JP2016022593A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 厚みが１２５μｍ以下である基材の少なくとも一方の面に、ポリシラザンおよび長周期型周期表の第２族、第１３族、および第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素（ただし、ケイ素および炭素を除く）を含有する塗布液を塗布し塗膜層を得た後、前記塗膜層に改質処理を施すことにより第１のガスバリア層を形成する工程と、
前記第１のガスバリア層と隣接するように、真空成膜法により第２のガスバリア層を形成する工程と、
を含む、ガスバリア性フィルムの製造方法。 - 得られたガスバリア性フィルムにおいて、前記基材の少なくとも一方の面に、前記第１のガスバリア層／前記第２のガスバリア層／前記第１のガスバリア層の構成、または前記第２のガスバリア層／前記第１のガスバリア層／前記第２のガスバリア層の構成が少なくとも１つ存在する、請求項１に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 前記第２のガスバリア層の厚みが１０〜５００ｎｍである、請求項１または２に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 前記長周期型周期表の第２族、第１３族、および第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素が、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびホウ素（Ｂ）からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 前記長周期型周期表の第２族、第１３族、および第１４族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素が、アルミニウム（Ａｌ）である、請求項４に記載のガスバリア性フィルムの製造方法。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法によりガスバリア性フィルムを製造する工程と、
得られたガスバリア性フィルムを用いて電子素子本体を封止する工程と、
を含む、電子デバイスの製造方法。
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