JP2019062244A - Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】裏面に環状凸部の形成された半導体ウエハの当該裏面とリングフレームとにわたって支持用の粘着テープを精度よく貼り付ける。【解決手段】リングフレームfに貼り付けられた粘着テープTとウエハWの裏面を近接対向させた状態で、一対のハウジングの一方に半導体ウエハWを収納保持するとともに、粘着テープTを両ハウジングによって挟み込んでチャンバを形成する。粘着テープTによって仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせるとともに、粘着テープTを加熱しながら凹入湾曲させてウエハWの裏面に貼り付ける。差圧および加熱を解消させた後に粘着テープTを再加熱しながら粘着テープTをウエハWに貼り付ける。【選択図】図25An adhesive tape for supporting is accurately adhered over a back surface of a semiconductor wafer having an annular convex portion formed on the back surface and a ring frame. A semiconductor wafer W is housed and held in one of a pair of housings with the adhesive tape T stuck to a ring frame f and the back surface of the wafer W closely facing each other, and the adhesive tape T is held by both housings. A chamber is formed by being sandwiched. A pressure difference is generated in two spaces in the chamber separated by the adhesive tape T, and the adhesive tape T is bent in a concave shape while being heated and is adhered to the back surface of the wafer W. After eliminating the differential pressure and heating, the adhesive tape T is attached to the wafer W while the adhesive tape T is reheated. [Selection] Fig. 25
Description
本発明は、支持用の粘着テープを介してリングフレームの中央に半導体ウエハ(以下、適宜に「ウエハ」という)をマウントする半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting method for mounting a semiconductor wafer (hereinafter, appropriately referred to as a “wafer”) at the center of a ring frame via a supporting adhesive tape.
裏面研削によって剛性の低下するウエハを補強するために、裏面外周を残して中央部分のみを研削している。すなわち、ウエハの裏面外周に環状凸部を形成している。ウエハをダイシング処理する前に、支持用の粘着テープを介してリングフレームの中央に当該ウエハをマウントしている。 In order to reinforce the wafer whose rigidity is reduced by back grinding, only the central portion is ground leaving the back outer periphery. That is, the annular convex portion is formed on the outer periphery of the back surface of the wafer. Before dicing the wafer, the wafer is mounted at the center of the ring frame via a supporting adhesive tape.
例えば、上下一対のハウジングの下ハウジングに設けられた保持テーブルにウエハを載置保持し、下ハウジングを外囲するフレーム保持テーブルにリングフレームを保持する。当該リングフレームに粘着テープを貼り付けた後に、両ハウジングによってリングフレームの内側の粘着テープを挟み込んでチャンバ構成する。このとき、粘着テープとウエハ裏面とが近接対向されているので、粘着テープで仕切られた2つの空間に差圧を生じさせるとともに、半球状の弾性体で粘着テープの中央から外向き放射状に粘着テープを押圧してウエハ裏面に貼り付けてゆく。 For example, the wafer is placed and held on the holding table provided on the lower housing of the upper and lower pair of housings, and the ring frame is held on the frame holding table surrounding the lower housing. After adhering the adhesive tape to the ring frame, the adhesive tape on the inner side of the ring frame is sandwiched by both housings to form a chamber. At this time, since the adhesive tape and the back surface of the wafer are closely opposed to each other, a differential pressure is generated in the two spaces partitioned by the adhesive tape, and the hemispherical elastic body adheres radially outward from the center of the adhesive tape. The tape is pressed and attached to the back of the wafer.
粘着テープの貼り付け完了後に、環状凸部の内側角部で接着しきれずに浮き上がっている粘着テープに第1押圧部材から気体を吹き付けて2回目の貼付け処理を行っている(特許文献1を参照)。 After completion of the application of the adhesive tape, the first pressing member blows a gas from the first pressing member onto the adhesive tape which is not fully adhered at the inner corner portion of the annular convex portion and performs the second attaching process (see Patent Document 1) ).
従来の粘着テープの貼付け方法では、環状凸部の内側角部に粘着テープを密着させることができる。しかしながら、粘着テープを貼り付けてから時間が経過するしたがって、当該角部からウエハ中心に向けて粘着テープが剥がれてゆくといった問題が生じている。 In the conventional adhesive tape bonding method, the adhesive tape can be adhered to the inner corner of the annular convex portion. However, since time passes after the adhesive tape is attached, there is a problem that the adhesive tape peels from the corner toward the center of the wafer.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、裏面に環状凸部の形成された半導体ウエハの当該裏面に粘着テープを効率よく貼り付けるとともに、当該粘着テープが半導体ウエハの裏面から剥がれるのを抑制することができる半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an adhesive tape is efficiently attached to the back surface of a semiconductor wafer having an annular convex portion formed on the back surface, and the adhesive tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer. A main object of the present invention is to provide a semiconductor wafer mounting method and a semiconductor wafer mounting device that can suppress peeling.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、支持用の粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハをマウントする半導体ウエハのマウント方法であって、
前記半導体ウエハは、裏面外周に環状凸部を有し、
前記リングフレームに貼り付けられた粘着テープと半導体ウエハの裏面を近接対向させた状態で、一対のハウジングの一方に備えられた保持テーブルで当該半導体ウエハを保持するとともに、粘着テープを両ハウジングによって挟み込んでチャンバを形成する過程と、
前記粘着テープによって仕切られたハウジング内の2つの空間に差圧を生じさせるとともに、当該粘着テープを加熱しながら凹入湾曲させて半導体ウエハの裏面に貼り付ける第1貼付け過程と、
前記チャンバでの差圧および加熱を解消させた後に、粘着テープを再加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け過程と、
を備えたことを特徴とする。
The present invention has the following configuration in order to achieve such an object.
That is, it is a method of mounting a semiconductor wafer in which a semiconductor wafer is mounted on a ring frame through an adhesive tape for support.
The semiconductor wafer has an annular convex portion on the outer periphery of the back surface,
The semiconductor wafer is held by a holding table provided on one of a pair of housings in a state where the adhesive tape attached to the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer are closely opposed to each other, and the adhesive tape is sandwiched by both housings. Forming a chamber with
A first bonding process of generating a differential pressure in two spaces in the housing partitioned by the adhesive tape and indenting and curving the adhesive tape while heating the adhesive tape to affix the back surface of the semiconductor wafer;
A second affixing step of adhering the adhesive tape while reheating the adhesive tape after eliminating the differential pressure and heating in the chamber;
It is characterized by having.
(作用・効果) 上記方法によれば、加熱して粘着テープを軟化させている。この状態でチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせることにより、粘着テープをウエハ裏面に向けて凹入湾曲させることができる。すなわち、半導体ウエハの中央から外周に向けて放射状に粘着テープを延伸しながら貼り付けてゆく。したがって、粘着テープと半導体ウエハの接着界面でのエアーの巻き込みを抑制することができる。 (Operation / Effect) According to the above method, heating is performed to soften the adhesive tape. By creating a differential pressure in the two spaces in the chamber in this state, the adhesive tape can be concavely curved toward the back surface of the wafer. That is, the adhesive tape is attached while being stretched radially from the center to the outer periphery of the semiconductor wafer. Therefore, the entrapment of air at the adhesive interface between the adhesive tape and the semiconductor wafer can be suppressed.
また、粘着テープの凹入湾曲に伴って、半導体ウエハの外周に向かうにつれて粘着テープに作用するテンションが大きくなる。それ故に、第1貼付け過程で半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープは、環状凸部の内側角部およびその近傍において全面で接触または部分的に接触して密着しきれていない。 Further, along with the concave curvature of the adhesive tape, the tension acting on the adhesive tape increases toward the outer periphery of the semiconductor wafer. Therefore, the pressure-sensitive adhesive tape attached to the semiconductor wafer in the first affixing process does not contact or partially contact the entire surface at and near the inner corner of the annular convex portion.
その後、チャンバ内を大気状態に戻すことによって差圧が解消されると、貼り付け時のテンションによって粘着テープに蓄積されている引張応力が当該粘着テープに作用して時間の経過とともに角部から剥がれてくる。当該第1貼付け過程での剥がれの原因は、テンションによる弾性変形を主とした粘着テープの伸びおよび充分に軟化しきれていない粘着剤の少なくとも一方が起因している。 Thereafter, when the pressure difference is eliminated by returning the inside of the chamber to the atmospheric state, the tensile stress accumulated in the adhesive tape by the tension at the time of application acts on the adhesive tape and peels off from the corner over time. Come. The cause of peeling in the first application process is at least one of the elongation of the pressure-sensitive adhesive tape mainly based on elastic deformation due to tension and the pressure-sensitive adhesive which is not sufficiently softened.
しかしながら、第1貼付け過程後の第2貼付け過程で粘着テープを再加熱することにより、角部近傍の粘着テープに対して塑性変形を主とした変形および粘着剤を充分に軟化させるかの少なくとも一方を作用させることができるので、半導体ウエハから粘着テープが剥がれるのを抑制させることができる。 However, by reheating the adhesive tape in the second affixing process after the first affixing process, at least one of the deformation of the adhesive tape in the vicinity of the corner and the pressure-sensitive adhesive is sufficiently softened. As a result, it is possible to suppress peeling of the adhesive tape from the semiconductor wafer.
なお、上記方法において、第1貼付け過程のチャンバから搬出して異なる保持テーブルに半導体ウエハを搬送しながら粘着テープを室温の大気にさらした後に、当該保持テーブル上で半導体ウエハを加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け過程を行うことが好ましい。 In the above method, after the adhesive tape is exposed to the atmosphere at room temperature while being carried out of the chamber in the first affixing process and transferred to the different holding table, the adhesive tape is heated while heating the semiconductor wafer on the holding table. It is preferable to perform the 2nd affixing process which pastes.
この方法によれば、半導体ウエハは、他の保持テーブルへの搬送過程で室温の大気に粘着テープがさらされるので、粘着テープの基材が僅に冷却されて硬化する。したがって、半導体ウエハに密着した部分の粘着テープが固着しやすくなる。 According to this method, since the adhesive tape is exposed to the air at room temperature in the process of transfer to another holding table, the base material of the adhesive tape is slightly cooled and hardened. Therefore, the adhesive tape in the portion in close contact with the semiconductor wafer is easily fixed.
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 Moreover, this invention takes the following structures in order to achieve such an object.
すなわち、支持用の粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハをマウントする半導体ウエハのマウント装置であって、
裏面外周に環状凸部を有する前記半導体ウエハを保持する第1保持テーブルと、
前記粘着テープの貼り付けられたリングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記第1保持テーブルを収納するとともに、リングフレームに貼り付けられた粘着テープを挟み込む一対のハウジングからなるチャンバと、
前記チャンバ内の粘着テープを加熱する第1加熱器と、
前記粘着テープにより仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせ、加熱されている粘着テープを凹入湾曲させながら半導体ウエハの裏面に貼り付けさせる制御部とを含む第1貼付け機構と、
前記第1貼付け機構で粘着テープに半導体ウエハを貼り付けられてなるマウントフレームを保持する第2保持テーブルと、
前記第2保持テーブル上で粘着テープを再加熱する第2加熱器と、
前記第1貼付け機構から第2保持テーブルに前記マウントフレームを搬送する搬送機構と、
前記チャンバでの差圧および前記第1加熱器による加熱を解消させた後に、粘着テープを前記第2加熱器で再加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け機構と、
を備えたことを特徴とする。
That is, it is a semiconductor wafer mounting apparatus for mounting a semiconductor wafer on a ring frame through a supporting adhesive tape,
A first holding table for holding the semiconductor wafer having an annular convex portion on the outer periphery of the back surface;
A frame holding unit for holding the ring frame to which the adhesive tape is attached;
A chamber comprising a pair of housings which accommodate the first holding table and sandwich the adhesive tape attached to the ring frame;
A first heater for heating the adhesive tape in the chamber;
A control unit for generating a differential pressure in two spaces in the chamber partitioned by the adhesive tape and attaching the heated adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while making it concavely curved; ,
A second holding table for holding a mount frame formed by bonding a semiconductor wafer to an adhesive tape by the first bonding mechanism;
A second heater for reheating the adhesive tape on the second holding table;
A transport mechanism for transporting the mount frame from the first bonding mechanism to the second holding table;
A second bonding mechanism for bonding the adhesive tape while reheating the adhesive tape with the second heater after eliminating the differential pressure in the chamber and the heating by the first heater;
It is characterized by having.
(作用・効果) この構成によれば、第1貼付け機構によって半導体ウエハの裏面全体に粘着テープを貼り付けることができる。その後、第2保持テーブル上で既にリングフレームにマウントされた半導体ウエハは、環状凸部の内側の角部近傍から角部にかけての粘着テープが再加熱される。すなわち、半導体ウエハに密着しきれていない部分のみをウエハに密着させることができる。したがって、上記方法を好適に実施することができる。 (Operation and Effect) According to this configuration, the adhesive tape can be attached to the entire back surface of the semiconductor wafer by the first attaching mechanism. Thereafter, in the semiconductor wafer already mounted on the ring frame on the second holding table, the adhesive tape from the vicinity of the inner corner to the corner of the annular convex portion is reheated. That is, only the part that is not in close contact with the semiconductor wafer can be in close contact with the wafer. Therefore, the above method can be suitably implemented.
なお、上記構成において、第1貼付け機構は、リングフレームを被覆する大きさの粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記リングフレームとハウジングの一方の接合部に粘着テープを貼り付けるテープ貼付け機構と、
前記リングフレーム上で粘着テープを切断する切断機構と、
円形に切り抜かれた粘着テープを剥離する剥離する剥離機構と、
剥離後の前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えることが好ましい。
In the above configuration, the first bonding mechanism may include a tape supply unit that supplies an adhesive tape of a size that covers the ring frame.
A tape application mechanism for applying an adhesive tape to one of the joint portions of the ring frame and the housing;
A cutting mechanism for cutting the adhesive tape on the ring frame;
A peeling mechanism that peels off the circularly cut adhesive tape;
A tape recovery unit for recovering the adhesive tape after peeling;
Preferably,
この構成によれば、チャンバ内で粘着テープを半導体ウエハの裏面に貼り付けている過程で、当該粘着テープを切断することができる。したがって、粘着テープの貼り付け時間を短縮することができる。 According to this configuration, the adhesive tape can be cut in the process of attaching the adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer in the chamber. Therefore, the sticking time of the adhesive tape can be shortened.
本発明の半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置によれば、裏面外周に環状凸部の形成された半導体ウエハの裏面に貼り付けた支持用の粘着テープが、当該環状凸部の内側角部から剥がれるのを抑制することができる。 According to the semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting method of the present invention, the adhesive tape for support attached to the back surface of the semiconductor wafer having the annular convex portion formed on the outer periphery of the back surface is the inner corner of the annular convex portion. It is possible to suppress peeling from the part.
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<半導体ウエハ>
半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という)は、図1ないし図3に示すように、パターンが形成された表面に保護テープPTが貼り付けられて表面が保護された状態でバックグラインド処理されたものである。その裏面は、外周部を径方向に約2mmを残して研削(バックグラインド)されている。すなわち、裏面に扁平凹部bが形成されるとともに、その外周に沿って環状凸部rが残存された形状に加工されたものが使用される。例えば、扁平凹部bの深さdが数百μm、研削域のウエハ厚さtが数十μmになるよう加工されている。したがって、裏面外周に形成された環状凸部rは、ウエハWの剛性を高める環状リブとして機能し、ハンドリングやその他の処理工程におけるウエハWの撓み変形を抑止する。
<Semiconductor wafer>
As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) is backgrind processed in a state where the protective tape PT is attached to the surface on which the pattern is formed to protect the surface. It is done. The back surface is back-grounded leaving an outer peripheral portion of about 2 mm in the radial direction. That is, while the flat recessed part b is formed in a back surface, what was processed into the shape by which the cyclic | annular convex part r was left along the outer periphery is used. For example, it is processed so that the depth d of the flat recess b may be several hundred μm, and the wafer thickness t in the grinding area may be several tens μm. Therefore, the annular convex portion r formed on the outer periphery of the back surface functions as an annular rib that enhances the rigidity of the wafer W, and suppresses the bending deformation of the wafer W in handling and other processing steps.
<半導体ウエハのマウント装置>
図4に半導体ウエハのマウント装置の平面図が示されている。
<Mounting device for semiconductor wafer>
A plan view of a semiconductor wafer mounting apparatus is shown in FIG.
このマウント装置は、図4に示すように、横長の矩形部Aとこの矩形部Aの中央部で連接して上側に突出する突出部Bとからなる凸形に構成された基本ユニットと、突出部Bの左横のスペースで基本ユニットに連結されたマーキングユニットCを備えた構成になっている。なお、以後の説明において、矩形部Aの長手方向を左右方向、これと直交する水平方向を下側および上側と呼称する。 As shown in FIG. 4, this mounting apparatus has a convex basic unit formed of a horizontally long rectangular portion A and a projecting portion B which is connected at the central portion of the rectangular portion A and protrudes upward, and a protrusion It is configured to have a marking unit C connected to the basic unit in a space on the left side of part B. In the following description, the longitudinal direction of the rectangular portion A will be referred to as the left and right direction, and the horizontal direction orthogonal to this will be referred to as the lower side and the upper side.
矩形部Aの右側にウエハ搬送機構1が配備されている。矩形部Aの下側の右寄りにウエハWを収容した2個の容器2が並列に載置されている。矩形部Aの下側の左端には、ウエハWのマウントを完了した図24に示すマウントフレームMFを回収する回収部3が配備されている。
The
矩形部Aの上側の右からアライナ4、第1保持テーブル5、フレーム供給部6および反転ユニット7の順に配備されている。反転ユニット7の下方に後述する第2保持テーブル8が配備されている。また、反転ユニット7の上方でスライド移動するプッシャ9が配備されている。
The
突出部Bは、支持用の粘着テープT(ダイシングテープ)をリングフレームfに貼り付けるとともに、当該粘着テープTをウエハWに貼り付ける第1貼付けユニット10になっている。
The protruding portion B is a
ウエハ搬送機構1には、図5に示すように、矩形部Aの上部に左右水平に架設された案内レール14の右側に左右往復移動可能に支持されたウエハ搬送装置15と、案内レール14の左側に左右移動可能に支持されたフレーム搬送装置16とが備えられている。
In the
ウエハ搬送装置15は、容器2のいずれか一方から取り出したウエハWを左右および前後に搬送するとともに、ウエハWの姿勢を表裏反転することができるよう構成されている。
The
ウエハ搬送装置15は、図6および図8に示すように、案内レール14に沿って左右移動可能な左右移動可動台18が装備されている。この左右移動可動台18に備えられた案内レール19に沿って前後移動可能に前後移動可動台20が装備されている。さらに、この前後移動可動台20の下部にウエハWを保持する保持ユニット21が上下移動可能に装備されている。
As shown in FIGS. 6 and 8, the
図6および図7に示すように、案内レール14の右端近くにはモータ22で正逆転駆動される駆動プーリ23が軸支されるとともに、案内レール14の中央側には遊転プーリ24が軸支されている。これら駆動プーリ23と遊転プーリ24とに亘って巻き掛けられたベルト25に、左右移動可動台18のスライド係合部18aが連結され、ベルト25の正逆回動によって左右移動可動台18が左右に移動されるようになっている。
As shown in FIGS. 6 and 7, a
図9に示すように、左右移動可動台18の上端近くにはモータ26で正逆転駆動される駆動プーリ27が軸支されるとともに、左右移動可動台18の下端近くには遊転プーリ28が軸支されている。これら駆動プーリ27と遊転プーリ28とに亘って巻き掛けられたベルト29に、前後移動可動台20のスライド係合部20aが連結され、ベルト29の正逆回動によって前後移動可動台20が前後に移動されるようになっている。
As shown in FIG. 9, a
図8に示すように、保持ユニット21は、前後移動可動台20の下部に連結された逆L字形の支持フレーム30、この支持フレーム30の縦枠部に沿ってモータ31でネジ送り昇降される昇降台32、昇降台32に回動軸33を介して縦向き支軸p周りに旋回可能に軸支された回動台34、回動軸33にベルト35を介して巻き掛け連動された旋回用モータ、回動台34の下部に回動軸37を介して水平向き支軸q周りに反転回動可能に軸支された保持アーム38、回動軸37にベルト39を介して巻き掛け連動された反転用モータ40などで構成されている。
As shown in FIG. 8, the holding
保持アーム38は馬蹄形をしている。保持アーム38の保持面には、僅かに突出した複数個の吸着パッド41が設けられている。また、保持アーム38は、その内部に形成された流路と、この流路の基端側で連接された接続流路を介して圧空装置に連通接続されている。
The holding
上記した可動構造を利用することで、吸着保持したウエハWを保持アーム38によって前後移動、左右移動、および、縦向き支軸p周りに旋回移動するとともに、図8に示す水平向き支軸q周りの反転回動によってウエハWを表裏反転することができるようになっている。
By using the movable structure described above, the wafer W held by suction is moved back and forth, moved leftward and rightward, and pivoted about the vertical support shaft p by the holding
フレーム搬送装置16は、図10に示すように、前後移動可動台43の下部に連結された縦枠44、この縦枠44に沿ってスライド昇降可能に支持された昇降枠45、昇降枠45を上下動させる屈伸リンク機構46、この屈伸リンク機構46を正逆屈伸駆動するモータ47、昇降枠45の下端に装備されたウエハWを吸着する吸着プレート48およびリングフレームfを吸着するために当該吸着プレート48の周りに配備された複数個の吸着パッド49などから構成されている。したがって、フレーム搬送装置16は、第1保持テーブル5に載置保持されたリングフレームfおよびマウントフレームMFを吸着保持して、昇降および前後左右に搬送することができる。吸着パッド49は、リングフレームfのサイズに対応して水平方向にスライド調節可能になっている。
As shown in FIG. 10, the
第1保持テーブル5は、図15ないし図17に示すように、ウエハWと同形状以上の大きさを有する金属製のチャックテーブルであり、流路94を介して外部の真空装置95と連通接続されている。また、第1保持テーブル5は、複数本の支持用のピン50を装備している。
The first holding table 5 is a metal chuck table having a size equal to or larger than that of the wafer W, as shown in FIGS. 15 to 17, and is communicatively connected to an
ピン50は、第1保持テーブル5の所定の円周上に等間隔をおいて配備されている。すなわち、ピン50は、シリンダなどのアクチュエータによって第1保持テーブル5の保持面で出退昇降可能に構成れている。なお、ピン50の先端は、絶縁物で構成されているか、あるいは絶縁物で被覆されている。
The
この第1保持テーブル5は、ウエハWの外周領域のみを当接支持する環状凸部が形成されている。また、内部にヒータ107が埋設されている。また、第1保持テーブル5は、後述するチャンバ11を構成する下ハウジング11Aに収納されている。下ハウジング11Aは、当該下ハウジング11Aを外囲するフレーム保持部51を備えている。フレーム保持部51は、リングフレームfを載置したとき、リングフレームfと下ハウジング11Aの円筒頂部とが平坦になるように構成されている。
The first holding table 5 is formed with an annular convex portion that contacts and supports only the outer peripheral region of the wafer W. Also, the
なお、図4に示すように、第1保持テーブル5は、図示しない駆動機構によって矩形部AのウエハWをセットする位置と突出部Bの第1テープ貼付ユニット10の貼付け位置の間に敷設されたレール58に沿って往復移動可能に構成されている。
As shown in FIG. 4, the first holding table 5 is laid between the position where the wafer W in the rectangular portion A is set and the position where the first
フレーム供給部6は、所定枚数のリングフレームfを積層収納した引き出し式のカセットを収納する。 The frame supply unit 6 stores a pullout-type cassette in which a predetermined number of ring frames f are stacked and stored.
反転ユニット7は、図11および図12に示すように、立設固定された縦レール59に沿って昇降可能な昇降台60に、回転アクチュエータ61によって水平支軸r周りに回動可能な受け枠62が片持ち状に装着されるとともに、受け枠62の基部と先端部にチャック爪63がそれぞれ支軸s周りに回動可能に装備されている。反転ユニット7は、回路面が下向きのマウントフレームMFをフレーム搬送装置16から受け取って反転した後、回路パターン面を上向きにする。
As shown in FIGS. 11 and 12, the reversing
第2保持テーブル8は、反転ユニット7の真下のマウントフレームMFの受け取り位置とマーキングユニットCの印字位置の間をレール58Cに沿って往復移動する。第2保持テーブル8は、図25に示すように、マウントフレームMFの裏面全体を吸着保持可能な大きさのチャックテーブルである。当該第2保持テーブル8は。金属製またはセラミックの多孔質で形成されている。なお、第2保持テーブル8には、ヒータが埋設されている。
The second holding table 8 reciprocates along the
プッシャ9は、第2保持テーブル8に載置されたマウントフレームMFをマウントフレーム回収部3に収納させる。その具体的な構成は、図13および図14に示されている。
The
プッシャ11は、レール64に沿って左右水平に移動する可動台65の上部に、固定受け片66とシリンダ67で開閉されるチャック片68を備えている。これら固定受け片66とチャック片68でマウントフレームMFの一端部を上下から挟持するよう構成されている。また、モータ69で回動されるベルト70に可動台65の下部が連結されており、モータ69の正逆作動によって可動台65を左右に往復移動させるようになっている。
The
第1貼付けユニット10は、図15に示すように、テープ供給部71、セパレータ回収部72、テープ貼付け部73およびテープ回収部74などから構成されている。以下、各構成について詳述する。
As shown in FIG. 15, the
テープ供給部71は、支持用の粘着テープTが巻回された原反ロールの装填された供給ボビンから当該粘着テープTを貼付け位置に供給する過程で剥離ローラ75によってセパレータSを剥離するよう構成されている。なお、供給ボビンは、電磁ブレーキに連動連結されて適度の回転抵抗がかけられている。したがって、供給ボビンから過剰なテープの繰り出しが防止されている。
The
また、テープ供給部71は、シリンダ76に連結された揺動アーム77を揺動させることによって先端のダンサローラ78で粘着テープTを下方に押し下げてテンションを付与するように構成されている。
The
セパレータ回収部72は、粘着テープTから剥離されたセパレータSを巻き取る回収ボビンが備えられている。この回収ボビンは、モータよって正逆に回転駆動制御されるようになっている。
The
テープ貼付け部73は、チャンバ11、テープ貼付け機構81およびテープ切断機構82などから構成されている。なお、テープ貼付け機構81は、本発明の貼付け機構に、テープ切断機構82は、切断機構にそれぞれ相当する。
The
チャンバ11は、矩形部Aとテープ貼付け部73を往復移動する下ハウジング11Aと突出部Bで昇降可能に構成された上ハウジング11Bとから構成されている。両ハウジング11A、11Bは、粘着テープTの幅よりも小さい内径を有する。なお、下ハウジング11Aは、の円筒上部は、丸みを有するとともに、フッ素加工などの離型処理が施されている。
The
上ハウジング11Bは、図16に示すように、昇降駆動機構84に備えてられている。この昇降駆動機構84は、縦壁85の背部に縦向きに配置されたレール86に沿って移動可能な昇降台87、この昇降台87に高さ調節可能に支持された可動枠88、この可動枠88から前方に向けて延出されたアーム89を備えている。このアーム89の先端部から下方に延出する支軸90に上ハウジング11Bが装着されている。
The
昇降台87は、ネジ軸91をモータ92によって正逆転することでねじ送り昇降されるようになっている。
The lifting table 87 is configured to be screw fed and raised and lowered by rotating the
両ハウジング11A、11Bには、図17に示すように、流路94を介して真空装置95と連通接続されている。なお、上ハウジング11B側の流路94には、電磁バルブ96を備えている。また、両ハウジング11A、11Bには、大気開放用の電磁バルブ97、98を備えた流路99がそれぞれ連通接続されている。さらに、上ハウジング11Bには、一旦減圧した内圧をリークにより調整する電磁バルブ100を備えた流路101が連通接続されている。なお、これら電磁バルブ96、97、98、100の開閉操作および真空装置95の作動は、制御部102によって行われている。
Both the
図15に戻り、テープ貼付け機構81は、第1保持テーブル5を挟んで装置基台103に立設された左右一対の支持フレーム104に架設された案内レール105、案内レール105に沿って左右水平に移動する可動台106、この可動台106に備わったシリンダの先端に連結されたブラケットに軸支された貼付けローラ109、テープ回収部72側に配備されたニップローラ110とから構成されている。
Referring back to FIG. 15, the
可動台106は、装置基台103に固定配備された駆動装置に軸支された正逆転させる駆動プーリ111と支持フレーム104側に軸支された遊転プーリ112とに巻き掛けられたベルト113によって駆動伝達され、案内レール105に沿って左右水平移動するように構成されている。
The movable table 106 is constituted by a
ニップローラ110は、モータにより駆動する送りローラ114とシリンダによって昇降するピンチローラ115とから構成されている。
The
テープ切断機構82は、図16に示すように、上ハウジング11Bを昇降させる昇降駆動機構84に配備されている。つまり、ベアリング116を介して支軸90周りに回転するボス部117を備えている。このボス部117に、図18に示すように、中心に径方向に延伸する4本の支持アーム118から121を備えている。
The
一方の支持アーム118の先端に、円板形のカッタ122を水平軸支したカッタブラケット123が上下移動可能に装着されるとともに、他の支持アーム119から121の先端に押圧ローラ124が揺動アーム125を介して上下移動可能に装着されている。
A
ボス部117の上部には連結部126を有し、この連結部126にアーム89に備わったモータ127の回転軸と駆動連結されている。
A
テープ回収部74は、図15に示すように、切断後に剥離された不要な粘着テープTを巻き取る回収ボビンが備えられている。この回収ボビンは、図示されていないモータよって正逆に回転駆動制御されるようになっている。
As shown in FIG. 15, the
マーキングユニットCは、ウエハWに刻印されているIDを光学センサなどのリーダで読み取り当該IDを例えば2次元または3次元にバーコード化し、当該バーコードを印刷して貼り付けるよう構成されている。 The marking unit C is configured to read the ID imprinted on the wafer W with a reader such as an optical sensor, for example, to bar code the ID into a two-dimensional or three-dimensional one, and print and attach the bar code.
回収部3は、図5に示すように、マウントフレームMFを積載して回収するカセット130が配備されている。このカセット130は、装置フレーム131に連結固定された縦レール132と、この縦レール132に沿ってモータ133でネジ送り昇降される昇降台134が備えられている。したがって、回収部3は、マウントフレームMFを昇降台134に載置してピッチ送り下降するよう構成されている。
As shown in FIG. 5, the
次に、上記実施例装置を用い粘着テープTを介してリングフレームfにウエハWをマウントする動作について説明する。 Next, the operation of mounting the wafer W on the ring frame f through the adhesive tape T using the apparatus of the above embodiment will be described.
フレーム供給部6から下ハウジング11Aのフレーム保持部51へのリングフレームfの搬送と容器2から第1保持テーブル5へのウエハWの搬送とが同時に実行される。
The transfer of the ring frame f from the frame supply unit 6 to the
一方のフレーム搬送装置16は、フレーム供給部6からリングフレームfを吸着してフレーム保持部51に移載する。フレーム保持部51が吸着を解除して上昇すると、支持ピンによってリングフレームfの位置合わせを行う。すなわち、リングフレームfは、フレーム保持部51にセットされた状態でウエハWが搬送されてくるまで待機している。
One
他方の搬送装置15は、多段に収納されたウエハWの同士の間に保持アーム38を挿入し、ウエハWの回路形成面から保護テープPTを介して吸着保持して搬出し、アライナ4に搬送する。
The
アライナ4は、その中央から突出した吸着パッドによりウエハWの中央を吸着する。同時に、搬送装置15は、ウエハWの吸着を解除して上方に退避する。アライナ4は、吸着パッドでウエハWを保持して回転させながらノッチなどに基づいて位置合わせを行う。
The
位置合わせが完了すると、ウエハWを吸着した吸着パッドをアライナ4の面から突出させる。その位置に搬送装置15が移動し、ウエハWを表面側から吸着保持する。吸着パッドは、吸着を解除して下降する。
When alignment is completed, the suction pad holding the wafer W is protruded from the surface of the
搬送装置15は、第1保持テーブル5上に移動し、保護テープ付きの面を下向きにしたまま第1保持テーブル5から突出している支持用のピン50にウエハWを受け渡す。ピン50は、ウエハWを受け取ると下降する。
The
第1保持テーブル5およびフレーム保持部51がウエハWを吸着し、フレーム保持部51がリングフレームfを吸着保持すると、下ハウジング11Aはレール58に沿ってテープ貼付機構82側へと移動する。
When the first holding table 5 and the
図19に示すように、下ハウジング11Aがテープ貼付機構82のテープ貼付け位置に達すると貼付けローラ109が下降し、図20に示すように、粘着テープT上を転動しながらリングフレームfと下ハウジング11Aの頂部とにわたって粘着テープTを貼り付ける。この貼付けローラ109の移動に連動してテープ供給部71から所定量の粘着テープTがセパレータSを剥離されながら繰り出される。
As shown in FIG. 19, when the
リングフレームfへの粘着テープTの貼り付けが完了すると、図21に示すように、上ハウジング11Bが下降する。この下降に伴って、ウエハWの外周からリングフレームfの内径の間で粘着面が露出している粘着テープTを上ハウジング11Bと下ハウジング11Aによって挟持してチャンバ11を構成する。このとき、粘着テープTがシール材として機能するとともに、上ハウジング11B側と下ハウジング11B側とを分割して2つの空間を形成する。
When the application of the adhesive tape T to the ring frame f is completed, as shown in FIG. 21, the
下ハウジング11A内に位置するウエハWは、粘着テープTと所定のクリアランスを有して近接対向いている。
The wafer W located in the
制御部102は、ヒータ107を作動させて下ハウジング11A側から粘着テープTを加熱するとともに、図16に示す電磁バルブ97、98、100を閉じた状態で、真空装置95を作動させて上ハウジング11B内と下ハウジング11A内を減圧する。このとき、両ハウジング11A、11B内が同じ速度で減圧してゆくように、電磁バルブ96の開度を調整する。
The
両ハウジング11A、11B内が所定の気圧まで減圧されると、制御部102は、電磁バルブ96を閉じるとともに、真空装置95の作動を停止する。
When the pressure in the two
制御部102は、電磁バルブ100の開度を調整してリークさせながら上ハウジング11B内を所定の気圧まで徐々に高める。このとき、下ハウジング11A内の気圧が上ハウジング11B内の気圧よりも低くなりその差圧によって、図22に示すように、粘着テープTがその中心から下ハウジング11A側に引き込まれてゆく。すなわち、粘着テープTは、凹入湾曲しながらウエハWの中心から外周に向けて放射状に貼付けられてゆく。このとき、環状凸部rの内側の角部のエアーは抜気され、間隙が潰された状態で粘着テープTが接着している。
The
予め設定された気圧に上ハウジング11B内が達すると、制御部102は、電磁バルブ98の開度を調整して下ハウジング11A内の気圧を上ハウジング11B内の気圧と同じにする。その後、制御部102は、図23に示すように、上ハウジング11Bを上昇させて上ハウジング11B内を大気開放するとともに、電磁バルブ98を全開にして下ハウジング11A側も大気開放する。
When the pressure in the
なお、チャンバ11内で粘着テープTをウエハWに貼付けている間に、テープ切断機構82が作動する。このとき、図21および図22に示すように、カッタ122がリングフレームfに貼り付けられた粘着テープTをリングフレームfの形状に切断するとともに、押圧ローラ124がカッタ122に追従してリングフレームf上のテープ切断部位を転動しながら押圧してゆく。つまり、上ハウジング11Bが下降して下ハウジング11Aによってチャンバ11を構成したとき、図15に示すように、テープ切断機構82のカッタ122と押圧ローラ124も切断作用位置に到達している。
While the adhesive tape T is attached to the wafer W in the
上ハウジング11Bを上昇させた時点でウエハWへの粘着テープTの第1貼り付けおよび粘着テープTの切断は完了しているので、ピンチローラ115を上昇させて粘着テープTのニップを解除する。その後、ニップローラ115を移動させてテープ回収部74に向けて切断後の不要な粘着テープTを巻き取り回収してゆくとともに、テープ供給部71から所定量の粘着テープTを繰り出す。
Since the first application of the adhesive tape T to the wafer W and the cutting of the adhesive tape T are completed when the
粘着テープTの剥離が完了し、ニップローラ115および貼付けローラ109が初期位置に戻ると、図23に示すように、リングフレームfと裏面に粘着テープTが接着されているマウントフレームMFを保持したまま、下ハウジング11Aは矩形部A側の搬出位置に移動する。
When the peeling of the adhesive tape T is completed and the
搬出位置に到達したマウントフレームMFは、フレーム搬送装置16から反転ユニット7に受け渡される。反転ユニット7は、マウントフレームMFを保持した状態で上下を反転する。すなわち、回路パターン面が上向きとなる。反転ユニット7は、図25に示すように、マウントフレームMFを上下反転した状態で第2保持テーブル8に載置する。
The mount frame MF that has reached the unloading position is delivered from the
ウエハWは、第2保持テーブル8に埋設されたヒータ108によって再加熱による第2貼付け処理が実行される。この処理時間は、チャンバ11によって第1貼付け処理を行っている時間と同じに設定されている。第2貼付け処理が完了すると、第2保持テーブル8は、レール58Cに沿ってマーキングユニットCの印字位置(ラベル貼付け位置)へと移動する。貼付け位置に第2保持テーブル8が到達すると光学センサまたはカメラなどによってウエハWに刻印されているIDを読み取る。マーキングユニットCは、当該IDに応じたラベルを作成してウエハWに貼り付ける。
The wafer W is subjected to a second bonding process by reheating by the
ラベルの貼り付けが完了すると、第2保持テーブル8は、矩形部A側の搬出位置へと移動する。第2保持テーブル8が搬出位置に到達すると、プッシャ9がマウントフレームMFを把持し、マウントフレームMFを回収部3へと搬送する。
When the attachment of the label is completed, the second holding table 8 is moved to the unloading position on the rectangular portion A side. When the second holding table 8 reaches the unloading position, the
以上で粘着テープTを介してリングフレームfにウエハWをマウントする一巡の動作が終了する。以後、マウントフレームMFが所定数に達するまで上記処理が繰り返される。 Thus, one round operation of mounting the wafer W on the ring frame f via the adhesive tape T is completed. Thereafter, the above process is repeated until the number of mount frames MF reaches a predetermined number.
上記実施例装置を用いて第1貼付けユニット10によって粘着テープを加熱せずに第1貼付け処理を行った比較例と、第1貼付けユニット10で粘着テープを加熱しながらの第1貼付け処理を行った後に第2保持テーブル8で再加熱による第2貼付け処理を行った実施例との比較実験を行った。
The comparative example which performed the 1st sticking process without heating an adhesive tape by the
利用したウエハWは、上述のように裏面に環状凸部rを形成した200mmのものを利用した。また、ウエハWの表面には保護テープPTが貼設されている。粘着テープには、日東電工(株)のWS−01を利用した。本実施例における貼付け条件は、第1貼付け過程としてチャンバ11内で差圧および加熱を利用し、第2貼付け過程として第2保持テーブル8でウエハWへの再加熱のみを利用した。第1および第2貼付け過程では差圧をかけながら80℃で1分間の加熱をした。比較例の貼付け条件は、チャンバ11で加熱せずに1分間の差圧をかけて粘着テープTをウエハWに貼り付けた。
The used wafer W utilized the 200-mm thing which formed the cyclic | annular convex part r in the back surface as mentioned above. In addition, a protective tape PT is attached to the surface of the wafer W. As the adhesive tape, WS-01 manufactured by Nitto Denko Corporation was used. The bonding conditions in the present example used differential pressure and heating in the
当該条件で粘着テープTを貼り付けた後に生じる粘着テープの剥がれの結果が、図26に示されている。すなわち、貼付け処理の完了直後から室温で72時間経過するまでに生じる剥がれを測定した。なお、剥がれは、凸部内側の角部からウエハ中心に向けて剥がれて形成された図25に示す空隙200の距離として測定した。
The result of peeling of the adhesive tape produced after sticking the adhesive tape T on the said conditions is shown by FIG. That is, the peeling which accompanies immediately after completion of affixing processing until 72 hours passes at room temperature was measured. Peeling was measured as the distance of the
測定の結果、貼り付け直後では、本実施例および比較例ともに粘着テープが密着せずに生じている空隙が0.05mmであった。しかしながら、比較例は、時間が経過するにつれて、粘着テープTの剥がれが拡大し、最終の72時間後には0.6mmに達している。 As a result of the measurement, immediately after the bonding, in the present example and the comparative example, the gap formed without the pressure-sensitive adhesive tape adhering was 0.05 mm. However, in the comparative example, as time passes, the peeling of the pressure-sensitive adhesive tape T expands and reaches 0.6 mm after the final 72 hours.
これに対して、本実施例では、剥がれは48時間後で収束して0.3mmとなっている。したがって、比較例に対して50%も改善されている。 On the other hand, in the present embodiment, the peeling converges after 48 hours and becomes 0.3 mm. Therefore, it is improved by 50% over the comparative example.
上述のように、本実施例によれば、第2保持テーブルで再加熱しながら第2貼付け処理を行うことにより、環状凸部rの内側角部近傍で密着しきれていない粘着テープTを軟化させて密着させることができる。したがって、貼付け処理後に粘着テープTが角部から剥がれて拡大するのを抑制することができる。 As described above, according to the present embodiment, by performing the second bonding process while reheating with the second holding table, the adhesive tape T which is not in close contact with the inner corner portion of the annular convex portion r is softened. It can be made to adhere closely. Therefore, it can suppress that the adhesive tape T peels from a corner and is expanded after affixing process.
また、同一条件で3回の実験を行った後に粘着テープTの弛みをそれぞれ測定した。具体的には、図27に示すように、マウントフレームMFのリングフレームfを載置し、ウエハWの自重によって落ち込む距離を粘着テープの弛みとして測定した。具体的には、弛みのない基準距離をH1として、当該H1から更に下降したH2の距離を加算して求めた。なお、測定は、ウエハWの中心で行った。 After three experiments under the same conditions, the slack of the adhesive tape T was measured. Specifically, as shown in FIG. 27, the ring frame f of the mount frame MF was placed, and the distance the wafer W fell by its own weight was measured as the slack of the adhesive tape. Specifically, the reference distance without slack is H1, and the distance of H2 further lowered from the H1 is added. The measurement was performed at the center of the wafer W.
その結果が、図28に示されている。すなわち、比較例の加熱なしに差圧のみで1回の貼付け処理を行った場合の弛みの平均が3.7mmとなった。これに対し、本実施例の差圧と加熱および再加熱による2回の貼付け処理を行った場合の弛みの平均が1.3mmとなった。すなわち、本実施例のように2回の貼付け処理を行うことにより、1回目の貼付け時に生じた粘着テープTの弛みが、2回目の貼付け時の加熱によって改善された。すなわち、上下一対のハウジングで挟み込まれて弾性変形したことにより生じた弛みは、加熱によって弾性変形が元の状態近くまで戻された。したがって、当該弛みが改善させることによって、後工程のダイシング処理において、精度よくチップに分断することができる。 The results are shown in FIG. That is, the average of the sag was 3.7 mm in the case where one bonding process was performed only with the differential pressure without heating in the comparative example. On the other hand, in the case of performing two bonding processes by the differential pressure and heating and reheating of the present example, the average of the slack was 1.3 mm. That is, the slack of adhesive tape T which arose at the time of 1st application was improved by the heating at the time of 2nd application by performing affixing process twice like a present Example. That is, the slack caused by being elastically deformed by being held between the pair of upper and lower housings is returned to the original state by the heating. Therefore, by improving the slack, it is possible to divide into chips with high accuracy in the dicing process in the subsequent step.
なお、本実施例装置では、第1貼付け処理と第2貼付け処理を異なる位置で行っているので、同一箇所で処理するのに比べて効率よく処理するこができる。 In the apparatus of this embodiment, since the first bonding process and the second bonding process are performed at different positions, processing can be performed more efficiently than processing at the same place.
なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。 In addition, it is also possible to implement this invention in the following forms.
上記実施例装置において、上ハウジング11Bにヒータを埋設し、粘着テープTを上下から加熱するように構成してもよい。
In the apparatus of the above embodiment, a heater may be embedded in the
1 … 搬送機構
5 … 第1保持テーブル
6 … フレーム供給部
7 … 反転ユニット
8 … 第2保持テーブル
9 … プッシャ
10 … 第1貼付けユニット
11 … チャンバ
11A… 下ハウジング
11B… 上ハウジング
81 … テープ貼付け機構
82 … テープ切断機構
102 … 制御部
W … 半導体ウエハ
f … リングフレーム
T … 粘着テープ
PT … 保護テープ
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記半導体ウエハは、裏面外周に環状凸部を有し、
前記リングフレームに貼り付けられた粘着テープと半導体ウエハの裏面を近接対向させた状態で、一対のハウジングの一方に備えられた保持テーブルで当該半導体ウエハを保持するとともに、粘着テープを両ハウジングによって挟み込んでチャンバを形成する過程と、
前記粘着テープによって仕切られたハウジング内の2つの空間に差圧を生じさせるとともに、当該粘着テープを加熱しながら凹入湾曲させて半導体ウエハの裏面に貼り付ける第1貼付け過程と、
前記チャンバでの差圧および加熱を解消させた後に、粘着テープを再加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け過程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 A semiconductor wafer mounting method for mounting a semiconductor wafer on a ring frame through an adhesive tape for support, comprising:
The semiconductor wafer has an annular convex portion on the outer periphery of the back surface,
The semiconductor wafer is held by a holding table provided on one of a pair of housings in a state where the adhesive tape attached to the ring frame and the back surface of the semiconductor wafer are closely opposed to each other, and the adhesive tape is sandwiched by both housings. Forming a chamber with
A first bonding process of generating a differential pressure in two spaces in the housing partitioned by the adhesive tape and indenting and curving the adhesive tape while heating the adhesive tape to affix the back surface of the semiconductor wafer;
A second affixing step of adhering the adhesive tape while reheating the adhesive tape after eliminating the differential pressure and heating in the chamber;
A method of mounting a semiconductor wafer, comprising:
前記第1貼付け過程のチャンバから搬出して異なる保持テーブルに半導体ウエハを搬送しながら粘着テープを室温の大気にさらした後に、当該保持テーブル上で半導体ウエハを加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け過程を行う
ことを特徴とする半導体ウエハのマウント方法。 In the method of mounting a semiconductor wafer according to claim 1,
The adhesive tape is exposed to the atmosphere at room temperature while being carried out of the chamber in the first affixing process and conveyed to the different holding tables while the semiconductor wafer is heated on the holding table, and then the adhesive tape is adhered A mounting method of a semiconductor wafer characterized by performing a pasting process.
裏面外周に環状凸部を有する前記半導体ウエハを保持する第1保持テーブルと、
前記粘着テープの貼り付けられたリングフレームを保持するフレーム保持部と、
前記第1保持テーブルを収納するとともに、リングフレームに貼り付けられた粘着テープを挟み込む一対のハウジングからなるチャンバと、
前記チャンバ内の粘着テープを加熱する第1加熱器と、
前記粘着テープにより仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせ、加熱されている粘着テープを凹入湾曲させながら半導体ウエハの裏面に貼り付けさせる制御部とを含む第1貼付け機構と、
前記第1貼付け機構で粘着テープに半導体ウエハを貼り付けられてなるマウントフレームを保持する第2保持テーブルと、
前記第2保持テーブル上で粘着テープを再加熱する第2加熱器と、
前記第1貼付け機構から第2保持テーブルに前記マウントフレームを搬送する搬送機構と、
前記チャンバでの差圧および前記第1加熱器による加熱を解消させた後に、粘着テープを前記第2加熱器で再加熱しながら粘着テープを貼り付ける第2貼付け機構と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 A semiconductor wafer mounting apparatus for mounting a semiconductor wafer on a ring frame through a supporting adhesive tape, comprising:
A first holding table for holding the semiconductor wafer having an annular convex portion on the outer periphery of the back surface;
A frame holding unit for holding the ring frame to which the adhesive tape is attached;
A chamber comprising a pair of housings which accommodate the first holding table and sandwich the adhesive tape attached to the ring frame;
A first heater for heating the adhesive tape in the chamber;
A control unit for generating a differential pressure in two spaces in the chamber partitioned by the adhesive tape and attaching the heated adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer while making it concavely curved; ,
A second holding table for holding a mount frame formed by bonding a semiconductor wafer to an adhesive tape by the first bonding mechanism;
A second heater for reheating the adhesive tape on the second holding table;
A transport mechanism for transporting the mount frame from the first bonding mechanism to the second holding table;
A second bonding mechanism for bonding the adhesive tape while reheating the adhesive tape with the second heater after eliminating the differential pressure in the chamber and the heating by the first heater;
A semiconductor wafer mounting apparatus comprising:
前記第1貼付け機構は、リングフレームを被覆する大きさの粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記リングフレームとハウジングの一方の接合部に粘着テープを貼り付けるテープ貼付け機構と、
前記リングフレーム上で粘着テープを切断する切断機構と、
円形に切り抜かれた粘着テープを剥離する剥離する剥離機構と、
剥離後の前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエハのマウント装置。 In the semiconductor wafer mounting apparatus according to claim 3,
The first application mechanism includes a tape supply unit for supplying an adhesive tape having a size covering a ring frame;
A tape application mechanism for applying an adhesive tape to one of the joint portions of the ring frame and the housing;
A cutting mechanism for cutting the adhesive tape on the ring frame;
A peeling mechanism that peels off the circularly cut adhesive tape;
A tape recovery unit for recovering the adhesive tape after peeling;
A semiconductor wafer mounting apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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