JP2020066725A

JP2020066725A - 粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ

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Publication number: JP2020066725A
Application number: JP2018202353A
Authority: JP
Inventors: 瑞穂杉内; Mizuho SUGIUCHI; 翔太内藤; Shota NAITO
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2018-10-26
Filing date: 2018-10-26
Publication date: 2020-04-30
Also published as: CN112888763A; KR20210084520A; US20210340439A1; WO2020085361A1; TW202033733A

Abstract

【課題】水蒸気に対する耐久性が高い、粒子、前記粒子を用いた組成物、前記粒子を用いた組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイの提供。【解決手段】（１）及び（２）を含む粒子であり、（１）の表面に（２）が存在し、粒子の表面に占める（１）の面積をＳ１とし、粒子の表面に占める（２）の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．８５以下である、粒子。【選択図】なし

Description

本発明は、粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。

近年、発光材料として、高い量子収率を有する発光性の半導体粒子に対する関心が高まっている。例えば、非特許文献１には、３−アミノプロピルトリエトキシシランで被覆されているペロブスカイト化合物が報告されている。

ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ２０１６，２８，ｐ．１００８８−１００９４

しかしながら、非特許文献１に記載されたペロブスカイト化合物を含む組成物は、水蒸気に対する耐久性を高める観点から、改良の余地があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、水蒸気に対する耐久性が高い、粒子、前記粒子を用いた組成物、前記粒子を含むフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。

本発明は下記の［１］〜［９］を包含する。
［１］下記（１）及び下記（２）を含む粒子であり、下記（１）の表面に下記（２）が存在し、前記粒子の表面に占める下記（１）の面積をＳ１とし、前記粒子の表面に占める下記（２）の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下である、粒子。
（１）発光性の半導体粒子。
（２）シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。

（式（Ｃ１）中、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０及びＲ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。
Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。
Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
［２］前記（１）の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする［１］に記載の粒子。

（式（Ｘ１）中、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ^１８〜Ｒ^３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
［３］前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物である、［１］又は［２］に記載の粒子。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［４］前記表面被覆層は、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする［２］又は［３］に記載の粒子。
［５］［１］〜［４］のいずれか１つに記載の粒子と、下記（３）、（４）、及び（４−１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む組成物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（４−１）重合体
［６］［１］〜［４］のいずれか１つに記載の粒子を含むフィルム。
［７］［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い、粒子、前記粒子を用いた組成物、前記粒子を含むフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。

本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。二値化処理の一例を説明するための模式図である。二値化処理の一例を説明するための模式図である。

以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜粒子＞
本実施形態は、発光性を有する粒子である。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。

以下の説明においては、本実施形態に係る粒子と、粒子を構成する（１）半導体粒子とを文言上分けるため、本実施形態に係る粒子を「発光性粒子」と称する。また、以下において、(２)を「（２）で表される化合物」又は「（２）改質体群」と記載することがある。

本実施形態の粒子は、（１）半導体粒子及び（２）改質体群を含む。さらに、（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在している。「（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する」とは、（２）改質体群が（１）半導体粒子に直接接して覆う形態、（２）改質体群が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成された形態、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆う形態を含む。

本実施形態の発光性粒子は、表面処理剤に被覆された（１）半導体粒子をコアとして、シェル構造を形成することが好ましい。具体的には、（２）改質体群は（１）半導体粒子の表面に被覆している表面修飾剤の表面に被覆していることが好ましく、表面修飾剤が被覆していない（１）半導体粒子の表面に被覆していてもよい。

なお、（２）改質体群が（１）半導体粒子の「表面」を覆うとは、（２）改質体群が（１）半導体粒子に直接接して覆うことの他、（２）改質体群が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆うことも含む。

本実施形態の発光性粒子の形状は球状、歪んだ球状、碁石状、又はラグビーボール状など、特に制限は無い。発光性粒子の平均サイズに、特に制限は無いが、平均のフェレー径が０．１〜３０μｍであり、０．１〜１０μｍが好ましい。平均のフェレー径を算出する方法としては、例えば、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）を用いて観察した発光性粒子のＴＥＭ像又はＳＥＭ像において、発光性粒子を任意に２０個を観察し、その平均値を取る方法が挙げられる。

なお、本明細書において「フェレー径」とは、ＴＥＭ画像又はＳＥＭ画像上において、発光性粒子の像を２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔を意味する。

平均のフェレー径を求める際には、複数の発光性粒子のフェレー径を測定する際の平行線を相互に平行とする。例えば、ＳＥＭ画像の視野が矩形である場合、矩形の視野において対向する二辺に平行な２本の平行線で、測定対象となる発光性粒子を挟んだときのフェレー径を求める。

本実施形態の発光性粒子の表面を観察する方法としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などを用いて観察する方法が挙げられる。さらに、ＳＥＭ又はＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定）によって、詳細な元素分布を解析することができる。
具体的には、発光性粒子を含む組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし、自然乾燥させて得られるキャスト膜の表面をＴＥＭ像で観察する。また、該ＴＥＭ像と同一の視野において、ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定を行い、元素マッピング像を得る。対象とする元素は、ケイ素又は（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素が挙げられる。（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素としては、例えば鉛が挙げられる。

本実施形態の発光性粒子において、上記発光性粒子の表面を観察する方法により、（２）改質体群が（１）半導体粒子の「表面」を被覆している状態を観察することができる。

発光性粒子表面を観察する方法としては、上述の方法により、元素マッピング像を得る工程と、ＳＥＭ像又はＴＥＭ像を得る工程と、第１の二値化工程と、第２の二値化工程とを備える方法が好ましい。

・第１の二値化工程
まずは、図３に、二値化処理前のＴＥＭ像又はＳＥＭ像の模式図を示す。二値化前の段階では、発光性粒子の表面に存在する符号Ａで表す半導体粒子（黒色）と、符号Ｂで表す改質体群（白色）と、符号Ｃに示すようにＡ（黒色）であるか、Ｂ（白色）であるか明確に判断できない領域が存在する。

ＴＥＭ像又はＳＥＭ像をコンピュータに取り込み、画像解析ソフトを用い、二値化処理を行う。
ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定で得られた（１）半導体粒子に含まれる一つの金属元素の元素マッピング像と比較し、（１）半導体粒子に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認する。元素マッピング像に合わせて、領域Ｃを白色又は黒色とする二値化処理を行う閾値の調整を行う。画像解析ソフトは、ＩｍａｇｅＪやＰｈｏｔｏｓｈｏｐ等を適宜選択することができる。

例えば図４に示すように、元素マッピング像と照らし合わせ、Ａ１が（１）半導体粒子に由来する成分が検出されている位置と判断できれば黒色のＡ１（Ａ）となり、Ｂ１が（２）改質体群に由来する成分が検出されている位置と判断できれば白色のＢ１（Ｂ）とする。
例えば、図４に示すように、領域Ｃを元素マッピング像に合わせて（１）半導体粒子に由来する成分を判断した場合には、領域Ｃが黒色のＡ１（Ｃ）となるように閾値の調整を行う。

・第２の二値化工程
ＴＥＭ像又はＳＥＭ像をコンピュータに取り込んだ、ＴＥＭ像又はＳＥＭ像において、発光性粒子の表面に存在する（１）半導体粒子（白色）と、（２）改質体群（黒色）と、第１の二値化工程と同様に明確に黒と判断できない領域が存在する。
このとき、ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定で得られたケイ素の元素マッピング像と比較し、（２）改質体群に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認する。齟齬が見られた場合、例えば明確に黒と判断できない場合には、元素マッピング像に合わせて、二値化処理を行う閾値の調整を行う。

前記二値化処理済み画像について、画像解析ソフトを用いて、（１）半導体粒子が存在する領域の面積と（２）で表される化合物が存在する領域の面積を算出する。ここで、（２）で表される化合物の内部に（１）半導体粒子が存在する場合は、（２）で表される化合物が存在する領域の面積から（１）半導体粒子が存在する領域の面積を引くことによって、（２）で表される化合物のみが存在する領域の面積を算出する。

前記発光性粒子の表面に占める（１）半導体粒子の面積をＳ１とし、前記発光性粒子の表面に占める（２）改質体群の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））は、下記の方法により求める。
上記記載の観察手法を用いて観察した画像中の（１）半導体粒子が存在する領域の面積を（Ｓ１）とする。（２）で表される化合物が存在する領域の面積を（Ｓ２）とする。このときの面積比を（Ｓ１）／（Ｓ２）とする。

本発明の実施形態において、（Ｓ１）／（Ｓ２）は０．０１以上、０．５以下である。
（Ｓ１）／（Ｓ２）は、発光性の半導体粒子の水蒸気に対する耐久性を向上させる観点から、好ましくは０．２０以下であり、より好ましくは０．１３以下であり、粒子の分散性の観点から、好ましくは０．０３以上、より好ましくは０．０５以上である。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

≪（１）≫
（１）は、発光性を有する半導体粒子である。
以下、（１）の発光性の半導体粒子について説明する。

本実施形態の発光性粒子に含まれる半導体粒子としては、下記（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子

＜（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。

以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−２）」と称することがある。

化合物半導体（ｉ−１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−１）としては、
（ｉ−１−１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

化合物半導体（ｉ−２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−２）としては、
（ｉ−２−１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ_３Ｐ_２、Ｚｎ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｐ_２、Ｃｄ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｎ_２、又はＺｎ_３Ｎ_２が挙げられる。

また、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉ−１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉｉ−１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ_４Ｃ_３、Ａｌ_４Ｃ_３、Ｇａ_４Ｃ_３が挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体としては、
（ｉｖ−１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ_２Ｓ_３、Ａｌ_２Ｓｅ_３、Ａｌ_２Ｔｅ_３、Ｇａ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｓｅ_３、Ｇａ_２Ｔｅ_３、ＧａＴｅ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｉｎ_２Ｓｅ_３、Ｉｎ_２Ｔｅ_３、又はＩｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ−１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖｉ−１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体粒子＞
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ−ブロック元素とを含む。「ｐ−ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。

また、遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体としては、
（ｖｉｉ−１）遷移金属元素を１種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−２）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−３）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ−ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ_２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。

本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。

ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。

ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。

本実施形態においては、Ｃｄを含む半導体粒子又はＩｎを含む半導体粒子が好ましく、ＣｄＳｅ又はＩｎＰがより好ましい。

＜（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子＞
ペロブスカイト構造を有する化合物半導体は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。

Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。

Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ_２ＢＸ_{（４＋δ）}で表される。

ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。

ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ_６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。

ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ_６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。

本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２〜１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８〜２５°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３〜１６°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１〜１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２〜８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。

（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。

（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。

式（Ａ３）中、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ^６〜Ｒ^９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９の全てが同時に水素原子となることはない。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。

Ｒ^６〜Ｒ^９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。

Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ_３Ｈ_７ＮＨ_３ ^＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋又はＣ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋であることより好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋であることがさらに好ましい。

（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ^１０Ｒ^１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ^１２Ｒ^１３）^＋・・・（Ａ４）

式（Ａ４）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。

式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

アミジニウムイオンにおいて、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ^１０が炭素原子数１のアルキル基であり、Ｒ^１１〜Ｒ^１３が水素原子であることがさらに好ましい。

ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。

ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。

ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、又はアミジニウムイオンが好ましい。

（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。

（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。

ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。

Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。

Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。

Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。

（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＣｌ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＩ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＣｌ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＩ_３を挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｓｒ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｂａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｄｙ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＣｌ_３、ＣｓＰｂＩ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がより好ましく、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がさらに好ましい。

（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）を挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

（半導体粒子の粒径）
発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子の平均粒径は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、発光性の半導体粒子に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。

半導体粒子の平均粒径の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、（１）半導体粒子の平均粒径は、例えばＴＥＭ、又はＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。

また、発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径については、例えば走査透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）を用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定）により、（１）半導体粒子に含まれる元素の元素分布を求め、得られる元素分布像から求めることができる。元素分布像から、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。

（１）半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、半導体粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。

≪（２）≫
（２）は、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である。

（２）改質体群は、上述の改質体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本明細書において「改質」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ−ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。

本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合又はＳｉ−ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。

（１．シラザン改質体）
シラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。

シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。

本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。

本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。

（１−１．低分子シラザンの改質体１）
シラザン改質体としては、例えば、低分子シラザンである下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンの改質体であることが好ましい。

式（Ｂ１）中、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基を表す。

Ｒ^１４及びＲ^１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ^１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。

（１−２．低分子シラザンの改質体２）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体も好ましい。

式（Ｂ２）中、Ｒ^１４、及びＲ^１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ^１４、及びＲ^１５と同様である。

複数あるＲ^１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ^１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｂ２）中、ｎ_１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ_１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。

式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。

低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。

（１−３．高分子シラザンの改質体１）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）の改質体が好ましい。

ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。

式（Ｂ３）中、Ｒ^１４、及びＲ^１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ^１４、及びＲ^１５と同様である。

式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ^１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ^１５が結合している。

ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ^１４、及びＲ^１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。

また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ^１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。

（１−４．高分子シラザンの改質体２）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体も好ましい。

ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。

式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。

また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ^１４が結合している。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ^１５が結合している。

ｎ_２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ_２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。

一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち上記（Ｂ３）、（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。

ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００ＳｌｏｗＣｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ＲａｐｉｄＣｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。

ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ＳｌｏｗＣｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ＲａｐｉｄＣｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ＳｌｏｗＣｕｒｅである。

式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル）−（ＳｉＮ結合中のＮ（モル））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。

式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１〜９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９７％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

改質体中のＳｉ原子数、ＳｉＮ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。

改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９９％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。

シラザンの改質体としては、特に制限は無いが、分散性を向上させ、凝集を抑制できる観点からオルガノポリシラザンの改質体が好ましい。

オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ３）で表され、Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。

また、オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ^１４又はＲ^１５と結合し、当該Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つが、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。

オルガノポリシラザンは、式（Ｂ３）で表されＲ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザン、又は、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ^１４又はＲ^１５と結合し、当該Ｒ^１４及びＲ^１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。

（２．式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、式（Ｃ２）で表される化合物の改質体）
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物、及びシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体であってもよい。

式（Ｃ１）において、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。

Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０及びＲ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

Ｒ^３２は、水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

式（Ｃ２）において、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。

式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。

式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^３０及びＲ^３１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５が酸素原子である場合、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５が単結合、又は硫黄原子である場合、Ｒ^３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ^５は、改質が素早く進行することから、酸素原子が好ましい。

式（Ｃ２）で表される化合物において、Ｒ^３０及びＲ^３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、それぞれ独立に１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ^３０及びＲ^３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

式（Ｃ１）で表される化合物、及び式（Ｃ２）で表される化合物ともに、Ｒ^３１で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜５であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^３０，Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^３０，Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基にある水素原子が、それぞれ独立に、アルキル基で置換されている場合、シクロアルキル基の炭素原子数は、４以上である。シクロアルキル基にある水素原子が置換されてもよいアルキル基は、炭素原子数が１〜２７である。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^３０，Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表される不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましく、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることがより好ましい。

Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルケニル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。アルケニル基において、二重結合の位置は限定されない。

このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

Ｒ^３０及びＲ^３２は、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

Ｒ^３１は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

Ｒ^３１で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基が上述の炭素原子数であると、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物が加水分解されやすく、改質体を生じやすい。そのため、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体が（１）半導体粒子の表面を覆いやすい。その結果、湿度が高い環境においても（１）半導体粒子が劣化しにくく、耐久性が高い粒子が得られると考えられる。

式（Ｃ１）で表される化合物としては、具体的に、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシメチルシラン、（３−クロロプロピル）ジエトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジメトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジエトキシ（メチル）シラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジメトキシ（メチル）（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、（３−ブロモプロピル）トリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、（クロロメチル）トリエトキシシラン、（クロロメチル）トリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。

なかでも、式（Ｃ１）で表される化合物としては、トリメトキシフェニルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランがより好ましく、テトラメトキシシランがもっとも好ましい。

さらに、式（Ｃ１）で表される化合物としては、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シランでもよい。

（３．式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体）
(２)改質体群としては、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体であってもよい。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２４は、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。

式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
アルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１２５及びＲ^１２６のアルコキシ基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９に例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が酸素原子に結合した１価の基が例示できる。

Ｒ^１２５及びＲ^１２６がアルコキシ基である場合、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基である。

Ａ^Ｃで表される２価の炭化水素基は、炭化水素化合物から２個の水素原子を除去した基であればよく、当該炭化水素化合物は、脂肪族炭化水素であってもよく、芳香族炭化水素であってもよく、飽和脂肪族炭化水素であってもよい。Ａがアルキレン基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素原子数は、通常１〜１００であり、１〜２０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。

式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、トリメトキシ［３−（メチルアミノ）プロピル］シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。

また、式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、Ｒ^１２２及び^１２３が水素原子であり、Ｒ^１２４がアルキル基であり、Ｒ^１２５及びＲ^１２６がアルコキシ基である化合物が好ましい。例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。

式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、３−アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。
式（Ａ５−５２）で表される化合物としては、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランがさらに好ましい。

（ケイ酸ナトリウム改質体）
（２）で表される化合物としては、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）の改質体であってもよい。ケイ酸ナトリウムは、酸で処理することにより加水分解が進行し、改質される。

≪表面処理剤≫
本実施形態の発光性粒子は、（１）半導体粒子の表面の少なくとも一部を覆う表面処理剤層を有していてもよい。本実施形態の発光性粒子は、表面処理剤層を、（１）半導体粒子と（２）改質体群との間に備えていてもよい。

なお、表面処理剤層が（１）半導体粒子の「表面」を覆うとは、表面処理剤層が（１）半導体粒子に直接接して覆うことの他、表面処理剤層が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆うことも含む。

本実施形態の発光性粒子は、前記面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下であることを特徴とする。面積Ｓ１は、発光性粒子表面に占める（１）の面積であり、面積Ｓ２は、発光性粒子表面に占める（２）の面積である。表面処理剤層は、（１）半導体粒子と（２）改質体群との間に存在していることが好ましい。ただし、発光性粒子の表面において、（１）半導体粒子を表面処理剤層のみが被覆している場合、つまり表面処理剤層が露出している部分がある場合には、該部分は面積Ｓ１とする。

＜＜表面修飾剤層＞＞
表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種以上の化合物又はイオンを形成材料とする。
中でも、表面修飾剤層は、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、及びカルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましく、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることがより好ましい。
以下、表面修飾剤層の形成材料を「表面修飾剤」と称することがある。

表面修飾剤は、後述する製造方法で本実施形態の発光性粒子を製造する際に、半導体粒子の表面に吸着して、半導体粒子を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。

＜アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
表面修飾剤であるアンモニウムイオン、及び第１級〜第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。

式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ^１〜Ｒ^４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルケニル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。

式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。

＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。

上記式（Ａ１１）において、Ｒ^１〜Ｒ^３は、上記式（Ａ１）が有するＲ^１〜Ｒ^３と同じ基を表す。ただし、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。

表面修飾剤であるアミンとしては、第１級〜第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。

表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。

＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ^５−ＣＯ_２ ⁻・・・（Ａ２）

表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ^＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ^５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ^５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ^５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。

Ｒ^５のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ^４において例示したアルケニル基が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。

カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。

表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。

＜式（Ｘ１）で表される化合物＞

式（Ｘ１）で表される化合物（塩）において、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基は、置換基としてアルキル基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基の炭素原子数は、通常６〜３０であり、６〜２０であることが好ましく、６〜１０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ｏ−キシリル基等が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子で置換した化合物の化学的安定性が高いため、置換するハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。

式（Ｘ１）で表される化合物において、Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。

式（Ｘ１）で表される化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヨージド；テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムヨージド：テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨージド；テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムクロリド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムヨージド；トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド；トリブチルドデシルホスホニウムブロミド；トリブチルヘキサデシルホスホニウムクロリド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムヨージドが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ１）で表される化合物としてはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドが好ましく、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドがより好ましい。

＜式（Ｘ２）で表される化合物、式（Ｘ２）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ２）で表される化合物において、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ２）で表される化合物において、Ｒ^２２は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^２２で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２２で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２２で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２２で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ２−１）で表される。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ２）で表される化合物、及び式（Ｘ２）で表される化合物の塩としては、りん酸フェニル、りん酸フェニル二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸一ナトリウム一水和物、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、オレイルリン酸、ベンズヒドリルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ベンゼンホスホン酸、フェニルホスホン酸二ナトリウム水和物、フェネチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、ウンデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、シンナミルホスホン酸、１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ２）で表される化合物としては、オレイルリン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、がより好ましく、オクタデシルホスホン酸がさらに好ましい。

＜式（Ｘ３）で表される化合物、式（Ｘ３）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ３）で表される化合物において、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ３）で表される化合物において、Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ３−１）で表される。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシル、りん酸ジフェニルが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシルが好ましく、ジフェニルホスフィン酸がより好ましい。

＜式（Ｘ４）で表される化合物、式（Ｘ４）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ４）で表される化合物において、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ４）で表される化合物において、Ｒ^２５で表される基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。
Ｒ^２５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２５で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２５で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２５で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ４−１）で表される。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩としては、１−オクタンスルホン酸ナトリウム、１−デカンスルホン酸ナトリウム、１−ドデカンスルホン酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましく、ドデシル硫酸ナトリウムがより好ましい。

＜式（Ｘ５）で表される化合物＞

式（Ｘ５）で表される化合物において、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ５）で表される化合物において、Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基の具体例としては、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基の具体例としては、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基、イコシニル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ５）で表される化合物としては、亜りん酸トリオレイル、亜りん酸トリブチル、亜りん酸トリエチル、亜りん酸トリヘキシル、亜りん酸トリイソデシル、亜りん酸トリメチル、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィンが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、亜りん酸トリオレイル、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、亜りん酸トリヘキシルが好ましく、亜りん酸トリオレイルがより好ましい。

＜式（Ｘ６）で表される化合物＞

式（Ｘ６）で表される化合物において、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ６）で表される化合物において、Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルケニル基としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキニル基としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルケニル基の具体例としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基において例示したアルケニル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキニル基の具体例としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基において例示したアルキニル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ６）で表される化合物としては、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、メチル（ジフェニル）ホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ−ｐ−トリルホスフィンオキシド、シクロヘキシルジフェニルホスフィンオキシド、りん酸トリメチル、りん酸トリブチル、りん酸トリアミル、りん酸トリス（２−ブトキシエチル）、りん酸トリフェニル、りん酸トリ−ｐ−クレジル、りん酸トリ−ｍ−クレジル、りん酸トリ−ｏ−クレジルが挙げられる。

発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシドが好ましく、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドがより好ましい。

上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。

アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。

カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸カチオンがより好ましい。

本実施形態の粒子においては、上述の表面修飾剤を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜各成分の配合比について＞
本実施形態の粒子において、（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比は、（１）及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。

本実施形態の粒子において、（１）半導体粒子がペロブスカイト化合物の粒子である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）被覆層のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜２００であってもよく、０．０１〜５０であってもよい。

本実施形態の粒子において、（２）改質体群の形成材料が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザンの改質体である場合、（１）半導体粒子のＢ成分である金属イオンと、（２）改質体群のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜１００であってもよく、０．００１〜５０であってもよく、１〜２０であってもよい。

本実施形態の粒子において、（２）改質体群が、式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）半導体粒子のＢ成分である金属イオンと、（２）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜１００であってもよく、０．０１〜１００であってもよく、０．１〜１００であってもよく、１〜５０であってもよく、１〜２０であってもよい。
（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である粒子は、（２）改質体群による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。

（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である粒子は、（２）改質体群による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。

（１）半導体粒子と（２）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である発光性粒子は、（２）改質体群による、光に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。

上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。

ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求める。

改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求める。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。

Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出することができる。

本実施形態において、十分に耐久性を向上させる観点から、（１）半導体粒子の質量部が１に対して（２）改質体群の質量部は、好ましくは１．１質量部以上であり、より好ましくは１．５質量部以上であり、さらに好ましくは１．８質量部以上であり、また、（１）半導体粒子の質量部が１に対して（２）改質体群の質量部は、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは４．９質量部以下であり、さらに好ましくは２．５質量部以下である。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

＜組成物＞
本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子と、下記（３）、（４）、及び（４−１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（４−１）重合体

また、本実施形態の組成物が、上述の発光性粒子と、（４−１）重合体とを含む場合、発光性粒子及び（４−１）の合計含有割合が、組成物の総質量に対して９０質量％以上であるとよい。

本実施形態の組成物においては、上述の発光性粒子を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。

本明細書において「分散している」とは、本実施形態の発光性粒子が、分散媒に浮遊している状態、又は本実施形態の発光性粒子が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）半導体粒子が分散媒に分散している場合、発光性粒子の一部は沈降していてもよい。

以下、本実施形態の組成物が含む各成分について説明する。

（３）溶媒
本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体は含まない。

溶媒としては、下記（ａ）〜（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド

（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。

（ｂ）ケトンとしては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。

（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。

（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等を挙げることができる。

（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。

（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。

（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。

（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。

（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。

（ｊ）炭化水素としては、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、１−オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。

これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。

さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。

本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（４）重合性化合物
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。

本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。

例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。

本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。

（４−１）重合体
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の粒子の溶解度が低い重合体が好ましい。

例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。

本実施形態の組成物において、（４−１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。

（４−１）重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。

本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。

本実施形態の組成物においては、上述の重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜各成分の配合比について＞

発光性粒子と、分散媒とを含む組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。

上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。

また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常０．０００２〜９０質量％である。

組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．００１〜４０質量％であることが好ましく、０．００２〜１０質量％であることがより好ましく、０．０１〜３質量％であることがさらに好ましい。

組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

また、上記組成物において、発光性粒子及び分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。

上記組成物において、発光性粒子に対する分散媒の質量比［発光性粒子／分散媒］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜５であってもよく、０．０００５〜３であってもよい。
発光性粒子と、分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性粒子の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。

本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子、（３）溶媒と、（４）重合性化合物、（４−１）重合体以外の成分（以下、「その他の成分」と称する。）を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、半導体粒子を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。

その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。

本実施形態の組成物に含まれる（４−１）重合体としては、上述した（４−１）重合体を採用することができる。

本実施形態の組成物において、発光性粒子は、（４−１）重合体に分散していることが好ましい。

上記組成物において、発光性粒子と、（４−１）重合体との配合比は、発光性粒子による発光作用が良好に発揮される程度であればよい。上記配合比は、発光性粒子、（４−１）重合体の種類に応じて、適宜定めることができる。

上記組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。上記含有割合は、濃度消光を防ぐことができるため、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。

また、上記含有割合は、良好な量子収率を得ることができるため、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。

組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常、０．０００１〜３０質量％である。

組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．０００１〜１０質量％であることが好ましく、０．０００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜３質量％であることがさらに好ましい。

上記組成物において、発光性粒子に対する、（４−１）重合体の質量比［発光性粒子／（４−１）重合体］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜５であってもよく、０．０００５〜３であってもよい。
発光性粒子と、（４−１）重合体との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、良好に発光する点で好ましい。

本実施形態の組成物は、例えば、発光性粒子及び（４−１）重合体の合計量が、組成物全体に対して９０質量％以上である。発光性粒子及び（４−１）重合体の合計量は、組成物全体に対して９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。

本実施形態の組成物は、上述のその他の成分と同様の成分を含んでいてもよい。
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。

＜＜発光性粒子の製造方法＞＞
上述した発光性粒子は、（１）半導体粒子を製造した後、（１）半導体粒子の表面に（２）で表される化合物を含む層を形成することで製造することができる。

＜（１）半導体粒子の製造方法＞
（（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体粒子の製造方法）
（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体粒子は、半導体粒子を構成する元素の単体又は半導体粒子を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。

半導体粒子を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限は無いが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。

脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。

含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。

このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。

こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体粒子の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体粒子の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。

上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０〜３００℃が好ましく、２４０〜３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体粒子の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。

混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間〜数時間が好ましく、１〜６０分間がより好ましい。

上述の半導体粒子の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体粒子を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体粒子が得られる。

沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体粒子の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体粒子を回収してもよい。「半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。

上述の半導体粒子の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体粒子を含む溶液としてもよい。

（（ｖｉｉｉ）の半導体粒子の製造方法）
（ｖｉｉｉ）の半導体粒子の製造方法は、既知文献（ＮａｎｏＬｅｔｔ．２０１５，１５，３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。

（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。

第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。

第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）〜（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。

例えば、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。

また、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。

以下、第１の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。

次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物の粒子が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、−２０℃〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５℃〜３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。

第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。

第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇに制御しやすいため好ましい。

溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。

（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第２の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。

第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。

「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。

（第３の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第３の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。

第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

また、Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを第５溶媒に溶解させ第２溶液を得る。

第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。

次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。

・（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する発光性粒子の製造方法
（１）半導体粒子の表面に（２）改質体群が存在する粒子は、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とを混合し、その後、（２Ｂ）原料化合物を改質処理する方法により製造できる。
（２Ｂ）原料化合物は、シラザン、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物、式（Ａ５−５１）で表される化合物、式（Ａ５−５２）で表される化合物、ケイ酸ナトリウムからなる群より選択される１種以上の化合物を意味する。

（２）改質体群は、（１）半導体粒子及び（３）溶媒の混合物と、（２Ｂ）原料化合物を混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程を行うことにより得られる。

混合液を調製する際には、液を撹拌しながら各原料を混合するとよい。

混合液を調製する際の温度には、特に制限はない。混合液を均一に混合しやすいため、混合液を調製する際の温度は、０℃〜１００℃の範囲内であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲内であることがより好ましい。

改質処理の方法は、（２Ｂ）原料化合物に対し紫外線を照射する方法、及び、（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。

紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０〜４００ｎｍであり、１０〜３５０ｎｍが好ましく、１００〜１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。

加湿処理を施す場合、例えば、上述の混合物を、後述する湿度条件下で一定の時間静置してもよく、撹拌してもよい。加湿処理の際には、混合液を撹拌することが好ましい。

加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５〜１５０℃であることが好ましく、１０〜１００℃であることがより好ましく、１５〜８０℃であることがさらに好ましい。

加湿処理における湿度は、用いる（２Ｂ）原料化合物に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば、３０％〜１００％であることが好ましく、４０％〜９５％であることがより好ましく、６０％〜９０％であることがさらに好ましい。

加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日以下であることがより好ましく、２時間以上３日以下であることがさらに好ましい。

改質処理の方法として加湿処理を用いると、（１）半導体粒子の近傍に強固な保護領域を形成しやすいため好ましい。

加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。

水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる発光性粒子の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。

本実施形態の発光性粒子は、例えば（１）半導体粒子１質量部に対して、（２Ｂ）原料化合物の合計使用量が１．１質量部〜１０質量部であって、温度が６０℃〜１２０℃であるときに得られる。

発光性粒子の製造方法において、上述の方法による（１）半導体粒子の製造を、（２Ｂ）原料化合物を混合した状態で行い、得られた（１）半導体粒子を含む分散液に改質処理を施してもよい。（１）半導体粒子を製造する際、表面修飾剤を加える工程を含むこととしてもよい。

（２Ｂ）原料化合物は、溶液と第２溶媒とを混合する工程（第１の製造方法）、又は冷却する工程（第２の製造方法、第３の製造方法）に先立って、反応液に混合しておくとよい。（２Ｂ）原料化合物を含んだ状態で、上記第１〜第３の製造方法のいずれかを実施することで、（２Ｂ）原料化合物と（１）半導体粒子とを含む分散液が得られる。得られた分散液に改質処理を施すことで、発光性粒子を得ることとするとよい。

（２Ｂ）原料化合物としてケイ酸ナトリウムを用いる場合、適宜、酸処理による改質を行って改質体を得るとよい。

本実施形態において、発光性粒子表面の（１）半導体粒子の面積（Ｓ１）と、（２）改質体群の面積（Ｓ２）との比（（Ｓ１）／（Ｓ２））を上記特定の範囲に制御する方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物の各添加量を調整し、且つ加湿処理における温度が６０℃〜１２０℃で調整することにより、制御できる。

＜＜組成物の製造方法１＞＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。

本実施形態の液状組成物は、発光性粒子と（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。
また、上述の製造方法で発光性粒子を製造したときに得られる発光性粒子の分散液は、本実施形態における液状組成物に該当する。

発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。

発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無いが、発光性粒子が均一に混合しやすいため、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲であることがより好ましい。

その他、液状組成物の製造方法は、下記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２Ｂ）原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子を混合する工程と、改質処理を施す工程とを含む製造方法。

製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子及び（２Ｂ）原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、改質処理を施す工程を含む製造方法。

上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法の改質処理において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方に滴下してもよく、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下してもよい。

均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。

上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法の改質工程において、各混合する工程では、（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子又は（２Ｂ）原料化合物を分散体に滴下することが好ましい。

（４）重合性化合物には、（４−１）重合体が溶解していてもよい。
また、製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、（４）重合性化合物の代わりに、溶媒に溶解させた（４−１）重合体を用いてもよい。

（４−１）重合体を溶解させる溶媒は、（４−１）重合体を溶解しうる溶媒であれば特に限定されない。溶媒としては、（１）半導体粒子を溶解し難いものが好ましい。
（４−１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒とおなじ溶媒が挙げられる。

中でも第２溶媒は極性が低く、（１）半導体粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。

第２溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。

本実施形態の液状組成物の製造方法は、下記（ｃ４）の製造方法であってもよい。
製造方法（ｃ４）：（１）半導体粒子を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、分散液と（４）重合性化合物とを混合し混合液を得る工程と、混合液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程とを含む製造方法。

＜＜組成物の製造方法２＞＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物と、（４）重合性化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。

また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ｂ）原料化合物と、（３）溶媒に溶解している（４−１）重合体とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。

上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。

組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）〜（ｄ６）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（４）重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法。

製造方法（ｄ２）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ４）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ６）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子と（２Ｂ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。

（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。

製造方法（ｄ１）（ｄ３）（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。

例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体粒子と、（２）で表される化合物を含む層と、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。

ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

＜＜組成物の製造方法３＞＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）の製造方法も採用することができる。
製造方法（ｄ７）：発光性粒子と（４−１）重合体とを溶融混練する工程を含む製造方法。

製造方法（ｄ７）においては、発光性粒子と（４−１）重合体との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４−１）重合体に発光性粒子を添加してもよい。

（４−１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。

≪発光性の半導体粒子の測定≫
本発明の組成物に含まれる発光性の半導体粒子の量は乾燥質量法によって固形分濃度（質量％）を算出した。

≪量子収率の測定≫
本発明の発光性粒子の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。

発光性粒子を含む組成物においては、組成物に含まれるペロブスカイト化合物の固形分濃度が２３０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）となるようにトルエンで調整し、測定する。

≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
本発明の組成物を、１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に、塗布、乾燥させて、６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に置き、水蒸気に対する耐久性試験を行う。試験前後に量子収率を測定し、水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値を算出する。

本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の耐久性が、０．２以上であってもよく、０．２５以上であってもよく、０．７４以上であってもよい。
本実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された７日間の熱耐久性試験後の熱耐久性が、０．２以上１．０以下であることが好ましく、０．２５以上１．０以下であることがより好ましく、０．７４以上１．０以下であることがさらに好ましい。

＜フィルム＞
本発明に係るフィルムは、前記本実施形態の発光性粒子を含む。
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、粒子及び（４−１）重合体を含み、発光性粒子及び（４−１）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。

フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。

フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。

フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。

フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。

＜積層構造体＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。

積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。

（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、発光性粒子が発した光を取り出しやすいため好ましい。

基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。

図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。

本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。

（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。

バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。

（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。

＜発光装置＞
本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した組成物又は積層構造体に照射することで、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。

（光源）
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の組成物、又は積層構造体中の半導体粒子を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。

（光反射部材）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前記の組成物、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。

（輝度強化部）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。

（プリズムシート）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。

（導光板）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。

（要素間の媒体材料層）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。

本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（Ｅ１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（Ｅ２）本発明の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（Ｅ３）本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（Ｅ４）本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。

また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。

＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。

（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。

（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。

（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。

本発明の組成物の用途としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本発明の組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本発明の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる発光性粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。

＜太陽電池＞
本発明の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本発明の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。

＜＜フィルムの製造方法＞＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）〜（ｅ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｅ１）：組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）〜（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。

＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）〜（ｆ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｆ１）：組成物を製造する工程と、得られた組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む組成物を製造する工程と、得られた組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ４）を採用することができる。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。

製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）、（ｄ３）、（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。

張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。

フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

上述の接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

＜発光装置の製造方法＞
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。

なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

＜センサー＞
本発明の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（発光性の半導体粒子の固形分濃度測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られた発光性の半導体粒子及び溶媒を含む分散液を１０５℃で３時間で乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記の式に当てはめて算出した。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００

（量子収率の測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。

（水蒸気に対する耐久性の評価１）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物を、６５℃の温度、９５％湿度で一定にしたオーブン中に置き、７日後に、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で量子収率を測定した。耐久性試験は組成物を１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に１００μＬ塗布し、自然乾燥で蒸発させた後に評価した。
水蒸気に対する耐久性の指標として、（７日間の水蒸気に対する耐久性試験後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値で評価した。

＜透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による粒子の表面の観察＞
本実施形態の粒子の表面は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて得られるＴＥＭ像で観察した。製造した粒子を含む組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし自然乾燥させた後、得られたキャスト膜を、観察用試料とした。観察条件は、加速電圧２００ｋＶとした。

＜ＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ）による粒子の表面の観察＞
製造した粒子のＴＥＭ像の視野において、エネルギー分散型Ｘ線分析（日本電子株式会社製、ＪＥＤ−２３００）を行い、元素マッピング像を得た。測定条件は、上述の粒子のＴＥＭ像の視野で（１）半導体粒子を構成する成分として、Ｐｂ元素と、（２）改質体群を構成する元素としてＳｉ元素を選定して元素マッピングを行った。

＜粒子表面に占める（１）発光性の半導体粒子の面積と（２）改質体群の面積の測定＞
得られた粒子のＴＥＭ像中、（１）発光性の半導体粒子が存在する領域を黒色とし、それ以外の領域を白色として変換した二値化処理済み画像を得た。このとき、ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、（１）発光性の半導体粒子に由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認した。

次に、（２）改質体群が存在する領域を黒色とし、それ以外の領域を白色として変換した二値化処理済み画像を得た。このとき、ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、（２）改質体群に由来する成分が検出されている領域を黒色に変換できていることを確認した。

上述の二値化処理済み画像について、画像解析ソフトを用いて、（１）発光性の半導体粒子が存在する領域の面積と（２）改質体群が存在する領域の面積を算出した。ここで、（２）改質体群の内部に（１）発光性の半導体粒子が存在する場合は、（２）改質体群が存在する領域の面積から発光性の半導体粒子が存在する領域の面積を引くことによって、（２）改質体群が存在する領域のみの面積を算出した。（２）改質体群の面積に対する発光性の半導体粒子の面積の比は下記式を用いて算出し、１０視野以上を観察して測定した値の平均値を用いた。
面積比＝（Ｓ１）／（Ｓ２）

［実施例１］
（（１）半導体粒子の製造）
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸集溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。

臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合して臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
酢酸鉛・３水和物１．５２ｇと、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１−オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃でまで加熱した後、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後溶液を室温まで降温し、半導体粒子１を含む分散液１を得た。

２００ｍＬの上記分散液１に対してトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、半導体粒子１を得た。

得られた半導体粒子１をトルエンで分散し、分散液２を得た。分散液２を、ＸＲＤ測定した所、ＸＲＤスペクトルは２θ＝１４．７５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、回収した半導体粒子１は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることを確認した。
分散液２のXRD測定には、ＸＲＤ、ＣｕＫα線、Ｘ’ｐｅｒｔＰＲＯＭＰＤ、スペクトリス社製を使用した。

（発光性粒子の製造）
２００ｍLの上記分散液２を半導体粒子１の濃度が０．２３質量％になるようにトルエンを混合して調製した。ここに、オルガノポリシラザン（１５００ＳｌｏｗＣｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ，メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を、分散液２中の１質量部の半導体粒子１に対し、１．９質量部加えた。その後、水蒸気による改質処理を４時間実施し、発光性粒子１を含む組成物１を得た。
この際の改質処理条件として、水蒸気の流量は０．２Ｌ／ｍｉｎ（Ｎ_２ガスとともに供給、３０℃の飽和水蒸気量）、加熱温度は８０℃とした。

組成物１の総質量に対する発光性粒子１の濃度は、０．６９質量％であった。
上記組成物１を１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に１００μＬ塗布し、自然乾燥で蒸発させて膜状の組成物を得た後、水蒸気に対する耐久性試験を実施した。
水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．７５であった。
上記組成物１をＴＥＭ専用の指示膜付きグリッドにキャストし自然乾燥させた後、得られた発光性粒子１を含むキャスト膜１を得た。得られたキャスト膜1を観察用試料としてＴＥＭ像を得た。得られたＴＥＭ像を用いて、上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．０７４であった。

［実施例２］
半導体粒子の製造工程における加熱処理温度を１００℃とした以外は、上記実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．１５４であった。
水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．２８であった。

［実施例３］
発光性粒子の製造工程における反応時のオルガノシラザンの仕込みを４．９質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．１３５であった。
水蒸気に対する耐久性試験の結果、（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．７３であった。

［比較例１］
発光性粒子の製造工程における反応時のオルガノシラザンの仕込みを１質量部とした以外は、実施例１と同様の方法で組成物を得た。上述の方法で（Ｓ１）／（Ｓ２）の面積比を算出すると、０．６９６であった。
水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率は６９．４％であり、水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率は１１．８％であった。（水蒸気に対する耐久性試験７日後の量子収率）／（水蒸気に対する耐久性試験前の量子収率）の値は、０．１７であった。

上記の結果から、本発明を適用した実施例１〜３に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１の組成物と比べて、優れた水蒸気に対する耐久性を有していることが確認できた。

［参考例１］
実施例１〜３に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例２］
実施例１〜３に記載の組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例３］
実施例１〜３に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例４］
実施例１〜３に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例５］
実施例１〜３に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。

［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜３に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。

［参考例７］
実施例１〜３に記載の組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。

［参考例８］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。

本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い発光性粒子を含む組成物、前記組成物の製造方法を提供、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明の組成物、前記組成物からなるフィルム、前記組成物を含む積層構造体、及び前記組成物を用いたディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。

１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims

下記（１）及び下記（２）を含む粒子であり、
下記（１）の表面に下記（２）が存在し、
前記粒子の表面に占める下記（１）の面積をＳ１とし、前記粒子の表面に占める下記（２）の面積をＳ２としたときの面積比（（Ｓ１）／（Ｓ２））が、０．０１以上０．５以下である、粒子。
（１）発光性の半導体粒子。
（２）シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。

（式（Ｃ１）中、Ｙ^５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ^５が酸素原子の場合、Ｒ^３０及びＲ^３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ^５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ^３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ^３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ^３０、Ｒ^３１及びＲ^３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ^３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ^３１又はＲ^３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、Ａ^Ｃは２価の炭化水素基であり、Ｙ^１５は酸素原子又は硫黄原子である。
Ｒ^１２２及びＲ^１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ^１２５及びＲ^１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。
Ｒ^１２２〜Ｒ^１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
前記（１）の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、
前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする請求項１に記載の粒子。

（式（Ｘ１）中、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ^１８〜Ｒ^３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物である、請求項１又は２に記載の粒子。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
前記表面修飾剤層は、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩及びイオンからなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする請求項２又は３に記載の粒子。
請求項１〜４のいずれか一項に記載の粒子と、下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む組成物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（４−１）重合体
請求項１〜４のいずれか一項に記載の粒子を含むフィルム。
請求項６に記載のフィルムを含む積層構造体。
請求項７に記載の積層構造体を備える発光装置。
請求項７に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。