JP6343344B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6343344B2 JP6343344B2 JP2016533545A JP2016533545A JP6343344B2 JP 6343344 B2 JP6343344 B2 JP 6343344B2 JP 2016533545 A JP2016533545 A JP 2016533545A JP 2016533545 A JP2016533545 A JP 2016533545A JP 6343344 B2 JP6343344 B2 JP 6343344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- object area
- illumination system
- illumination
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 246
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 142
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 69
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 136
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Description
本明細書では、いずれかの電磁放射線、特に可視光、UV光、DUV光、VUV光、及びEUV光、並びにX線を表す上で「光」という表現を使用する。
図(First−order Design and the
Diagram)」、Applied Optics、1963年、第2巻第12号、1251〜1256ページに記載されている。
図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、例えば、エキシマレーザとして実現することができる光源11を含む。この実施形態において、光源11は、193nmの中心波長を有する投影光を生成する。他の波長、例えば、257nm又は248nmも考えられている。
図2は、別の例示的なパターン18を含むマスク16の拡大斜視図である。簡略化の目的で、パターン18は、Y方向に沿って延びる特徴部19のみを含むと仮定する。更に、Y方向に沿って延びる特徴部19は、感光層22上にX二重極照明設定を用いて最良に結像されると仮定する。
図3は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図3の図は大きく簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。特に、これは、異なる光学ユニットが1つ又は極めて少数の光学要素だけによって表されていることを意味する。実際には、これらのユニットは、有意に多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。
1.瞳形成
図7は、瞳形成ユニット36が、空間光変調器52のマイクロミラー56上にどのように照射分布を生成するかを略示している。簡略化の目的で、プリズム46、64を示していない。
光入射ファセット75は、ラスター視野平面84に位置するので、光入射ファセット75上の照射分布は、第2のアレイ72の光学ラスター要素74と第2のコンデンサー78とを通して視野絞り平面80上に結像される。
照明系12では、光入射ファセット75上の点上の照射を修正するのに空間光変調器52が使用される。図9では、各極27が、マイクロミラー56の像である複数の小区域にわたって延びていることを見ることができる。マイクロミラーが「オフ」状態に入れられた場合に、光入射ファセット75上の共役区域は照明されなくなり、その結果、この特定の光入射ファセット75に関連付けられる(小さい)方向範囲からは、投影光がマスク上の共役区域上に入射することがなくなる。
上記では、瞳形成ユニット36が、正確に4つの隣接物体区域110にわたって延びる第2のミラーアレイ54上の極27を照明すると仮定した。しかし、一般的に、鮮明な縁部を有するそのような照射分布を生成するのは困難になる。
これまでに記述した実施形態において、マイクロミラー56は、物体区域110の境界と平行に位置合わせされると仮定した。マイクロミラー56によって形成される矩形格子は、次に、光入射ファセット75によって形成される矩形格子と平行である。それによって図13及び図15に示すように、マイクロミラー56の1つの「列」に沿った照射が常に均一である照射分布がもたらされる。従って、光入射ファセット75上に階段状のものに限った照射分布を生成することができる。
上述のように、通常、第2のミラーアレイ38の隣接マイクロミラー56の間に小さい間隙が形成されることは不可避である。光入射ファセット75上、更にマスク16上にもこれらの間隙の像が形成される。これらの像が交差走査方向Xと平行に延びる場合に、これは、走査作動からもたらされる積分効果に起因して殆ど心配はない。しかし、走査方向Yと平行に延びる暗線は、積分効果によって補償することはできないと考えられる。
これに代えて又はこれに加えて、間隙像118’によってマスク平面88上に引き起こされる暗線を回避するために、光学光変調器52とマスク平面88の間の光路内に散乱板122を配置することができる。散乱板122の適切な位置は、光学光変調器52と対物系58の間、対物系58と光学インテグレーター60の間、又は視野絞り平面80の近くである。
上述の実施形態において、走査方向Yに沿ったマイクロミラー56の個数と交差走査方向Xに沿ったマイクロミラー56の個数とは等しいと仮定した。従って、正方形のマイクロミラー56の矩形格子は、光学インテグレーター60の正方形の光入射ファセット75内に完全に嵌り込む。
通常は、投影光の主光線が光学インテグレーター60上に垂直に入射する場合が好ましい。次に、対物系58によって光入射ファセット75上に結像されるミラー平面57も、図24に示すように光軸OAと垂直に配置しなければならない。マイクロミラー56と光入射ファセット75とのそのような平行配置では、マイクロミラー56は、それらが「オン」状態にある場合に、ゼロとは明確に異なる偏向角を生成しなければならない。これは、全てのミラー面が、それらが「オン」状態にある場合に単一平面に配置される従来のデジタルミラーデバイス(DMD)とは異なる。
各物体区域110内のマイクロミラー56の個数、更に光学チャネルの個数(従って、光入射ファセット75の個数)が多くなる場合に、第2のミラーアレイ54内のマイクロミラー56の全数が莫大になる可能性がある。そのような莫大な個数のマイクロミラー56を含む単一の第2のミラーアレイ54を設けることは困難である可能性があるので、第2のミラーデバイスをいくつかのサブユニットに分割するように考えられている。より具体的には、第2のミラーアレイ54は、光入射ファセット上に結像されない暗区域(すなわち、投影光が射出しない区域)によって互いから分離されたいくつかの物体区域群から組み合わせることができる。各群は、単一デバイス、例えば、デジタルミラーデバイス(DMD)として実現することができる。
全ての光入射ファセット75上の光照射分布を修正することができるように莫大な個数のマイクロミラー56を設ける代わりに、全部ではなく、一部の光入射ファセット75のみの上の光照射分布を修正するように考えることができる。
図28は、照明系12の代替実施形態の図3と類似の子午断面図である。この照明系では、瞳形成ユニット52は、回折光学要素142と、ズーム光学系144と、1対のアキシコン要素146、148とによって置換される。
ここで、本発明の重要な方法段階を図29に示す流れ図を参照して要約する。
56 マイクロミラー
56’ マイクロミラーの像
75 光入射ファセット
110 物体区域
110’ 物体区域の像
Claims (20)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
a)瞳平面(76)と、
b)投影光によって照明されるマスク(16)を配置することができるマスク平面(88)と、
c)前記瞳平面(76)に位置付けられた複数の2次光源(106)を生成するように構成された光学インテグレーター(60)であって、該光学インテグレーター(60)が、各々が該2次光源(106)のうちの1つに関連付けられた複数の光入射ファセット(75)を含み、前記光入射ファセットの像が、前記マスク平面内で少なくとも実質的に重なる前記光学インテグレーター(60)と、
d)光射出面(57)を有し、かつ空間分解方式で入射投影光を透過するように又は反射するように構成された空間光変調器(52)と、
e)投影光を前記空間光変調器上に向けるように構成された瞳形成ユニット(36)と、
f)前記空間光変調器(52)の前記光射出面(57)を前記光学インテグレーター(60)の前記光入射ファセット(75)上に該光射出面(57)上の物体区域(110)の像(110’)が該光入射ファセット(75)のうちの1つと完全に一致するように結像する対物系(58)と、
g)前記物体区域(110)が前記瞳形成ユニット(36)によって完全に照明され、かつ該物体区域(110)内の点に関連付けられた投影光が前記光入射ファセット(75)のうちの前記1つの上に入射することが少なくとも部分的かつ可変的に阻止されるように該瞳形成ユニット(36)及び前記空間光変調器(52)を制御するように構成された制御ユニット(90)と、
を含むことを特徴とする照明系。 - 前記瞳形成ユニット(36)は、第1の反射性又は透過性ビーム偏向要素(40)の第1のビーム偏向アレイ(38)を含み、
各ビーム偏向要素(40)は、該ビーム偏向要素(40)によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で前記空間光変調器(52)上のスポット(94)を照明するように構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明系。 - 前記空間光変調器(52)は、第2の反射性又は透過性ビーム偏向要素(56)の第2のビーム偏向アレイ(54)を含み、
各第2のビーム偏向要素(56)は、それが入射光を前記光学インテグレーター(60)に向けて誘導する「オン」状態に及びそれが入射光をどこか他の場所に向ける「オフ」状態にあることが可能である、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の照明系。 - 前記第2のビーム偏向アレイ(54)は、デジタルミラーデバイスであることを特徴とする請求項3に記載の照明系。
- 少なくとも10個の第2のビーム偏向要素(56)が、前記物体区域(110)に配置されることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の照明系。
- 前記物体区域(110)に配置された隣接する第2のビーム偏向要素(56)の中心が、直線に沿って位置合わせされ、
前記直線の像(116)が、前記光入射ファセット(75)のうちの前記1つの境界線に対して角度αを形成し、ここで、αは、m=0,1,2,3,...である時にm・45°から明確に異なっている、
ことを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記第2のビーム偏向要素(56)の境界が、第1の矩形格子で配置され、前記光入射ファセット(75)の境界が、第2の矩形格子で配置され、
前記光入射ファセット(75)上に形成された前記第1の矩形格子の像(114)が、前記第2の矩形格子に対して前記角度αを形成する、
ことを特徴とする請求項6に記載の照明系。 - 第1の方向(X)に沿った前記物体区域(110)の長さが、該第1の方向と直交する第2の方向(Y)に沿った該物体区域の長さよりも大きく、
前記対物系(58)は、倍率Mを有するアナモフィック対物系であり、|M|が、前記第2の方向(Y)に沿ってよりも前記第1の方向(X)に沿って小さい、
ことを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記第2の方向は、前記マスク(16)が、それが前記照明系(12)によって照明される間にそれに沿って移動する走査方向(Y)に対応することを特徴とする請求項8に記載の照明系。
- 前記第2のビーム偏向要素(56)は、前記光入射ファセット(75)が配置された平面と平行である前記対物系(58)の物体平面に配置され、
前記第2のビーム偏向要素(56)は、ゼロから明確に異なる角度による入射光の偏向を「オン」状態で生成する、
ことを特徴とする請求項3から請求項9のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記第2のビーム偏向要素(56)は、前記光入射ファセットが配置された平面と平行である前記対物系の物体平面に配置され、
前記対物系(図25の58)は、物体側で非テレセントリックであり、かつ像側でテレセントリックである、
ことを特徴とする請求項3から請求項10のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記光学光変調器(52)と前記マスク平面(88)の間の光路に配置された散乱板(122)を含むことを特徴とする請求項3から請求項11のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記空間光変調器(52)の前記光射出面(57)上の全ての物体区域(110)の少なくとも半分が、前記瞳形成ユニット(36)によって完全に照明されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記物体区域(110)上に前記第1のビーム偏向要素(40)によって生成される前記光点(94)は、該物体区域よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の照明系。
- 前記光学光変調器(52)の前記光射出面(57)上の前記物体区域(110)は、能動物体区域(110)内の点に関連付けられた投影光が前記光入射ファセット(75)のうちの前記1つの上に入射することを阻止することができるような該能動物体区域であり、
前記空間光変調器(52)は、受動物体区域内の点に関連付けられた投影光が前記光入射ファセット(75)のうちの前記1つの上に入射することを阻止することができないような該受動物体区域である別の物体区域(140)を含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記瞳形成ユニット(36)によって前記空間光変調器(52)上に生成される照射が、前記受動物体区域上よりも前記能動物体区域(110)上でより高いことを特徴とする請求項15に記載の照明系。
- 前記受動物体区域及び前記能動物体区域は、前記照明系(12)の光軸(OA)に関して互いに点対称に配置されることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の照明系。
- 前記光学光変調器(52)は、複数の能動物体区域(110)と複数の受動物体区域を含み、
各受動物体区域が、前記能動物体区域のうちの1つに対して点対称に配置される、
ことを特徴とする請求項17に記載の照明系。 - 前記光学光変調器(52)の前記光射出面(57)は、前記光入射ファセット(75)上に結像されない区域(130)によって分離された物体区域(110)の群(54−1、54−2)を含み、
前記対物系(58)は、前記物体区域(110)の前記像(110’)を該物体区域の該像(110’)が前記光学インテグレーター(60)上で当接するように組み合わせるように構成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の照明系。 - 前記対物系(58)は、
a)各第1の光学要素が中間像平面(132)に前記群(54−1、54−2)のうちの1つの拡大像を形成する第1の光学要素(134)の第1のアレイと、
b)前記中間像平面(132)を前記光入射ファセット(75)上に結像する結像光学系(138)と、
を含む、
ことを特徴とする請求項18に記載の照明系。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13194135 | 2013-11-22 | ||
EP13194135.3 | 2013-11-22 | ||
PCT/EP2014/003049 WO2015074746A1 (en) | 2013-11-22 | 2014-11-13 | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016541021A JP2016541021A (ja) | 2016-12-28 |
JP6343344B2 true JP6343344B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=49626852
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016533545A Active JP6343344B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-11-13 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2014236389A Active JP6034845B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-11-21 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2014236390A Pending JP2015111673A (ja) | 2013-11-22 | 2014-11-21 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2016210859A Active JP6434473B2 (ja) | 2013-11-22 | 2016-10-27 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014236389A Active JP6034845B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-11-21 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2014236390A Pending JP2015111673A (ja) | 2013-11-22 | 2014-11-21 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2016210859A Active JP6434473B2 (ja) | 2013-11-22 | 2016-10-27 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9500954B2 (ja) |
EP (2) | EP2876499B1 (ja) |
JP (4) | JP6343344B2 (ja) |
KR (3) | KR101922314B1 (ja) |
CN (3) | CN105745580B (ja) |
TW (1) | TWI638238B (ja) |
WO (1) | WO2015074746A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014203041A1 (de) | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
DE102014203040A1 (de) | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
JP2018519535A (ja) * | 2015-05-21 | 2018-07-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法 |
CN105068381A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-18 | 江苏影速光电技术有限公司 | 一种曝光机光阑承载结构及曝光机光阑更换方法 |
TWI575300B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-03-21 | 中強光電股份有限公司 | 投影裝置以及照明系統 |
JP6643466B2 (ja) * | 2015-09-23 | 2020-02-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム |
DE102015221991A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Mikroskopierverfahren zur Ermittlung eines Kontrastbildes und Mikroskop |
DE102015224522B4 (de) | 2015-12-08 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen Systems |
DE102015224521B4 (de) | 2015-12-08 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben einer solchen Anlage |
WO2017108448A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic apparatus |
CN106933049B (zh) * | 2015-12-30 | 2020-06-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法 |
US10061201B2 (en) * | 2016-10-24 | 2018-08-28 | Hrl Laboratories, Llc | Bottom up apparatus design for formation of self-propagating photopolymer waveguides |
EP3551745A4 (en) | 2016-12-12 | 2020-07-15 | Xcella Biosciences, Inc. | METHODS AND SYSTEMS FOR SCREENING USING MICROCAPILLAR ARRAYS |
EP3734349A1 (de) * | 2016-12-20 | 2020-11-04 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zur belichtung einer lichtempfindlichen schicht |
US11460777B2 (en) * | 2016-12-20 | 2022-10-04 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for exposure of photosensitive layer |
CA3048904A1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-05 | xCella Biosciences, Inc. | Multi-stage sample recovery system |
CN106641799B (zh) * | 2017-01-11 | 2019-05-24 | 哈尔滨理工大学 | 婴儿用鼻孔照明装置 |
US11099007B2 (en) * | 2017-02-16 | 2021-08-24 | Nikon Corporation | Test of operational status of a digital scanner during lithographic exposure process |
CN107421439B (zh) * | 2017-04-21 | 2019-05-14 | 上海交通大学 | 一种无成像目标显著性检测与坐标跟踪系统及方法 |
US11175487B2 (en) | 2017-06-19 | 2021-11-16 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Optical distortion reduction in projection systems |
EP3642674B1 (en) | 2017-06-19 | 2023-03-15 | SUSS MicroTec Solutions GmbH & Co. KG | Magnification compensation and/or beam steering in optical systems |
WO2019064502A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
WO2019064503A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置、照明光学系、及びデバイス製造方法 |
JP7020859B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置および物品の製造方法 |
WO2019180960A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | Primetals Technologies Japan株式会社 | レーザ加工ヘッド及びレーザ加工装置並びにレーザ加工ヘッドの調整方法 |
SG11201910818PA (en) * | 2018-06-19 | 2020-01-30 | Ev Group E Thallner Gmbh | Method and device for the exposure of image points |
US10503076B1 (en) * | 2018-08-29 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Reserving spatial light modulator sections to address field non-uniformities |
CN109116554B (zh) * | 2018-10-11 | 2020-12-04 | 北京环境特性研究所 | 光学积分器的设计方法 |
EP3640735A1 (en) | 2018-10-18 | 2020-04-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for inspection of a structure and associated apparatuses |
JP7398131B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2023-12-14 | ルムス エルティーディー. | 画像プロジェクタ |
CN111856745B (zh) * | 2019-04-30 | 2023-03-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光照射装置 |
EP3736550A1 (en) * | 2019-05-10 | 2020-11-11 | X-Rite Switzerland GmbH | Illumination device for a spectrophotometer having integrated mixing optics, and method for illuminating a sample |
US11366307B2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-06-21 | Kla Corporation | Programmable and reconfigurable mask with MEMS micro-mirror array for defect detection |
CN113189848B (zh) * | 2021-04-21 | 2024-02-13 | 之江实验室 | 一种基于光纤阵列的多通道并行式超分辨直写式光刻系统 |
CN115390362A (zh) * | 2021-05-25 | 2022-11-25 | 赫智科技(苏州)有限公司 | 一种4k光刻的方法 |
CN115128809B (zh) * | 2022-05-17 | 2023-11-28 | 南京工业职业技术大学 | 一种实现全息波导显示系统均匀成像的光栅效率分布表征与优化方法 |
DE102022116214B4 (de) * | 2022-06-29 | 2024-06-13 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Messkamera und Verfahren zur zweidimensionalen Vermessung von Gegenständen |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5517279A (en) | 1993-08-30 | 1996-05-14 | Hugle; William B. | Lens array photolithography |
JP2674579B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1997-11-12 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および走査露光方法 |
JP2674578B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1997-11-12 | 株式会社ニコン | 走査露光装置及び露光方法 |
US6404499B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
EP1107064A3 (en) | 1999-12-06 | 2004-12-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
GB9930529D0 (en) * | 1999-12-23 | 2000-02-16 | Screen Tech Ltd | Optical arrangement for flat-panel displays |
JP4838430B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
GB0107076D0 (en) * | 2001-03-21 | 2001-05-09 | Screen Technology Ltd | Liquid-crystal display using emissive elements |
JP4401060B2 (ja) | 2001-06-01 | 2010-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 |
KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
EP1668421A2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
DE10343333A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
WO2005040927A2 (en) | 2003-10-18 | 2005-05-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Device and method for illumination dose adjustments in microlithography |
US20060087634A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
CN100521089C (zh) * | 2004-12-27 | 2009-07-29 | 株式会社尼康 | 光学积分器、照明光学装置、曝光装置、方法及元件制法 |
TWI456267B (zh) | 2006-02-17 | 2014-10-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 用於微影投射曝光設備之照明系統 |
JP2007279113A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7932993B2 (en) | 2006-09-16 | 2011-04-26 | Wenhui Mei | Divided sub-image array scanning and exposing system |
WO2008076114A1 (en) | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Thomson Licensing | High resolution dmd projection system |
CN101796460B (zh) | 2007-08-30 | 2013-05-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统 |
US8451427B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US20090091730A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101562073B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN101681125B (zh) * | 2007-10-16 | 2013-08-21 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
US8379187B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2219206A4 (en) * | 2007-11-06 | 2011-04-27 | Nikon Corp | CONTROL DEVICE, EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE DEVICE |
EP2209135A4 (en) | 2007-11-06 | 2011-06-08 | Nikon Corp | OPTICAL LIGHTING DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
JP5326259B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
NL1036108A1 (nl) * | 2007-11-09 | 2009-05-12 | Asml Netherlands Bv | Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product. |
KR101591610B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2016-02-03 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치에 사용하기 위한 패싯 미러 |
DE102008001511A1 (de) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
WO2009142440A2 (ko) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Jung Jin Ho | 마스크 리스 노광장치용 광학부품 |
DE102008002749A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
EP2146248B1 (en) | 2008-07-16 | 2012-08-29 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2010024106A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5403244B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2014-01-29 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
KR101624009B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2016-05-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 광학 빔 편향 소자 및 조정 방법 |
JP2011108851A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101703830B1 (ko) | 2009-11-18 | 2017-02-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
DE102009054540B4 (de) | 2009-12-11 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie |
JP2012004561A (ja) | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Nikon Corp | 照明方法、照明光学装置、及び露光装置 |
JP5850267B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2016-02-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP2012069656A (ja) | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Nikon Corp | 空間光変調器、照明装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012099686A (ja) | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Nikon Corp | 光源形成方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2012100791A1 (en) | 2011-01-29 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US8823921B2 (en) | 2011-08-19 | 2014-09-02 | Ultratech, Inc. | Programmable illuminator for a photolithography system |
US8390917B1 (en) | 2011-08-24 | 2013-03-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Multiple line single-pass imaging using spatial light modulator and anamorphic projection optics |
-
2014
- 2014-02-19 EP EP14155686.0A patent/EP2876499B1/en active Active
- 2014-02-19 EP EP14155685.2A patent/EP2876498B1/en active Active
- 2014-11-13 JP JP2016533545A patent/JP6343344B2/ja active Active
- 2014-11-13 KR KR1020167016113A patent/KR101922314B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-13 WO PCT/EP2014/003049 patent/WO2015074746A1/en active Application Filing
- 2014-11-13 CN CN201480063069.7A patent/CN105745580B/zh active Active
- 2014-11-17 US US14/543,079 patent/US9500954B2/en active Active
- 2014-11-17 US US14/543,110 patent/US9310690B2/en active Active
- 2014-11-19 TW TW103140015A patent/TWI638238B/zh active
- 2014-11-20 KR KR1020140162782A patent/KR101736549B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-21 KR KR1020140163298A patent/KR101751581B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-21 JP JP2014236389A patent/JP6034845B2/ja active Active
- 2014-11-21 JP JP2014236390A patent/JP2015111673A/ja active Pending
- 2014-11-24 CN CN201410858448.7A patent/CN104656379B/zh active Active
- 2014-11-24 CN CN201410858447.2A patent/CN104656378B/zh active Active
-
2016
- 2016-03-31 US US15/086,475 patent/US9910359B2/en active Active
- 2016-10-27 JP JP2016210859A patent/JP6434473B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2876499B1 (en) | 2017-05-24 |
WO2015074746A1 (en) | 2015-05-28 |
EP2876499A1 (en) | 2015-05-27 |
US9910359B2 (en) | 2018-03-06 |
TW201523167A (zh) | 2015-06-16 |
JP2015111673A (ja) | 2015-06-18 |
JP2017054131A (ja) | 2017-03-16 |
CN104656379A (zh) | 2015-05-27 |
CN105745580A (zh) | 2016-07-06 |
TWI638238B (zh) | 2018-10-11 |
EP2876498A1 (en) | 2015-05-27 |
US20150146184A1 (en) | 2015-05-28 |
US20160209759A1 (en) | 2016-07-21 |
KR20160088365A (ko) | 2016-07-25 |
KR101922314B1 (ko) | 2019-02-13 |
CN105745580B (zh) | 2018-08-21 |
US20150146183A1 (en) | 2015-05-28 |
CN104656378B (zh) | 2018-06-05 |
US9500954B2 (en) | 2016-11-22 |
JP6434473B2 (ja) | 2018-12-05 |
EP2876498B1 (en) | 2017-05-24 |
CN104656379B (zh) | 2018-01-30 |
JP2015111672A (ja) | 2015-06-18 |
KR101751581B1 (ko) | 2017-06-27 |
JP2016541021A (ja) | 2016-12-28 |
CN104656378A (zh) | 2015-05-27 |
KR20150059619A (ko) | 2015-06-01 |
JP6034845B2 (ja) | 2016-11-30 |
US9310690B2 (en) | 2016-04-12 |
KR101736549B1 (ko) | 2017-05-16 |
KR20150059623A (ko) | 2015-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6343344B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
JP6016169B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
JP2010537414A (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム | |
KR20130060281A (ko) | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 | |
TW201702756A (zh) | 微影投射設備的操作方法 | |
JP5864771B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
EP3295249B1 (en) | Illumination system of a microlithographic projection apparatus and method of adjusting an irradiance distribution in such a system | |
JP6193963B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム | |
JP5187631B2 (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010028089A (ja) | 減光ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP6652948B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム | |
JP5860494B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム | |
JP2010177304A (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180403 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6343344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |