JP2017098338A

JP2017098338A - 電子装置

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Publication number: JP2017098338A
Application number: JP2015226949A
Authority: JP
Inventors: 俊浩中村; Toshihiro Nakamura; 英二藪田; Eiji Yabuta
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2015-11-19
Filing date: 2015-11-19
Publication date: 2017-06-01

Abstract

【課題】表層樹脂部にクラックが入ることを抑制できる電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１００は、車両のエンジンルーム内に搭載されてなるものである。電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６及び第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃを介して積層された第１層配線Ｌ１〜第１０層配線Ｌ１０を備えている。電子装置１００は、第１層配線Ｌ１と第２層配線Ｌ２との間の第１ビルドアップ層１１にフィルドビア３１、３２を備えている。そして、Ｚ方向における第１ビルドアップ層１１の線膨張係数は、フィルドビア３１、３２の線膨張係数と同じである。
【選択図】図２

Description

本発明は、電気絶縁性の樹脂基材を介して積層された複数の配線が形成された電子装置に関する。

従来、電気絶縁性の樹脂基材を介して積層された複数の配線が形成された電子装置の一例として、特許文献１に開示された電子装置がある。

この電子装置は、樹脂内に、熱膨張係数を制御する球状のフィラーに加えて、棒状、扁平状、燐片状の添加剤の少なくともいずれか１つが混入されたビルドアップ層（以下、表層樹脂部）を備えている。

特開２０１４−２２０３１０号公報

ところで、電子装置は、表層樹脂部にフィルドビアが形成されている。この表層樹脂部とフィルドビアとは、配線の積層方向における線膨張係数が異なる。このため、電子装置は、使用環境の温度が変化することで、表層樹脂部に応力が印加されてクラックが発生する可能性がある。電子装置は、クラックが発生すると、クラックを起点としてフィルドビアと内層配線とが断線したり、クラックに水滴などが入りランドと内層配線とがショートしたりするという問題がある。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、表層樹脂部にクラックが入ることを抑制できる電子装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、
電気絶縁性の樹脂基材（１１〜１６、１７ａ〜１７ｃ）を介して積層された複数の配線（Ｌ１〜Ｌ１０）と、
複数の配線のうち樹脂基材の表層に設けられた表層配線（Ｌ１、Ｌ１０）の一部であり、回路素子（７０、２００）が実装可能な被実装部（Ｌ１ａ、Ｌ１０ａ）と、
樹脂基材における表層配線と表層配線の次の層に設けられた第２層配線（Ｌ２、Ｌ９）との間の表層樹脂部（１１、１２）に設けられた穴を満たしており、被実装部と第２層配線とを電気的及び機械的に接続しているフィルドビア（３１〜３４）と、を備え、
配線の積層方向における表層樹脂部の線膨張係数は、フィルドビアの線膨張係数と同じであることを特徴とする。

このように、本発明は、被実装部と第２層配線とがフィルドビアで電気的及び機械的に接続されている。このフィルドビアは、表層配線と第２層配線の間の表層樹脂部に設けられた穴を満たしている。表層樹脂部やフィルドビアは、環境温度の変化に応じて膨張したり収縮したりする。

また、本発明は、表層樹脂部の線膨張係数が、フィルドビアの線膨張係数と同じにしている。このため、本発明は、自身が配置された環境温度が変化したとしても、表層樹脂部とフィルドビアが同じように膨張や収縮することになり、表層樹脂部に応力が印加されることを抑えることができる。従って、本発明は、表層樹脂部にクラックが入ることを抑制できる。

なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。

第１実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。図１のII‐II線に沿う断面図である。第１実施形態における電子装置の搭載環境を示すイメージ図である。クラック発生率と線膨張係数の関係を示すグラフである。第２実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。第３実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。第４実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。第５実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。

以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。

なお、以下においては、第１層配線Ｌ１〜第７層配線Ｌ７などの積層方向をＺ方向と称する。また、Ｚ方向は、厚み方向と言い換えることもできる。さらに、図面におけるＸ方向とＹ方向は、互いに直交する方向であり、且つＺ方向に直交する方向である。

（第１実施形態）
第１実施形態における電子装置１００に関して、図１〜図３を用いて説明する。電子装置１００は、例えば車両用の制御装置としての機能を有している。電子装置１００は、図３に示すように、例えば車両のエンジンルーム２００に搭載されている。エンジンルーム２００には、例えば、エンジンやオートマチックトランスミッション（以下、トランスミッション）２１０などが搭載されている。そして、本実施形態では、一例として、電子装置１００がトランスミッション２１０内に配置されている例を採用する。詳述すると、電子装置１００は、トランスミッション２１０のハウジング内に配置されている。また、トランスミッション２１０は、ハウジング内にオイル２２０が充填されている。よって、電子装置１００は、トランスミッション２１０内に、オイル２２０に晒された状態で配置されている。なお、トランスミッション２１０内は、−４０℃〜１５０℃程度の範囲で温度が変化する。つまり、電子装置１００は、自身の周辺温度が−４０℃〜１５０℃程度の範囲で変化することなる。

しかしながら、本発明はこれに限定されない。電子装置１００は、エンジンルーム２００内において、エンジンやトランスミッション２１０の周辺に配置されていてもよい。つまり、電子装置１００は、エンジンやトランスミッション２１０と同じ空間に配置されていてもよい。例えば、電子装置１００は、ボルトなどの固定具によって、直接エンジンの金属ケースやトランスミッション２１０のハウジングに実装される。なお、エンジンルーム２００に関しても、温度は、−４０℃〜１５０℃程度の範囲で変化する。また、エンジンルーム２００は、湿度も比較的高くなることがある。さらに、電子装置１００は、周辺の温度が−４０℃〜１５０℃程度で変化する車両とは異なる装置に搭載されるものであってもよい。

電子装置１００は、図１、図２に示すように、第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６及び第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃと、これらを介して積層された第１層配線Ｌ１〜第１０層配線Ｌ１０とを備えている。第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６及び第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃは、特許請求の範囲における樹脂基材に相当する。第１層配線Ｌ１〜第１０層配線Ｌ１０は、特許請求の範囲における配線に相当する。以下においては、第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６を省略して、ビルドアップ層１１〜１６と記載し、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃを省略して、コア層１７ａ〜１７ｃと記載することもある。

さらに、電子装置１００は、異なる層の配線を電気的及び機械的に接続しているフィルドビア３１〜３４、及びコンフォーマルビア２１〜２４を備えている。このビルドアップ層１１〜１６及びコア層１７ａ〜１７ｃと、第１層配線Ｌ１〜第１０層配線Ｌ１０と、フィルドビア３１〜３４と、コンフォーマルビア２１〜２４とで構成された構造体は、多層基板と称することができる。多層基板は、一面Ｓ１と、一面Ｓ１の反対側の面である反対面Ｓ２とを含んでいる。多層基板は、例えば、平板形状をなしている。なお、多層基板は、貫通ビア４０を備えている。しかしながら、電子装置１００は、貫通ビア４０を備えていなくてもよい。

さらに、電子装置１００は、一面Ｓ１に実装された回路素子７０、及び一面Ｓ１と第１層配線Ｌ１と回路素子７０とを一体的に覆っている封止樹脂５０を備えている。また、封止樹脂５０は、これらに加えて、回路素子７０と多層基板とを接続しているはんだ８０を一体的に覆っている。このように、電子装置１００は、一面Ｓ１に封止樹脂５０が設けられているため、第１層配線Ｌ１の保護や電気的絶縁のためのソルダーレジストを設ける必要がない。封止樹脂５０は、周知のエポキシ樹脂等を含んで構成されており、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されている。なお、封止樹脂５０は、一面Ｓ１側のみに形成されており、反対面Ｓ２側には形成されていない。よって、電子装置１００は、ハーフモールド構造をなしていると言える。

回路素子７０は、第１層配線Ｌ１などとともに回路を構成する部品であり、ＩＣ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどを採用できる。また、回路素子７０は、封止樹脂５０で覆われているため、ベアチップでも採用できる。回路素子７０は、電極７１を備えている。そして、回路素子７０は、一面Ｓ１に形成された第１層配線Ｌ１の一部であるランドＬ１ａと電極７１とがはんだ８０によって電気的及び機械的に接続されている。電極７１とランドＬ１ａとを接続している部材は、はんだ８０に限定されず、導電性の接続部材であれば採用できる。よって、電子装置１００は、導電性の接続部材を備えているとも言える。

なお、電子装置１００は、反対面Ｓ２に封止樹脂５０が設けられていない。このため、電子装置１００は、反対面Ｓ２に形成されている第１０層配線Ｌ１０を覆うソルダーレジスト６０を備えている。詳述すると、ソルダーレジスト６０は、第１０層配線Ｌ１０の一部を露出するための開口部６１が形成されている。第１０層配線Ｌ１０は、開口部６１から露出している部位がランドＬ１０ａとなっている。電子装置１００は、開口部６１などに放熱グリスなどが設けられ、且つ、ソルダーレジスト６０とトランスミッション２１０とが対向した状態で、トランスミッション２１０に取り付けられている。また、電子装置１００は、開口部６１などに放熱グリスなどが設けられ、且つ、ソルダーレジスト６０とヒートシンクとが対向した状態で、ヒートシンクが取り付けられていてもよい。これによって、電子装置１００は、ランドＬ１０ａを通る放熱経路が形成される。

また、ランドＬ１０ａには、反対面Ｓ２側に実装される実装部品の電極が、導電性の接続部材を介して電気的及び機械的に接続されていてもよい。この実装部品は、回路素子７０と同様に回路の一部を構成する部品であるが、封止樹脂５０を成型する際の成型圧に耐えることができないなど封止樹脂５０で覆うことが難しい部品である。

ここで、多層基板に関して詳しく説明する。まず、コア層１７ａ〜１７ｃに関して説明する。コア層１７ａ〜１７ｃは、電気絶縁性の樹脂を主成分として構成されており、例えばアルミナやシリカ等の電気絶縁性の無機フィラーが含有されたエポキシ樹脂である。また、コア層１７ａ〜１７ｃは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂とガラスクロスとを含んで構成されていてもよい。しかしながら、コア層１７ａ〜１７ｃは、これに限定されず、無機フィラーを含んでいないものや、ガラスクロスを含んでいないものであってもよい。さらに、コア層１７ａ〜１７ｃとしては、無機フィラー及びガラスクロスを含有しない樹脂のみよりなるものであってもよい。

コア層１７ａ〜１７ｃは、第２コア層１７ｂを第１コア層１７ａと第３コア層１７ｃとで挟み込んだ構成をなしている。第２コア層１７ｂは、一面Ｓ１側にパターニングされた第５層配線Ｌ５が形成されており、反対面Ｓ２側にパターニングされた第６層配線Ｌ６が形成されている。また、第２コア層１７ｂは、第５層配線Ｌ５を覆って第１コア層１７ａが形成されており、第６層配線Ｌ６を覆って第３コア層１７ｃが形成されている。さらに、第１コア層１７ａは、一面Ｓ１側にパターニングされた第４層配線Ｌ４が形成されている。第３コア層１７ｃは、反対面Ｓ２側にパターニングされた第７層配線Ｌ７が形成されている。貫通ビア４０は、第４層配線Ｌ４と第７層配線Ｌ７との間で、コア層１７ａ〜１７ｃをＺ方向に貫通して設けられている。貫通ビア４０に関しては、特許文献１などを参照されたい。

多層基板は、第１コア層１７ａの一面Ｓ１側に、第５ビルドアップ層１５、第３ビルドアップ層１３、第１ビルドアップ層１１がこの順番で積層されている。また、多層基板は、第３コア層１７ｃの反対面Ｓ２側に、第６ビルドアップ層１６、第４ビルドアップ層１４、第２ビルドアップ層１２がこの順番で積層されている。第１ビルドアップ層１１と第２ビルドアップ層１２は、特許請求の範囲における表層樹脂部に相当する。一方、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６の夫々は、特許請求の範囲における内層樹脂部に相当する。

第１ビルドアップ層１１、第３ビルドアップ層１３、第５ビルドアップ層１５の夫々は、第１コア層１７ａと同様に、一面Ｓ１側にパターニングされた第１層配線Ｌ１、第２層配線Ｌ２、第３層配線Ｌ３が形成されている。また、第２ビルドアップ層１２、第４ビルドアップ層１４、第６ビルドアップ層１６の夫々は、第３コア層１７ｃと同様に、反対面Ｓ２側にパターニングされた第１０層配線Ｌ１０、第９層配線Ｌ９、第８層配線Ｌ８が形成されている。多層基板は、第１ビルドアップ層１１の表面が一面Ｓ１に相当し、第２ビルドアップ層１２の表面が反対面Ｓ２に相当する。よって、第１層配線Ｌ１は、一面Ｓ１に形成されている。そして、第１０層配線Ｌ１０は、反対面Ｓ２に形成されている。

次に、第１層配線Ｌ１〜第１０層配線Ｌ１０に関して説明する。各層配線Ｌ１〜Ｌ１０は、ＸＹ平面に形成されており、銅やアルミニウムなどの金属を含んで構成された導体パターンである。言い換えると、各層配線Ｌ１〜Ｌ１０は、銅やアルミニウムなどの金属を主成分として構成されている。本実施形態では、銅を主成分として構成されている例を採用する。よって、各層配線Ｌ１〜Ｌ１０は、Ｚ方向の線膨張係数が１７×１０^−６／℃である。なお、以下においては、Ｚ方向の線膨張係数を単に線膨張係数とも称する。

なお、本実施形態では、一例として、図２に示すように、第１層配線Ｌ１〜第４層配線Ｌ４及び第７層配線Ｌ７〜第１０層配線Ｌ１０の厚みが第５層配線Ｌ５及び第６層配線Ｌ６の厚みよりも厚い電子装置１００を採用している。さらに、第１層配線Ｌ１〜第４層配線Ｌ４及び第７層配線Ｌ７〜第１０層配線Ｌ１０の厚みは、パソコンや携帯端末などに用いられる多層基板の配線の厚みよりも十分に厚い。なお、ここでの厚みは、第１層配線Ｌ１や第５層配線Ｌ５などを構成している導体パターンの膜厚である。このため、電子装置１００の多層基板は、パソコンや携帯端末などに用いられる多層基板よりも大電流を流すことができ、且つ、放熱性がよい。よって、回路素子７０としてのＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴは、動作時の発熱量が比較的大きい所謂パワー素子を採用できる。なお、電子装置１００は、第５層配線Ｌ５及び第６層配線Ｌ６の厚みが、第１層配線Ｌ１などと同程度の厚みであってもよい。

次に、第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６に関して説明する。第１ビルドアップ層１１と第２ビルドアップ層１２の夫々は、フィルドビア３１〜３４が形成されている。詳述すると、第１ビルドアップ層１１は、フィルドビア３１、３２が形成されている。一方、第２ビルドアップ層１２は、フィルドビア３３、３４が形成されている。フィルドビア３１、３２は、第１ビルドアップ層１１に設けられた穴を満たしており、ランドＬ１ａと第２層配線Ｌ２とを電気的及び機械的に接続している。第１ビルドアップ層１１に設けられた穴は、第１ビルドアップ層１１をＺ方向に貫通している。ランドＬ１ａは、特許請求項の範囲における被実装部に相当する。ランドＬ１ａは、第１層配線Ｌ１の一部であり、回路素子７０が実装可能な部位である。ランドＬ１ａには、はんだ８０を介して電極７１が電気的及び機械的に接続されている。また、フィルドビア３１、３２は、ランドＬ１ａの直下（言い換えると真下）に設けられている。

各フィルドビア３１〜３４は、銅や銀ペーストなどの金属を主成分として構成されている。本実施形態では、銅を主成分として構成されている例を採用する。よって、各フィルドビア３１〜３４は、線膨張係数が１７×１０^−６／℃である。

なお、フィルドビア３３、３４は、ランドＬ１０ａの直上（言い換えると真上）に設けられており、ランドＬ１０ａと第９層配線Ｌ９とを電気的及び機械的に接続している。フィルドビア３３、３４は、接続している配線層がフィルドビア３１、３２と異なるが、その他はフィルドビア３１、３２と同様であるため詳しい説明は省略する。

一方、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６の夫々は、コンフォーマルビア２１〜２４が形成されている。詳述すると、第３ビルドアップ層１３は、コンフォーマルビア２１が形成されている。第４ビルドアップ層１４は、コンフォーマルビア２４が形成されている。第５ビルドアップ層１５は、コンフォーマルビア２２が形成されている。第６ビルドアップ層１６は、コンフォーマルビア２３が形成されている。

コンフォーマルビア２１は、第３ビルドアップ層１３に設けられた穴を満たすことなく穴の壁面に形成されており、第３ビルドアップ層１３を挟む二つの配線（Ｌ２、Ｌ３）間を電気的及び機械的に接続している。第３ビルドアップ層１３に設けられた穴は、第３ビルドアップ層１３をＺ方向に貫通している。コンフォーマルビア２１は、この穴の表面にのみ形成されている。

なお、コンフォーマルビア２２〜２４は、接続している配線がコンフォーマルビア２１と異なるが、その他はコンフォーマルビア２１と同様であるため詳しい説明は省略する。コンフォーマルビア２２は、第３層配線Ｌ３と第４層配線Ｌ４とを接続している。コンフォーマルビア２３は、第７層配線Ｌ７と第８層配線Ｌ８とを接続している。コンフォーマルビア２４は、第８層配線Ｌ８と第９層配線Ｌ９とを接続している。

このように、電子装置１００は、フィルドビア３１、３２と、コンフォーマルビア２１〜２４の両方のビアが形成されている。フィルドビアは、コンフォーマルビアなどよりも、回路素子７０などが実装可能、高放熱、大電流、多層基板を小型化できるなどのメリットがある。一方、コンフォーマルビアは、フィルドビアよりも、信頼性がよく、低コストであるなどのメリットがある。電子装置１００は、表層樹脂部にだけフィルドビア３１、３２を設けられており、内層樹脂部にはコンフォーマルビア２１〜２４が設けられている。このため、電子装置１００は、フィルドビアのメリットと、コンフォーマルビアのメリットの両方を兼ね備えていると言える。つまり、電子装置１００は、一面Ｓ１に回路素子７０を実装可能としつつ、信頼性を確保できる。

第１ビルドアップ層１１と第２ビルドアップ層１２の夫々は、例えばアルミナやシリカ等の電気絶縁性の無機フィラーが含有されたエポキシ樹脂や、例えばアルミナやシリカ等の電気絶縁性の無機フィラーが含有されたＢＴレジンなどを採用できる。なお、ＢＴレジンは、登録商標であり、ビスマレイミドトリアジン樹脂の略称である。

特に、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２は、線膨張係数が、各フィルドビア３１〜３４の線膨張係数と同じとなっている。つまり、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２は、線膨張係数が１７×１０^−６／℃である。線膨張係数は、エポキシ樹脂などに含有されている無機フィラーの量を多くするほど小さくすることができる。よって、電子装置１００では、無機フィラーの量を調整して、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の線膨張係数を１７×１０^−６／℃としている。これに対して、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６や、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃは、線膨張係数が４０×１０^−６／℃である。

このように、電子装置１００は、ランドＬ１ａと第２層配線Ｌ２とがフィルドビア３１、３２で電気的及び機械的に接続されている。このフィルドビア３１、３２は、第１層配線Ｌ１と第２層配線Ｌ２の間の第１ビルドアップ層１１に設けられた穴を満たしている。第１ビルドアップ層１１やフィルドビア３１、３２は、環境温度の変化に応じて膨張したり収縮したりする。

また、電子装置１００は、トランスミッション２１０内に搭載されてなるものである。よって、電子装置１００が搭載された環境の環境温度は、−４０℃〜１５０℃程度の範囲で変化することが考えられる。電子装置１００は、このような環境に搭載されるため、環境温度の変化によって、第１ビルドアップ層１１やフィルドビア３１、３２の膨張や収縮が顕著に現れると考えられる。

そこで、電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１の線膨張係数が、フィルドビア３１、３２の線膨張係数と同じにしている。このため、電子装置１００は、上記のように環境温度が変化したとしても、第１ビルドアップ層１１とフィルドビア３１、３２が同じように膨張や収縮することになり、第１ビルドアップ層１１に応力が印加されることを抑えることができる。従って、電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１にクラックが入ることを抑制できる。

例えば、第１ビルドアップ層１１は、フィルドビア３１、３２との線膨張係数の差が大きい場合、環境温度が変化することで、図２における点線で示すようにクラックＣが発生する可能性がある。クラックＣは、ランドＬ１ａの角部から発生して、フィルドビア３１と第２層配線Ｌ２との界面に達する。しかしながら、電子装置１００は、上記のように、クラックＣの発生を抑制できる。

なお、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の線膨張係数は、各フィルドビア３１〜３４の線膨張係数と完全に一致していなくてもよい。第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の線膨張係数は、１７±５×１０^−６／℃、すなわち１２〜２２×１０^−６／℃であってもよい。電子装置１００は、線膨張係数が１２〜２２×１０^−６／℃であれば、上記の環境温度で使用された場合にクラックＣを抑制できることが実験によって確認できた。図４は、この実験結果を示すグラフである。

この実験は、電子装置１００を恒温槽内に配置し、恒温槽内の温度を−４０℃から１５０℃、及び−４０℃から１５０℃の温度範囲で変化させて、電子装置１００におけるクラック発生率を観測したものである。詳述すると、この実験では、電子装置１００を−４０℃の恒温槽内に３０分間放置し、その後、恒温槽内に電子装置１００を配置した状態で恒温槽内の温度を１０分間で１５０℃まで上昇させて、電子装置１００を１５０℃の恒温槽内に３０分間放置する。本実験では、これを５００回繰り返して、クラックＣが発生しているか否かを観測した。なお、恒温槽内の温度は、電子装置１００の周辺温度と言い替えることができる。

図４に示す結果からも明らかなように、クラック発生率は、線膨張係数が１０．５×１０^−６／℃から２２×１０^−６／℃の範囲では０であるが、線膨張係数が１０．５×１０^−６／℃よりも小さい場合、及び、２２×１０^−６／℃より大きい場合に高くなっている。よって、電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２の線膨張係数が１７±５×１０^−６／℃であれば、上記の環境温度で使用された場合にクラックＣを抑制できる。

また、電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２を含む全ての樹脂基材の線膨張係数が１７×１０^−６／℃であってもよい。つまり、電子装置１００は、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２だけでなく、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６や、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃに関しても、線膨張係数を１７×１０^−６／℃としてもよい。これによって、電子装置１００は、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６や、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃに関しても、各層配線や各コンフォーマルビアとの線膨張係数差をなくす、又は小さくできる。よって、電子装置１００は、例えば第３ビルドアップ層１３などにクラックが発生することを抑制できる。

なお、電子装置１００は、自身が配置された環境温度が変化した場合、第１ビルドアップ層１１とフィルドビア３１、３２が同じように膨張や収縮する。このため、電子装置１００は、トランスミッション２１０内に配置されていなくても、上記と同様の効果を奏することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明のその他の形態として、第２実施形態〜第５実施形態に関して説明する。上記実施形態及び第２実施形態〜第５実施形態は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。

（第２実施形態）
電子装置１１０は、図５に示すように、コンフォーマルビア２１〜２４のかわりに、フィルドビア３５〜２８が形成されている点が電子装置１００と異なる。つまり、電子装置１１０は、コンフォーマルビア２１〜２４が設けられておらず、層間接続部材としてフィルドビア３１〜２８のみが形成されている。また、電子装置１１０は、第１ビルドアップ層１１及び第２ビルドアップ層１２だけでなく、第３ビルドアップ層１３〜第６ビルドアップ層１６や、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃに関しても、線膨張係数が１７×１０^−６／℃である。

電子装置１１０は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。さらに、電子装置１１０は、層間接続部材としてフィルドビア３１〜２８のみが形成されているため、電子装置１００よりも体格を小さくできる。

（第３実施形態）
電子装置１２０は、図６に示すように、封止樹脂５０、回路素子７０、及びはんだ８０が設けられていない点が電子装置１００と異なる。つまり、電子装置１２０は、第１実施形態で説明した多層基板に相当する。電子装置１２０は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。

（第４実施形態）
電子装置１３０は、図７に示すように、多層基板が片面実装である点が電子装置１００と異なる。また、電子装置１３０は、第６ビルドアップ層１６及び第１０層配線Ｌ１０が形成されていない点も電子装置１００と異なる。電子装置１３０は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。

（第５実施形態）
電子装置１４０は、図８に示すように、第１コア層１７ａ〜第３コア層１７ｃが形成されていない点が電子装置１００と異なる。つまり、電子装置１４０は、樹脂基材として、第１ビルドアップ層１１〜第６ビルドアップ層１６のみが形成されている。電子装置１４０は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。なお、電子装置１４０は、第１層配線Ｌ１と第７層配線Ｌ７が表層配線に相当する。よって、電子装置１４０は、符号Ｌ７ａがランドである。

１１〜１６第１ビルドアップ層〜第６ビルドアップ層、１７ａ〜１７ｃ第１コア層〜第３コア層、２１〜２４コンフォーマルビア、３１〜３４フィルドビア、Ｌ１〜Ｌ１０第１層配線〜第１０層配線、Ｌ１ａ、Ｌ７ａ、Ｌ１０ａランド、４０貫通ビア、５０封止樹脂、６０ソルダーレジスト、６１開口部、７０回路素子、７１電極、８０はんだ、１００〜１４０電子装置、２００エンジンルーム、２１０オートマチックトランスミッション、２２０トルクコンバータ、Ｓ１一面、Ｓ２反対面

Claims

電気絶縁性の樹脂基材（１１〜１６、１７ａ〜１７ｃ）を介して積層された複数の配線（Ｌ１〜Ｌ１０）と、
複数の前記配線のうち前記樹脂基材の表層に設けられた表層配線（Ｌ１、Ｌ１０）の一部であり、回路素子（７０）が実装可能な被実装部（Ｌ１ａ、Ｌ１０ａ）と、
前記樹脂基材における前記表層配線と前記表層配線の次の層に設けられた第２層配線（Ｌ２、Ｌ９）との間の表層樹脂部（１１、１２）に設けられた穴を満たしており、前記被実装部と前記第２層配線とを電気的及び機械的に接続しているフィルドビア（３１〜３４）と、を備え、
前記配線の積層方向における前記表層樹脂部の線膨張係数は、前記フィルドビアの前記線膨張係数と同じである電子装置。
前記樹脂基材は、前記表層樹脂部を含む全体の前記線膨張係数が、前記フィルドビアの前記線膨張係数と同じである請求項１に記載の電子装置。
前記樹脂基材における前記表層樹脂部とは異なる内層樹脂部（１３〜１６）に設けられた穴を満たすことなく前記穴の壁面に形成されており、前記内層樹脂部を挟む二つの前記配線間を電気的及び機械的に接続しているコンフォーマルビア（２１〜２４）を備えている請求項１又は２に記載の電子装置。
前記被実装部に実装された前記回路素子（７０）と、
前記表層と前記表層配線と前記回路素子とを一体的に封止している封止樹脂部（５０）と、を備えている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
前記樹脂基材は、コア層（１７ａ〜１７ｃ）と、前記表層樹脂部を含むビルドアップ層と、を備えている請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置。