JP2015170815A - インプリント装置、アライメント方法及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】モールドと基板とのアライメントに要する時間の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持するステージと、前記モールドを保持する保持機構と、前記モールドに設けられたマークを検出するスコープと、前記スコープを駆動する駆動機構と、前記保持機構に保持された前記モールドの前記マークが前記スコープで検出されるように前記駆動機構により前記スコープを位置決めし、前記スコープの位置決めに要した前記スコープの駆動量に基づいて前記保持機構に保持された前記モールドの基準位置からの位置ずれ量を求め、当該位置ずれ量に基づいて前記ステージを移動させて前記モールドと前記基板とのアライメントを行う処理部と、を有することを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント装置、アライメント方法及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、微細なパターンの形成を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術を用いたインプリント装置は、微細なパターン（凹凸）が形成されたモールド（型）を原版として用いて、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上にパターンを形成する（特許文献１参照）。例えば、インプリント装置では、基板上に光硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化樹脂）を塗布し、かかる樹脂をモールドで成形する。そして、光（例えば、紫外線）を照射して樹脂を硬化させてからモールドを剥離することで、基板上の樹脂にパターンが形成される。

インプリント装置では、モールドと基板とのアライメント（位置合わせ）方式として、ダイバイダイアライメント方式やグローバルアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板の上の複数のショット領域ごとに、基板側のアライメントマーク及びモールド側のアライメントマークを光学的に検出してモールドと基板との位置関係のずれを補正するアライメント方式である。グローバルアライメント方式とは、代表的な幾つかのサンプルショット領域に形成されたアライメントマークの検出結果を統計処理して決定した全てのショット領域の位置に基づいてモールドと基板との位置関係のずれを補正するアライメント方式である。また、アライメントマークを検出するアライメントスコープとして、ダイバイダイアライメント方式ではＴＴＭ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｍｏｌｄ）スコープが用いられ、グローバルアライメント方式ではＯＡ（Ｏｆｆ Ａｘｉｓ）スコープが用いられる。

特許第４１８５９４１号公報

インプリント装置では、事前にモールドの位置を計測する必要がある。ダイバイダイアライメント方式では、基板側のアライメントマークとモールド側のアライメントマークとをアライメントスコープの視野内に入れなければならない。そのため、モールドの位置を事前に求める（モールドの事前アライメント）必要がある。また、グローバルアライメント方式では、基板上の樹脂とモールドとを接触させる際にモールドの位置がずれていると、オーバーレイ（重ね合わせ）精度の低下を招くため、モールドの位置を事前に求める必要がある。

モールドの事前アライメントでは、まず、モールド側のアライメントマークをアライメントスコープで検出する。次いで、アライメントスコープのＸＹ位置を固定した状態で、基板側のアライメントマーク又は基板ステージに配置された基準マークをアライメントスコープで検出する。そして、モールド側のアライメントマークと基板側のアライメントマークとの相対位置、又は、モールド側のアライメントマークと基準マークとの相対位置を求める。このようなモールドの事前アライメントには時間がかかるため、インプリント装置のスループットの低下の要因となる。特に、インプリント装置では、モールドを定期的に交換しなければならないことに加えて、モールド側のアライメントマークのずれが大きく、アライメントスコープの視野から外れやすい。従って、モールドの事前アライメントは、インプリント装置のスループットに大きな影響を与えることになる。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板とのアライメントに要する時間の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持するステージと、前記モールドを保持する保持機構と、前記モールドに設けられたマークを検出するスコープと、前記スコープを駆動する駆動機構と、前記保持機構に保持された前記モールドの前記マークが前記スコープで検出されるように前記駆動機構により前記スコープを位置決めし、前記スコープの位置決めに要した前記スコープの駆動量に基づいて前記保持機構に保持された前記モールドの基準位置からの位置ずれ量を求め、当該位置ずれ量に基づいて前記ステージを移動させて前記モールドと前記基板とのアライメントを行う処理部と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、モールドと基板とのアライメントに要する時間の点で有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するための図である。 スコープ駆動機構によるアライメントスコープの駆動を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、本実施形態では、インプリント材として樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線（ＵＶ光）の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。但し、インプリント装置１００は、その他の波長域の光の照射によって樹脂を硬化させてもよいし、その他のエネルギー、例えば、熱によって樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。

インプリント装置１００は、インプリント処理を繰り返すことによって、基板上の複数のショット領域にパターンを形成する。ここで、インプリント処理とは、モールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させることでモールドに形成されたパターンを基板上に転写する処理である。

インプリント装置１００は、硬化部１２０と、モールド保持機構１３０と、モールド補正機構１４０と、基板保持機構１６０と、アライメント機構１７０と、塗布機構１８０と、観察光学系１９０と、オフアクシススコープ２００と、制御部３００とを有する。また、インプリント装置１００は、定盤や除振器（ダンパ）なども有する。定盤は、インプリント装置１００の全体を支持し、基板ステージ１６４が移動する際の基準平面を形成する。除振器は、床からの振動を除去し、定盤を支持する。

硬化部１２０は、基板Ｗの上の樹脂（レジスト）Ｒを硬化させるために、モールドＭを介して、光（紫外線）を樹脂Ｒに照射する。樹脂Ｒは、本実施形態では、紫外線硬化樹脂である。硬化部１２０は、光源部１１０と、光学系１１２と、ハーフミラーＨＭとを含む。光源部１１０は、例えば、紫外線（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生するハロゲンランプなどの光源と、かかる光源からの光を集光する楕円ミラーとを含む。光学系１１２は、樹脂Ｒを硬化させるための光を基板Ｗのショット領域内に照射するためのレンズ、アパーチャなどを含む。アパーチャは、画角制御や外周遮光制御に用いられる。画角制御は、目標とするショット領域のみに光を照射するための制御であり、外周遮光制御は、基板Ｗの外形を超えて光が照射されることを制限するための制御である。また、光学系１１２は、モールドＭを均一に照射するためのオプティカルインテグレータを含んでいてもよい。光学系１１２からの光は、ハーフミラーＨＭで反射され、モールドＭを介して基板Ｗの上の樹脂Ｒに入射する。

モールドＭは、樹脂Ｒを硬化させるための光である紫外線を透過させるために、紫外線の波長に対して透明な材料、例えば、石英で構成される。モールドＭは、モールド搬送機構（不図示）によって搬送される。モールド搬送機構は、例えば、真空チャックなどのチャックを有する搬送ロボットを含む。

モールド保持機構１３０は、モールドＭを保持するチャック１３２と、チャック１３２を駆動する（即ち、モールドＭを移動させる）モールド駆動機構１３４と、モールド駆動機構１３４を支持するベース１３６とを含む。モールド駆動機構１３４は、モールドＭの位置を６軸に関して制御する位置決め機構と、モールドＭを基板Ｗの上の樹脂Ｒに押し付けたり、硬化した樹脂ＲからモールドＭを剥離したりする機構とを含む。ここで、６軸とは、チャック１３２の保持面（モールドＭを保持する面）をＸＹ平面、ＸＹ平面に直交する方向をＸ軸とするＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びそれぞれの各軸周りの回転である。

モールド補正機構１４０は、チャック１３２に配置されている。モールド補正機構１４０は、例えば、空気や油などの流体で作動するシリンダ（アクチュエーター）を用いて、モールドＭを外周方向から加圧することでモールドＭの形状を補正する。また、モールド補正機構１４０は、モールドＭの温度を制御する温度制御部を含み、モールドＭの温度を制御することでモールドＭの形状を補正してもよい。また、基板Ｗの温度を制御して基板Ｗの形状を補正する機構を備えていてもよい。基板Ｗは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（典型的には、膨張又は収縮）する。モールド補正機構１４０は、このような基板Ｍの変形に応じて、オーバーレイ誤差が許容範囲に収まるように、モールドＭの形状を補正する。

基板保持機構１６０は、基板Ｗを保持するチャック１６２と、チャック１６２を駆動する（即ち、基板Ｗを移動させる）基板ステージ１６４と、ステージ駆動機構（不図示）とを含む。ステージ駆動機構は、基板ステージ１６４の位置を６軸に関して制御することで基板Ｗの位置を制御する位置決め機構を含む。

アライメント機構１７０は、アライメントスコープ１７２と、スコープ駆動機構１７４と、検出部１７６とを含む。アライメントスコープ１７２は、モールドＭと基板Ｗ（のショット領域）とをアライメントする自動調整スコープ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ Ｓｃｏｐｅ：ＡＡＳ）を含む。アライメントスコープ１７２は、モールドＭに設けられているアライメントマークＡＭＭを検出する。また、アライメントスコープ１７２は、モールドＭを介して、基板Ｗに設けられているアライメントマークＡＭＷを検出する。また、アライメントスコープ１７２は、基板ステージ１６４に配置された基準プレート２１０に設けられた基準マークやアライメントマークを検出することも可能である。スコープ駆動機構１７４は、ベース１３６に配置されている。スコープ駆動機構１７４は、アライメントスコープ１７２をモールドＭのパターン面に平行な方向に駆動することでアライメントスコープ１７２を位置決めする。検出部１７６は、例えば、干渉計やエンコーダなどを含み、スコープ駆動機構１７４によって駆動されたアライメントスコープ１７２の駆動量を検出する。

アライメントスコープ１７２は、複数設けられており、本実施形態では、図４（ａ）に示すように、モールドＭを取り囲むように、４つのアライメントスコープ１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃ及び１７２ｄが配置されている。また、アライメントスコープ１７２ａ乃至１７２ｄのそれぞれに対応して、スコープ駆動機構１７４ａ、１７４ｂ、１７４ｃ及び１７４ｄが設けられている。スコープ駆動機構１７４ａ乃至１７４ｄの駆動原点と基板ステージ１６４の駆動原点とは、予め合わせられている。

塗布機構１８０は、基板Ｗに、詳細には、パターンを形成する対象のショット領域（対象ショット領域）に樹脂Ｒを塗布（供給）する。塗布機構１８０は、例えば、樹脂Ｒを収容するタンクと、タンクから供給される樹脂Ｒを基板Ｗに対して吐出するノズルと、タンクとノズルとを接続する供給路に設けられたバルブと、供給制御部とを含む。供給制御部は、典型的には、ノズルの１回の吐出動作において１つのショット領域に樹脂Ｒが塗布されるように、バルブを制御することで基板Ｗへの樹脂Ｒの供給量を制御する。

観察光学系１９０は、基板Ｗのショット領域の全体を観察するスコープである。観察光学系１９０は、インプリント処理の状態、例えば、モールドＭの押印状態やモールドＭへの樹脂Ｒの充填状態などの確認に用いられる。

オフアクシススコープ２００は、基板ステージ１６４に配置された基準プレート２１０に設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２００は、基板ＷのアライメントマークＡＭＷを検出することも可能である。

制御部３００は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。本実施形態では、制御部３００は、インプリント処理において、後述するように、モールドＭと基板Ｗとのアライメントを行う処理部として機能する。

以下、図２を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、制御部３００がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ１００１では、基板搬送機構によって基板Ｗがチャック１６２にロード（搬送）され、チャック１６２によって基板Ｗが保持される。基板Ｗには、少なくとも１つのアライメントマークＡＭＷが形成されている。

Ｓ１００２では、チャック１６２に保持された基板Ｗのアライメントを行う。具体的には、図３（ａ）に示すように、基板Ｗに形成されたアライメントマークＡＭＷがアライメントスコープ１７２で検出可能な位置に位置するように、基板ステージ１６４を移動させる。換言すれば、アライメントマークＡＭＷがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するように基板ステージ１６４により基板Ｗを位置決めする。図３（ａ）は、基板Ｗのアライメントを行った状態を示している。

Ｓ１００３では、モールド搬送機構によってモールドＭがチャック１３２に搬送され、チャック１３２によってモールドＭが保持される。この際、モールドＭを外周方向から加圧することによって、チャック１３２の中心に対してモールドＭが位置決めされる。モールドＭには、少なくとも１つのアライメントマークＡＭＭが形成されている。

Ｓ１００４では、アライメントスコープ１７２によってモールドＭに形成されたアライメントマークＡＭＭを検出する。具体的には、図３（ｂ）に示すように、チャック１３２に保持されたモールドＭのアライメントマークＡＭＭがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するようにスコープ駆動機構１７４によりアライメントスコープ１７２を位置決めする。そして、このように位置決めされたアライメントスコープ１７２でモールドＭのアライメントマークＡＭＭを検出する。ここで、モールドＭのアライメントマークＡＭＭの設計位置（座標）は、制御部３００のメモリなどの記憶装置に予め記憶されている。但し、モールドＭのアライメントマークＡＭＭを含むパターン面は、モールドＭの外周に対して、数十μｍ〜数百μｍ程度のＸＹ方向の製造誤差や数μｒａｄ〜数千μｒａｄ程度の回転の製造誤差を含んでいる。従って、スコープ駆動機構１７４によってアライメントスコープ１７２を駆動してモールドＭのアライメントマークＡＭＭの設計位置に配置するだけでは、アライメントスコープ１７２の視野内にアライメントマークＡＭＭが入らないことがある。このような場合には、スコープ駆動機構１７４によるアライメントスコープ１７２の駆動を繰り返して、モールドＭのアライメントマークＡＭＭがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するようにアライメントスコープ１７２を位置決めする。

例えば、図３（ａ）に示す状態から、スコープ駆動機構１７４ａによりアライメントスコープ１７２ａをｄ１だけ駆動し、スコープ駆動機構１７４ｂによりアライメントスコープ１７２ｂをｄ２だけ駆動する。また、図４（ａ）に示す状態から、スコープ駆動機構１７４ｃによりアライメントスコープ１７２ｃをｄ３だけ駆動し、スコープ駆動機構１７４ｄによりアライメントスコープ１７２ｄをｄ４だけ駆動する。これにより、図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、アライメントスコープ１７２ａ乃至１７２ｄのそれぞれによって、モールドＭのアライメントマークＡＭＭを検出することが可能となる。スコープ駆動機構１７４ａ乃至１７４ｄによる駆動後のアライメントスコープ１７２ａ乃至１７２ｄのそれぞれの位置は、（ｘ１，ｙ１）、（ｘ２，ｙ２）、（ｘ３，ｙ３）及び（ｘ４，ｙ４）とする。ここで、図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、モールドＭのＸＺ平面を示し、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、モールドＭのＸＹ平面を示している。

Ｓ１００５では、モールドＭの事前アライメントを行う。具体的には、Ｓ１００４でアライメントスコープ１７２の位置決めに要したアライメントスコープ１７２の駆動量、及び、モールドＭのアライメントマークＡＭＭの設計位置に基づいて、モールドＭの基準位置からの位置ずれ量を求める。本実施形態では、基準位置は、チャック１３２に保持されたモールドＭのアライメントマークＡＭＭの設計位置である。但し、基準位置は、基板ＷのアライメントマークＡＭＷ又は基板ステージ１６４に設けられた基準マークをアライメントスコープ１７２で検出したときのアライメントスコープ１７２の位置であってもよい。

Ｓ１００６では、塗布機構１８０によって基板Ｗに樹脂Ｒを塗布する。具体的には、基板Ｗの対象ショット領域が塗布機構１８０の下に位置するように基板ステージ１６４を移動させる。そして、塗布機構１８０によって、基板Ｗの対象ショット領域に樹脂Ｒを塗布（供給）する。

Ｓ１００７では、モールドＭと基板Ｗ（の対象ショット領域）とのアライメントを行う。ここでは、Ｓ１００２における基板Ｗのアライメントの結果やＳ１００５におけるモールドＭの事前アライメントの結果に基づいて、基板ステージ１６４を移動させる。換言すれば、モールドＭの事前アライメントで求めたモールドＭの基準位置からの位置ずれ量に基づいて、基板ＷのアライメントマークＡＭＷがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するように基板ステージ１６４を移動させる。例えば、基板ＷのアライメントマークＡＭＷをアライメントスコープ１７２の視野内に位置させるために予め設定された基板ステージ１６４の移動量をモールドＭの基準位置からの位置ずれ量で補正した補正量に基づいて、基板ステージ１６４を移動させる。具体的には、図３（ｂ）に示す状態から基板ステージ１６４をｄｗだけ移動させる。これにより、図３（ｃ）に示すように、基板ステージ１６４の移動を繰り返すことなく（即ち、短時間で）、基板ＷのアライメントマークＡＭＷをアライメントスコープ１７２の視野内に位置させることができる。従って、アライメントスコープ１７２ａ乃至１７２ｄのそれぞれによって、モールドＭのアライメントマークＡＭＭ及び基板ＷのアライメントマークＡＭＷを検出することが可能となり、モールドＭと基板Ｗとのアライメントを行うことができる。

Ｓ１００８では、モールド駆動機構１３４によってチャック１３２を降下させ、モールドＭを基板Ｗの上の樹脂Ｒに押し付けて、モールドＭと樹脂Ｒとを接触させる（押印）。但し、チャック１３２（モールドＭ）を降下させる代わりに、基板ステージ１６４（基板Ｗ）を上昇させることによって、モールドＭと樹脂Ｒとを接触させてもよい。モールドＭの押し付けの荷重は、例えば、モールド駆動機構１３４に内蔵された荷重センサを用いて制御される。

Ｓ１００９では、モールドＭと基板Ｗの上の樹脂Ｒとを接触させた状態において、硬化部１２０によって、モールドＭを介して光（紫外線）を樹脂Ｒに照射し、基板Ｗの上の樹脂Ｒを硬化させる（硬化）。

Ｓ１０１０では、モールド駆動機構１３４によってチャック１３２を上昇させ、基板Ｗの上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを引き離す（離型）。これにより、基板Ｗの対象ショット領域に、モールドＭのパターンに対応する３次元形状の樹脂Ｒのパターン（層）が形成される。但し、Ｓ１０１０では、チャック１３２（モールドＭ）を上昇させる代わりに、基板ステージ１６４（基板Ｗ）を下降させることによって、基板Ｗの上の硬化した樹脂ＲからモールドＭを引き離してもよい。

Ｓ１０１１では、基板Ｗの全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板Ｗの全てのショット領域にインプリント処理が行われていない場合、即ち、インプリント処理が行われていないショット領域がある場合には、次のショット領域にインプリント処理を行うために、Ｓ１００６に移行する。一方、基板Ｗの全てのショット領域にインプリント処理が行われている場合には、処理を終了する。

このように、本実施形態では、チャック１３２に保持されたモールドＭのアライメントマークＡＭＭがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するようにスコープ駆動機構１７４によりアライメントスコープ１７２を位置決めする。また、かかるアライメントスコープ１７２の位置決めに要したアライメントスコープ１７２の駆動量に基づいてモールドＭの基準位置からの位置ずれ量を求める。そして、かかる位置ずれ量に基づいて基板ステージ１６４を移動させてモールドＭと基板Ｗとのアライメントを行う。これにより、インプリント装置１００では、モールドＭと基板Ｗとのアライメント、特に、モールドＭの事前アライメントに要する時間を大幅に短縮することができ、アライメントに起因するスループットの低下を抑制することができる。

本実施形態では、基板ステージ１６４を移動させて、基板ＷのアライメントマークＡＭＷをアライメントスコープ１７２で検出することで基板Ｗのアライメントを行っている。但し、モールドＭの事前アライメントと同様に、アライメントスコープ１７２の駆動量に基づいて基板Ｗのアライメントを行ってもよい。例えば、基板ＷのアライメントマークＡＭＷがアライメントスコープ１７２の視野内に位置するようにスコープ駆動機構１７４によりアライメントスコープ１７２を位置決めする。そして、かかる位置決めに要したアライメントスコープ１７２の駆動量から基板Ｗの基準位置からの位置ずれ量を求めてもよい。

また、本実施形態では、モールドＭの事前アライメントを、アライメントスコープ１７２の駆動量からモールドＭの基準位置からの位置ずれ量を求めることで行っている。但し、モールドＭの事前アライメントを行った後、モールドＭの基準位置からの位置ずれ量に基づいて基板ステージ１６４を移動して、基準プレート２１０のアライメントマークとモールドＭのアライメントマークＡＭＭとのアライメントを行ってもよい。基板ステージ１６４に配置された基準プレート２１０のアライメントマークとモールドＭのアライメントマークＡＭＭとをアライメントスコープ１７２で同時に検出することで、基板ステージ１６４に対するモールドＭの位置ずれ量を求めることができる。

本実施形態では、基板Ｗの保持（Ｓ１００１）及び基板Ｗのアライメント（Ｓ１００２）の後に、モールドＭの保持（Ｓ１００３）、モールドＭのアライメントマークＡＭＭの検出（Ｓ１００４）及びモールドＭの事前アライメント（Ｓ１００５）を行っている。但し、モールドＭの保持（Ｓ１００３）、モールドＭのアライメントマークＡＭＭの検出（Ｓ１００４）及びモールドＭの事前アライメント（Ｓ１００５）の後に、基板Ｗの保持（Ｓ１００１）及び基板Ｗのアライメント（Ｓ１００２）を行ってもよい。

物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (9)

1. 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板を保持するステージと、
   前記モールドを保持する保持機構と、
   前記モールドに設けられたマークを検出するスコープと、
   前記スコープを駆動する駆動機構と、
   前記保持機構に保持された前記モールドの前記マークが前記スコープで検出されるように前記駆動機構により前記スコープを位置決めし、前記スコープの位置決めに要した前記スコープの駆動量に基づいて前記保持機構に保持された前記モールドの基準位置からの位置ずれ量を求め、当該位置ずれ量に基づいて前記ステージを移動させて前記モールドと前記基板とのアライメントを行う処理部と、を有することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記処理部は、当該位置ずれ量に基づいて、前記基板に設けられたマークが前記スコープの視野内に位置するように前記ステージを移動させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記処理部は、前記基板の前記マークを前記スコープの視野内に位置させるために予め設定された前記ステージの移動量を前記位置ずれ量で補正した補正量に基づいて、前記ステージを移動させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記基準位置は、前記保持機構に保持された前記モールドの前記マークの設計位置を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
5. 前記基準位置は、前記基板に設けられたマーク又は前記ステージに設けられた基準マークを前記スコープで検出したときの前記スコープの位置を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
6. 前記スコープは、前記モールドに設けられた複数のマークのそれぞれを検出するように複数設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記駆動機構によって駆動された前記スコープの駆動量を検出する検出部を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理における前記モールドと前記基板とのアライメントを行うアライメント方法であって、
   保持機構に保持された前記モールドに設けられたマークがスコープで検出されるように前記スコープを位置決めする工程と、
   前記スコープの位置決めに要した前記スコープの駆動量に基づいて前記保持機構に保持された前記モールドの基準位置からの位置ずれ量を求め、当該位置ずれ量に基づいて前記基板を保持するステージを移動させて前記モールドと前記基板とのアライメントを行う工程と、を有することを特徴とするアライメント方法。
9. 請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
   前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
   を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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