方向における位置を測定するX軸測定ユニット(不図示)が設けられていてもよい。
X軸移動テーブル10の上面(表面)側には、円筒状のテーブルベース16が設けられている。また、テーブルベース16の上部には、被加工物11を保持する保持テーブル18が設けられている。切削装置2によって被加工物11を加工する際には、被加工物11が保持テーブル18によって保持される。
保持テーブル18の上面は、被加工物11を保持する保持面18aを構成する。この保持面18aは、X軸方向及びY軸方向(割り出し送り方向、左右方向)と概ね平行に形成されており、保持テーブル18及びテーブルベース16の内部に形成された流路(不図示)を介してエジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。
図2は、保持テーブル18によって保持される被加工物11を示す斜視図である。被加工物11は、例えば円盤状に形成されたシリコンウェーハであり、表面11a及び裏面11bを備える。被加工物11は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の領域に区画されており、この領域の表面11a側にはそれぞれ、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成されている。
なお、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物11は、シリコン以外の半導体(GaAs、InP、GaN、SiC等)、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハであってもよい。また、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
被加工物11を分割予定ライン13に沿って分割すると、デバイス15をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。例えば切削装置2は、この被加工物11の分割に用いられる。
なお、被加工物11は、加工や搬送の便宜のため、環状のフレームによって支持されることがある。この場合には、被加工物11の裏面11b側に被加工物11より直径の大きい円形のテープが貼着される。また、テープの外周部は、被加工物11より径の大きい円形の開口を中央部に備える環状のフレームに貼着される。これにより、被加工物11はテープを介してフレームによって支持される。
保持テーブル18の周囲には、複数(図1では4個)のクランプ20が設けられている。被加工物11がフレームによって支持されている場合には、複数のクランプ20によってフレームが把持され、固定される。
また、保持テーブル18は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、保持面18aと垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転する。すなわち、保持テーブル18は、Z軸方向(鉛直方向、上下方向)に概ね平行な軸の周りで回転する。また、X軸移動機構6によってX軸移動テーブル10をX軸方向に移動させることにより、保持テーブル18の加工送りが行われる。
保持テーブル18の近傍には、被加工物11を保持テーブル18上に搬送する搬送機構(不図示)が設けられている。また、X軸移動テーブル10の近傍には、切削加工に用いられる切削液(純水等)の廃液などを一時的に貯留するケース22が設けられている。ケース22の内部に貯留された廃液は、切削装置2の外部に排出される。
また、基台4の上面には、門型の支持構造24がX軸移動機構6を跨ぐように配置されている。支持構造24の前面の上部には、2組の移動ユニット(移動機構)26が設けられている。また、支持構造24の前面側には、一対のY軸ガイドレール28がY軸方向に沿って設けられている。移動ユニット26はそれぞれY軸移動プレート30を備えており、Y軸移動プレート30は、一対のY軸ガイドレール28に沿ってY軸方向にスライド可能な状態で装着されている。
Y軸移動プレート30の後面(裏面)側にはそれぞれ、ナット部(不図示)が設けられている。また、一対のY軸ガイドレール28の間には、一対のY軸ボールねじ32がY軸方向に沿って設けられている。Y軸移動プレート30のナット部にはそれぞれ、一のY軸ボールねじ32が螺合されている。また、一対のY軸ボールねじ32の一端部にはそれぞれ、Y軸パルスモータ34が連結されている。
Y軸パルスモータ34でY軸ボールねじ32を回転させると、Y軸移動プレート30がY軸ガイドレール28に沿ってY軸方向に移動する。なお、移動ユニット26には、Y軸移動プレート30のY軸方向における位置を測定するY軸測定ユニット(不図示)が設けられていてもよい。
Y軸移動プレート30の前面(表面)側にはそれぞれ、一対のZ軸ガイドレール36がZ軸に沿って配置されている。Z軸ガイドレール36には、Z軸移動プレート38がZ軸ガイドレール36に沿ってZ軸方向にスライド可能な状態で装着されている。
Z軸移動プレート38の後面(裏面)側にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール36に沿って配置されたZ軸ボールねじ40が螺合されている。また、Z軸ボールねじ40の一端部には、Z軸パルスモータ42が連結されている。Z軸パルスモータ42でZ軸ボールねじ40を回転させると、Z軸移動プレート38がZ軸ガイドレール36に沿ってZ軸方向に移動する。
一方の移動ユニット26が備えるZ軸移動プレート38の下部には、被加工物11を切削するための切削ユニット44a(第1の切削ユニット)が固定されている。また、他方の移動ユニット26が備えるZ軸移動プレート38の下部には、被加工物11を切削するための切削ユニット44b(第2の切削ユニット)が固定されている。また、切削ユニット44a,44bに隣接する位置にはそれぞれ、被加工物11等を撮像する撮像ユニット(カメラ)46が設けられている。
移動ユニット26によって、切削ユニット44a,44bの位置が制御される。具体的には、Y軸移動プレート30をY軸方向に移動させることにより、切削ユニット44a,44b及び撮像ユニット46のY軸方向における位置が制御される。また、Z軸移動プレート38をZ軸方向に移動させることにより、切削ユニット44a,44b及び撮像ユニット46が昇降し、切削ユニット44a,44b及び撮像ユニット46のZ軸方向における位置(高さ位置)が制御される。
切削ユニット44aは、移動ユニット26に支持された筒状のハウジング48aを備える。ハウジング48aの内部には、Y軸方向に概ね平行に配置されたスピンドル50a(図3(B)参照)が収容されている。また、切削ユニット44bは、移動ユニット26に支持された筒状のハウジング48bを備える。ハウジング48bの内部には、Y軸方向に概ね平行に配置されたスピンドル50b(図5(B)参照)が収容されている。
スピンドル50aの一端側の先端部はハウジング48aの外部に露出しており、この先端部には環状の切削ブレード52a(第1の切削ブレード)が装着される(図3(B)参照)。また、スピンドル50bの一端側の先端部はハウジング48bの外部に露出しており、この先端部には環状の切削ブレード52b(第2の切削ブレード)が装着される(図5(B)参照)。
切削ブレード52a,52bとしては、ダイヤモンド等でなる砥粒をニッケル等でなるめっき層で固定して形成された環状の切刃を備える電鋳ハブブレードや、砥粒を金属、セラミックス、樹脂等でなるボンド材で固定して形成された環状の切刃からなるワッシャータイプのブレード等が用いられる。なお、切削ブレード52a,52bの材質、砥粒の粒径等は、被加工物11の材質等に応じて適宜選択される。
スピンドル50a,50bの他端側はそれぞれ、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されている。スピンドル50a,50bの先端部に装着された切削ブレード52a,52bは、回転駆動源からスピンドル50a,50bを介して伝達される動力によって回転する。このとき、切削ブレード52a,52bの回転軸は、スピンドル50a,50bの長さ方向(Y軸方向)に沿うように設定される。
また、切削ブレード52a,52bの近傍にはそれぞれ、被加工物11や切削ブレード52a,52bに純水等の切削液を供給するノズル54が設けられる。切削ブレード52a,52bで被加工物11を切削する際には、ノズル54から切削液が供給される。これにより、被加工物11及び切削ブレード52a,52bが冷却されるとともに、切削によって生じた屑(切削屑)が洗い流される。
また、切削装置2の構成要素(X軸移動機構6、保持テーブル18、移動ユニット26、切削ユニット44a,44b、撮像ユニット46等)はそれぞれ、制御ユニット(制御部)56に接続されている。この制御ユニット56は、例えばコンピュータによって構成され、被加工物11の加工条件に合わせて切削装置2の構成要素の動作を制御する。
次に、上記の切削装置2を用いて被加工物11を複数のデバイスチップに分割する方法の具定例について説明する。本実施形態では、被加工物11の表面11a側に分割予定ライン13に沿って溝を形成した後、被加工物11の裏面11b側を薄化することによって、被加工物11を分割し、デバイスチップを製造する。
まず、被加工物11の表面11a側に切削ブレード52aを切り込ませ、分割予定ライン13に沿って溝11cを形成する(溝形成ステップ)。図3(A)は溝形成ステップにおける被加工物11を示す斜視図であり、図3(B)は溝形成ステップにおける被加工物11を示す断面図である。
溝形成ステップでは、まず、被加工物11を保持テーブル18によって保持する。具体的には、被加工物11は、表面11a側が上方に露出し、裏面11b側が保持面18aと対向するように、保持テーブル18上に配置される。この状態で、保持面18aに吸引源(不図示)の負圧を作用させることにより、被加工物11が保持面18aによって吸引保持される。
次に、保持テーブル18を回転させて、一の分割予定ライン13の長さ方向をX軸方向に合わせる。また、切削ブレード52aの下端が被加工物11の表面11aよりも下方で且つ被加工物11の裏面11bよりも上方に配置されるように、切削ユニット44aの高さを調整する。さらに、該一の分割予定ライン13の延長線上に切削ブレード52aが配置されるように、切削ユニット44aのY軸方向における位置を調整する。
そして、切削ブレード52aを回転させながら、保持テーブル18をX軸方向に沿って移動させる。例えば図3(A)に示すように、切削ブレード52aを矢印Aで示す方向に回転させ、保持テーブル18を矢印Bで示す方向に移動させる。これにより、保持テーブル18と切削ブレード52aとが分割予定ライン13に沿って相対的に移動し、切削ブレード52aが分割予定ライン13に沿って被加工物11の表面11a側に所定の深さ(切り込み深さ)で切り込む。その結果、被加工物11が切削され、被加工物11の表面11a側には深さが被加工物11の厚さ未満である線状の溝11cが、分割予定ライン13に沿って形成される(ハーフカット)。
なお、溝形成ステップでは、切削ブレード52aの切り込み深さを、最終的に被加工物11が複数のデバイスチップ19(図5(A)及び図5(B)参照)に分割された際の、デバイスチップ19の厚さ(仕上げ厚さ)以上に設定する。これにより、被加工物11には仕上げ厚さ以上の深さを有する溝11cが形成される。
また、溝11cの幅は、切削ブレード52aの幅(厚さ)によって制御される。切削ブレード52aの幅は、隣接するデバイス15間の距離(分割予定ライン13の幅)、被加工物11の材質、大きさ等に応じて適宜設定される。例えば、切削ブレード52aの厚さは50μm以上100μm以下に設定される。
その後、同様の手順を繰り返し、他の全ての分割予定ライン13に沿って溝11cを形成する。これにより、被加工物11の表面11a側に複数の溝11cが格子状に形成される。
次に、溝11cが形成された被加工物11の表面11a側に、粘着テープ17を貼着する(粘着テープ貼着ステップ)。図4(A)は粘着テープ貼着ステップにおける被加工物11を示す斜視図であり、図4(B)は粘着テープ貼着ステップにおける被加工物11を示す断面図である。
粘着テープ貼着ステップでは、まず、被加工物11を保持テーブル60によって保持する。保持テーブル60は、例えば切削装置2の保持テーブル18(図3(A)及び図3(B)参照)と同様に構成され、被加工物11を保持する保持面60aを備える。被加工物11は、表面11a側が上方に露出し、裏面11b側が保持面60aと対向するように、保持テーブル60によって吸引保持される。
次に、被加工物11に粘着テープ17を貼着する。例えば粘着テープ17は、被加工物11と概ね同径の円形のフィルム状の基材と、基材上に形成された粘着層(糊層)とを備える。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂等でなる。
粘着テープ17は、粘着層側が被加工物11と対向するように配置され、被加工物11の表面11a側に貼着される。これにより、複数のデバイス15が粘着テープ17によって覆われる。この粘着テープ17によって、後述の裏面切削ステップで被加工物11の裏面11b側が加工される際、複数のデバイス15が保護される。なお、粘着テープ17の貼着は、作業者によって行われてもよいし、被加工物11に粘着テープ17を貼着する専用の装置(テープ貼着装置)によって行われてもよい。
次に、被加工物11の裏面11b側に切削ブレード52bを切り込ませ、被加工物11の裏面11b側の全体を切削する(裏面切削ステップ)。図5(A)は裏面切削ステップにおける被加工物11を示す斜視図であり、図5(B)は裏面切削ステップにおける被加工物11を示す断面図である。
裏面切削ステップでは、まず、被加工物11を保持テーブル18によって保持する。具体的には、被加工物11は、表面11a側が保持面18aと対向し、裏面11b側が上方に露出するように、保持テーブル18上に配置される。この状態で、保持面18aに吸引源(不図示)の負圧を作用させることにより、被加工物11が保持面18aによって吸引保持される。
次に、切削ブレード52bの下端が被加工物11の裏面11bよりも下方で且つ被加工物11の表面11aよりも上方に配置されるように、切削ユニット44bの高さを調整する。このとき切削ブレード52bは、切削ブレード52bの下端から被加工物11の表面11aまでの距離が、デバイスチップ19の仕上げ厚さと一致するように位置付けられる。
そして、切削ブレード52bを回転させながら、保持テーブル18をX軸方向に沿って移動させる。これにより、保持テーブル18と切削ブレード52bとが、保持面18aと平行で切削ブレード52bの回転軸と垂直な方向に沿って相対的に移動し、切削ブレード52bが被加工物11の裏面11b側に所定の深さで切り込む。その結果、被加工物11が切削ブレード52bによって直線状に切削され、被加工物11の裏面11b側には線状(帯状)の切削溝が形成される(切削ステップ)。
なお、切削ブレード52bは、溝形成ステップで用いられた切削ブレード52a(図3(A)及び図3(B)参照)よりも厚い。そのため、切削ブレード52bは切削ブレード52aよりも切削時に被加工物11の広範囲に接触し、切削ブレード52bによって形成される切削溝の幅は溝11cの幅よりも大きくなる。
その後、被加工物11と切削ブレード52bとが接触していない状態で、切削ユニット44bをY軸方向に切削ブレード52bの幅以下の距離だけ移動させる。これにより、保持テーブル18と切削ブレード52bとが、切削ブレード52bの回転軸と平行な方向に沿って相対的に移動し、被加工物11の割り出し送りが行われる(切削ブレード移動ステップ)。
その後、同様の手順で被加工物11の裏面11b側を切削ブレード52bで切削する。これにより、既に被加工物11の裏面11bに形成されている切削溝と連結するように、新たな線状の切削溝が形成される。そして、切削ステップと切削ブレード移動ステップとを、被加工物11の裏面11b側の全体が切削され、被加工物11の全体が薄化されるまで繰り返す。
なお、切削ブレード52bの厚さは、被加工物11の大きさ、材質、溝11cの幅等に応じて適宜設定される。ただし、切削ブレード52bが厚いほど、一度の切削で加工される被加工物11の領域が大きくなり、切削ブレード52bを被加工物11に切り込ませる回数が低減される。そのため、裏面切削ステップでは、比較的幅の大きい切削ブレード52bを用いることが好ましい。
例えば、切削ブレード52bの幅は、0.5mm以上、好ましくは1mm以上に設定される。なお、切削ブレード52bの幅の上限に制限はなく、例えば3mm以下に設定される。
上記の切削ステップと切削ブレード移動ステップとを交互に繰り返し、被加工物11の裏面11b側の全体が切削ブレード52bによって切削されると、溝形成ステップにおいて形成された溝11cが被加工物11の裏面11b側で露出する。その結果、被加工物11が溝11cに沿って分割され、それぞれデバイス15を備える複数のデバイスチップ19が得られる。
上記のように、本実施形態では、切削ブレード52aによって被加工物11の表面11a側を切削して溝11cを形成した後、切削ブレード52bによって被加工物11の裏面11b側を切削して、被加工物11を複数のデバイスチップ19に分割する。そのため、被加工物11を複数のデバイスチップ19に分割する際に、研削装置を用いて被加工物11を研削して薄化する工程を省略できる。これにより、研削装置の準備及び稼働が不要となり、デバイスチップ19の製造に要する工程数及びコストを低減することができる。
また、従来のように研削装置を用いて被加工物11を研削して薄化する場合には、研削砥石が、被加工物11の裏面11bと平行な面内で回転しながら、被加工物11の裏面11b側に押し付けられる。そして、研削砥石は、被加工物11の裏面11b側の広範囲に接触した状態で、被加工物11の半径方向外側に向かって移動する。その結果、デバイスチップ19が研削砥石によって被加工物11の外側に向かって押し出されて粘着テープ17から剥離され、保持テーブル上から飛散してしまうことがある。
特に、被加工物11がサイズの小さいデバイスチップ19(例えば0.1mm角)に分割される場合には、デバイスチップ19の飛散が生じやすい。このデバイスチップ19の飛散が頻繁に生じると、デバイスチップ19の歩留まりが低下する。
一方、本実施形態では、被加工物11の薄化に切削ブレード52bを用いる。この場合、被加工物11と加工工具(切削ブレード52b)との接触面積が小さく抑えられるため、被加工物11がデバイスチップ19に分割された際にデバイスチップ19の飛散が生じにくい。これにより、デバイスチップ19の歩留まりの低下が抑制される。
なお、裏面切削ステップでは、保持テーブル18と切削ブレード52bとを、回転する切削ブレード52bの下端の移動方向と保持テーブル18の移動方向とが一致するように相対的に移動させることが好ましい。具体的には、図5(A)に示すように、切削ブレード52bを矢印Cで示す方向に回転させながら、保持テーブル18を矢印Dで示す方向に移動させる。これにより、切削ブレード52bを被加工物11の上面(裏面11b)側から下面(表面11a)側に向かってに切り込ませる、所謂ダウンカットで被加工物11が切削される。
被加工物11をダウンカットで切削すると、切削ブレード52bが被加工物11の裏面11b側から表面11a側に向かって切り込むため、被加工物11は保持テーブル18の保持面18a側に押し付けられながら切削される。これにより、被加工物11の切削中にデバイスチップ19がより飛散しにくくなる。
なお、実際にデバイスチップ19の飛散を実験によって評価したところ、本実施形態のように被加工物11を切削ブレード52bで切削して薄化すると、従来のように被加工物11を研削砥石によって研削して薄化する場合と比較して、デバイスチップ19の飛散率が大幅に低減されることが確認された。
本評価では、まず、シリコンでなる10mm角、厚さ725μmの被加工物を2枚準備し、各被加工物に複数の溝を格子状に形成した(ハーフカット)。その後、一方の被加工物には研削加工を施し、他方の被加工物には切削加工を施すことにより、被加工物をそれぞれ、0.1mm角、厚さ100μmの10000個のチップに分割した。
まず、従来のように被加工物の裏面側を研削装置で研削することによって、被加工物を複数のチップに分割した。被加工物の研削は、被加工物を保持する保持テーブルの回転数を300rpm、複数の研削砥石が固定された環状の研削ホイール(直径300mm)の回転数を3000rpm、研削ホイールの下降速度(被加工物への押し付け速度)を0.3μm/sに設定し、被加工物に形成された複数の溝が被加工物の裏面側で露出するまで実施した。このとき、飛散したチップの数は全てのチップの数の25%であった。
次に、本実施形態で説明したように、被加工物の裏面側を切削装置(図1参照)で切削することによって、被加工物をダウンカットで複数のチップに分割した。被加工物の切削には、厚さ1mmの切削ブレードを用い、切削ブレードの回転数は30000rpm、保持テーブル18の移動速度(加工送り速度)は5mm/sに設定した。その結果、被加工物が複数のチップに分割される際に飛散したチップの数は、全てのチップの数の7%であった。
上記の結果より、図5(A)及び図5(B)に示すように切削ブレード52bを用いた切削加工によって被加工物11を薄化すると、デバイスチップ19の飛散が大幅に低減されることが確認された。そのため、本実施形態に係る裏面切削ステップによって被加工物11を分割することにより、デバイスチップ19の飛散による歩留まりの低下を抑制することができる。
また、従来のように被加工物11を研削装置で研削する場合には、研削中の被加工物11の厚さをモニターするために、被加工物11の厚さを測定する厚さ測定器を設ける必要がある。また、被加工物11の材質及び形状も、厚さ測定器による厚さの測定が可能な範囲に限定される。一方、本実施形態では、切削ブレード52bの被加工物11への切り込み深さを制御することにより、裏面切削ステップ後の被加工物11の厚さ(デバイスチップ19の仕上げ厚さ)を正確に制御できる。そのため、厚さ測定器を省略できるとともに、被加工物11の材質及び形状の自由度を向上させることができる。
なお、本実施形態では、図5(A)及び図5(B)に示すように、被加工物11の裏面11b側を切削ブレード52bによって直線状に切削する工程を繰り返して被加工物11の全体を薄化する例について説明した。ただし、裏面切削ステップの態様はこれに限定されない。例えば裏面切削ステップでは、被加工物11の裏面11b側を切削ブレード52bで渦巻き状に切削してもよい。
具体的には、まず、切削ブレード52bを回転させながら保持テーブル18をX軸方向に沿って移動させ、切削ブレード52bを被加工物11の外周部の一部(図5(A)のY軸方向における端部)に切り込ませる。そして、切削ブレード52bが被加工物11に切り込んだ状態で、保持テーブル18の移動を停止する。
次に、保持テーブル18を保持面18aと垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転させながら、保持テーブル18と切削ブレード52bとを切削ブレード52bの回転軸(Y軸方向)と平行な方向に沿って相対的に移動させる。具体的には、保持テーブル18を回転させた状態で、切削ユニット44bを移動ユニット26(図1参照)によってY軸方向に移動させ、切削ブレード52bを被加工物11の中央(中心)側に向かって移動させる。
これにより、切削ブレード52bは被加工物11の外周縁側から中央側に向かって徐々に移動しながら、被加工物11を周方向に沿って環状に切削する。その結果、被加工物11の裏面11b側は渦巻き状に切削される。なお、このときの切削ユニット44bの移動速度は、被加工物11の裏面11b側に切削されていない領域が生じないように適宜調整される。
なお、被加工物11を渦巻き状に切削する場合は、切削ブレード52bを被加工物11の中心部に切り込ませた後、被加工物11を中心側から外周縁側に向かって環状に切削してもよい。この場合には、保持テーブル18を回転させながら、切削ブレード52bを被加工物11の中央部から外周縁側に向かって徐々に移動させる。
また、本実施形態では、切削装置2が2組の切削ユニット44a,44bを備える場合について説明したが、切削装置2に備えられる切削ユニットは1組であってもよい。この場合は、切削ユニットに切削ブレード52aを装着して溝形成ステップを実施した後、切削ユニットから切削ブレード52aを取り外す。そして、切削ユニットに切削ブレード52bを装着して、裏面切削ステップを実施する。切削装置2に備えられる切削ユニットの数を1組にすることにより、切削装置2の構成が簡素化され、省スペース化を図ることができる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 粘着テープ
19 デバイスチップ
2 切削装置
4 基台
4a 上面
6 X軸移動機構
8 X軸ガイドレール
10 X軸移動テーブル
12 X軸ボールねじ
14 X軸パルスモータ
16 テーブルベース
18 保持テーブル
18a 保持面
20 クランプ
22 ケース
24 支持構造
26 移動ユニット(移動機構)
28 Y軸ガイドレール
30 Y軸移動プレート
32 Y軸ボールねじ
34 Y軸パルスモータ
36 Z軸ガイドレール
38 Z軸移動プレート
40 Z軸ボールねじ
42 Z軸パルスモータ
44a,44b 切削ユニット
46 撮像ユニット(カメラ)
48a,48b ハウジング
50a,50b スピンドル
52a,52b 切削ブレード
54 ノズル
56 制御ユニット(制御部)
60 保持テーブル
60a 保持面

Claims (4)

  1. 互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の表面側にそれぞれデバイスが形成された被加工物を複数のデバイスチップに分割するデバイスチップの製造方法であって、
    該被加工物の表面側に第1の切削ブレードを切り込ませ、該分割予定ラインに沿って該デバイスチップの厚さ以上の深さを有する溝を形成する溝形成ステップと、
    該溝が形成された該被加工物の表面側に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着ステップと、
    該被加工物の裏面側に該第1の切削ブレードよりも厚い第2の切削ブレードを切り込ませ、該被加工物の厚さが該デバイスチップの厚さになるように該被加工物の裏面側の全体を切削することにより、該溝を該被加工物の裏面側に露出させて該被加工物を複数の該デバイスチップに分割する裏面切削ステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法。
  2. 該裏面切削ステップでは、
    該被加工物を保持する保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、回転する該第2の切削ブレードの下端の移動方向と該保持テーブルの移動方向とが一致するように相対的に移動させ、該第2の切削ブレードを該被加工物の裏面側から表面側に向かって切り込ませることを特徴とする請求項1記載のデバイスチップの製造方法。
  3. 該裏面切削ステップでは、
    該被加工物を保持面で保持する保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該保持面と平行で該第2の切削ブレードの回転軸と垂直な方向に沿って相対的に移動させながら、該被加工物を該第2の切削ブレードで切削する切削ステップと、
    該保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該第2の切削ブレードの回転軸と平行な方向に沿って相対的に移動させる切削ブレード移動ステップと、
    を繰り返すことにより、該被加工物の裏面側の全体を切削することを特徴とする請求項1又は2記載のデバイスチップの製造方法。
  4. 該裏面切削ステップでは、
    該被加工物を保持面で保持する保持テーブルを、該保持面と垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転させながら、該保持テーブルと該第2の切削ブレードとを、該第2の切削ブレードの回転軸と平行な方向に沿って相対的に移動させることにより、該被加工物の裏面側を渦巻き状に切削することを特徴とする請求項1又は2記載のデバイスチップの製造方法。
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