JP2017011144A - 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 zirconium alkoxide Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
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- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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- A61B8/13—Tomography
- A61B8/14—Echo-tomography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
【解決手段】下部電極11を準備し、下部電極11の上に、ゾルゲル溶液と圧電粉末とを含む複合体をスプレー法により塗布する。その後、塗布された複合体を焼結して圧電膜12を形成する。圧電膜12の上にマスク層13を配設し、マスク層13に圧電膜12を露出する複数の開口部14を形成する。次に、圧電膜12及びマスク層13の上に上部電極15を形成し、その後、マスク層13を除去することにより、開口部14内の圧電膜12の上にのみ上部電極15を残存させる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る高周波超音波圧電素子10の製造方法及びその構成について図1(a)〜(f)及び図2を参照しながら説明する。
次に、本発明の第2の実施形態に係る高周波超音波圧電素子30について図4を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、上記第1の実施形態及びその一変形例と同一の点については説明を省略し、異なる点についてのみ詳細に説明する。本実施形態に係る高周波超音波圧電素子30は、第1の実施形態に係る高周波超音波圧電素子10と比較して、特に下部電極としてロッド状の下部電極31を用いること、及び単一の圧電膜32及び上部電極35を形成することが異なる。
11、21、31 下部電極
12、22、32 圧電膜
13 マスク層
14 開口部
15、25、35 上部電極
26、36 凹部
Claims (15)
- 下部電極を準備するステップと、
前記下部電極の上に、ゾルゲル溶液と圧電粉末とを含む複合体をスプレー法により塗布し、前記塗布された複合体を焼結して圧電膜を形成するステップと、
前記圧電膜の上に上部電極を形成するステップとを備えていることを特徴とする高周波超音波圧電素子の製造方法。 - 前記上部電極を形成するステップにおいて、前記圧電膜の上に、アレイ状に配置され且つ前記圧電膜を露出する複数の開口部を有するマスクを配設し、前記圧電膜及びマスクを覆うように上部電極を形成した後に、前記マスクを除去することを特徴とする請求項1に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。
- 前記下部電極を準備するステップにおいて、板状であり且つその表面に長さ方向に延びる凹部を有する下部電極を準備し、
前記圧電膜を形成するステップにおいて、前記凹部の底面に前記圧電膜を形成し、
前記上部電極を形成するステップにおいて、前記圧電膜の上に、前記凹部が延びる方向に沿って整列するように配置された複数の上部電極を形成することを特徴とする請求項2に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。 - 前記圧電膜を形成するステップにおいて、前記下部電極の上に、アレイ状に配置され且つ前記下部電極を露出する複数の開口部を有するマスクを配設した後に、スプレー法により前記下部電極の上に前記複合体を塗布し、前記複合体を焼結してアレイ状に配置された複数の圧電膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。
- 前記下部電極を準備するステップにおいて、板状であり且つその表面に長さ方向に延びる凹部を有する下部電極を準備し、
前記圧電膜を形成するステップにおいて、前記下部電極の前記凹部の底面に、該凹部が延びる方向に沿って整列するように配置された複数の圧電膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。 - 前記下部電極を準備するステップにおいて、ロッド状であってその端面に凹部を有する下部電極を準備し、
前記圧電膜を形成するステップにおいて、前記下部電極の前記凹部の底面に圧電膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。 - 前記圧電粉末としてPZTからなる圧電粉末を用いることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法。
- 請求項1に記載の高周波超音波圧電素子の製造方法によって製造された超音波圧電素子であって、
下部電極と、
前記下部電極の上にゾルゲル溶液と圧電粉末とを含む複合体がスプレー法により塗布された後に焼結されて形成された圧電膜と、
前記圧電膜の上に形成された上部電極とを備えていることを特徴とする超音波圧電素子。 - 前記上部電極は、前記圧電膜の上にアレイ状に複数形成されていることを特徴とする請求項8に記載の超音波圧電素子。
- 前記下部電極は、板状であり且つその表面に長さ方向に延びる凹部を有しており、
前記圧電膜は、前記凹部の底面上に形成され、
複数の前記上部電極は、前記圧電膜の上に、該凹部が延びる方向に沿って整列するように配置されていることを特徴とする請求項9に記載の超音波圧電素子。 - 前記圧電膜は、前記下部電極の上にアレイ状に複数形成されていることを特徴とする請求項8に記載の超音波圧電素子。
- 前記下部電極は、板状であり且つその表面に長さ方向に延びる凹部を有しており、
複数の前記圧電膜は、前記下部電極の前記凹部の底面に、該凹部が延びる方向に沿って整列するように配置されていることを特徴とする請求項11に記載の超音波圧電素子。 - 前記下部電極は、ロッド状であり且つその端面に凹部を有し、
前記圧電膜は、前記凹部の底面に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の超音波圧電素子。 - 前記圧電粉末は、PZTからなることを特徴とする請求項8〜13のいずれか1項に記載の高周波超音波圧電素子。
- 請求項8〜14のいずれか1項に記載の高周波超音波圧電素子を備えていることを特徴とする高周波超音波プローブ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015126268A JP6122066B2 (ja) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
PCT/JP2016/067395 WO2016208425A1 (ja) | 2015-06-24 | 2016-06-10 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
TW105119414A TWI693731B (zh) | 2015-06-24 | 2016-06-21 | 高頻超音波壓電元件、其製造方法以及包含該高頻超音波壓電元件的高頻超音波探頭 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015126268A JP6122066B2 (ja) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017011144A true JP2017011144A (ja) | 2017-01-12 |
JP2017011144A5 JP2017011144A5 (ja) | 2017-02-16 |
JP6122066B2 JP6122066B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=57584920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015126268A Active JP6122066B2 (ja) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6122066B2 (ja) |
TW (1) | TWI693731B (ja) |
WO (1) | WO2016208425A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021535699A (ja) * | 2018-08-24 | 2021-12-16 | ビーティービーエル カンパニー リミテッド | 超音波センサーの製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171200U (ja) * | 1988-05-10 | 1989-12-04 | ||
JP2002008939A (ja) * | 2000-04-13 | 2002-01-11 | Fujitsu Ltd | 選択的コーティングによるセラミック体の製造方法 |
JP2002009355A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法 |
JP2004111835A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド |
JP2005327919A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法及びデバイス、電気光学素子、プリンタ |
JP2008535643A (ja) * | 2005-03-02 | 2008-09-04 | リサーチ・トライアングル・インスティチュート | 空気に支持されたキャビティを有する圧電微小加工超音波振動子 |
JP2012011024A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波探触子、および超音波診断装置 |
JP2012256972A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 超音波センサ及びその製造方法 |
JP2013168573A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波厚みセンサの製造方法 |
EP2645403A2 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing ferroelectric thin film |
JP2014212872A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 国立大学法人電気通信大学 | 超音波診断装置及び超音波画像構築方法 |
-
2015
- 2015-06-24 JP JP2015126268A patent/JP6122066B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-10 WO PCT/JP2016/067395 patent/WO2016208425A1/ja active Application Filing
- 2016-06-21 TW TW105119414A patent/TWI693731B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171200U (ja) * | 1988-05-10 | 1989-12-04 | ||
JP2002008939A (ja) * | 2000-04-13 | 2002-01-11 | Fujitsu Ltd | 選択的コーティングによるセラミック体の製造方法 |
JP2002009355A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法 |
JP2004111835A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド |
JP2005327919A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法及びデバイス、電気光学素子、プリンタ |
JP2008535643A (ja) * | 2005-03-02 | 2008-09-04 | リサーチ・トライアングル・インスティチュート | 空気に支持されたキャビティを有する圧電微小加工超音波振動子 |
JP2012011024A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波探触子、および超音波診断装置 |
JP2012256972A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 超音波センサ及びその製造方法 |
JP2013168573A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波厚みセンサの製造方法 |
EP2645403A2 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing ferroelectric thin film |
US20130260051A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing ferroelectric thin film |
JP2013207155A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2014212872A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 国立大学法人電気通信大学 | 超音波診断装置及び超音波画像構築方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
小林牧子: "小特集−近年の音響トランスデューサの研究と動向−ゾルゲル複合体超音波トランスデューサ", 日本音響学会誌, vol. 71巻5号, JPN7016003836, 1 May 2015 (2015-05-01), JP, pages 253 - 259, ISSN: 0003519477 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021535699A (ja) * | 2018-08-24 | 2021-12-16 | ビーティービーエル カンパニー リミテッド | 超音波センサーの製造方法 |
JP7285590B2 (ja) | 2018-08-24 | 2023-06-02 | ビーティービーエル カンパニー リミテッド | 超音波センサーの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016208425A1 (ja) | 2016-12-29 |
JP6122066B2 (ja) | 2017-04-26 |
TW201705560A (zh) | 2017-02-01 |
TWI693731B (zh) | 2020-05-11 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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