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Description
ドイツ特許出願DE 10 2012 010 093.0の内容が引用によって組み込まれている。
本発明は、投影露光装置の照明光学ユニットのためのファセットミラーに関する。本発明は、更に、投影露光装置において物体視野を照明するための照明光学ユニットに関する。本発明は、更に、投影露光装置のための照明系、及びそのような照明系を有する投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法に従って生成される構成要素に関する。
マイクロリソグラフィのための投影露光装置内の使用のためのミラーアレイは、例えば、WO 2009/100856 A1から公知である。そのような投影露光装置の構成要素の更なる開発に対する必要性は常に存在する。
本発明の第1の目的は、投影露光装置の照明光学ユニットのためのファセットミラーを改善することからなる。この目的は、特定の限界周波数よりも高い空間周波数を減衰させるための手段がそれぞれ設けられた多数のファセットを含む投影露光装置の照明光学ユニットのためのファセットミラーによって達成される。
本発明の一態様によれば、ファセットミラーは、特定の限界周波数よりも高い空間周波数を減衰させるための手段がそれぞれ設けられた多数のファセットを含む。そのようなファセットミラーは、特に瞳ファセットミラーとして使用することができる。それによって物体視野内でのマスク照明の均一性に対して悪影響を有する視野ファセットミラーの微細構造を減衰させることが可能になる。空間周波数を減衰させるための手段を有するそのようなファセットミラーは、光源変動及び系許容範囲に関して光学系の安定化も導く。
瞳ファセットのターゲットを定めたデフォーカスは、空間周波数を減衰させるための手段として機能することができる。これは、瞳ファセットの曲率半径の適切な選択によって達成することができる。
トロイダル瞳ファセットを利用することもできる。好ましくは、これらのファセットは、走査方向の屈折力がフライアイコンデンサー条件を厳密に満たすように構成される。これは、少なくとも1つの空間方向にお中間フォーカスが瞳ファセット上に厳密に結像され、視野ファセットがレチクル上に厳密に結像されることを意味すると理解しなければならない。その結果は、放射線源の変位が視野照明における視差を招かないことである。トロイダル瞳ファセットは、走査方向に対して垂直な方向に望ましいデフォーカスを導入することができる。
空間周波数を減衰させるためのファセットには、好ましくは、適切な散乱機能が備えられる。散乱機能は、好ましくは、1次元散乱機能である。この1次元散乱機能は、物体視野の照明に対して走査交差方向にのみ影響を及ぼすのに適する方式で選択される。
約0.4mradの散乱角σを有するガウス関数は、散乱強度の角度分布に対して有利であることが見出されている。これは、1.33m-1よりも高い空間周波数を0.01%未満のコントラストまで減衰させることを可能にさせる。一般的に、散乱機能は、少なくとも0.1mrad、特に0.2mrad、特に0.3mradの散乱角σを有する。
そのような散乱機能は、瞳ファセット内に1次元方向の円筒を書き込むことによってもたらすことができる。従って、ファセットは、円筒面区画からなる反射面を有する。円筒面区画は、好ましくは、各々同じアラインメントを有する。更に、円筒面区画は、各々同じ曲率半径を有する。しかし、これらの円筒面区画は、異なる幅、すなわち、異なる中心角を有する。その結果、求める散乱機能を非常に良好に近似することができる。異なる曲率半径及び同一の幅を有する円筒面区画、又は異なる曲率半径及び異なる幅の両方を有する円筒面区画を具現化することも可能である。円筒の向きは任意に設定することができる。この方向は、取りわけ、フライアイコンデンサーにおける幾何学的な視野の回転に依存する。
ターゲットを定めたパワースペクトル密度(PSD)をファセット面上に導入することも可能である。この目的のために、ファセット面は、異方的に粗面化される。その結果、望ましい双方向反射率分布関数(BRDF)を得ることが可能である。この場合に、照明放射線、特にEUV放射線の干渉を考慮しなければならない。
本発明の更に別の態様によれば、ファセットミラーは、赤外線領域内の波長を有する放射線を回折させるための回折構造がそれぞれ設けられた多数のファセットを含む。これらのファセットには、特にバイナリ位相格子を設けることができる。位相格子は、好ましくは、遮蔽される波長の4分の1にちょうど対応する溝深さを有する。特に、溝深さdは、2μmから3μmまでの領域内、特に2.5μmから2.7μmまでの領域内にあり、好ましくは、約2.65μmである。回折構造は、最大で5mm、特に最大で3mm、特に最大で2mm、特に最大で1mmの格子周期pを有する。偏向角は、特に少なくとも3mrad、特に少なくとも5mradである。
原理的には、ファセットは、多格子構造、特に異なる格子定数を有するものを有することができる。それによって異なる波長を相殺することが可能になる。更なる詳細に関しては、DE 10 2009 044 462 A1を参照されたい。
ファセットは、多数のマイクロミラーで構成することができる。個々のファセットが各々物体視野全域を照明するのに適するようにファセットを構成することも可能である。
上述の目的は、更に、多数のファセットを含む投影露光装置の照明光学ユニットのためのファセットミラーによって達成され、ファセットには、赤外線領域内の波長を有する放射線を回折させるための少なくとも1つの回折構造がそれぞれ設けられ、回折構造は、最大で5mmの格子周期を有する。
本発明の更に別の目的は、投影露光装置の物体視野を照明するための照明光学ユニットを改善することからなる。この目的は、上述のように第1のファセットミラーと第2のファセットミラーとを含む投影露光装置内の物体視野を照明するための照明光学ユニットによって達成され、第1のファセットミラーは、少なくとも1つの方向に少なくとも0.2mm-1の空間周波数を有する構造を少なくとも複数の領域に有する。
本発明の核心は、少なくとも0.2mm-1、特に少なくとも0.3mm-1、特に少なくとも0.5mm-1、特に少なくとも1mm-1の空間周波数を有する構造を有する第1のファセットミラーを特定の限界周波数よりも高い空間周波数を減衰させるための手段がそれぞれ設けられたファセットを有する第2のファセットミラーと組み合わせることにある。
2つのファセットミラーのそのような組合せは特に有利である。すなわち、第1のファセットミラーを用いて、物体視野を照明するために使用される放射線を非常に柔軟な方式で案内することができ、一方、第2のファセットミラーの実施形態は、高い均一性を有する物体視野の照明を可能にするように機能する。
好ましくは、第1のファセットミラーには、赤外線領域内の波長を有する放射線を回折させるためのバイナリ位相格子が設けられる。この点に関しては、以上の説明を参照されたい。
2つのファセットミラーは、好ましくは、第2のファセットミラーのファセットの空間周波数を減衰させるための手段が、物体視野の領域内で最大1%のコントラストを有する第1のファセットミラーの構造の空間周波数をちょうど導くように互いに対して整合される。
第1のファセットミラーには、特に、赤外線領域内の放射線を遮蔽するためのバイナリ位相格子が設けられる。ここで、位相格子は、好ましくは、遮蔽される波長の4分の1にちょうど対応する溝深さdを有する。
バイナリ位相格子は、好ましくは、遮蔽される波長を有する放射線の1次及びマイナス1次の回折光が、結像放射線の像が収まる瞳ファセットの近くに位置する第2のファセットミラーのファセット上に結像されるように、第2のファセットミラーのファセットの構成に整合された格子周期pを有する。遮蔽される放射線の1次又はマイナス1次の回折光が結像される瞳ファセットは、遮蔽される放射線が物体視野に結像されないように位置合わせされ、特に、そのように傾斜される。特に、遮蔽される放射線は、光トラップに対して偏向させることができる。
本発明の更に別の目的は、投影露光装置、特に、EUV投影露光装置のための照明系、及びマイクロリソグラフィのためのそのような投影露光装置を改善することからなる。
これらの目的は、上述の照明光学ユニットとEUV放射線源とを含むEUV投影露光装置のための照明系、及び上述の照明光学ユニットを含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置によって達成される。その利点は、上述したものに対応する。
本発明の更に別の目的は、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及びそのような構成要素を改善することからなる。これらの目的は、感光材料で作られた層が少なくとも部分的に付けられた基板を与える段階と、結像される構造を有するレチクルを与える段階と、上述の投影露光装置を与える段階と、この投影露光装置を用いてレチクルの少なくとも一部を基板の感光層の領域上に投影する段階とを含む微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法によって生成される構成要素によって達成される。その利点に関しては、ここでもまた以上の説明を参照されたい。
本発明の更に別の利点、特徴、及び詳細は、図面に基づく複数の例示的実施形態の説明から明らかになるであろう。
最初に、マイクロリソグラフィのための投影露光装置1の一般設計を説明する。
図1は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置1を子午断面に略示している。投影露光装置1の照明系2は、放射線源3に加えて、物体平面6の物体視野5を露光するための照明光学ユニット4を含む。この場合に露光されるのは、物体視野5に配置され、図面には例示しておらず、レチクルホルダ(同じく例示していない)によって保持されたレチクルである。投影光学ユニット7は、物体視野5を像平面9の像視野8に結像するように機能する。レチクル上の構造は、像平面9の像視野8の領域に配置され、同じく図面内に例示しておらず、ウェーハホルダ(同じく例示していない)によって保持されたウェーハの感光層上に結像される。
放射線源3は、5nmと30nmの間の領域内の放出使用放射線を有するEUV放射線源である。この場合に、放射線源は、プラズマ光源、例えば、GDPP光源(ガス放電生成プラズマ)又はLPP光源(レーザ生成プラズマ)とすることができる。一例として、10.6μm、すなわち、赤外線領域内の波長で作動する二酸化炭素レーザを用いて、プラズマを形成するように錫を励起することができる。シンクロトロンを利用した放射線源を放射線源3として使用することができる。一例として、当業者は、US 6,859,515 B2にそのような放射線源に関する情報を見出すことができるであろう。放射線源3によって放出されたEUV放射線10は、コレクター11によってフォーカスされる。対応するコレクターは、EP 1 225 481 Aから公知である。コレクター11の後に、EUV放射線10は、中間焦点面12を通って伝播し、その後に、複数の視野ファセット13aを有する視野ファセットミラー13上に入射する。視野ファセットミラー13は、物体平面6に対して光学的に共役である照明光学ユニット4の平面に配置される。
以下に続く本文では、EUV放射線10を照明光又は結像光とも呼ぶ。
視野ファセットミラー13の後に、EUV放射線10は、複数の瞳ファセット14aを有する瞳ファセットミラー14によって反射される。瞳ファセットミラー14は、投影光学ユニット7の瞳平面に対して光学的に共役である照明光学ユニット4の瞳平面に配置される。瞳ファセットミラー14と、ビーム経路の順に表記したミラー16、17、及び18を有する伝達光学ユニット15の形態にある結像光学アセンブリとにより、部分視野として又は個々のミラー群としても参照され、かつ下記で更により詳細に説明する視野ファセットミラー13の個々の視野ファセット19が物体視野5に結像される。伝達光学ユニット15の最後のミラー18はかすめ入射ミラーである。
位置関係の説明を簡易化するために、図1には、物体平面6と像平面9の間にある投影露光装置1の構成要素の位置関係の説明に向けて直交xyz座標系を広域座標系としてプロットしている。図1では、x軸は、作図面と垂直に作図面に入り込むように延びている。y軸は、図1の右に向けて延びている。図1では、z軸は下向きに、すなわち、物体平面6及び像平面9と垂直に延びている。
図2は、視野ファセットミラー13の設計の詳細を非常に概略的な図に示している。視野ファセットミラー13の全体反射面20は行と列に再分割され、それによって下記で個々のミラー21と呼ぶミラー要素の格子が形成される。従って、視野ファセットミラー13は、多数の個々のミラー21を有するミラーアレイとして設計される。個々のミラー21は、個々の反射面20aをそれぞれ有する。EUV放射線10を反射するために、個々のミラー21は、多層系34を有するコーティングを有する。第1の例示的実施形態によれば、個々のミラー21の多層系34は均一な厚みを有する。それによって特に個々のミラー21を生成することが容易になり、従って、コストの低減を導く。
個々のミラー21の各々が有する個々の反射面20aは、少なくとも各区画において平面である。個々のミラー21の少なくとも一部は、完全平面設計による個々の反射面20aを有することができる。全ての個々のミラー21が、完全平面設計による個々の反射面20aを有することも可能である。個々のミラー行22は、互いに隣接して位置する複数の個々のミラー21を有する。個々のミラー行22内には、数十個から数百個の個々のミラー21を設けることができる。個々のミラー21は、図2に記載の例では正方形である。可能な限り間隙の少ない全体反射面20の占有を可能にする他の形状の個々のミラーを使用することができる。そのような別の個々のミラー形状は、メッシュ分割の数学理論から公知である。
例として、視野ファセットミラー13は、DE 10 2006 036 064 A1に記載されているように構成することができる。
視野ファセットミラー13の実施形態に基づいて、個々のミラー列23も同じく複数の個々のミラー21を有する。一例として、個々のミラー行23毎に数十個の個々のミラー21が設けられる。
位置関係の説明を簡易化するために、図2には、視野ファセットミラー13の局所座標系として直交xyz座標系をプロットしている。ファセットミラー又はその一区画を上面図に示すその後の図には、対応する局所xyz座標系が同じく見られる。図2では、x軸は、個々のミラー行22と平行に右に水平に延びている。図2では、y軸は、個々のミラー列23と平行に上方に延びている。z軸は、図2の作図面と垂直に、作図面から飛び出すように延びている。
投影露光中に、レチクルホルダとウェーハホルダは、互いに対して同期してy方向に走査される。走査方向とy方向の間の小さい角度も可能である。x方向には、視野ファセットミラー13の全体反射面20はx0の広がりを有する。y方向には、視野ファセットミラー13の全体反射面20はy0の広がりを有する。
視野ファセットミラー13の実施形態に基づいて、個々のミラー21は、例えば600μm×600μmから例えば2mm×2mmまでの領域内のx/y広がりを有する。特にこれらのミラーは、いわゆるマイクロミラーである。マイクロミラーは、視野ファセットミラー13上で予め決められた波長領域内の放射線に対する回折構造を形成するような寸法及び/又は配置を有することができる。特に、これらのマイクロミラーは、赤外線波長領域内の放射線、特に10.6μmの波長を有する放射線に対する回折構造を形成するように構成及び/又は配置することができる。この目的を実現するために、これらのマイクロミラーは、特に、回折される波長の領域内、特に赤外線領域内、特に780nmから1mmまでの領域内にある寸法を有することができる。個々のミラー21は、照明光10に対してフォーカス効果を有するように成形することができる。個々のミラー21のそのようなフォーカス効果は、照明光3による視野ファセットミラー13の発散照明を使用する場合に特に有利である。全体の視野ファセットミラー13は、実施形態に依存して例えば300mm×300mm又は600mm×600mmであるx0/y0広がりを有する。個々の視野ファセット19は、例えば、25mm×4mm、83mm×4mm、83mm×6mm、又は104mm×8mmの典型的なx/y広がりを有する。要件に基づいて、他の寸法が可能である。個々の視野ファセット19の各々は、それぞれの個々の視野ファセット19のサイズと個々の視野ファセット19を構成する個々のミラー21のサイズとの間の比に基づいて適切な個数の個々のミラー21を有する。
図2に全体反射面20の左下コーナに配置された2つの個々のミラー21に基づいて破線形式に示し、図3に個々のファセット行22の一区画に基づいてより詳細に示すように、個々のミラー21の各々は、入射照明光10の個々の偏向の目的でそれぞれアクチュエータ24に接続される。アクチュエータ24は、個々のミラー21の各々のその反射側から離れる方向に向く側に配置される。一例として、アクチュエータ24は、圧電アクチュエータとして構成することができる。そのようなアクチュエータの実施形態は、マイクロミラーアレイの設計から公知である。
個々のミラー行22のアクチュエータ24は、それぞれ信号線25を通して行信号バス26に接続される。1つの個々のミラー行22は、行信号バス26のうちのそれぞれ1つのものに関連付けられる。個々のミラー行22の行信号バス26は、更に主信号バス27に接続される。主信号バス27は、視野ファセットミラー13の制御デバイス28への信号接続を有する。制御デバイス28は、特に、個々のミラー21の共通線毎、すなわち、行毎又は列毎の作動に向けて構成される。
個々のミラー21の各々は、互いに対して垂直な2つの傾斜軸の周りに個々に独立して傾斜させることができ、この場合に、特に、これらの傾斜軸のうちの第1のものは、x軸と平行に延び、これらの2つの傾斜軸のうちの第2のものは、y軸と平行に延びている。一般的に、個々のミラー21は、いずれかの特定の角度範囲にあるいずれかの方位角で傾斜させることができる。
これに加えて、アクチュエータ24はまた、個々のミラー21をz方向に個々に変位させることを可能にさせる。従って、個々のミラー21は、全体反射面20の表面法線に沿って互いから分離して作動可能であるように変位させることができる。その結果、全体反射面20のトポグラフィを全体的に変更することができる。これを図4及び図5に基づいて例示的かつ非常に概略的に例示している。その結果、大きいサグを有する全体反射面20の輪郭、すなわち、全体反射面20の大きいトポグラフィ変化を平面全域にフレネルレンズの方式で配置されたミラー区画の形態で生成することができる。更に、このようにして、ミラーアレイ13の全体反射面20上に回折構造、特に回折格子を形成することができる。
図4は、個々のミラー行22の全ての個々のミラー21が制御デバイス28及びアクチュエータ24によって同じ絶対z位置に設定された個々のミラー行22の一区画の個々のミラー21の個々の反射面20aを示している。全ての個々のミラー21の個々のミラー反射面の完全平面設計の場合に、個々のミラー行22の平面行反射面がもたらされる。相応に、個々のミラー列23の平面列反射面を得ることができる。
図5は、個々の中心ミラー21mが、隣接する個々のミラー21r1、21r2、21r3に対して負のz方向にオフセット設定された個々のミラー行22の個々のミラー21の作動を示している。その結果は、図5に記載の個々のミラー行22上に入射する照明光10の対応する位相オフセットを導く多段配置である。位相オフセットは、特に赤外線領域内の放射線に対して4分の1波長の場所にある。従って、ミラー13は、赤外線領域内の放射線に対して、特に10.6μmの波長を有する放射線に対していわゆるλ/4構造を有する。この場合に、2つの個々の中心ミラー21mによって反射される照明光10が、最も大きい位相リターデーションを受ける。個々の縁部側ミラー21r3は、最も小さい位相リターデーションを生成する。個々の中間ミラー21r1、21r2は、相応に段階的な方式で個々の中心ミラー21mによる位相リターデーションから進んで徐々に小さい位相リターデーション位相を発生させる。特に、個々のミラー21は、各個々のミラー21に対して少なくとも1つの更に別の個々のミラー21が存在し、これらの2つの個々のミラー21の個々の反射面がこれらの面の表面法線の方向に予め決められたオフセットVだけオフセットされるように設定される。この場合に、オフセットVは、特に赤外線領域内で4分の1波長の領域内にある。特に、オフセットVは、1μmから10μmまでの領域内にある。特に、オフセットVは2.65μmとすることができる。しかし、この領域から外れたオフセットVを有する対で個々のミラー21を配置することも実現可能である。一般的に、オフセットVは、好ましくは、UV範囲内の予め決められた放射線波長よりも大きく、特に100nmよりも大きい。特に、オフセットVは、ミラー13上に入射する放射線10の予め決められた波長成分、特に赤外線成分、特に10.6μmの波長を有する成分のゼロ次の回折光が相殺されるように選択される。
図6は、個々のミラー21の更に別の配置を示している。図6に示す個々のミラー21の配置は、図3に記載のものに実質的に対応する。この場合に、個々のミラー21f、21bは、それぞれ前方位置と後方位置に交互に配置され、これらの2つの位置は、個々のミラー21f、21bの表面法線の方向に予め決められたオフセットVだけ互いに対してそれぞれオフセットされる。この場合に、個々のミラー行22と個々のミラー列23の両方において、そのようなオフセット配置を設けることができる。従って、ミラー13の全体反射面20は、個々の前方ミラー21fと個々の後方ミラー21bとを有するチェッカー盤パターンを有する。この場合に、個々のミラー21の全ては、それぞれ平面個々の反射面を有することができる。個々のミラー21の交互配置をバイナリ位相構造又はバイナリ位相格子とも呼ぶ。この場合に、オフセットVを位相格子の溝深さとも呼ぶ。
別の実施形態において、個々のミラー21は、z方向に調節可能ではない。個々のミラー21は、特に、図5及び図6を参照して記述した実施形態による予め決められたオフセットパターンで配置される。個々のミラー21の配置性能及びそこから現れる利点の更なる詳細に関しては、WO 2009/100 856 A1を参照されたい。
以下に続く本文では、ミラー13の更に別の実施形態を図7を参照して説明する。図7に記載の例示的実施形態において、ミラーアレイ13の個々のミラー21の個々の反射面20aは、それぞれ、前方領域31と後方領域32を有し、これらの領域は、互いに平行に位置合わせされ、その表面法線の方向に予め決められたオフセットVだけ互いに対してオフセットされる。表面法線に対して垂直な方向には、前方領域31と後方領域32は同一の幅を有する。この場合に、前方領域31の幅をウェブ幅とも呼ぶ。後部領域32の幅を溝幅とも呼ぶ。一般的に、個々のミラー21の個々の反射面20aは、少なくとも1つのそのような前方領域31と1つのそのような後方領域32とを含む。しかし、個々の反射面20aは、複数のそのような領域31、32を有することができる。特に、領域31、32は、格子定数Gを有する格子構造を形成する。この場合に、この格子構造は、特にバイナリ格子とすることができる。格子定数Gを格子周期pとも呼ぶ。
特に、格子定数Gは、レチクル7を結像するのに使用される照明光10のものよりも長い波長を有する電磁放射線が回折され、かつ逸らされるように選択される。特に、格子定数Gは、赤外線領域、すなわち、780nmと1mmの間の領域内にあるとすることができる。特に、格子定数Gは、最大で5mm、特に最大で3mm、特に最大で2mm、特に最大で1mmである。特に、格子定数Gは、回折して逸らされる放射線の1次の回折光が、瞳ファセット14aの直径に厳密に対応する角度だけ偏向されるように選択される。
個々のミラー21は、多層系34を有する。多層系34は、基板35上に付けられる。個々のミラー21の多層系34は、特にEUV放射線10に対する反射コーティングを形成する。特に、多層系34は、複数の連続するシリコン/モリブデン二重層を有することができる。
個々のミラー21の設計の更に別の変形を図8に例示している。この設計は、図7に記載の個々のミラー21のものに実質的に対応する。しかし、個々のミラー21は、第1のオフセットV1及び第1の格子定数G1を有する第1の格子構造と、オフセットV2及び格子定数G2を有する更に別の第2の格子構造とを含む。両方の格子は、好ましくは、自己相似方式のバイナリ格子として設計される。この場合に、第2の格子構造は、例えば、第1の格子構造によるゼロ次の回折光における相殺的干渉によって相殺される波長よりもかなり小さい少なくとも1つの更に別の波長でゼロ次の回折光の相殺を導くように構成される。言い換えれば、格子定数G1及びオフセットV1を有する第1の格子構造では、特に、図8にIR放射線36として略示す赤外線放射線に対して相殺的干渉が発生するが、そのような長い波長の放射線は第2の格子構造に基づいて分解されず、それに対して、特に、格子定数G2及びオフセットV2を有する第2の格子構造では、図8にUV/VIS放射線37として略示す可視(VIS)波長領域及び/又はUV波長領域内の電磁放射線に対して相殺的干渉が存在する。EUV放射線1は、2つの格子構造による影響を少なくともほとんど受けないままに留まる。これは、EUV放射線10の複数次の回折光の強度が、これらの格子構造により最大でも10%、特に最大でも5%、特に最大でも1%、特に最大でも0.1%しか低下しないことを意味すると理解しなければならない。
従って、個々のミラー21には、複数の格子構造が設けられる。図8に示す二重格子構造を有する実施形態によれば、個々のミラー21は、三重、四重、五重のような格子構造を有するように構成することができる。
格子構造に関する更なる詳細に関しては、DE 10 2009 044 462 A1を参照されたい。
上述の例示的実施形態の全てに適用されることは、互いにオフセットされる領域が、それぞれオフセット縁部41によって互いから分離されることである。オフセット縁部41は、単一の個々のミラー21上、又は2つの個々のミラー21の間に形成することができる。オフセット縁部41は、それぞれ特定の方向のアラインメントを有する。この場合に、照明光学ユニット4の光軸に沿ったオフセット縁部41の投影が、物体視野5内に傾斜し、特に走査方向と垂直に延びるようにオフセット縁部41が位置合わせする場合であれば有利である。
オフセット縁部41の一部を第1の方向に位置合わせし、オフセット縁部41の更に別の部分を第1の方向から逸れる第2の方向に位置合わせすることを有利とすることができる。
原理的には、オフセット縁部41のうちの50%の部分を物体平面6内へのその投影がx方向と平行であるように位置合わせし、オフセット縁部41のうちの他の50%を物体平面6内へのその投影がy方向と平行に延びるように位置合わせすることも可能である。
複数の上述の実施形態による個々のミラー21を有するミラーアレイを具現化することが可能である。特に、個々のミラー21のうちの一部、例えば、少なくとも10%、特に少なくとも30%、特に少なくとも50%、特に少なくとも70%が、平面設計による個々の反射面20aを有し、一方、残りの個々のミラー21が、それぞれ1つ又はそれよりも多くのオフセット縁部41を有するようにミラーアレイを具現化することが可能である。
ミラーアレイは、オフセット構造と回折構造の両方を有することができる。
ミラーアレイの個々のミラー21の変位性能及び予め決められた照明設定を設定することに関する更なる詳細に関しては、WO 2009/100 856 A1又はDE 10 2008 009 600 A1を参照されたい。
上記では、多数の個々のミラー21を有するミラーアレイに対してオフセット構造を記述した。しかし、同様に、視野ファセットミラー13の視野ファセット13aを個々のファセットとして、すなわち、多数の個々のミラー21で構成されないファセットとして具現化することができる。更に、これらのファセットには、赤外線領域内の波長を有する放射線を回折させるための適切な回折構造が設けられる。上述したように、位相格子の溝深さdは、遮蔽される波長λexの4分の1にちょうど対応するように選択される。遮蔽される波長λexは、特に、EUV放射線源3内でプラズマを生成するのに使用されるレーザの波長である。
特に、位相格子は、同一の幅のウェブ及び溝を有する。
格子周期pは、回折して逸らされる放射線の1次の回折光に対する偏向角が、照明放射線10の像が収まる瞳ファセット14aの近くに位置する瞳ファセット14a上に1次及び−1次の回折光がそれぞれ入射するような偏向角領域内にあるように選択される。この像を鏡面反射とも呼ぶ。この点に関して、照明放射線10は、格子周期pよりも少なくとも1桁だけ小さい干渉幅を有することに注意しなければならない。特に、照明放射線の干渉幅は、5μmから20μmまでの領域内にある。明瞭化の目的で、図9及び図10では、1次の回折光を参照記号42で表している。
原理的には、格子周期pは、1次及び−1次の回折光の像が、照明放射線10のゼロ次の回折光の像が収まる瞳ファセット14aから遠く離れて位置する瞳ファセット14a上に入射するように選択することができる。原理的には、赤外線放射線が瞳ファセットミラー14上にもはや全く入射しない程大きい程度に赤外線放射線を回折させることも実現可能である。
特に、偏向角は、3mradから10mradまでの領域内、特に5mradから7mradまでの領域内にある。
視野ファセット13aは、少なくとも5:1、特に少なくとも8:1、特に少なくとも13:1のアスペクト比を有する。図11に例示的に示す視野ファセット13aは、弧形設計を有する。この視野ファセット13aは、x方向に約80mmの寸法を有する。y方向、すなわち、走査方向と平行な寸法は約4mmである。視野ファセット13aのそのような実施形態の場合に、位相格子は、好ましくは、長辺に対して直角に位置合わせされる。しかし、上述したように、位相格子は、走査方向に対して僅かな角度で位置合わせすることができる。
この位相格子は、望ましくない赤外線放射線36を回折するのに適するが、物体視野5の照明の均一性に対して悪影響を有する可能性がある。同じことは、個々のミラー21への再分割によって形成される視野ファセットミラー13の構造にも適用される。隣接する個々のミラー21の間の連続微分不能な遷移の結果として、物体視野5の照明において干渉空間周波数が存在する可能性がある。
従って、本発明の更に別の態様によれば、瞳ファセット14aには、特定の限界周波数よりも高い空間周波数を減衰させるための手段が設けられる。瞳ファセットミラー14のそのような構成の効果を図12及び図13に略示している。1mm-1程度の空間周波数を有する視野ファセット13a上の構造は、物体視野5の領域内で特にx方向、すなわち、走査方向に対して垂直の照明放射線10の強度変化を招く可能性があるが、そのような強度変化は、瞳ファセット14aの適切な構成によって減衰させるか又は平滑化することができる。
空間周波数を減衰させるために、瞳ファセット14aには、特に、散乱強度Iが角度分布I(α)を有するような散乱機能を与えることができる。特に、この散乱機能は、1次元散乱機能である。この散乱機能は、好ましくは、x方向、すなわち、走査交差方向のみの物体視野5の照明に影響を及ぼすように構成される。散乱機能の厳密な定義は、減衰させるべき空間周波数、すなわち、特に視野ファセットミラー13上の構造に依存する。一例示的実施形態において、散乱機能は、0.4mradの散乱角σを有する1次元方向のガウス関数として構成することが有利であることが見出されている。特に、散乱強度I(α)の角度分布は、以下の式を有する。
その結果、次式が成り立つので、100%のTIS(全積分散乱)がもたらされる。
ここで、I0は、瞳ファセット上に入射するパワー又は強度である。この構成を用いて、像視野5の領域内で1.33mm-1よりも高い空間周波数を0.01%未満のコントラストまで減衰させることができた。
この散乱機能は、1次元方向の円筒を瞳ファセット14a内に直接書き込むことによって達成することができる。言い換えれば、瞳ファセット14aは、円筒面区画からなる反射面43をそれぞれ有する。特に、これらの円筒は、互いに平行に位置合わせされる。これらの円筒は、y方向に対して角度cだけ回転されて配置される。特に、角度cは、0°から15°までの領域内、特に5°から10°までの領域内にある。
円筒は、円形の円筒設計を有する。これらの円筒は、均一な曲率半径Rを有する。これらの円筒は、異なる幅bi、すなわち、異なる中心角mを有する。円筒の幅biをピッチとも呼ぶ。複数の異なるピッチを組み合わせることにより、散乱機能、特にガウス関数を近似することができる。この目的を実現するために、近似されるガウス関数は、例えば不変強度レベルを有するN=10個のステップに分解することができる。次いで、予め決められた曲率半径Rを前提として、円筒の幅biを決定することができる。これらのN=10個のピッチの和をパッチとも呼ぶ。
N=10個のパッチによる散乱機能の近似を図15に例示的に示している。この場合に、水平バーの各々は、個々の円筒の散乱プロファイルに対応する。x軸上にプロットする散乱角は、与えられた曲率半径Rの場合に、対応する円筒の幅biに直接に変換することができる。
好ましくは、複数のパッチが瞳ファセット14a上に含まれる。この工程において、好ましくは、円筒の順序が並べ替えられる。
N=10個のピッチ、R=50mmの曲率半径、及びbGes=250μmの全体幅を有するパッチの構造データを以下の表に指定する。
均一な曲率半径Rを有するピッチ及び異なる幅biを含むパッチの代替として、ピッチは、異なる曲率半径Riと均一な幅bを有するか、又は異なる曲率半径Riと異なる幅biを有することができる。
連続的に微分することができない面の代わりに、瞳ファセット14aには、滑らかな周期的構造を設けることができる。
これに代えて、瞳ファセット14aの散乱効果は、粗度プロファイルを用いて導入することができる。詳細に関しては、EP 1 796 147 A1を参照されたい。
空間周波数を減衰させるために、瞳ファセット14aには、ターゲットを定めたデフォーカスを備えることができる。詳細に関しては、US 7,006,595 B2を参照されたい。瞳ファセット14aは、好ましくは、走査交差方向にデフォーカスされる。このデフォーカスは、特に瞳ファセット14aのトロイダル設計を用いてもたらすことができる。トロイダル瞳ファセットの詳細に関しては、EP 1 811 547 A1を参照されたい。
最後に、対応する散乱機能をもたらすターゲットを定めたパワースペクトル密度(PSD)を瞳ファセット14aの面上に導入することができる。この導入は、瞳ファセット14aの面が粗面化され、特に、異方的に粗面化されることを意味することを理解しなければならない。それによってターゲットを定めた反射率分布関数、特にターゲットを定めた双方向反射率分布関数(BRDF)を得ることが可能になる。
照明される物体視野5の過露光に関しては、いかなる場合にも、照明される物体視野が通常は走査交差方向に過露光されるという事実を参照されたい。従って、デフォーカス又は散乱機能による縁部の不鮮明化は、比較的大きい過露光及びそれに関連する比較的大きい系伝達率を必ずしも招くわけではない。必要に応じて、この過露光を散乱機能、特に縁部領域における散乱機能の勾配を設計する際に考慮することができる。
空間周波数を減衰させるための手段を有する瞳ファセット14aの実施形態、特に散乱機能を有する瞳ファセット14aの実施形態は、視野ファセットミラー13の設計とは独立に有利であるとすることができる。瞳ファセットミラー14の適切な構成の結果として、特に照明系の安定性及び/又は物体視野5の照明の均一性を改善することができる。
視野ファセットミラー13と、赤外線領域内の波長を有する放射線を回折させるための回折構造及び散乱機能を有する瞳ファセットミラー14との組合せは、特に有利であることが見出されている。
微細構造化又はナノ構造化構成要素、特に半導体構成要素、例えば、マイクロチップのリソグラフィ生成に向けて、投影露光装置1を用いて物体視野5内のレチクルの少なくとも一部は、像視野8内のウェーハ上の感光層の領域上に結像される。投影露光装置1がスキャナ又はステッパのいずれとして具現化されるかに基づいて、レチクルとウェーハは、走査作動において連続的に又はステッパ作動において段階的にそのいずれかで時間的に同期化される方式でy方向に変位される。
5 物体視野
10 EUV放射線
13 視野ファセットミラー
14 瞳ファセットミラー
42 1次の回折光
10 EUV放射線
13 視野ファセットミラー
14 瞳ファセットミラー
42 1次の回折光
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DE102016205624B4 (de) * | 2016-04-05 | 2017-12-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie, Beleuchtungssystem, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Projektionsbelichtung |
US10295911B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-05-21 | Nikon Corporation | Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching |
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DE102016209359A1 (de) | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor |
DE102016225563A1 (de) | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Hohlwellenleiter zur Führung von EUV-Licht mit einer Nutzwellenlänge |
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WO2018200536A2 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Nikon Corporation | Illumination system with flat 1d-patterned mask for use in euv-exposure tool |
US11054745B2 (en) | 2017-04-26 | 2021-07-06 | Nikon Corporation | Illumination system with flat 1D-patterned mask for use in EUV-exposure tool |
TWI763834B (zh) * | 2017-04-26 | 2022-05-11 | 日商尼康股份有限公司 | 反射系統、微影曝光工具、在工件上形成條紋圖案的方法及微器件的製造方法 |
US11300884B2 (en) | 2017-05-11 | 2022-04-12 | Nikon Corporation | Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in EUV-exposure tool |
WO2018208912A2 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Nikon Corporation | Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in euv-exposure tool |
DE102017217867A1 (de) * | 2017-10-09 | 2018-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Facettenspiegel für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
DE102018216870A1 (de) * | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage |
DE102018220629A1 (de) | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Spektralfilter in Form einer Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Spektralfilters in Form einer Gitterstruktur auf einem Spiegel |
TWI705910B (zh) * | 2019-05-16 | 2020-10-01 | 怡利電子工業股份有限公司 | 標靶反射式擴散片抬頭顯示裝置 |
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DE102019129135A1 (de) * | 2019-10-29 | 2021-04-29 | Zumtobel Lighting Gmbh | 3D-Druckverfahren zur Herstellung eines Leuchtenelements mit optischem Teil |
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US20250216254A1 (en) * | 2024-01-03 | 2025-07-03 | Kla Corporation | Diffractive euv spectral purity filters for optical systems |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5581605A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus |
US5850300A (en) | 1994-02-28 | 1998-12-15 | Digital Optics Corporation | Diffractive beam homogenizer having free-form fringes |
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
US7006595B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6573978B1 (en) * | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
KR100931335B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2009-12-11 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 격자 엘리먼트를 구비한 조명 시스템 |
EP1472562B1 (de) * | 2002-02-09 | 2010-04-14 | Carl Zeiss SMT AG | Facettenspiegel mit mehreren spiegelfacetten |
JP2005536900A (ja) * | 2002-08-26 | 2005-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 極紫外線リソグラフィーシステム内で所定の帯域の放射線を取り除く格子ベースのスペクトルフィルター |
EP1496521A1 (en) | 2003-07-09 | 2005-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Mirror and lithographic apparatus with mirror |
JP4508708B2 (ja) | 2004-04-12 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
JP4518078B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JPWO2006082738A1 (ja) | 2005-02-03 | 2008-06-26 | 株式会社ニコン | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2008544531A (ja) * | 2005-06-21 | 2008-12-04 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系 |
DE102006036064A1 (de) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm |
US7719661B2 (en) * | 2007-11-27 | 2010-05-18 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device |
DE102008009600A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
CN101946190B (zh) | 2008-02-15 | 2013-06-19 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜 |
JP5061069B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2012-10-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
US8227778B2 (en) * | 2008-05-20 | 2012-07-24 | Komatsu Ltd. | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation |
JP5475756B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2014-04-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スペクトル純度フィルタを形成する方法 |
JP2010114344A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Nikon Corp | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102009044462A1 (de) | 2009-11-06 | 2011-01-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage |
JP5637702B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-12-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US9372413B2 (en) * | 2011-04-15 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical apparatus for conditioning a radiation beam for use by an object, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
DE102011082065A1 (de) * | 2011-09-02 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Array |
DE102012209882A1 (de) * | 2012-06-13 | 2013-06-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit Streufunktion |
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