JP2018151445A

JP2018151445A - 表示装置

Info

Publication number: JP2018151445A
Application number: JP2017045915A
Authority: JP
Inventors: 俊文竹原; Toshibumi Takehara
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2017-03-10
Filing date: 2017-03-10
Publication date: 2018-09-27
Also published as: US20180259805A1

Abstract

【課題】湾曲した表示領域を端部に有する表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１のガラス基板と、第１のガラス基板上に位置し、第１の平坦領域と第１の湾曲領域を有する第１の基材と、第１の平坦領域と第１の湾曲領域上の電気光学素子と、電気光学素子上の第２の基材を有する表示装置が提供される。第１の基材は、第１の平坦領域において第１のガラス基板と接し、第１の湾曲領域において第１のガラス基板から離間する。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態の一つは、表示装置、およびその製造方法に関する。

表示装置の代表例として液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が知られている。なかでも液晶表示装置はフラットパネルディスプレイとして最も広く用いられている。液晶表示装置は基板上に液晶素子を電気光学素子として有しており、液晶素子は一対の電極（画素電極、対向（あるいは共通）電極）と、これらに挟まれる液晶性を有する化合物（液晶）の層（液晶層）を基本構成として有している。基板として可撓性を有するプラスチック基板やガラス基板を用いることにより、表示装置に対して可撓性を付与することができる。例えば特許文献１から３には、可撓性の基板上に液晶素子を有する液晶表示装置が開示されている。例えば特許文献４及び５には、可撓性のガラスを利用した表示装置が開示されている。なお、電気光学素子は、液晶素子に限定されず、有機発光素子、無機発光素子、ＭＥＭＳシャッター（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）及び、電気泳動素子など、電気を用いて光学特性が変化する素子であればよい。

特開２０１２−２０８１８４号公報特開２０１３−１２２４７１号公報特表２０１５−５０１４６１号公報特表２０１６−５１７３５９号公報特表２０１６−５２３７９６号公報

本発明の実施形態の課題の一つは、湾曲した表示領域を端部に有する表示装置、およびその製造方法を提供することである。あるいは本発明の実施形態の課題の一つは、広い表示面積が確保された表示装置、およびこの表示装置を歩留まり良く低コストで製造する方法を提供することである。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、第１のガラス基板と、第１のガラス基板上に位置し、第１の平坦領域と第１の湾曲領域を有する第１の基材と、第１の平坦領域の電気光学素子とを有する。第１の基材は、第１の平坦領域において第１のガラス基板と接し、第１の湾曲領域において第１のガラス基板から離間する。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、第１のガラス基板と、第１のガラス基板上に位置し、第１の平坦領域と第１の湾曲領域を有する第１の基材と、第１の平坦領域と前記第１の湾曲領域上の電気光学素子と、電気光学素子上に位置し、第２の平坦領域と第２の湾曲領域を有する第２の基材と、第２の基材上の第２のガラス基板を有する。第１の基材は、第１の平坦領域において第１のガラス基板と接し、第１の湾曲領域において第１のガラス基板から離間する。第２の基材は、第２の平坦領域において第２のガラス基板と接する。

本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的斜視図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的斜視図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的上面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の画素の模式的上面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の画素の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図と斜視図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的上面図と断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の製造方法を示す模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。本発明の実施形態の一つの表示装置の模式的断面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および請求項おいて、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

また、本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置を説明する。本実施形態では、表示装置の一例として、液晶素子を有する表示装置１００の構造に関して説明する。

［１．全体構成］
図１は表示装置１００の模式的斜視図である。図１に示すように、表示装置１００はガラス基板（第１のガラス基板）１０２、ガラス基板１０２上の表示ユニット１０６を有する。詳細は後述するが、表示ユニット１０６には活性領域１０８が形成される。表示ユニット１０６の下にはバックライト１１０が設けられる。

ガラス基板１０２は平坦、あるいは実質的に平坦な形状を有する。一方、表示ユニット１０６は湾曲した端部を有するように成形される。図１に示した表示装置１００では、表示ユニット１０６の長辺側の両端部がガラス基板１０２の側面やバックライト１１０の端部を覆うように湾曲する。このため、表示ユニット１０６は、一部はガラス基板１０２と重なって平坦な形状を備え、一部は重ならずに湾曲した形状を有する。

表示ユニット１０６と同様、バックライト１１０の上面もその両端部が湾曲していてもよい。図１に示した例では、バックライト１１０は、表示装置１００の長辺に沿って両端部が湾曲し、端部に近づくほど厚さが小さくなるよう構成されている。ガラス基板１０２、表示ユニット１０６、およびバックライト１１０に囲まれる空間にはフィラー１１４が充填される。フィラー１１４は、表示ユニット１０６とバックライト１１０の上面の湾曲を反映し、その上面と底面も湾曲する。

表示ユニット１０６には、フレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１１２が接続される。映像信号などの各種信号が印刷回路基板などの外部回路から供給され、コネクタ１１２を介して活性領域１０８へ入力される。表示装置１００はさらに、表示ユニット１０６を覆うようにカバー部材１０４を有する。カバー部材１０４も表示ユニット１０６と同様、その両端部が湾曲した形状を有することができ、この端部は表示ユニット１０６やバックライト１１０の湾曲した端部と重なる。

図２に、カバー部材１０４、表示ユニット１０６、およびコネクタ１１２を除いた状態の表示装置１００の斜視図を示す。ガラス基板１０２の長辺側の両端部に沿ってフィラー１１４が備えられる。フィラー１１４は、ガラス基板１０２の上面とフィラー１１４の上面が連続するように形成される。この場合、フィラー１１４上面の法線とガラス基板１０２の上面との角度は、フィラー１１４とガラス基板１０２の境界からフィラー１１４の端部にわたって連続的に変化する。同様に、ガラス基板１０２の底面とフィラー１１４の底面も、バックライト１１０の上面に沿って連続する。表示ユニット１０６、バックライト１１０、およびカバー部材１０４の上述した形状により、表示装置１００は平坦部と、この平坦部を挟む湾曲部を有することができる。

図３に表示ユニット１０６の模式的上面図を示す。この図では、理解の促進のため、表示ユニット１０６全体が平面形状を有する状態が描かれている。

後述するように、表示ユニット１０６は、第１の基材１２０と第２の基材１２２（図３では図示されない）、これら間に設けられる液晶層１２４や種々の絶縁膜、導電膜、半導体膜などによって構成され、これらの層や膜によって活性領域１０８や配線２０６、端子２０８などの構成要素が構築される。したがって本明細書とクレームでは、表示ユニット１０６は、第１の基材１２０と、第２の基材１２２、およびこれらに挟持される液晶層１２４と膜を含む。

活性領域１０８は、複数の画素２０２、および駆動回路２０４を有している。画素２０２はマトリクス状に配置することができ、これらの画素２０２によって表示領域２００が定義される。画素２０２の配列パターンは任意に選択され、画素２０２の一部が表示装置１００の湾曲部に位置するよう、画素２０２を配置することができる。画素２０２にはそれぞれ液晶素子や液晶素子を駆動するためのトランジスタなどを設けることができる。各画素２０２のトランジスタは駆動回路２０４によって制御される。図３では表示領域２００を挟むように二つの駆動回路２０４が設けられる例が示されているが、単一の駆動回路２０４を第１の基材１２０上に設けてもよい。

表示領域２００や駆動回路２０４からは配線２０６が第１の基材１２０の端部に向かって延伸し、配線２０６の端部は端子２０８を形成する。コネクタ１１２を介して供給される各種信号は、端子２０８に入力され、駆動回路２０４や表示領域２００へ供給されて画素２０２が制御され、これにより、表示領域２００上に映像が表示される。図示していないが、表示領域２００と端子の間に駆動回路をさらに設けてもよい。この駆動回路は第１の基材１２０上に形成してもよく、あるいは異なる基板上に形成されるＩＣチップなどを第１の基材１２０上に設けて駆動回路として用いてもよい。あるいは、コネクタ１１２上に駆動回路としてＩＣチップを設けてもよい。

図１の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´に沿った断面模式図を図４（Ａ）、図４（Ｂ）にそれぞれ示す。ここでは、第１の基材１２０と第２の基材１２２の間に設けられる種々の膜は図示されていない。

図４（Ａ）に示すように、第１の基材１２０は上面が平坦な平坦領域１２０ａと、湾曲領域１２０ｂを有する。湾曲領域１２０ｂは第１の基材１２０の長辺に沿って形成され、ガラス基板１０２の下に位置するバックライト１１０の方向に湾曲する。平坦領域１２０ａでは、第１の基材１２０はガラス基板１０２と接する。これに対し、平坦領域１２０ａと湾曲領域１２０ｂの境界が、ガラス基板１０２の上面と側面間の角に重なり、湾曲領域１２０ｂでは第１の基材１２０は第１のガラス基板から離間する。したがって、湾曲領域１２０ｂではガラス基板１０２の上面と第１の基材１２０の底面は離間する。図４（Ａ）に示すように、湾曲領域１２０ｂは第１の基材１２０の両端部に設けることができ、この場合、平坦領域１２０ａは二つの湾曲領域１２０ｂに挟持される。

フィラー１１４はガラス基板１０２の側面と接するように設けることができ、湾曲領域１２０ｂにおいて第１の基材１２０の底面がフィラー１１４と接することができる。

第１の基材１２０と第２の基材１２２はシール１２６によって貼り合わされ、これらの間には液晶が封入されて液晶層１２４が形成される。液晶層１２４はガラス基板１０２、およびフィラー１１４と重なる。

第１の基材１２０と同様、第２の基材１２２も平坦領域１２２ａと、湾曲領域１２２ｂを有する。湾曲領域１２２ｂは第２の基材１２２の長辺に沿って形成され、バックライト１１０の方向に湾曲する。平坦領域１２２ａはガラス基板１０２や第１の基材１２０の平坦領域１２０ａと重なるように形成される。これに対し、湾曲領域１２２ｂでは第２の基材１２２はフィラー１１４や第１の基材１２０の湾曲領域１２０ｂと重なる。湾曲領域１２２ｂは第２の基材１２２の両端部に設けることができ、この場合、平坦領域１２２ａは二つの湾曲領域１２２ｂに挟持される。

図４（Ａ）に示すように、カバー部材１０４も平坦領域１０４ａと湾曲領域１０４ｂを有するよう構成することができる。平坦領域１０４ａはガラス基板１０２や平坦領域１２０ａ、１２２ａと重なることができる。一方、湾曲領域１０４ｂは、フィラー１１４や湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂと重なることができる。カバー部材１０４はさらに、湾曲領域１０４ｂから下の方向に延びる側面を持つように構成することもできる。この場合、第２の基材１２２、第１の基材１２０、あるいはバックライト１１０の側面と接するようにカバー部材１０４を設けてもよく、これにより、表示ユニット１０６、フィラー１１４、およびバックライト１１０はカバー部材１０４によって覆われる。

図示しないが、第１の基材１２０、第２の基材１２２、およびカバー部材１０４はそれぞれ、単一の湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂと単一の平坦領域１２０ａ、１２２ａ、１０４ａを有していてもよい。この場合、表示装置１００は、一方の端部では側面でも表示を行うが、他方の端部では側面での表示は行わない。また、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ上は、表示領域にしなくても良い。同様に、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂは電気光学素子と重畳していなくても良い。端部を湾曲させることで、表示装置１００の狭額縁化が実現できる。

表示装置１００はさらに、バックライト１１０とガラス基板１０２の間、および第２の基材１２２とカバー部材１０４の間に偏光板（第１の偏光板）１２８、偏光板（第２の偏光板）１３０をそれぞれ有してもよい。第１の偏光板１２８を通してバックライト１１０から液晶層１２４に入射される偏光は、液晶層１２４によってその偏光面が回転され、第２の偏光板１３０を通して出射される。偏光面の回転は液晶層１２４内の液晶の配向によって決まる。後述する画素電極１５０、共通電極１５４を用いて液晶層１２４に電場を形成することにより、液晶は初期における配向状態から、電場によって決まる配向状態へ変化する。この配向状態の変化に伴って液晶素子の光透過率が変化し、階調表示が実現される。

図４（Ｂ）を参照すると、コネクタ１１２は表示装置１００の短辺付近に配列される端子２０８（図３参照）に接続される。コネクタ１１２にはさらにＩＣチップ１１８と印刷回路基板１１６を接続することができる。図４（Ｂ）に示すように、コネクタ１１２を湾曲させて印刷回路基板１１６をバックライト１１０と重なるように配置してもよい。この時、コネクタ１１２の一部あるいは全体がカバー部材１０４と重なってもよい。このようにコネクタ１１２を湾曲させることで、表示装置１００をコンパクトな形状に収めることができる。任意の構成として、コネクタ１１２の上面に、コネクタ１１２を保護するための樹脂層１３２を設けてもよい。

［２．表示ユニット］
表示ユニット１０６の構造を図５、図６を用いて説明する。図５は画素２０２の上面模式図であり、図５の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図が図６に相当する。

表示領域２００には、複数のゲート信号線（走査線）１４０、映像信号線１４２が設けられる。複数のゲート信号線１４０の各々は、ゲート信号線１４０が伸びる方向に配列する複数の画素２０２を制御する。同様に、複数の映像信号線１４２の各々は、映像信号線１４２が伸びる方向に配列する複数の画素２０２と電気的に接続される。各画素２０２にはトランジスタ１４４が設けられる。トランジスタ１４４は、ゲート信号線１４０の一部（図中、上方向に突き出た部分）、半導体膜（半導体層）１４６、ソース電極１４８、映像信号線１４２の一部（図中、右方向に突き出た部分）を含む。ゲート信号線１４０の一部はトランジスタ１４４のゲート電極１６６として機能し、映像信号線１４２の一部はトランジスタ１４４のドレイン電極１６８として機能する。なお、トランジスタ１４４のソース電極１４８とドレイン電極１６８は、電流の方向やトランジスタの極性によってその呼称が互いに入れ替わることがある。図示していないが、画素２０２は、容量素子や他のトランジスタなどの半導体素子をさらに有してもよい。

画素２０２はさらに共通電極１５４、画素電極１５０を有する。共通電極１５４、画素電極１５０、および液晶層１２４によって液晶素子の基本構造が構成される。画素電極１５０はスリット１５２を有してもよい。図５に示したスリット１５２は閉じた形状であるが、開いた形状であってもよい。あるいは、閉じた形状のスリット１５２とともに開いた形状のスリットの両者を有してもよい。画素電極１５０はトランジスタ１４４と電気的に接続される。映像信号線１４２には、映像に応じた信号が与えられ、これがトランジスタ１４４を介して画素電極１５０に印加される。

共通電極１５４はゲート信号線１４０が延伸する方向にストライプ状に設けられて配列し、複数の画素２０２によって共有される。映像が表示される期間において共通電極１５４には固定電位が印加され、液晶層１２４に電圧を印加するための電極の一つとして機能する。図５では共通電極１５４がゲート信号線１４０と平行に配置された例が示されているが、共通電極１５４は映像信号線１４２と平行に配置してもよい。

任意の構成として、画素２０２は共通電極１５４と電気的に接続する補助配線１５６を有してもよい。補助配線１５６は映像信号線１４２が延伸する方向に伸び、複数の画素２０２に共有されることができる。共通電極１５４がインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過する導電性酸化物を含む場合、これらの酸化物はアルミニウムや銅、タングステン、チタン、モリブデンなどの金属と比較して抵抗が高いため電圧降下を起こしやすい。また、共通電極１５４は、複数の部分に分割され、タッチ検出電極に利用される場合もある。この場合、各部分は小さな面積となり、共通電極１５４は電圧降下を起こしやすい。よって、画素２０２間で共通電極１５４に印加される電圧に大きな差が生じることがある。しかしながら、金属を含む補助配線１５６を共通電極１５４と接するように設けることでＩＴＯやＩＺＯの低い導電性を補完することができ、電圧降下を防止する、あるいは抑制することができる。補助配線１５６は共通電極１５４の上、あるいは下に設ければよい。

図６に示すように、表示ユニット１０６はパターニングされた種々の膜を含む。具体的には、ガラス基板１０２と接するように第１の基材１２０が設けられ、トランジスタ１４４は、任意の構成であるアンダーコート膜１６０を介して第１の基材１２０上に設けられる。トランジスタ１４４は、ゲート電極１６６、ゲート絶縁膜１６２、半導体膜１４６、層間膜１６４、ソース電極１４８、ドレイン電極１６８を含む。図６で示すトランジスタ１４４はトップゲート型のトランジスタであるが、トランジスタ１４４の構造に制限はなく、トランジスタ１４４はボトムゲート型でもよく、半導体膜１４６の上下にゲート電極を備える構造を有してもよい。また、半導体膜１４６とソース電極１４８、ドレイン電極１６８の上下関係にも制約はない。

トランジスタ１４４上には平坦化膜１７０が設けられる。これにより、トランジスタ１４４などに起因する凹凸が吸収され、平坦な面が平坦化膜１７０上に与えられる。共通電極１５４は平坦化膜１７０上に設けられる。補助配線１５６を形成する場合、補助配線１５６は共通電極１５４と接するように、共通電極１５４の上、あるいは下に形成される。

表示ユニット１０６はさらに、共通電極１５４と平坦化膜１７０を覆う絶縁膜１７２を有する。絶縁膜１７２は共通電極１５４と画素電極１５０を電気的に絶縁する機能を有する。画素電極１５０は、平坦化膜１７０や絶縁膜１７２上に設けられ、平坦化膜１７０や絶縁膜１７２に形成される開口部においてソース電極１４８と電気的に接続される。画素電極１５０上にはさらに第１の配向膜１８０が設けられ、その上に液晶層１２４が形成される。共通電極１５４と画素電極１５０間に電位差を設けることで、第１の基材１２０の上面にほぼ平行な方向に電場が液晶層１２４内に形成される。この電場によって液晶層１２４中の液晶が回転し、これにより、液晶層１２４を通過する偏光の偏光面が回転する。したがって、表示装置１００はいわゆるＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置の一種であるＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶表示装置として機能する。ただし表示装置１００はＩＰＳ液晶表示装置に限られず、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）液晶表示装置、ＶＡ（ＶｉｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶表示装置でもよい。

第１の配向膜１８０上には、液晶層１２４を介して第２の基材１２２が設けられる。第２の基材１２２には、遮光膜（ブラックマトリクス）１９０やカラーフィルタ１９２、遮光膜１９０やカラーフィルタ１９２を覆うオーバーコート１９４などが設けられてもよい。

遮光膜１９０は可視光を遮る機能を有しており、ゲート信号線１４０や映像信号線１４２と重なるように設けることができる。遮光膜１９０は、トランジスタ１４４と重なるように設けてもよい。図５から理解されるように、ゲート信号線１４０や映像信号線１４２に重なるように遮光膜１９０を設けた場合、遮光膜１９０は開口部を有する一つの膜と認識することができる。したがって、遮光膜１９０の開口部は、各画素２０２の表示領域に相当する。

カラーフィルタ１９２は、各画素２０２から取り出される光に色を与えるために設けられ、遮光膜１９０の開口部と重なる。したがって、カラーフィルタ１９２は画素電極１５０や共通電極１５４と重なるように設ければよい。

第２の基材１２２はさらに、液晶層１２４に接するように設けられる第２の配向膜１８２を有する。第１の配向膜１８０と同様、第２の配向膜１８２も液晶分子を配向させる機能を有する。図示しないが、液晶層１２４の中に、ガラス基板１０２と第２の基材１２２間の間隔を一定に保つためのスペーサを添加してもよい。あるいは隣接する画素２０２間に位置するように、第２の基材１２２にスペーサを形成してもよい。

表示装置１００はさらに、ガラス基板１０２とバックライト１１０の間、および第２の基材１２２とカバー部材１０４の間にそれぞれ第１の偏光板１２８、第２の偏光板１３０を有する。第１の偏光板１２８の下に図４（Ａ）などに示したバックライト１１０が配置される。バックライト１１０から射出され、第１の偏光板１２８を通過する際に偏光となる。この偏光は、液晶層１２４を通過する際、液晶層１２４によって偏光面が回転する。光はその後カラーフィルタ１９２によって一部が吸収されて着色し、第２の偏光板１３０を通過して外部に取り出される。

上述したように、画素２０２は、第１の基材１２０の平坦領域１２０ａと湾曲領域１２０ｂの両方に形成することができる。また、液晶層１２４は、平坦領域１２０ａと平坦領域１２２ａとの間、および湾曲領域１２０ｂと湾曲領域１２２ｂとの間にわたって広がる。すなわち、表示領域２００は図４中矢印で示したように、平坦部から湾曲部にわたって形成され、このため表示装置１００は、上面だけでなく湾曲した側面においても映像を表示することができる。さらに、上面と側面間にわたって連続した映像を表示することができる。

平坦部では、ガラス基板１０２の高い平坦性に起因し、歪みのない高品質な映像を提供することができる。一方湾曲部に位置する画素２０２により、表示装置１００の側面に映像を表示することができ、ユーザは表示装置１００に正対しない状態でも表示装置１００の側面から映像情報を獲得することができる。また、表示装置１００に正対する位置から表示装置１００を見る場合、表示領域２００の両端部がフレームによって遮蔽されることがないため、大きな表示面積が確保されるとともに、デザイン性の高い表示装置１００を提供することができる。

詳細は第２実施形態で述べるが、表示装置１００がガラス基板１０２を有することで強度が向上し、製造プロセスにおける取り扱いが容易になり、上面と側面間で連続した映像を表示できる表示装置１００を歩留まり良く、かつ、低コストで製造することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、表示装置１００の製造方法の一例を説明する。第１実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

［１．表示ユニット］
まず、表示ユニット１０６の製造方法を図７（Ａ）から図８（Ｂ）を参照しつつ説明する。これらの図は、図５の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面を表しており、図６に相当する。

図７（Ａ）に示すように、ガラス基板１０２上に第１の基材１２０を形成する。第１の基材１２０は可撓性を有することができ、例えばポリイミドやポリアミド、ポリカルボナート、ポリエステルなどのポリマーを含むことができる。これらのポリマーは、主鎖に芳香環を含むことができる。第１の基材１２０はスピンコート法や印刷法、インクジェット法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネーション法などを適用して形成することができる。

次に、第１の基材１２０上にアンダーコート膜１６０を形成する（図７（Ａ））。アンダーコート膜１６０はガラス基板１０２や第１の基材１２０からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１４４や液晶層１２４などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜である。アンダーコート膜１６０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのケイ素含有化合物に例示される無機化合物を含むことができる。

次に、図７（Ａ）に示すように、半導体膜１４６を形成する。半導体膜１４６は例えばシリコンなどの１４族元素、あるいは酸化物半導体を含むことができる。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、典型的な例としてインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）やインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。

また、ガラス基板１０２がある平坦領域１２０ａと重なるトランジスタが１４族元素を半導体膜に有し、湾曲領域１２２ｂ内に形成されるトランジスタが酸化物半導体を半導体膜に有するよう、表示装置１００を構成してもよい。

次に半導体膜１４６を覆うようにゲート絶縁膜１６２を形成する（図７（Ａ））。
引き続きスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて、金属材料を含むゲート電極１６６を形成する（図７（Ｂ））。

次に、ゲート電極１６６、半導体膜１４６を覆うように層間膜１６４を形成する（図７（Ｂ））。この後、層間膜１６４とゲート絶縁膜１６２に半導体膜１４６に達する開口部を形成し、その後半導体膜１４６と電気的に接続されるよう、映像信号線１４２、およびこの一部であるドレイン電極１６８、ならびにソース電極１４８が形成される。ここまでのプロセスによって、トランジスタ１４４が形成される。ゲート電極１６６の形成時に端子２０８を形成しない場合には、映像信号線１４２の形成時に端子２０８を形成することができる。

その後、トランジスタ１４４を覆うように平坦化膜１７０を形成する（図７（Ｂ））。次に、平坦化膜１７０上に共通電極１５４を形成する（図７（Ｃ））。共通電極１５４は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過する導電性酸化物を含むことができる。この後、任意の構成として補助配線１５６を映像信号線１４２と重なるように、かつ共通電極１５４と接するように形成する。補助配線１５６は、ゲート電極１６６や映像信号線１４２で使用可能な金属や合金を含むことができる。補助配線１５６は平坦化膜１７０を形成した後、共通電極１５４を形成する前に設けてもよい。

こののち、共通電極１５４、および補助配線１５６を覆うように、平坦化膜１７０上に絶縁膜１７２を形成する。その後、絶縁膜１７２、および平坦化膜１７０に対してエッチングを行ってソース電極１４８に達する開口部を形成し、引き続き、開口部を覆うように画素電極１５０を形成する（図７（Ｄ））。これにより、画素電極１５０とソース電極１４８が接続される。画素電極１５０も可視光を透過する導電性酸化物を含むことができる。

この後、第１の配向膜１８０を形成する（図７（Ｄ））。第１の配向膜１８０はポリイミドやその前駆体、ポリアミド、ポリエステルなどの高分子を含むことができる。第１の配向膜１８０に対し、配向方向を決定するための偏光照射処理又はラビング処理を行う。

第２の基材１２２は、まず支持基板１８６上に設けられる（図８（Ａ））。支持基板１８６としては、ガラス基板１０２と同様の基板を用いることができる。その後、第２の基材１２２上に、遮光膜１９０が形成される（図８（Ａ））。

次に、カラーフィルタ１９２を遮光膜１９０の開口部に形成する（図８（Ａ））。カラーフィルタ１９２は、遮光膜１９０の一部を覆うように形成してもよい。逆に、カラーフィルタ１９２を形成したのちに遮光膜１９０を形成してもよい。

その後、遮光膜１９０とカラーフィルタ１９２を覆うようにオーバーコート１９４を形成する（図８（Ａ））。次に、カラーフィルタ１９２と遮光膜１９０を覆うように、第２の配向膜１８２が形成される（図８（Ａ））。第２の配向膜１８２は、第１の配向膜１８０と同様の材料を含むことができ、同様の配向処理を行う。

その後、第１の配向膜１８０と第２の配向膜１８２を挟むように、第１の基材１２０と第２の基材１２２をシール１２６を用いて貼り合わせる（図８（Ｂ）、図４（Ａ））。シール１２６は表示領域２００を取り囲むように配置される。液晶層１２４は、第１の配向膜１８０と第２の配向膜１８２の間に位置している（図８（Ｂ））。

［２．表示ユニットの加工］
次に、表示ユニットの加工に関し、図９（Ａ）から図１１（Ｅ）を参照しつつ説明する。これらの図は、図１０（Ｂ）、図１９（Ｃ）を除き、図１の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面に相当する。これらの図では、表示ユニット１０６を構成する種々の膜の一部は省略されている。

図９（Ａ）に示すように、第２の基材１２２から支持基板１８６を分離する。具体的には、例えばレーザやフラッシュランプなどを用い、支持基板１８６と第２の基材１２２の界面（図中、点線の矢印で示した界面）に対して光照射を行い、支持基板１８６と第２の基材１２２間の接着力を低下させる。その後、この界面に沿って物理的に支持基板１８６を剥離する。上述した光照射と物理的な剥離の替わりに、エッチングによって支持基板１８６を化学的に取り除くことで剥離を行ってもよい。

支持基板１８６を剥離した後、第２の偏光板１３０を第２の基材１２２上に形成する。その後、図９（Ｂ）に示すように、ガラス基板１０２側から光照射を行い、ガラス基板１０２と第１の基材１２０間の界面（図中、点線の矢印で示した界面）の接着力を低下させる。この時、第１の基材１２０、第２の基材１２２の平坦領域１２０ａ、１２２ａが形成される部分には光が照射されないよう、フォトマスク１８４を用いてもよい。これにより、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂが形成される部分が選択的に光照射される。その後、光が照射された領域と照射されなかった領域の境界（図中、点線矢印で示した境界）においてガラス基板１０２にスクライブを行い（図９（Ｃ））、光が照射された領域に位置するガラス基板１０２を第１の基材１２０から選択的に剥離する。光照射においてフォトマスク１８４は用いず、剥離を行う領域にレーザ（例えば線状レーザ）を選択的に照射してもよい。

この時の状態の断面模式図と斜視図をそれぞれ図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。図９（Ｃ）、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）から理解されるように、平坦領域１２０ａにおいて第１の基材１２０はガラス基板１０２と接する。一方、湾曲領域１２０ｂにおいて第１の基材１２０はガラス基板１０２から離間する。

この後、平坦領域１２０ａに設けられる端子２０８にコネクタ１１２を接続する（図１０（Ｃ））。接続は、例えば異方性導電膜を用い、表示ユニット１０６の上から圧力をかけることによって行われる。端子２０８も、第１の基材１２０の平坦領域１２０ａを介してガラス基板１０２と重なることができる。ガラス基板１０２は十分な剛性を持つため、コネクタ１１２を接続する際、第１の基材１２０の上下方向の動きが抑制される。その結果、確実にコネクタ１１２を固定することができ、表示装置１００に高い信頼性を与えることができる。

次に、表示ユニット１０６をカバー部材１０４とガラス基板１０２で挟持するように、カバー部材１０４を第２の偏光板１３０上に貼り合わせる（図１１（Ａ））。貼り合わせの際、図示しない接着剤などを用いてもよい。上述したように、カバー部材１０４は平坦領域１０４ａと湾曲領域１０４ｂを有しており、平坦領域１０４ａがガラス基板１０２および平坦領域１２０ａ、１２２ａと重なり、湾曲領域１０４ｂが湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂと重なるよう、貼り合わせが行われる。第１の基材１２０、第２の基材１２２の可撓性に起因し、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂはカバー部材１０４の湾曲領域１０４ｂの表面に沿って配置される。

その後、フィラー１１４を形成する。具体的には図１１（Ｂ）に示すように、ガラス基板１０２の側面と表示ユニット１０６に囲まれた空間に、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリカルボナート、ポリオレフィンなどのポリマーを形成する。例えばこれらの樹脂やポリマーを与えるモノマー、あるいはオリゴマーをこの空間に充填し、これを光重合、あるいは熱重合させることによって硬化させればよい。これらのモノマーやオリゴマーは液体であるため、なだらかな上面を有するように上記空間に保持される。この状態で硬化を行うことにより、フィラー１１４の表面になだらかな湾曲形状を付与することができる。すなわち、ガラス基板１０２の側面からの距離が増大するにしたがって、ガラス基板１０２の表面が形成する平面とフィラー１１４の表面との間の距離が増大する。あるいは、硬化時に鋳型を押し当ててフィラー１１４の形状を制御してもよい。鋳型の立体形状がバックライト１１０のそれと同一になるよう、鋳型を構成してもよい。ガラス基板１０２の底面（すなわち、ガラス基板１０２の表示ユニット１０６に接していない表面）とフィラー１１４の表面間には段差を設けないようにフィラー１１４を形成することが好ましい。

こののち、第１の偏光板１２８をフィラー１１４、ガラス基板１０２上に形成し（図１１（Ｃ））、その上にバックライト１１０を配置する（図１１（Ｄ））。図１１（Ｃ）に示すように、第１の偏光板１２８は表示ユニット１０６と接するように設けてもよく、接しないように形成してもよい。上述したように、バックライト１１０の上面（図１１（Ｄ）において第１の偏光板１２８により近い表面）は、端部に近づくにつれてその厚さが小さくなるよう、湾曲した形状を有することができる。このため、この湾曲形状がフィラー１１４の表面と一致するようにバックライト１１０を配置することができる。図示していないが、バックライト１１０を配置する前に、位相差膜などを第１の偏光板１２８の上、あるいは下に設けてもよい。

その後、図１、図４（Ｂ）に示すように、コネクタ１１２に印刷回路基板１１６を接続し、印刷回路基板１１６がガラス基板１０２を介して表示ユニット１０６と対向するよう、コネクタ１１２を折り曲げる。これにより、図１に示した表示装置１００が得られる。

上述したように、本実施形態で述べた製造方法により、端部が湾曲し、上面から側面にわたって連続した映像を表示可能な表示装置１００を製造することができる。このような表示装置は、通常、全体が可撓性を有する表示ユニットを製造した後、バックライト１１０上に表示ユニットが配置される。しかしながら、表示ユニット全体に可撓性を付与した場合、強度が乏しく、製造工程中の取り扱いが困難となり、大量生産へ適用することが難しい。

これに対し、本実施形態で述べた製造方法によると、製造工程中、第１の基材１２０を支持するガラス基板１０２は、第１の基材１２０から完全に分離することがない。したがって、製造工程中、表示ユニット１０６全体が可撓性を有することはなく、端部のみが可撓性を示す。このため、表示ユニット１０６はある程度の剛性を持ちつつその形状が保たれるため、取り扱いが容易となる。これに起因し、表示装置１００は大量生産のためのプロセスに適合することができる。このため、本発明の実施形態に係る表示装置１００、およびその製造方法を適用することで、端部が湾曲し、強度が高く、上面から側面にわたって連続した映像を表示可能な表示装置を歩留まり良く、低コストの表示装置を製造することが可能となる。

（第３実施形態）
本実施形態では、表示装置１００とは構造が異なる表示装置２２０を図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）を参照しつつ説明する。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の円で囲った部分の拡大図である。表示装置２２０は、ガラス基板１０２の一部が、第１の基材１２０、第２の基材１２２の湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂと重なる領域に延伸する点で、表示装置１００と異なる。第１、第２実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

具体的には図１２（Ａ）に示すように、ガラス基板１０２は平坦領域１０２ａと湾曲領域１０２ｂを有する。平坦領域１０２ａは第１の基材１２０、第２の基材１２２の平坦領域１２０ａ、１２２ａと重なり、湾曲領域１０２ｂは湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂと重なる。また、ガラス基板１０２の上面の法線の、平坦領域１０２ａにおけるガラス基板１０２の上面に対する角度は、平坦領域１０２ａから湾曲領域１０２ｂにわたって連続的に変化する。湾曲領域１０２ｂの厚さは平坦領域１０２ａのそれよりも小さく、例えば０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下、あるいは０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下とすることができる。湾曲領域１０２ｂの厚さは、平坦領域１０２ａからの距離が増大するにしたがって減少するようにガラス基板１０２を構成してもよい。フィラー１１４は、平坦領域１０２ａの側面、湾曲領域１０２ｂの底面と接することができる。図１２（Ａ）には湾曲領域１０２ｂがガラス基板１０２の両端部に設けられ、平坦領域１０２ａが湾曲領域１０２ｂによって挟まれる構成が示されているが、湾曲領域１０２ｂはガラス基板１０２の片方の端部のみに設けられていてもよい。

平坦領域１０２ａよりも薄い湾曲領域１０２ｂを設けることで、表示ユニット１０６の第１の基材１２０の底面が製造プロセスにおいて不純物などに晒されることを防ぐことができる。このため、表示ユニット１０６が汚染される確率を大幅に低下することができる。また、湾曲領域１０２ｂを設けることで、表示ユニット１０６により大きな剛性を付与することができるため、製造時における取り扱いがさらに容易となり、表示装置２２０を歩留まり良く低コストで提供することができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、表示装置１００、２００とは構造が異なる表示装置２３０を図１３を参照しつつ説明する。表示装置２３０は、第１の基材１２０、第２の基材１２２、およびカバー部材１０４の湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂが、表示装置１００の短辺側の端部に設けられる点で、表示装置１００、２２０と異なる。第１から第３実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

図１の鎖線Ｂ−Ｂ´に相当する断面を図１３に模式的に示す。図１３に示すように、表示装置２３０は、コネクタ１１２が接続される短辺側、およびこの短辺と対向する短辺側に湾曲部を有する。表示装置１００、２２０と同様、第１の基材１２０、第２の基材１２２、およびカバー部材１０４はそれぞれ湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂを二つ有してもよく、一つの湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂをそれぞれ有してもよい。バックライト１１０内に設置される光源１３４は、図１３に示すように、コネクタ１１２に近い湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂと重なるように設けてもよく、あるいはこれらに対向する湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂ、１０４ｂと重なるように設けてもよい。

このような表示装置２３０を正対する位置から見る場合、短辺側の両端部の表示領域２００がフレームによって遮蔽されることがない。このため、広い面積の表示領域２００が確保できるとともに、デザイン性の高い表示装置を提供することができる。また、図１３に示すように、コネクタ１１２はガラス基板１０２の上面を覆う必要がない。このため、コネクタ１１２が湾曲する面積を小さくすることができ、コネクタ１１２内の配線にかかる歪みを小さくすることができる。その結果、配線の断線を抑制することができ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、表示装置１００、２００、２２０、２３０とは構造が異なる表示装置２４０を図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）を参照しつつ説明する。図１４（Ａ）は、図１における鎖線Ａ−Ａ´に相当する断面を模式的に示し、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の点線の長方形で囲まれた領域の拡大図である。表示装置２４０は、表示ユニット１０６と第２の偏光板１３０の間に、第２のガラス基板２４２と第２のフィラー２４４を有する点、および第２の偏光板１３０が第２のガラス基板２４２とカバー部材１０４の間に設けられる点で表示装置１００、２００、２２０、２３０と異なる。第１から第４実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

具体的には図１４（Ａ）に示すように、表示装置２４０は、表示ユニット１０６上に、第２のガラス基板２４２を有する。第２のガラス基板２４２は平坦、あるいは実質的に平坦な基板であり、ガラス基板１０２と重なる。第２のガラス基板２４２の平面形状と面積は、ガラス基板１０２のそれらと同じでも良い。第２のガラス基板２４２とガラス基板１０２は互いに厚さが異なってもよく、同一でも良い。図１４（Ａ）においては、第２のガラス基板２４２はエンッチングによって、ガラス基板１０２よりも薄くしている。図１４（Ｂ）に示すように、第２のガラス基板２４２は第２の基材１２２と接するように設けてもよい。第２の基材１２２の湾曲領域１２２ｂは第２のガラス基板２４２から離間する。

第２のフィラー２４４は、表示ユニット１０６を介してフィラー１１４と重なるように設けられる。第２のフィラー２４４は第２のガラス基板２４２の側面、第２の基材１２２の湾曲領域１２０ｂ、および第２の偏光板１３０に囲まれる空間を埋めるように設けられ、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂと重なる。第２のフィラー２４４の下面は第２の基材１２２と接してもよく、第２の基材１２２の湾曲領域１２２ｂの上面に沿って湾曲することができる。

第２の偏光板１３０は第２のガラス基板２４２と第２のフィラー２４４の上に設けることができる。この場合、第２の偏光板１３０はカバー部材１０４と第２のガラス基板２４２の間、およびカバー部材１０４と第２のフィラーの間に挟持される。

詳細は省略するが、上述した構造を有する表示装置２４０を製造する際には、カバー部材１０４の凹面に第２の偏光板１３０が設けられ、その上に第２のガラス基板２４２が貼り合わされる。そして第２のガラス基板２４２の側面と第２の偏光板１３０によって形成される空間に第２のフィラー２４４が形成される。その後、これらの構造体は、表示ユニット１０６を挟持するように、ガラス基板１０２と貼り合わされ、引き続いてフィラー１１４が形成される。したがって、第２実施形態で説明した製造方法と異なり、第２の偏光板１３０は可撓性を有する第２の基材１２２やその下に設けられる液晶層１２４上に直接形成されるのではなく、十分な剛性を有するカバー部材１０４上に形成される。このため、第２の偏光板１３０を確実に、かつ精確にカバー部材１０４に固定することができ、表示装置の歩留まりの向上が可能となる。

なお、第２のガラス基板２４２の作製において、図９で示したガラス基板１０２の湾曲領域１２０ｂのみを除去するプロセスを、支持基板１８６に適用しても良い。言い換えれば、支持基板１８６の湾曲領域１２２ｂのガラス基板に、第２の基材１２２からの剥離処理、端部のスクライブ処理を適用し、図１４（Ａ）に示す第２のガラス基板２４２を作製しても良い。この場合、製造工程が簡易となり、製造のスループットが向上する。

（第６実施形態）
本実施形態では、第２実施形態で述べた表示装置１００の製造方法とは異なる製造方法を図１５（Ａ）から図１５（Ｃ）を参照しつつ説明を行う。図１５（Ｂ）、図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）の鎖線Ｄ−Ｄ´に沿った断面模式図である。第１から第５実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

本実施形態で述べる製造方法は、ガラス基板１０２に部分的に第１の基材１２０を形成する点で第２実施形態の製造方法と異なる。具体的には図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）に示すように、湾曲領域１２０ｂ、１２２ｂが形成される領域と重なる部分に選択的に第１の基材１２０をガラス基板１０２上に形成する。第１の基材１２０の形成は、上述した湿式成膜法やラミネーション法を用いて行うことができる。湿式成膜法を用いる場合には、インクジェット法を用いることで、第１の基材１２０の形成に必要な材料の使用量を減らすことができ、その結果、低コストで表示装置を製造することが可能となる。

第１の基材１２０を部分的に形成する場合、その厚みに起因して段差が生じる（図１５（Ｂ））。この段差は、例えばアンダーコート膜１６０の厚さを大きくすることで解消することができる（図１５（Ｃ））。あるいは、アンダーコート膜１６０をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などのポリマーを含む膜とケイ素含有化合物を含む膜の積層構造とすればよい。前者は湿式成膜法によって形成されるため、効果的に段差を解消することができる。

この後のプロセスは第２実施形態のプロセスと同様に、絶縁膜や半導体膜を作製する。作製後に、ガラス基板１０２の湾曲領域１２０ｂに相当する部分は除去され、これにより、図１６のような第１の基材１２０に平坦領域１２０ａと湾曲領域１２０ｂが形成される。なお図１６では、図４と同様、アンダーコート膜１６０と液晶層１２４の間に設けられる種々の膜は図示されていない。

第１の基材１２０を部分的に設ける場合、その湾曲領域１２０ｂ上に位置するトランジスタの半導体膜と、第１の基材１２０が設けられない領域に位置するトランジスタの半導体膜は、互いに含まれる材料が異なるよう、表示装置１００を構成してもよい。この場合、例えば、平坦領域１０２ａには可撓性の第１の基材１２０が無いため、半導体膜の高温の製造プロセスを適用しても問題ない。よって、トランジスタ（第１のトランジスタ）１４４＿１の半導体膜がポリシリコンを含み、前者のトランジスタ（第２のトランジスタ）１４４＿２の半導体膜が酸化物半導体を含むことができる。

このような実施形態では、第１のトランジスタ１４４＿１と第２のトランジスタ１４４＿２の断面図で示すように（図１７（Ａ））、まず、ガラス基板１０２上にアンダーコート膜１６０を設け、その上に第１のトランジスタ１４４＿１を第２実施形態で述べた製造方法に従って形成する。この時、アンダーコート膜１６０やゲート絶縁膜１６２、層間膜１６４もガラス基板１０２の全面に形成すればよい。

こののち、第１の基材１２０を選択的に形成し、第２のアンダーコート膜１６０＿２、および第２のトランジスタ１４４＿２を形成する。半導体膜１４６＿２は酸化物半導体をターゲットとして用い、スパッタリング法によって形成すればよい。第２のアンダーコート膜１６０＿２や、第２のトランジスタ１４４＿２を構成する第２のゲート絶縁膜１６２＿２、第２の層間膜１６４＿２は、第１のトランジスタ１４４＿１上に設けてもよい。その後のプロセスは第２実施形態で述べたそれと同様であり、第２のトランジスタ１４４＿２が設けられる領域ではガラス基板１０２が剥離され、アンダーコート膜１６０の下にフィラー１１４が設けられる（図１７（Ｂ））。これにより、第１の基材１２０に平坦領域１２０ａと湾曲領域１２２ｂが形成される。

第１の基材１２０にポリイミドやポリアミドを用いる場合、第１の基材１２０の耐熱性が高いほど、可視光の透過率が低減する傾向がある。よって、、透過率の高い第１の基材１２０を湾曲領域１２０ｂに形成し、平坦領域１２０ａには第１の基材１２０を形成していない。そして、耐熱性の高い平坦領域１２０ａに、電気伝導性の高いポリシリコンを用いたトランジスタを形成することで、平坦領域１２０ａ上に表示される映像の品質を向上させることが可能となる。

（第７実施形態）
本実施形態では、電気光学素子として発光素子を有する表示ユニット１０６が設けられた表示装置２５０について、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１９を参照しつつ説明する。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）はそれぞれ、図１の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´に相当する断面の模式図であり、図１９は画素２０２の断面模式図である。第１から第６実施形態で述べた内容に関しては説明を割愛することがある。

図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）に示すように、表示装置２４０は、ガラス基板１０２とその上に設けられる表示ユニット１０６、表示ユニット１０６上の封止膜（パッシベーション膜）２６０を有する。表示装置２４０はさらに、封止膜２６０上にカバー部材１０４を有する。任意の構成として、偏光板２６２が封止膜２６０とカバー部材１０４の間に設けられていてもよい。

表示装置１００と同様、表示ユニット１０６は端部が湾曲するように構成することができる。例えば表示ユニット１０６の長辺側の両端部、あるいは短辺側の両端部がガラス基板１０２の側面を覆うように湾曲する。より具体的には、表示ユニット１０６は、ガラス基板１０２と重なる平坦領域１０６ａ、およびガラス基板１０２と重ならず、ガラス基板１０２から離間する湾曲領域１０６ｂを有する。カバー部材１０４も表示装置１００のそれと同様、平坦領域１０４ａと湾曲領域１０４ｂを有し、それぞれ平坦領域１０６ａ、湾曲領域１０６ｂと重なる。カバー部材１０４は表示ユニット１０６の側面と接することができる。偏光板２６２や封止膜２６０の側面もカバー部材１０４と接してもよい。

ガラス基板１０２の下には、任意の構成として支持フィルム２５２を設けることができる。この場合、印刷回路基板１１６は支持フィルム２５２を介してガラス基板１０２の下に配置することができる。支持フィルム２５２の側面もカバー部材１０４と接してもよい。支持フィルム２５２は、芳香族ポリカルボナート、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、あるいはポリオレフィンなどのポリマーを含むことができる。

図１９に示すように、表示ユニット１０６は第１の基材１２０、および第１の基材１２０上に設けられる種々の膜の積層によって構成される。例えば画素２０２では、第１の基材１２０上のアンダーコート２６８、半導体膜２７２、ゲート絶縁膜２７４、ゲート電極２７６、容量電極２７８、層間膜２８０、ドレイン電極２８２、ソース電極２８４、平坦化膜２８６、接続電極２９０、付加容量電極２９２、絶縁膜２９６、第１の電極３０２、隔壁２９８、電界発光層（ＥＬ層）３０４、第２の電極３０６などを有する。半導体膜２７２はゲート電極と重なるチャネル領域２７２ｃ、不純物がドープされたドープ領域２７２ａ、チャネル領域２７２ｃとドープ領域２７２ａの間に位置し、ドープ領域２７２ａよりもドーパントの濃度が低い低濃度ドープ領域２７２ｂを有してもよい。半導体膜２７２、ゲート絶縁膜２７４、ゲート電極２７６、層間膜２８０、ドレイン電極２８２、およびソース電極２８４によってトランジスタ２７０が形成される。

発光素子３００は、第１の電極３０２、電界発光層３０４、第２の電極３０６によって構成される。本明細書と請求項において、電界発光層３０４とは、第１の電極３０２と第２の電極３０６の間に挟持される層全体を１４６意味しており、複数の膜（例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層など）から構成することができる。第１の電極３０２とソース電極２８４は、接続電極２９０を介して電気的に接続され、これにより、発光素子３００はトランジスタ２７０によって制御される。本明細書、および請求項では、発光素子を電気光学素子として有する場合、表示ユニット１０６とは、第１の基材１２０と発光素子３００、およびこれらに挟持される種々の膜を意味する。

封止膜２６０は、ケイ素含有無機化合物などの絶縁体を含む膜を有することができる。図１９に示した例では、封止膜２６０は、ケイ素含有無機化合物を含む第１の層３１０と第３の層３１４、ならびにこれらに挟持される有機化合物を含む第２の層３１２を有している。封止膜２６０は第２の電極３０６や偏光板２６２と接するよう、表示装置２４０を構成してもよい。

このような表示装置２４０は、全固体型の発光素子３００が各画素２０２に備えられているため、湾曲部においても高い表示品質が得られる。このため、表示装置２４０の側面からも高品質な映像を提供することが可能である。

本明細書においては、開示例として主に液晶素子、あるいは発光素子を有する表示装置の場合を例示したが、電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、様々なフラットパネル型の表示装置に適用することができる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：第１のガラス基板、１０２ａ：平坦領域、１０２ｂ：湾曲領域、１０４：カバー部材、１０４ａ：平坦領域、１０４ｂ：湾曲領域、１０６：表示ユニット、１０６ａ：平坦領域、１０６ｂ：湾曲領域、１０８：活性領域、１１０：バックライト、１１２：コネクタ、１１４：フィラー、１１６：印刷回路基板、１１８：チップ、１２０：第１の基材、１２０ａ：平坦領域、１２０ｂ：湾曲領域、１２２：第２の基材、１２２ａ：平坦領域、１２２ｂ：湾曲領域、１２４：液晶層、１２６：シール、１２８：第１の偏光板、１３０：第２の偏光板、１３２：樹脂層、１３４：光源、１４０：ゲート信号線、１４２：映像信号線、１４４：トランジスタ、１４４＿１：第１のトランジスタ、１４４＿２：第２のトランジスタ、１４６：半導体膜、１４６＿２：半導体膜、１４８：ソース電極、１５０：画素電極、１５２：スリット、１５４：共通電極、１５６：補助配線、１６０：アンダーコート膜、１６０＿２：第２のアンダーコート、１６２：ゲート絶縁膜、１６２＿２：第２のゲート絶縁膜、１６４：層間膜、１６４＿２：第２の層間膜、１６６：ゲート電極、１６８：ドレイン電極、１７０：平坦化膜、１７２：絶縁膜、１８０：第１の配向膜、１８２：第２の配向膜、１８４：フォトマスク、１８６：支持基板、１９０：遮光膜、１９２：カラーフィルタ、１９４：オーバーコート、２００：表示領域、２０２：画素、２０４：駆動回路、２０６：配線、２０８：端子、２２０：表示装置、２３０：表示装置、２４０：表示装置、２４２：第２のガラス基板、２４４：第２のフィラー、２５０：表示装置、２５２：支持フィルム、２６０：封止膜、２６２：偏光板、２６８：アンダーコート、２７０：トランジスタ、２７２：半導体膜、２７２ａ：ドープ領域、２７２ｂ：低濃度ドープ領域、２７２ｃ：チャネル領域、２７４：ゲート絶縁膜、２７６：ゲート電極、２７８：容量電極、２８０：層間膜、２８２：ドレイン電極、２８４：ソース電極、２８６：平坦化膜、２９０：接続電極、２９２：付加容量電極、２９６：絶縁膜、２９８：隔壁、３００：発光素子、３０２：第１の電極、３０４：電界発光層、３０６：第２の電極、３１０：第１の層、３１２：第２の層、３１４：第３の層

Claims

第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上に位置し、第１の平坦領域と第１の湾曲領域を有する第１の基材と、
前記第１の平坦領域上の電気光学素子とを有し、
前記第１の基材は、前記第１の平坦領域において前記第１のガラス基板と接し、前記第１の湾曲領域において前記第１のガラス基板から離間する表示装置。
前記第１の基材は、前記第１の湾曲領域において前記第１のガラス基板と接しない、請求項１に記載の表示装置。
フィラーをさらに有し、
前記フィラーは、前記第１のガラス基板の側面に接し、前記第１の湾曲領域において前記第１の基材の底面と接する、請求項１または２に記載の表示装置。
前記第１の平坦領域と重なる第２の平坦領域と、
前記第１の湾曲領域と重なる第２の湾曲領域とを含む第２の基材を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
前記第２の基材上にカバー部材をさらに有し、
前記カバー部材は、
前記第１の平坦領域と重なる第３の平坦領域と、
前記第１の湾曲領域と重なる第３の湾曲領域を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
前記第２の基材と前記カバー部材の間に偏光板をさらに有する、請求項５に記載の表示装置。
前記第１の基材は複数の前記第１の湾曲領域を有し、
前記第１の平坦領域は、前記複数の第１の湾曲領域の間にある、請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
前記第１の基材上に第１のトランジスタと第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは前記第１の平坦領域にあり、前記第２のトランジスタは前記第１の湾曲領域にあり、
前記第１のトランジスタはポリシリコン層を半導体として有し、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を半導体として有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置。
第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上に位置し、第１の平坦領域と第１の湾曲領域を有する第１の基材と、
前記第１の平坦領域と前記第１の湾曲領域上の電気光学素子と、
前記電気光学素子上に位置し、第２の平坦領域と第２の湾曲領域を有する第２の基材と、
前記第２の基材上の第２のガラス基板を有し、
前記第１の基材は、前記第１の平坦領域において前記第１のガラス基板と接し、前記第１の湾曲領域において前記第１のガラス基板から離間し、
前記第２の基材は、前記第２の平坦領域において前記第２のガラス基板と接する表示装置。
前記第２の基材上にカバー部材をさらに有し、
前記カバー部材は、
前記第１の平坦領域と重なる第３の平坦領域と、
前記第１の湾曲領域、および前記第２の湾曲領域と重なる第３の湾曲領域を有する、請求項９に記載の表示装置。
第１のフィラーをさらに有し、
前記第１のフィラーは、前記第１のガラス基板の側面に接し、前記第１の湾曲領域において前記第１の基材の底面と接する、請求項９または１０に記載の表示装置。
第２のフィラーをさらに有し、
前記第２のフィラーは、前記第２の湾曲領域と前記第３の湾曲領域の間にある、請求項１０に記載の表示装置。
前記第２のガラス基板と前記カバー部材の間に偏光板をさらに有する、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の表示装置。