JP2017076009A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スペーサが傾斜領域に接することによる表示不良を低減する表示装置を提供する。【解決手段】スペーサを保持する台座は、スペーサに対向する領域であって少なくともゲート線と半導体層とデータ線と有機絶縁膜とが積層方向に互いに重畳する重畳領域に形成されており、台座の外周全体と重畳領域とは積層方向に重畳する。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。

表示装置には、第１基板と第２基板との間の距離（ギャップ）を保持するために複数のスペーサが配置される。例えば、第１基板に台座が形成され、第２基板にスペーサが形成され、台座とスペーサとが接触するように第１基板と第２基板とを貼り合わせることによって、上記ギャップを保持する。スペーサは、画素の開口率を低下させない位置に配置されることが望ましい。例えば、特許文献１には隣り合う２つの薄膜トランジスタ近傍にスペーサが配置されることが開示されている。

特開２００２−１９６３３８号公報

台座は、上記ギャップを保持するために平坦性を有していることが望ましい。第１基板を構成する有機絶縁膜の表面は、一見すると平坦性を有しているが、詳細に分析すると下層の段差の影響を受けて曲面状の傾斜を生じることがわかった。このような有機絶縁膜の傾斜が生じる領域にスペーサが接すると、黄変、混色などの表示不良が生じる。特に、薄膜トランジスタの近傍は、積層構造に伴う段差が生じやすいため有機絶縁膜の傾斜が生じやすい。

本発明は上記課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、スペーサが傾斜領域に接することによる表示不良を低減する表示装置を提供することにある。

本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるスペーサと、を含み、前記第１基板は、前記スペーサを保持する台座と、行方向に延在する複数のゲート線と、前記複数のゲート線を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成される半導体層と、前記半導体層上に形成され列方向に延在する複数のデータ線と、前記複数のデータ線を覆う第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成される有機絶縁膜と、を含み、前記台座は、前記スペーサに対向する領域であって少なくとも前記ゲート線と前記半導体層と前記データ線と前記有機絶縁膜とが積層方向に互いに重畳する重畳領域に形成されており、前記台座の外周全体と前記重畳領域とは積層方向に重畳する、ことを特徴とする。

本発明に係る表示装置では、複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続された共通配線をさらに含み、前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、前記共通配線は、行方向に延在する第１共通配線と、前記第１共通配線から列方向に延在する第２共通配線とを含み、前記台座は、前記重畳領域に形成された前記第２共通配線であってもよい。

本発明に係る表示装置では、複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続された共通配線をさらに含み、前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、前記台座は、前記重畳領域に、前記共通配線と同一層にかつ前記共通配線から離間して形成される金属層であってもよい。

本発明に係る表示装置では、前記第１基板は、第３絶縁膜をさらに含み、前記第３絶縁膜は、前記共通電極と前記共通配線とを覆うように形成され、前記複数の画素電極は、前記第３絶縁膜上に形成されてもよい。

本発明に係る表示装置では、前記ゲート線と、前記半導体層と、前記データ線とは、平面的に見て、前記台座からはみ出して形成されてもよい。

本発明に係る表示装置では、前記ゲート線は、前記ゲート線における、平面的に見て前記台座に重なる領域において、列方向に延伸する突起を含んでもよい。

本発明に係る表示装置では、前記データ線は、前記データ線における、平面的に見て前記台座に重なる領域において、行方向に延伸する突起を含んでもよい。

本発明に係る表示装置によれば、平坦性を有する台座が形成されることで、スペーサが傾斜領域に接することによる表示不良を低減することができる。

本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。 画素の構成を示す平面図である。 図２のＡ−Ａ’断面図である。 本実施形態に係るＴＦＴ基板の部分拡大図である。 図４のＢ−Ｂ’断面図である。 図４のＣ−Ｃ’断面図である。 他の実施形態に係るＴＦＴ基板の部分拡大図である。

本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本実施形態では、液晶表示装置を例にして説明するが、本発明に係る表示装置は液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ表示装置等であってもよい。

図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置は、画像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路（データ線駆動回路、ゲート線駆動回路）と、駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネル１０に背面側から光を照射するバックライト（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０の表示領域１０ａには、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで囲まれた画素１４が、行方向及び列方向にマトリクス状に複数配列されている。なお、データ線１１が延在する方向を列方向、ゲート線１２が延在する方向を行方向とする。また図１には、後述するスペーサ２１０を示している。

図２は、画素１４の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。図２及び図３を参照しつつ、表示パネル１０の具体的な構成について説明する。

図２において、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、薄膜トランジスタ１３が設けられている。薄膜トランジスタ１３は、データ線１１とゲート線１２とのそれぞれの交差部近傍に形成されている。薄膜トランジスタ１３は、第１絶縁膜１０２上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている（図３参照）。ドレイン電極２２はデータ線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はコンタクトホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。

各画素１４には、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。各開口部の形状及び数限定されない。各画素１４に共通して、表示領域全体にＩＴＯ等の透明導電膜からなる１つの共通電極１６が画素電極１５に対向して形成されている。なお、共通電極１６における、コンタクトホール２４及び薄膜トランジスタ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部が形成されている。つまり、各画素１４は、薄膜トランジスタ１３が形成される領域を除いて、共通電極１６に覆われている。

図３に示すように、表示パネル１０は、背面側に配置されるＴＦＴ基板１００（第１基板）と、表示面側に配置されるＣＦ基板２００（第２基板）と、ＴＦＴ基板１００及びＣＦ基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んでいる。

ＴＦＴ基板１００では、ガラス基板１０１上にゲート線１２が形成され、ゲート線１２を覆うように第１絶縁膜１０２が形成されている。第１絶縁膜１０２の表面には、ゲート線１２の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。ゲート線１２は、アルミニウムＡｌ、モリブデンＭｏ、チタンＴｉあるいは銅Ｃｕを主成分とする金属材料、又は上記の複数の積層層、又は上記金属材料にタングステンＷ、マンガンＭｎあるいはチタンＴｉなどが添加された合金、又は上記の組み合わせにおける積層金属層から形成される。第１絶縁膜１０２の材料としては、周知の材料を用いることができる。

第１絶縁膜１０２上には半導体層２１が形成されている。半導体層２１上にはドレイン電極２２と、ソース電極２３とが形成され、ドレイン電極２２と、ソース電極２３とを覆うように第２絶縁膜１０３が形成されている。第２絶縁膜１０３上に有機絶縁膜１０４が形成されている。第２絶縁膜１０３の表面には、半導体層２１、ドレイン電極２２、及びソース電極２３の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。有機絶縁膜１０４の表面には、第２絶縁膜１０３の表面に生じる段差の影響を受けた緩やかな曲面状の傾斜が生じる。第２絶縁膜１０３としては、シリコンナイトライドＳｉＮあるいは二酸化シリコンＳｉＯ_２を用いることができる。有機絶縁膜１０４は、アクリルを主成分とする感光性の有機材料からなる。

有機絶縁膜１０４上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように第３絶縁膜１０５が形成されている。共通電極１６の表面は、有機絶縁膜１０４の表面形状を反映した形状に形成される。第３絶縁膜１０５の表面は、共通電極１６及び有機絶縁膜１０４の表面形状や厚さを反映した形状に形成される。第３絶縁膜１０５の材料としては、周知の材料を用いることができる。

第３絶縁膜１０５上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０６が形成されている。画素電極１５は、第２絶縁膜１０３、有機絶縁膜１０４、及び第３絶縁膜１０５に形成されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２３に電気的に接続される。配向膜１０６は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。

その他、図示はしていないが、ＴＦＴ基板１００には、偏光板等が形成されている。

ＣＦ基板２００では、ガラス基板２０１上にカラーフィルタ２０２（例えば、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ）、及びブラックマトリクス２０３が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。ブラックマトリクス２０３は、黒色顔料を用いた樹脂材料あるいは金属材料で構成される。オーバコート層２０４は、有機材料で構成される。

オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。配向膜２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。

その他、図示はしていないが、ＣＦ基板２００には、偏光板等が形成されている。

液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。

画素１４を構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。また上記のように、液晶表示装置は、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の構成を有している。液晶表示装置の構成は、上記構成に限定されない。

ここで、液晶表示装置の駆動方法を簡単に説明する。ゲート線１２にはゲート線駆動回路から走査用のゲート電圧（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。データ線１１にはデータ線駆動回路から映像用のデータ電圧が供給される。ゲート線１２にゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタ１３がオン状態になり、データ線１１に供給されたデータ電圧が、ドレイン電極２２及びソース電極２３を介して画素電極１５に伝達される。共通電極１６には、共通電極駆動回路（図示せず）から共通電圧（Ｖｃｏｍ）が供給される。これにより、画素電極１５から液晶層３００を経て画素電極１５の開口部を介して共通電極１６に至る電界により液晶３０１が駆動する。液晶３０１が駆動して液晶層３００を透過する光の透過率を制御することにより画像が表示される。液晶表示装置の駆動方法は上記の方法に限定されず、周知の方法を適用することができる。

本実施形態に係る液晶表示装置には、ＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００との間の距離（ギャップ）を保持するための複数のスペーサ２１０が配置される。ＴＦＴ基板１００に台座１３０が形成され、ＣＦ基板２００にスペーサ２１０が形成され、台座１３０とスペーサ２１０とが接触するようにＴＦＴ基板１００とＣＦ基板２００とを貼り合わせることによりギャップを保持する。なお、スペーサ２１０は、互いに高さが異なる２種類のスペーサを含んでいてもよい。具体的には、スペーサ２１０は、通常状態において台座１３０に接するメインスペーサと、通常状態では台座１３０は接しておらず、表示パネル１０が変形したときに台座１３０に接するサブスペーサとを含んでいてもよい。サブスペーサを設けることにより、耐圧性の向上と低温時の気泡発生の抑制を図ることができる。

スペーサ２１０は、画素の開口率を低下させない位置、例えば薄膜トランジスタ１３の近傍に配置されることが好ましい。しかし、図３に示すように、薄膜トランジスタ１３の近傍において有機絶縁膜１０４は、下層の積層構造（特に、絶縁膜の段差）の影響を受けて曲面状の傾斜領域が生じ易い。このような傾斜領域にスペーサ２１０が接することで表示不良が起きやすくなる。本実施形態に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１００に形成される台座１３０の平坦性を向上させることにより、傾斜領域にスペーサ２１０が接することによる表示不良を低減することができる構成としている。

図４〜図６を参照して、本実施形態に係る台座１３０の具体的な構成について説明する。図４は、本実施形態に係るＴＦＴ基板１００の部分拡大図である。図４は、図２に示した表示パネル１０において行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３（薄膜トランジスタ１３ａ及び薄膜トランジスタ１３ｂとする）の近傍を示している。図５は、図４のＢ−Ｂ’断面図である。なお図５は、図４のＴＦＴ基板１００に対してスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を貼り合わせた状態におけるＢ−Ｂ’断面図である。図６は、図４のＣ−Ｃ’断面図である。なお図６は、図４のＴＦＴ基板１００に対してスペーサ２１０が形成されたＣＦ基板２００を貼り合わせた状態におけるＣ−Ｃ’断面図である。図４〜図６におけるＴＦＴ基板１００側の構成は、データ線１１、共通配線１１６（第１共通配線１１６ａ及び第２共通配線１１６ｂ）、重畳領域１２０、及び台座１３０を含むことを除けば、図３において説明した通りである。図５及び図６におけるＣＦ基板２００側の構成は、スペーサ２１０を含むことを除けば、図３において説明した通りである。したがって重複する説明はここでは省略する。

まず、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域の積層構造について説明する。ＴＦＴ基板１００における、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域では、半導体層２１上にはデータ線１１が形成され、データ線１１を覆うように第２絶縁膜１０３が形成され、第２絶縁膜１０３上に有機絶縁膜１０４が形成されている。データ線１１の表面には、ゲート線１２、第１絶縁膜１０２、及び半導体層２１の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。第２絶縁膜１０３の表面には、半導体層２１及びデータ線１１の平面形状や厚さを反映した段差が生じる。有機絶縁膜１０４の表面には、第２絶縁膜１０３に生じる段差の影響を受けた曲面状の傾斜が生じる。有機絶縁膜１０４上には共通電極１６が形成され、共通電極１６上に共通配線１１６が形成されている。共通配線１１６の表面は、共通電極１６の表面形状を反映した形状に形成される。共通配線１１６は、金属材料からなり、共通電極１６に電気的に接続されており、共通電圧を共通電極１６に供給する。また、共通配線１１６は、列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に延在する第１共通配線１１６ａと、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において第１共通配線１１６ａから列方向に延在する第２共通配線１１６ｂとを含む。そして、共通電極１６と共通配線１１６とを覆うように第３絶縁膜１０５が形成されている。第３絶縁膜１０５の表面は、有機絶縁膜１０４、共通電極１６、及び共通配線１１６の表面形状や厚さを反映した形状に形成される。

重畳領域１２０は、スペーサ２１０と対向する領域であって、少なくともゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する領域である。上述したように、ＴＦＴ基板１００の有機絶縁膜１０４には、下層の段差の影響を受けた曲面状の傾斜が生じることがある。このような傾斜が生じている領域に台座１３０が形成されることで表示不良が生じる。そこで本実施形態では上記傾斜が生じない領域に、台座１３０が形成されることとしている。つまり、スペーサ２１０と対向する領域であって、少なくともゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０は平坦性を有するので、重畳領域１２０に台座１３０全体が形成される。また重畳領域１２０は、スペーサ２１０と対向する領域であって、少なくともゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４と共通電極１６と共通配線１１６とが、積層方向に互いに重畳する領域としてもよい。

台座１３０は、スペーサ２１０と対向する領域であって、少なくとも、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に形成されている。具体的には、台座１３０は、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０であって、有機絶縁膜１０４より上層に形成される段差部である。また、台座１３０は、台座１３０の外周全体と重畳領域１２０とが、積層方向に重畳するように形成されている。本実施形態では、重畳領域１２０であって有機絶縁膜１０４より上層に形成される共通配線１１６を台座１３０としている。具体的には、重畳領域１２０であって有機絶縁膜１０４より上層に形成される第２共通配線１１６ｂが台座１３０となる。なお、重畳領域１２０に形成される第２共通配線１１６ｂと第２共通配線１１６ｂの上部に形成される第３絶縁膜１０５とを合わせて台座１３０としてもよい。また、重畳領域１２０のうち、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４と共通電極１６と共通配線１１６とが積層方向に互いに重畳する領域を、台座１３０としてもよい。具体的には、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４と共通電極１６と第２共通配線１１６ｂとが積層方向に互いに重畳する領域を、台座１３０としてもよい。

ここで、本実施形態に係る台座１３０の形成方法について説明する。共通電極１６上に共通配線１１６が形成される工程において、共通配線１１６の一部が重畳領域１２０に含まれるように共通配線１１６が形成される。具体的には、第２共通配線１１６ｂが重畳領域１２０に含まれるように共通配線１１６が形成される。第２共通配線１１６ｂが傾斜のない平坦性を有する重畳領域１２０に形成されることで、第２共通配線１１６ｂの表面は、重畳領域の平面形状を反映して平坦となる。そして、共通電極１６、共通配線１１６、及び有機絶縁膜１０４を覆うように第３絶縁膜１０５が形成される工程において、第３絶縁膜１０５における第２共通配線１１６ｂと重畳する領域は、第２共通配線１１６ｂの厚みを反映して凸形状に形成される。また、第３絶縁膜１０５における第２共通配線１１６ｂと重畳する領域の表面は、第２共通配線１１６ｂの平面形状を反映して平坦となる。本実施形態では、第３絶縁膜１０５における第２共通配線１１６ｂと重畳する領域の表面の少なくとも一部にスペーサ２１０が接する。このように、重畳領域１２０に第２共通配線１１６ｂが形成されることで、平坦性を有する台座１３０が形成される。

ＣＦ基板２００において、オーバコート層２０４上にスペーサ２１０が形成され、スペーサ２１０を覆うように配向膜２０５が形成されている。スペーサ２１０は、平面的に見て、ブラックマトリクス２０３に重なるようにＣＦ基板２００に形成されている。また、スペーサ２１０は、スペーサ２１０のＴＦＴ基板１００側の表面の少なくとも一部が台座１３０の表面に接触するようにＣＦ基板２００に形成されている。なお、スペーサ２１０及び台座１３０は、赤色用画素と青色用画素と緑色用画素とを含む１つの画素組に対して１つ又は複数の割合で設けられていてもよいし、複数の画素組に対して１つの割合で設けられていてもよい。また、スペーサ２１０の形状は、円柱状、角柱状、円錐状等とすることができる。

また、台座１３０の上部に形成される第３絶縁膜１０５の表面（図５及び図６における第２共通配線１１６ｂの上部に形成される第３絶縁膜１０５の表面）の積層方向における位置は、画素電極１５の位置より高い。これにより画素電極１５を覆うように配向膜１０６が形成される工程において、台座１３０の上部に配向膜１０６が形成されないようにすることができる。このようにスペーサ２１０と接触する台座１３０の表面に配向膜が形成されないことで、台座１３０とスペーサ２１０とが接触する際に生じる配向膜１０６の削れを防止することができる。

また、共通配線１１６は上述した構成に限定されない。例えば、第１共通配線１１６ａと第２共通配線１１６ｂとは離間して形成されていてもよい。つまり列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に延在する第１共通配線１１６ａと、行方向に隣り合う画素１４の間を列方向に延在する第２共通配線１１６ｂと、が別々に形成されてもよい。また、第２共通配線１１６ｂは、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域にアイランド状に形成されてもよい。つまり、第２共通配線１１６ｂは、第１共通配線１１６ａと同一層に、同一材料（例えば、金属層とする）で、かつ第１共通配線１１６ａから離間して形成されてもよい。この場合、第２共通配線１１６ｂは、第２共通配線１１６ｂ全体が重畳領域１２０に含まれるように形成されてもよい。

また、台座１３０は、第２共通配線１１６ｂである構成に限定されない。例えば、ＴＦＴ基板１００におけるゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが、積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に、例えば樹脂材料からなる樹脂層が形成されてもよい。樹脂層は、共通電極１６上に形成されてもよいし、第３絶縁膜１０５上に形成されてもよい。樹脂層が第３絶縁膜１０５上に形成される場合は、樹脂層の表面とスペーサ２１０とが接触することとなる。この場合、樹脂層が台座１３０となる。このように、本実施形態に係る液晶表示装置では、ゲート線１２と半導体層２１とデータ線１１と有機絶縁膜１０４とが積層方向に互いに重畳する重畳領域１２０に形成される層（例えば、第２共通配線１１６ｂ、樹脂層、金属層等）を、台座１３０として規定することができる。

次に、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域の平面形状について説明する。列方向に延在するデータ線１１は、平面的に見て台座１３０に重なる領域において行方向に延伸する突起１５１を含んで形成されている。つまり、平面的に見て台座１３０に重なる領域におけるデータ線１１の行方向の幅は、行方向に隣り合う２つの画素電極１５との間の領域におけるデータ線１１の行方向の幅より大きい。ゲート線１２は一定の幅で行方向に延在する。ゲート線の幅は半導体層２１の列方向の幅より大きい。半導体層２１は、平面的に見て台座１３０に重なる領域においてデータ線１１の突起１５１と重畳するように行方向に延伸する。平面的に見て台座１３０に重なる領域における半導体層２１の行方向の幅は、平面的に見て台座１３０に重なる領域におけるデータ線１１の幅より大きい。例えば、図４に示すようにデータ線１１は、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において、行方向であって当該データ線１１が接続されない薄膜トランジスタ１３（図４では薄膜トランジスタ１３ｂ）に向かう方向へ延伸する突起１５１を含んで形成される。また半導体層２１は、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において、行方向であって当該半導体層２１が接続されない薄膜トランジスタ１３（図４では薄膜トランジスタ１３ｂ）に向かう方向へ延伸する。

このように、平面的に見て台座１３０に重なる領域におけるデータ線１１の行方向の幅や、半導体層２１の行方向の幅を大きくすることで、重畳領域１２０及び台座１３０の領域を行方向に拡げることができる。

また、ゲート線１２と、半導体層２１と、データ線１１とは、平面的に見て、台座１３０からはみ出して形成されていることが望ましい。言い換えれば、ゲート線１２と、半導体層２１と、データ線１１とは、平面的に見て、第２共通配線１１６ｂからはみ出して形成されていることが望ましい。

なお、ＴＦＴ基板１００は、図４に示した構成に限定されない。図７は、他の実施形態に係るＴＦＴ基板１００の部分拡大図である。図７に示すＴＦＴ基板１００は、図４に示したＴＦＴ基板１００とは、ゲート線１２、半導体層２１、重畳領域１２０、及び台座１３０の形状に差異がある点を除けば、同一のものである。したがって、重複する説明はここでは省略する。

ゲート線１２は、列方向に隣り合う画素１４の間を行方向に延在し、平面的に見て台座１３０に重なる領域において列方向に延伸する突起１５２を含んで形成されてもよい。また、半導体層２１が、ゲート線１２の突起１５２に応じて、平面的に見て台座１３０に重なる領域において列方向に延伸する突起１５３を含んで形成されてもよい。例えば、図７に示すようにゲート線１２は、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において、列方向であって第１共通配線１１６ａとは反対方向へ延伸する突起１５２を含んで形成される。また、半導体層２１は、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において、列方向であって第１共通配線１１６ａとは反対方向へ延伸する突起１５３を含んで形成される。

このように、平面的に見て台座１３０に重なる領域におけるゲート線１２の列方向の幅や、半導体層２１の列方向の幅を大きくすることで、重畳領域１２０及び台座１３０の領域を列方向に拡げることができる。本来、画素の開口率を低下させないために、ゲート線１２の列方向の幅は狭いほうが好ましい。本実施形態のゲート線１２は、行方向に隣り合う２つの薄膜トランジスタ１３の間の領域において列方向に延伸する突起を含むことで、その他の領域におけるゲート線１２の列方向の幅は狭く維持することができる。したがって、本実施形態のゲート線１２の構成によれば画素の開口率を維持するとともに台座１３０の領域を拡げることが可能となる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。

１０ 表示パネル、１０ａ 表示領域、１１ データ線、１２ ゲート線、１３，１３ａ，１３ｂ 薄膜トランジスタ、１４ 画素、１５ 画素電極、１６ 共通電極、２１ 半導体層、２２ ドレイン電極、２３ ソース電極、２４ コンタクトホール、１００ ＴＦＴ基板、１０１，２０１ ガラス基板、１０２ 第１絶縁膜、１０３ 第２絶縁膜、１０４ 有機絶縁膜、１０５ 第３絶縁膜、１０６，２０５ 配向膜、１１６ 共通配線、１１６ａ 第１共通配線、１１６ｂ 第２共通配線、１２０ 重畳領域、１３０ 台座、１５１，１５２，１５３ 突起、２００ ＣＦ基板、２０２ カラーフィルタ、２０３ ブラックマトリクス、２０４ オーバコート層、２１０ スペーサ、３００ 液晶層、３０１ 液晶。

Claims (7)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるスペーサと、を含み、
   前記第１基板は、
   前記スペーサを保持する台座と、
   行方向に延在する複数のゲート線と、
   前記複数のゲート線を覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成される半導体層と、
   前記半導体層上に形成され列方向に延在する複数のデータ線と、
   前記複数のデータ線を覆う第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜上に形成される有機絶縁膜と、
   を含み、
   前記台座は、前記スペーサに対向する領域であって少なくとも前記ゲート線と前記半導体層と前記データ線と前記有機絶縁膜とが積層方向に互いに重畳する重畳領域に形成されており、
   前記台座の外周全体と前記重畳領域とは積層方向に重畳する、
   ことを特徴とする表示装置。
2. 複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続された共通配線をさらに含み、
   前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、
   前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、
   前記共通配線は、行方向に延在する第１共通配線と、前記第１共通配線から列方向に延在する第２共通配線とを含み、
   前記台座は、前記重畳領域に形成された前記第２共通配線である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極に電気的に接続された共通配線をさらに含み、
   前記共通電極は、前記有機絶縁膜上に形成され、
   前記共通配線は、前記共通電極上に形成され、
   前記台座は、前記重畳領域に、前記共通配線と同一層にかつ前記共通配線から離間して形成される金属層である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１基板は、第３絶縁膜をさらに含み、
   前記第３絶縁膜は、前記共通電極と前記共通配線とを覆うように形成され、
   前記複数の画素電極は、前記第３絶縁膜上に形成されている、
   ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
5. 前記ゲート線と、前記半導体層と、前記データ線とは、平面的に見て、前記台座からはみ出して形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記ゲート線は、前記ゲート線における、平面的に見て前記台座に重なる領域において、列方向に延伸する突起を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記データ線は、前記データ線における、平面的に見て前記台座に重なる領域において、行方向に延伸する突起を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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