JP2020097114A

JP2020097114A - 金属積層膜を有する基板とその製造方法

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Publication number: JP2020097114A
Application number: JP2018235018A
Authority: JP
Inventors: 弘司笹木; Hiroshi Sasaki
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2018-12-17
Filing date: 2018-12-17
Publication date: 2020-06-25

Abstract

【課題】チップサイズを大きくすることなく、金属積層膜におけるイオン化傾向の高い金属層のサイドエッチングを抑制する。【解決手段】金属積層膜９の上に被覆層７を設け、金属積層膜９と被覆層７とが設けられた基板１を、金属積層膜９を構成する各金属層５，６と被覆層７とが電解質溶液Ｌに接液するように電解質溶液Ｌに浸漬する。金属積層膜９は、第１の金属層５と、第１の金属層５と基板１との間で第１の金属層５に接して設けられ、第１の金属層５よりイオン化傾向が高い第２の金属層６と、を有している。被覆層７は第１の金属層５の第２の金属層６と接する面の裏面と接している。【選択図】図２

Description

本発明は金属積層膜を有する基板とその製造方法に関する。

液体吐出ヘッドは、基板に設けられたエネルギー発生素子に通電することでエネルギーを発生させ、発生したエネルギーによってインクなどの液体を吐出口から吐出させる。基板にはエネルギー発生素子と接続された電極パッドが設けられている。エネルギー発生素子には電極パッドを介して、駆動のための電気信号や電圧が供給される。電極パッドは、基板に形成された金属配線層の上に拡散防止層と電極層がこの順で積層された金属積層膜構造を有している。拡散防止層は電極層の金属が基板に拡散することを防止する金属層であり、金属配線層と電極層を電気的に接続する機能も有している。このような金属積層膜が製造工程中に電解質溶液と接触すると、金属層間で電位差が生じて局部電池（ガルバニ電池）が形成され、イオン化傾向の高い金属層の溶解が促進される。拡散防止層のイオン化傾向は通常、金属配線層のイオン化傾向より高いため、拡散防止層の横方向の溶解（サイドエッチング）が促進され、金属配線層と電極層との電気接続性が低下する可能性がある。また、金属配線層へのダメージ、電極層の基板からの剥離などが生じやすくなり、信頼性が低下する可能性がある。

特許文献１には、イオン化傾向の高い金属層と低い金属層がこの順で積層された金属積層膜をウェットエッチングによりエッチングする方法が開示されている。金属積層膜のエッチング対象領域の外側に上記イオン化傾向の高い金属層と同じ金属層を成膜して電喰抑制パターンを形成することで、イオン化傾向の高い金属層のサイドエッチングが抑制される。

特開２００５−２２３７１９号公報

特許文献１に記載の方法は金属積層膜のエッチング対象領域の外側に電喰抑制パターンを形成する必要がある。換言すれば、基板上に本来の機能に関連しない領域を確保する必要があり、基板の大きさ、すなわちチップサイズが大きくなる可能性がある。

本発明は、チップサイズを大きくすることなく、金属積層膜におけるイオン化傾向の高い金属層のサイドエッチングを抑制することが可能な、金属積層膜を備える基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の金属積層膜を備える基板の製造方法は、基板の上に金属積層膜を設けることと、金属積層膜の上に無機材料または樹脂材料からなる被覆層を設けることと、金属積層膜と被覆層とが設けられた基板を、金属積層膜を構成する各金属層と被覆層とが電解質溶液に接液するように電解質溶液に浸漬することと、を有する。金属積層膜は、第１の金属層と、第１の金属層と基板との間で第１の金属層に接して設けられ、第１の金属層よりイオン化傾向が高い第２の金属層と、を有し、被覆層は第１の金属層の第２の金属層と接する面の裏面と接している。

本発明によれば、チップサイズを大きくすることなく、金属積層膜におけるイオン化傾向の高い金属層のサイドエッチングを抑制することが可能な、金属積層膜を備える基板の製造方法を提供することができる。

第１の実施形態に係る基板の構成を示す模式図である。局所電池作用を説明するための模式図である。実施例１の基板の製造方法を示す概略ステップ図である。実施例１の基板の製造方法を示す概略ステップ図である。実施例３の基板の製造方法を示す概略ステップ図である。第２の実施形態に係る基板の構成を示す模式図である。

以下、本発明をいくつかの実施形態によって説明する。以下に説明する各実施形態は、インクジェット記録ヘッドなどの液体吐出ヘッドにおける基板とその製造方法を対象とする。また、各実施形態における金属積層膜は基板に設けられた電極パッドである。従って、本実施形態の基板は金属積層膜を備える基板の一例である。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されず、特に、金属積層膜を構成する各金属層が電解質溶液に浸漬される製造プロセスを含む、金属積層膜を有する基板の製造方法に広く適用することができる。また、本実施形態の基板はインクを吐出する液体吐出ヘッドに適用されるが、基板はインク以外の液体を吐出する液体吐出ヘッドに用いられるものであってもよい。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る基板の、電極パッドの形成面と垂直な方向からみた平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ部拡大図（電極パッドの拡大図）、図１（ｄ）は図１（ｃ）のＣ−Ｃ線に沿った概略断面図であり、これらの図は基板１の作成中の状態を示す。液体吐出ヘッドの素子基板１０はシリコンの基板１と、基板１上に設けられ、レジストで形成された吐出口形成部材１１と、を有している。吐出口形成部材１１にはインクが吐出する吐出口１２が設けられ、基板１の吐出口１２と対向する位置にはインクに吐出のためのエネルギーを与えるエネルギー発生素子１３が設けられている。基板１の吐出口形成部材１１及び後述する金属積層膜９が設けられた面にはエネルギー発生素子１３に駆動のための電流を供給する電極パッド２が設けられている。すなわち、エネルギー発生素子１３と電極パッド２は基板１の同じ面に設けられている。エネルギー発生素子１３は金属配線層３によって電極パッド２と電気的に接続されている。金属配線層３は絶縁層４に覆われている。絶縁層４の電極パッド２の位置には、金属配線層３と金属積層膜９との電気接続のための開口１４が形成されている。基板１にはインクを供給するための供給路１５が設けられている。供給路１５は基板１を貫通する貫通孔である。吐出口形成部材１１と基板１との間にエネルギー発生素子１３を収容する圧力室１６が設けられている。インクは供給路１５から圧力室１６に供給され、エネルギー発生素子１３で吐出のための熱エネルギーを与えられて吐出口１２から吐出する。

電極パッド２は、基板１の上に設けられ金属配線層３と電気的に接続された金属積層膜９で構成されている。金属積層膜９は第１の金属層５と第２の金属層６とを有している。金属積層膜９は第１及び第２の金属層５，６以外の導電層を含んでいてもよい。金属積層膜９の第２の金属層６が金属配線層３と接しており、第２の金属層６の上に第１の金属層５が設けられている。第１及び第２の金属層５，６は所定の形状にパターニングされている。第１の金属層５は電極層であり、アルミニウム、銅、金などの電気伝導性の良好な金属で形成されている。

第２の金属層６は、第１の金属層５と基板１との間で第１の金属層５及び金属配線層３に接して設けられている。第２の金属層６は絶縁層４の開口１４に設けられ、第１の金属層５を第２の金属層６を介して金属配線層３に電気的に接続している。第２の金属層６は、第１の金属層５に用いられる金属が基板１に拡散することを抑制する拡散抑制層として機能する。第２の金属層６は、金属配線層３及び第１の金属層５との接着性に優れ、温度に対して安定で拡散を生じず、化学的にも安定で、且つ比抵抗があまり高くない金属材料、またはそのような金属材料の化合物で形成されている。このような金属材料として、チタンタングステン、チタン、タングステン、ニッケル、窒化タンタル、モリブデンの他、窒化チタン等のチタン化合物が挙げられる。第２の金属層６は第１の金属層５よりイオン化傾向が高い。イオン化傾向は標準電極電位の負の値が大きいほど高い。換言すれば、第１及び第２の金属層５，６は負の標準電極電位を有しており、その絶対値をそれぞれＥ１，Ｅ２とすると、Ｅ２＞Ｅ１の関係がある。

金属積層膜９の上には被覆層７が設けられている。被覆層７は第１の金属層５の第２の金属層６と接する面の裏面と接している。被覆層７の材料は、第１の金属層５の裏面を覆い、且つ後述のように第１の金属層５の露出面積を抑制することができる限り限定されない。被覆層７はＳｉＯ、ＳｉＣ、ＴｉＯなどの無機材料または、エポキシ、ポリアミドを主成分とする樹脂材料で形成されるが、金属で形成することもできる。

図２は、基板１を電解質溶液中に浸漬した様子を示す模式図である。図２（ａ）は、比較例の基板１を電解質溶液Ｌに浸漬したときの電子の移動を模式的に示している。電子は符号ｅ^-で示している。比較例は、被覆層７が設けられていないことを除き、図１（ｄ）に示す本実施形態と同じ構成を有している。比較例では、イオン化傾向の高い第２の金属層６からイオン化傾向の低い第１の金属層５に電子が移動する。これによって、第２の金属層６と電解質溶液Ｌとの接触面から第２の金属層６の金属が電解質溶液Ｌ中に金属イオンとして溶け出す。すなわち、第１の金属層５と第２の金属層６との間に生じる局所電池作用により、第２の金属層６にサイドエッチングが生じる。

図２（ｂ）は、本実施形態の金属積層膜９を備えた基板１を電解質溶液Ｌに浸漬したときの電子の移動を模式的に示している。一般に卑金属と貴金属が積層された金属積層膜９において、卑金属の溶解速度は、卑金属と貴金属の露出面積の面積比に対して次の関係を有する。
Ｐ＝Ｐ０・（１＋Ｓｎｏｂｌｅ／Ｓｂａｓｅ）（式１）
Ｐ：卑金属の溶解速度
Ｐ０：卑金属が単独で存在する場合の溶解速度
Ｓｂａｓｅ：卑金属の露出面積
Ｓｎｏｂｌｅ：貴金属の露出面積
このため、最もイオン化傾向の低い貴金属である第１の金属層５の露出面積を小さくすることで、第１の金属層５に対して卑金属となる第２の金属層６の溶解速度を低減させることができる。本実施形態では、被覆層７は第１の金属層５の第２の金属層６と接する面の裏面の少なくとも半分以上、好ましくは全面を覆っている。従って、被覆層７が設けられていない構成と比べ、第２の金属層６の溶解速度を抑え、それによって第２の金属層６のサイドエッチングを抑制し、電極パッド２の電気接続性能を確保することができる。また、金属配線層３及び電極パッド２の基板１からの剥離、金属配線層３のダメージを抑制し、信頼性の高い基板１を作製することができる。

（実施例１）
第１の実施形態に係る基板１の製造方法を実施例によって説明する。基板１の製造方法は、金属積層膜９を形成する工程と、金属積層膜９が形成された基板１にインクの供給路１５を形成する工程とを有している。図３は金属積層膜９を形成する工程を、図４は供給路１５を形成する工程を概略的に示している。

まず、図３（ａ）に示すように、シリコンからなる基板１上に、フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウムを主成分とする金属配線層３を設けた。次に、金属配線層３の上面に真空成膜法を用いてシリコン化合物の絶縁材料からなる絶縁層４を積層した。次に、フォトリソグラフィー法を用いて絶縁層４をパターニングし、金属配線層３と第１の金属層５との間の電気的導通を得るための開口１４を絶縁層４に形成した。
次に、図３（ｂ）に示すように、それぞれ第１及び第２の金属層５，６となる第１及び第２の金属膜５ａ，６ａを成膜した。以下に述べるように、第１及び第２の金属層５，６は、成膜された第１及び第２の金属膜５ａ，６ａをウェットエッチングで所定の形状にパターニングすることにより形成される。具体的には、まず、真空成膜装置を用いて、第２の金属層６となる第２の金属膜６ａを２００ｎｍの膜厚で成膜した。第２の金属膜６ａはチタンタングステンからなる。後に不要部をウェットエッチングで除去し易いように、Ｔｉ１０ｗｔ％、Ｗ９０ｗｔ％のターゲットを用いた。次に、真空成膜装置を用いて、第１の金属層５となる第１の金属膜５ａを２００ｎｍの膜厚で成膜した。第１の金属膜５ａは金からなる。

次に、図３（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて感光性ポジ型レジストの塗布、露光、現像を行い、第１及び第２の金属層５，６が形成される領域以外の領域を露出させるレジストマスク８を形成した。具体的には、ｉ線露光装置を用いて、塗布したポジ型レジストを所定のパターンのマスクを通して適切な露光量で露光した。次に、数％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像を行い、レジストマスク８を形成した。
次に、図３（ｄ）に示すように、窒素系有機化合物とヨウ素ヨウ化カリウムとを含む金エッチング液に基板１を８分間浸漬させ、金で形成された第１の金属膜５ａの露出している部分を除去した。これにより、第１の金属層５が形成されるとともに、第２の金属膜６ａが露出した。次に、３０％濃度のＨ₂Ｏ₂系のエッチング液に基板１を１０分間浸漬させ、第２の金属膜６ａの露出している部分を除去した。これにより、第２の金属層６が形成された。その後、レジストマスク８を剥離液に浸漬させて除去した。以上の工程によって、基板１の上に、所定の形状にパターニングされた金属積層膜９からなる電極パッド２が形成される。

次に、図３（ｅ）に示すように、真空蒸着装置を用いて、金属積層膜９に被覆層７となるシリコン酸化膜７ａ（ＳｉＯ膜）を５０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、上述と同様の手順にて被覆層７が形成される領域以外の領域を露出させるレジストマスク１０８を形成した。
次に、図３（ｆ）に示すように、フッ酸系のエッチング液に基板１を１０分間浸漬させ、シリコン酸化膜７ａの露出している部分を除去した。これにより、被覆層７が形成された。最後に、レジストマスク１０８を剥離液に浸漬させて除去した。

次に、図４を参照して、供給路１５を形成する工程について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、基板１上の全面に感光性ポジ型レジスト２０８（東京応化製ｉＰ５７００（商品名））を塗布した。次に、半導体露光装置（キヤノン製ＦＰＡ−５５２０ｉＶ）を用いて、塗布したレジスト２０８を、供給路１５のパターンが形成されたマスク（図示せず）を通して、４８００Ｊ／ｍ²の露光量で露光した。
次に、図４（ｂ）に示すように、２．３８％のＴＭＡＨ水溶液を用いてレジスト２０８を現像し、レジスト２０８に貫通孔１０９を形成した。以上の工程により基板１に形成されたレジストマスク２０８は金属積層膜９を覆うとともに、貫通孔１０９は基板１の金属積層膜９が設けられた面（より正確には、絶縁層４の表面）の金属積層膜９が形成されていない部分の一部を露出させている。次に、Ｃ_４Ｆ₈、ＣＦ₄、Ａｒの混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、露出している絶縁層４をレジストマスク２０８の貫通孔１０９を通して除去した。次に、反応性イオンエッチングの一種であるボッシュプロセスを用いて供給路１５を形成した。ボッシュプロセスはエッチングとパッシベーション（側壁保護）を繰り返すことで異方性エッチングを行うプロセスである。具体的には、レジストマスク２０８をマスクとして、ＳＦ₄ガスを用いて基板１の貫通孔１０９と対向する位置に穴を形成するエッチング工程と、Ｃ₄Ｆ₈ガスを用いて側壁に保護膜を形成するパッシベーション工程とを交互に行った。これらの工程を繰り返すことによって、基板１の貫通孔１０９と対向する位置に、基板１を貫通する貫通孔である供給路１５を形成した。供給路１５の内壁にはＣＦ系ポリマーからなるパッシベーション層（保護膜）１６が堆積した。

次に、図４（ｃ）に示すように、エッチングマスクとして用いたレジストマスク２０８と、ボッシュプロセスにより供給路１５の側壁に堆積したパッシベーション層１６をポリマー除去液に３０分間浸漬することによって同時に除去した。ポリマー除去液には、６０℃に温度調整されヒドロキシルアミンを５％含むデュポン社製ＥＫＣ２２５５（商品名）を用いた。
次に、図４（ｄ）に示すように、被覆膜７を除去した。被覆層７が非導電性であるため、基板１を電解質溶液に浸漬した後、第１の金属層５と電極パッド２の電気的接続を取るために除去される。なお、被覆層７が導電性の材料からなる場合は、残存させることもできる。この場合、被覆層７は電極パッド２の一部として機能する。以上の工程により、金属積層膜９と供給路１５とを備えた基板１が形成された。

図４（ｃ）に示す工程において、金属積層膜９が設けられた基板１は、金属積層膜９を構成する各金属層（第１及び第２の金属層５，６）が電解質溶液であるポリマー除去液に接液するように、ポリマー除去液に浸漬される。従って、貫通孔である供給路１５が形成された後、ポリマー除去液によってレジストマスク２０８とパッシベーション層１６が除去される際に、第２の金属層６のサイドエッチングが生じ得ることになる。換言すれば、レジストマスク２０８が除去されることによって、金属積層膜９は図２（ｂ）に示すように、各金属層（第１及び第２の金属層５，６）の端面と被覆層７の上面及び端面が電解質溶液に接液した状態となる。しかし、前述のとおり被覆層７が第１の金属層５の露出面積を限定するため、第２の金属層６のサイドエッチングは抑制される。

（実施例２）
本実施例では、被覆層７としてレジストを用いた。基本的なプロセスは実施例１と同様である。図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すプロセスは実施例１と同様にして行った。図３（ｅ）において、第２の金属層６の上に、スピンコートによってレジスト膜（ＳＵ８（日本化薬工業社製、商品名））を１μｍの膜厚で形成した。レジスト膜は図３（ｅ）におけるシリコン酸化膜７ａに対応している（以下、便宜上レジスト膜７ａと呼ぶ）。次に、図３（ｆ）に示すように、ｉ線露光装置を用いて、塗布したレジスト膜７ａを所定のパターンのマスクを通して適切な露光量で露光した。次いで、キシレンを用いて現像を行い、レジスト膜７ａを所望のパターンに成形し、被覆層７を形成した。その後、図４に示す工程を行い、金属積層膜９と供給路１５とを備えた基板１を作成した。

上述の方法によって作成された実施例１，２と比較例とを対象に、第２の金属層６のサイドエッチング量を測定した。サイドエッチング量は図２（ａ），２（ｂ）に符号ｓで概念的に示している。実施例１，２と比較例はいずれも第１の金属層５に金、第２の金属層６にチタンタングステンを用いている。実施例１はＳｉＯからなる溶解抑制層を備え、実施例２は樹脂からなる溶解抑制層を備えている。比較例は溶解抑制層（被覆層７）を備えていない。比較例における第２の金属層６のサイドエッチング量は約６μｍであった。これに対して、実施例１及び２における第２の金属層６のサイドエッチング量はともに約１μｍであり、第２の金属層６のサイドエッチング量が大幅に低減した。

（実施例３）
本実施例は被覆層７を形成するタイミングが実施例１，２と異なる。まず図５（ａ）に示すように、シリコンからなる基板１上に、フォトリソグラフィー法を用いてアルミニウムを主成分とする金属配線層３を設けた。次に、金属配線層３の上面に真空成膜法を用いてシリコン化合物の絶縁材料からなる絶縁層４を積層した。次に、フォトリソグラフィー法を用いて絶縁層４をパターニングし、金属配線層３と第１の金属層５との間の電気的導通を得るための開口１４を絶縁層４に形成した。
次に、図５（ｂ）に示すように、それぞれ第１及び第２の金属層５，６となる第１及び第２の金属膜５ａ，６ａ並びに被覆層７となるシリコン酸化膜７ａを成膜した。これらの成膜は実施例１と同様にして行った。
次に、図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて感光性ポジ型レジストの塗布、露光、現像を行い、第１及び第２の金属層５，６並びに被覆層７が形成される領域以外の領域を露出させるレジストマスク３０８を形成した。
次に、図５（ｄ）に示すように、露出しているシリコン酸化膜７ａをフッ酸系のエッチング液に１０分間浸漬し除去した。次いで、第１及び第２の金属膜５ａ，６ａを実施例１と同様にパターニングした。その後、レジストマスク３０８を剥離液に浸漬させて除去した。
本実施例に対して実施例１，２と同様の方法でサイドエッチング量の測定を行ったところ、サイドエッチング量が低減することを確認した。

（第２の実施形態）
図６（ａ）は、電極パッド２の拡大図を示す図１（ｃ）と同様の図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。本実施形態の基板１の製造方法は、被覆層７に第１の金属層５を露出させる開口１７を形成することを有する。本実施形態の基板１は被覆層７が部分的に開口とされていることを除き、第１の実施形態に係る基板１と同一の構成を有している。被覆層７の開口１７の形状は円形や矩形が典型的であるが、第１の金属層５の上面が被覆層７の欠損部によって露出される限り限定されない。被覆層７の開口１７は、第１の金属層５の中心位置に設けられることが好ましい。第２の金属層６のサイドエッチングを抑制するため、開口１７の面積は、ワイヤボンディングができる範囲で最小にすることが好ましい。

基板１の電極パッド２は、ワイヤボンディング法などによって、ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）などの電気配線部材（図示せず）と電気的にワイヤ接続される。被覆層７が非導電性の材料からなる場合、電気配線部材との接続のためには被覆層７を除去する必要がある。本実施形態によれば、被覆層７に開口１７を設けることで、第２の金属層６のサイドエッチングを抑制しつつ、第１の金属層５と電気配線部材をワイヤボンディングで直接接続することが可能となる。また、被覆層７を除去する必要がない。

被覆層７の開口１７を形成するには、第１の実施形態において、レジストマスクに被覆層７の開口１７に対応する開口パターンを設けるだけでよく、他の工程は第１の実施形態と同様である。具体的には、実施例１の図３（ａ）〜図３（ｅ）に示すプロセスを行った後、図３（ｆ）に示す工程において、図６（ｃ）に示すように、ワイヤボンディングのワイヤＷ（図６（ｂ）参照）の接続部が後に露出するようにレジストマスク４０８の形成を行う。一実施例では、フッ酸系のエッチング液に基板１を１０分間浸漬させ、シリコン酸化膜７ａの露出している部分を除去した。これにより、被覆層７が形成された。その後、レジストマスク４０８を剥離液に浸漬させて除去した。以上の工程によって、基板１の上に、所定の形状にパターニングされた金属積層膜９からなる電極パッド２が形成されるとともに、電極パッド２が開口１７を有する被覆層７で覆われる。ワイヤボンディングによって、被覆層７の開口１７を通して第１の金属層５にワイヤＷを接続したところ、良好な密着性が得られた。

１基板
５第１の金属層
６第２の金属層
７被覆層
９金属積層膜

Claims

基板の上に金属積層膜を設けることと、
前記金属積層膜の上に被覆層を設けることと、
前記金属積層膜と前記被覆層とが設けられた前記基板を、前記金属積層膜を構成する各金属層と前記被覆層とが電解質溶液に接液するように前記電解質溶液に浸漬することと、を有し、
前記金属積層膜は、第１の金属層と、前記第１の金属層と前記基板との間で前記第１の金属層に接して設けられ、前記第１の金属層よりイオン化傾向が高い第２の金属層と、を有し、前記被覆層は前記第１の金属層の前記第２の金属層と接する面の裏面と接している、金属積層膜を備える基板の製造方法。
前記被覆層は、前記裏面の全面を覆っている、請求項１に記載の基板の製造方法。
前記被覆層は無機材料からなる、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
前記被覆層はＳｉＯ、ＳｉＣまたはＴｉＯからなる、請求項３に記載の基板の製造方法。
前記被覆層は樹脂材料からなる、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
前記被覆層はエポキシまたはポリアミドを主成分とする、請求項５に記載の基板の製造方法。
前記被覆層に前記第１の金属層を露出させる開口を形成することを有する、請求項３から６のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
前記第２の金属層は前記第１の金属層の金属の拡散を抑制する拡散抑制層である、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
前記基板の前記金属積層膜が設けられる面に、液体に吐出のためのエネルギーを与えるエネルギー発生素子を形成することを有し、前記金属積層膜は前記エネルギー発生素子に駆動のための電流を供給する電極パッドである、請求項１から８のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
基板と、前記基板の上に設けられた金属積層膜と、前記金属積層膜の上に設けられ、非導電性の被覆層と、を有し、
前記金属積層膜は、第１の金属層と、前記第１の金属層と前記基板との間で前記第１の第１の金属層に接して設けられ、前記第１の金属層よりイオン化傾向が高い第２の金属層と、を有し、前記被覆層は前記第１の金属層を露出させる開口を有している、金属積層膜を備える基板。
前記基板の前記金属積層膜が設けられる面に設けられ、液体に吐出のためのエネルギーを与えるエネルギー発生素子を有し、前記金属積層膜は前記エネルギー発生素子に駆動のための電流を供給する電極パッドである、請求項１０に記載の基板。