JP2015163908A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 縦電界と横電界とを利用する表示モードにおいて、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、該第二基板は、第二の共通電極と、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を有する液晶表示装置である。
【選択図】 図1
【解決手段】 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、該第二基板は、第二の共通電極と、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を有する液晶表示装置である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、誘電率異方性が負の液晶に対し、縦電界を印加することで黒表示とし、さらに横電界を印加することで白表示とする液晶表示装置に関するものである。
液晶表示(LCD:Liquid Crystal Display)装置は、複屈折性を有する液晶分子の配向を制御することにより光の透過/遮断(表示のオン/オフ)を制御する機器である。LCDの液晶配向モードとしては、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板法線方向から見たときに90°捩れた状態で配向させるTN(Twisted Nematic)モード、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させる垂直配向(VA:Vertical Alignment)モード、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング(IPS:In-Plane Switching)モード及びフリンジ電界スイッチング(FFS:Fringe Field Switching)モード等が挙げられる。
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力であることから、テレビ、パソコン、PDA等の表示機器として広く使用されている。特に近年、テレビ用液晶表示装置等に代表されるように、液晶表示装置の大型化が急速に進んでいる。
VAモードでは、負の誘電率異方性を有する液晶を用いて、基板面に対して垂直配向させた液晶分子を縦電界により横向きに傾けることで表示を行うが、液晶分子を異なる角度で見る場合に液晶分子の見かけ上の複屈折率が変化するため、視野角の狭さが問題となる。
VAモードの視野角を広げるために、マルチドメイン垂直配向(MVA:Multi-domain Vertical Alignment)モードでは、配向規制用構造物として基板上に土手(線状突起)や電極の抜き部(スリット)を設ける。これにより、配向膜にラビング処理を施さなくとも電圧印加時の液晶配向方位を異なる複数の方位に制御可能であり、従来のTNモードに比べて優れた視野角特性を得ることができる。また、ポリマー層(PSA(Polymer Sustained Alignment:配向維持)層)を基板上に形成し、配向分割を行うことでも視野角特性を向上させることができる。配向分割の方法としては、光硬化性モノマーを含有する液晶層に電圧を印加し、液晶分子を画素電極に形成した微細スリットに沿って異なる複数の方位に配向させ、配向方位が安定した状態で紫外線を照射し、該光硬化性モノマーを硬化させることで、液晶分子の傾く方位を固定する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜3参照。)
IPSモードでは、一対の櫛歯電極間に発生した横電界により、液晶分子が電界の向きに水平になろうとする働きを利用して表示を行う。FFSモードでは、共通電極と、該共通電極上に絶縁膜を介して設けられた画素電極との間に発生した横電界(フリンジ電界)により、液晶分子が電界の向きに水平になろうとする働きを利用して表示を行う。IPSモード及びFFSモードによれば視野角は改善されるが、VAモード並みのコントラスト比を得ることは難しくなる。
また、近年、IPSモードやFFSモードのように横電界を利用して表示を行う液晶表示装置において、従来の横電界に加え縦電界を発生させることで、液晶の駆動を制御するという新たな試みもなされている(例えば、特許文献4及び5参照。)。
VAモードは、上述のように、MVAモードの採用、PSA技術を利用した配向分割等により視野角特性は改善されるが、透過率が低下する、余分な工程が必要となるといった新たな課題も発生する。
一方、IPSモード及びFFSモードは、配向方位を規定するためにラビング等の配向処理が必要であり、特に大型の基板に対して配向処理を行う際に均一な処理を行うことが難しくなり、それに起因して表示ムラが発生しやすくなる。
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、縦電界と横電界を利用する表示モードにおいて、良好な表示特性を有する液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、初期配向が垂直配向であり、かつ誘電率異方性が負の液晶を含有する液晶層を備える液晶表示装置において、一方の基板に、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極と異なる層に設けられた画素電極とを設け、更に、液晶層を挟んで対向する基板に第二の共通電極を設けることで、計三種の電極を一つの液晶表示装置内に配置する構造に着目した。
そして、画素電極と第二の共通電極との間、及び、第一の共通電極と第二の共通電極との間に電圧を印加することにより、該液晶層内に縦電界(液晶層の厚み方向に形成される電界)を形成して、液晶分子を基板面に対して水平に配向させることで、黒表示を得るとともに、更に、上記電圧を印加した状態で、画素電極と第一の共通電極との間に電圧を印加することにより、該液晶層内に横電界(フリンジ電界)を形成し、白表示を得ることができることを見いだした。
さらに、本発明者らは、上記第二基板に、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を設けることで、ラビング処理等の特別な配向処理を行わなくとも、黒表示時の液晶分子の方位を規定することができることを見いだした。「液晶分子の方位」とは、基板を平面視した場合の液晶分子の長軸方向を表す。
すなわち、本発明の一側面は、互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、該第二基板は、第二の共通電極と、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を有する液晶表示装置(以下、本発明の第一の液晶表示装置ともいう。)である。
本発明の第一の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、液晶表示装置に通常用いられるその他の構成要素を適宜適用することができる。
上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有する。該液晶分子は、電圧印加時には、電界の向きと直交する方向に倒れる特性を有する。
上記第一の共通電極及び上記第二の共通電極には、それぞれ異なる大きさの共通電位が供給される。これにより、第二の共通電極と上記第一の共通電極との間に電位差が生じ、縦電界が形成される。
上記第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、上記画素電極は、櫛歯構造を有する。これにより、第一の共通電極と画素電極との間に横電界(フリンジ電界)を形成することができる。上記櫛歯構造は、言い換えれば、画素電極に複数のスリットが形成された構造である。上記櫛歯構造の具体例としては、(i)スリットの一端が開放され、スリットの他端が閉じられた構造、及び、(ii)スリットの両端が閉じられた構造が挙げられる。該スリットの幅は5〜30μmであることが好ましい。上記櫛歯構造が、(i)の形態を採用する場合には、上記第一基板は、更に、画素電極と対向する第三の共通電極を備えていてもよい。これにより、画素電極と第一の共通電極との間のみならず、画素電極と第三の共通電極との間においても横電界を形成することができる。
上記第二基板は、第二の共通電極と、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を有する。該液晶配向制御構造を有することで、黒表示時の液晶分子の配向方位を規定することができる。該液晶配向制御構造の具体例としては、(a)上記第二の共通電極に形成されたスリット、及び、(b)上記第二の共通電極の液晶層側の表面上に設けられた誘電体突起物が挙げられる。ここでの液晶配向制御構造とは、平面視したときに線状であり、かつ液晶分子を一定の方位に配向規制することができるものであれば、特に限定されない。上記線状とは、一部に屈曲又は湾曲している部分を有しているものを含む。
上記液晶配向制御構造の長手方向は、上記画素電極が有する櫛歯部の長手方向と角度をなすことが好ましい。これにより、白表示時に液晶分子を基板面に対して一律に同じ向きに水平回転させることができ、良好な応答特性及びコントラスト比を得ることができる。上記角度は0±20°の範囲内又は90±20°の範囲内であることが好ましい。
上記スリットを有する場合の第二の共通電極の形状の具体例としては、(i)スリットの一端が開放され、スリットの他端が閉じられた構造、及び、(ii)スリットの両端が閉じられた構造が挙げられる。
上記液晶配向制御構造が、(a)上記第二の共通電極に形成されたスリットである場合、更に、(a1)上記スリットの幅が2〜5μmであるものと、(a2)上記スリットの幅が5μmよりも大きい(好ましくは、5〜30μmである)ものとに分類される。これらのスリットの幅の違いにより、液晶分子の配向方位は異なってくる。例えば、(a1)で示されるスリット幅にすることで、黒表示時に、液晶分子をスリットの長手方向に沿った方位に配向させることができる。一方、(a2)で示されるスリット幅にすることで、黒表示時に、液晶分子をスリットの長手方向に直交する方位に配向させることができる。したがって、(a1)の形態を採用する場合、上記第二の共通電極に形成されたスリットの長手方向と上記画素電極に形成されたスリットの長手方向とは90°±20°の範囲内の角度をなすことが好ましく、(a2)の形態を採用する場合、上記第二の共通電極に形成されたスリットの長手方向と上記画素電極に形成されたスリットの長手方向とは0°±20°の範囲内の角度をなすことが好ましい。また、(a1)の形態を採用する場合、上記第二の共通電極が有する櫛歯部の幅は2〜5μmであることが好ましく、(a2)の形態を採用する場合、上記第二の共通電極が有する櫛歯部の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜30μmである)ことが好ましい。
上記液晶配向制御構造が、(b)上記第二の共通電極の液晶層側の表面上に設けられた誘電体突起物である場合、更に、(b1)上記誘電体突起物の幅が、2〜5μmであるものと、(b2)上記誘電体突起物の幅が5μmよりも大きい(好ましくは、5〜30μmである)ものとに分類される。これらの誘電体突起物の幅の違いにより、液晶分子の配向方位は異なってくる。例えば、上記液晶配向制御構造を(b1)で示される幅にすることで、黒表示時に、液晶分子を誘電体突起物の長手方向に沿った方位に配向させることができる。一方、上記液晶配向制御構造を(b2)で示される幅にすることで、黒表示時に、液晶分子を誘電体突起物の長手方向に直交する方位に配向させることができる。したがって、(b1)の形態を採用する場合、上記誘電体突起物の長手方向と上記画素電極のスリットの長手方向とは90°±20°の範囲内の角度を成すことが好ましく、(b2)の形態を採用する場合、上記誘電体突起物の長手方向と上記画素電極のスリットの長手方向とは0°±20°の範囲内の角度を成すことが好ましい。また、(b1)の形態を採用する場合、隣り合う誘電体突起物同士の間の幅は2〜5μmであることが好ましく、(b2)の形態を採用する場合、隣り合う誘電体突起物同士の間の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜40μmである)ことが好ましい。
上記液晶表示装置は、更に、上記第一基板及び第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層を備え、該ポリマー層は、上記液晶層中に添加されたモノマーが重合することによって形成されたものであることが好ましい。このようなポリマー層(PSA層)を備えることで、液晶分子の配向を安定させることができる。
上記液晶表示装置は、更に、該第一の共通電極に対して電気信号を供給する第一の制御回路と、該第二の共通電極に対して電気信号を供給する第二の制御回路とを有し、該第一の共通電極に供給される電気信号と、該第二の共通電極に供給される電気信号との間の電位差は10〜20Vであることが好ましい。
このような電位差とすることで、黒表示時に、液晶分子を基板面に対してほぼ水平に配向させ、更にその状態を維持したまま、水平回転させることができ、良好なコントラスト比を得ることができる。
上記第一の制御回路及び上記第二の制御回路は、一定期間同じ値の電圧を印加するもの(直流電源)を用いてもよいし、一定期間同じ値の電圧を印加した後、極性が入れ替わるもの(交流電源)を用いてもよい。交流電源を用いる場合、対称性を考慮すると、絶対値は同じであり極性のみが反転するものを用いることが好ましい。また、上記第一の制御回路又は上記第二の制御回路として、互いに異なる電源を用いても良く、また、パネル外部の交流電源を用いてもよい。
また、上記技術的特徴は、それ単独で上述の効果を奏することができる。
すなわち、本発明の他の一側面は、互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、更に、該第一の共通電極に対して電気信号を供給する第一の制御回路と、該第二の共通電極に対して電気信号を供給する第二の制御回路とを有し、該第一の共通電極に対して供給される電気信号と該第二の共通電極に対して供給される電気信号との間の電位差は10〜20Vである液晶表示装置(以下、本発明の第二の液晶表示装置ともいう。)である。
本発明の第二の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、液晶表示装置に通常用いられるその他の構成要素を適宜適用することができる。
上記液晶表示装置は、更に、上記第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、上記画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備えることが好ましい。
上記「より高周波の交流信号」とは、上記「より低周波の交流信号」と比べて、周波数が高い交流信号をいう。また、同様に、上記「より低周波の交流信号」とは、上記「より高周波の交流信号」と比べて、周波数が低い交流信号をいう。
第二の共通電極に供給される交流信号の周波数を、画素電極に供給される交流信号の周波数よりも高く設定することで、電位差が0になる、又は、電位差が非常に大きくなる瞬間をほぼ完全になくすことができ、一定電圧の印加が定常的に保持されるため、表示ムラの少ない優れた表示特性を得ることができる。
また、上記技術的特徴は、それ単独で上述の効果を奏することができる。
すなわち、本発明の他の一側面は、互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、更に、該第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、該画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備える液晶表示装置(以下、本発明の第三の液晶表示装置ともいう。)である。
本発明の第三の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、液晶表示装置に通常用いられるその他の構成要素を適宜適用することができる。
上記液晶表示装置は、更に、バックライトユニットと、バックライトユニット制御回路と、該第二の共通電極に対して交流信号を供給する第五の制御回路と、該画素電極に対して交流信号を供給する第六の制御回路とを有し、該第五の制御回路及び該第六の制御回路は、同一の周波数を有する交流信号を供給するものであり、該第五の制御回路により交流信号の正負が入れ替わるタイミングと同期して、バックライトユニットを消灯させる制御回路を備えることが好ましい。
上記同一の周波数を有する交流信号は、同一のクロック信号を元に制御することで実現される。
消費電力を抑制するために、画素電極に供給される交流信号の周波数と、第二の共通電極に供給される交流信号の周波数とを同一とした場合、交流電圧の極性が反転する際に液晶分子が水平配向を維持することができなくなる瞬間が現れ、黒表示時に光漏れを生じさせてしまうおそれがあるが、上記交流信号の正負が入れ替わるタイミングと同期して、バックライトユニットを消灯させることにより、黒表示時における光漏れをなくすことができ、良好な黒表示を得ることができる。
また、上記技術的特徴は、それ単独で上述の効果を得ることができる。
すなわち、本発明の他の一側面は、互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、該画素電極は、櫛歯構造を有し、更に、バックライトユニットと、バックライトユニット制御回路と、該第二の共通電極に対して交流信号を供給する第五の制御回路と、該画素電極に対して交流信号を供給する第六の制御回路とを有し、該第五の制御回路及び該第六の制御回路は、同一の周波数を有する交流信号を供給するものであり、該第五の制御回路によって交流信号の正負が入れ替わるタイミングと同期して、該バックライトユニットを消灯させる制御回路を備える液晶表示装置(以下、本発明の第四の液晶表示装置ともいう。)である。
本発明の第四の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、液晶表示装置に通常用いられるその他の構成要素を適宜適用することができる。
本発明の第一〜第四の液晶表示装置が備える第一基板及び第二基板は、液晶層を挟持するための一対の基板であり、例えば、ガラス、樹脂等の絶縁基板を母体とし、絶縁基板上に配線、電極、カラーフィルタ等を作り込むことで形成される。
上記第一基板は、アクティブ素子を備えるアクティブマトリクス基板であることが好適である。
本発明によれば、縦電界と横電界とを利用する表示モードにおいて良好な表示特性を有する液晶表示装置を得ることができる。
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
以下の実施形態において、画素は、表示画面を構成する表示単位を表し、一つの画素は、複数のサブピクセルで構成されている。サブピクセル一つに対し、原則として、画素電極及びカラーフィルタがそれぞれ一つずつ配置されるが、駆動方法に合わせて適宜変更してもよい。
(実施形態1)
図1は、図2のA−B線に沿った液晶表示装置の電圧無印加時における断面模式図である。実施形態1の液晶表示装置は、第一基板10と、第二基板20と、第一基板10及び第二基板20に挟持された液晶層30とを備える。液晶層30は、負の誘電率異方性を有する液晶分子31を含有している。第一基板10は、支持基板11、薄膜トランジスタ(TFT)、走査信号線、データ信号線1、第一の共通電極12、画素電極14、第一の共通電極12と画素電極14とを電気的に隔離する絶縁膜13、及び、垂直配向膜を備える。第二基板20は、支持基板21、第二の共通電極22、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、及び、垂直配向膜を備える。
図1は、図2のA−B線に沿った液晶表示装置の電圧無印加時における断面模式図である。実施形態1の液晶表示装置は、第一基板10と、第二基板20と、第一基板10及び第二基板20に挟持された液晶層30とを備える。液晶層30は、負の誘電率異方性を有する液晶分子31を含有している。第一基板10は、支持基板11、薄膜トランジスタ(TFT)、走査信号線、データ信号線1、第一の共通電極12、画素電極14、第一の共通電極12と画素電極14とを電気的に隔離する絶縁膜13、及び、垂直配向膜を備える。第二基板20は、支持基板21、第二の共通電極22、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、及び、垂直配向膜を備える。
図2は、実施形態1に係る液晶表示装置の一画素分を表す平面模式図である。図3、4は、画素を構成するサブピクセル一つ分を表す平面模式図であり、図3は、画素電極のみを取り出した図であり、図4は、第二の共通電極のみを取り出した図である。図5は、第一の共通電極のみを取り出した平面模式図であり、図5(a)は、第一の共通電極が画素を構成するサブピクセルごとに形成されている場合の平面模式図であり、図5(b)は、第一の共通電極が複数の画素にまたがって広く形成されている場合の平面模式図である。図6は、実施形態1に係る液晶表示装置の一画素分を表す平面模式図であり、その他の配線等を表す図である。
図2及び図6に示すように、データ信号線1は、液晶表示パネルの縦方向に延伸されており、走査信号線2は、液晶表示パネルの横方向に延伸されており、これらは互いに交差している、画素電極14は、データ信号線1と走査信号線2とで囲まれた領域(サブピクセル)ごとに設けられている。各サブピクセルは、図2に示すように、走査信号線2の延伸方向を軸として、互いに線対称な二つの略矩形(平行四辺形)が組み合わされた形状を有している。データ信号線1は、サブピクセルの縦辺に沿って、各サブピクセルの中央と上下端で屈曲しながら液晶表示パネルの縦方向に延伸されている。また、サブピクセルの中央を横切るように、コモン配線6又は保持容量配線6が設けられている。
データ信号線1と走査信号線2の接点近傍には、TFT(薄膜トランジスタ)5が設けられている。データ信号線1、走査信号線2及びドレイン引き出し配線3のそれぞれの一部、並びに、半導体層はTFT5を構成している。TFT5は、スイッチング素子として機能する。画素電極14は、絶縁膜を貫通して設けられたコンタクト部4を介して、TFT5から伸びるドレイン引き出し配線3と接続されている。走査信号線2に供給される走査信号によりTFT5がオンの状態になると、半導体層が導通し、データ信号線1を通じて供給されるデータ信号が画素電極14に書き込まれる。
図2及び図3に示すように、画素電極14は、画素電極の主軸部14cと、画素電極の主軸部14cから上下のそれぞれの方向に延伸された複数の櫛歯部14aとから構成されている。また、画素電極の各櫛歯部14a同士の間は、スリット14bが形成されていると言い換えることもできる。画素電極の主軸部14cの延伸方向と櫛歯部14aの延伸方向とは、70〜90°の角度をなす。角度を設けることで、白表示時において、一つのサブピクセルの上部分と下部分とで、液晶分子の配向状態を異なるものとすることができるため、視野角特性を向上することができる。櫛歯部14aの幅は、2〜5μmであることが好ましく、スリット14bの幅は、5〜20μmであることが好ましい。
図2及び図4に示すように、第二の共通電極22は、横方向に延伸された接続部22cと、縦方向に延伸された主軸部22dと、主軸部22dから左右のそれぞれの方向に延伸された複数の櫛歯部22aとから構成されている。また、第二の共通電極の各櫛歯部22a同士の間は、微細スリット22b(液晶配向制御構造)が形成されていると言い換えることもできる。さらに、第二の共通電極22は、接続部22cを介して隣のサブピクセルに位置する第二の共通電極22と電気的に接続されている。第二の共通電極の主軸部22dは、サブピクセルの中央を縦断するように延伸されており、かつ画素電極の櫛歯部14aと平行になるように屈曲している。また、第二の共通電極の櫛歯部22aは、サブピクセルの外縁近くまで延伸されている。
第二の共通電極の櫛歯部22aの幅は、2〜5μmであることが好ましく、微細スリット22bの幅は、2〜5μmであることが好ましい。このようなスリット幅とすることで、縦電界が形成された場合に、液晶分子は基板に対して水平に配向し、かつ微細スリット22bの長手方向に沿った方位に配向する。
第二の共通電極に形成された微細スリット22bの長手方向と、画素電極に形成されたスリット14bの長手方向とがなす角度は、90°±20°の範囲内である。実施形態1では、液晶分子31は、黒表示時には第二の共通電極に形成された微細スリット22bの長手方向に沿った方位に配向するため、液晶分子の方位は画素電極に形成されたスリット14bの長手方向と90°±20°の範囲内の角度をなす。白表示時には、画素電極に形成されたスリット14bの長手方向と直交する方位に、すなわち黒表示時の液晶分子31の方位と0°±20°の範囲内の角度をなす方位に横電界が形成される。液晶分子は、この横電界に直交する方位に向かって水平回転する。実施形態1では、第一基板及び第二基板のいずれか一方の偏光板の偏光軸を第二の共通電極に形成された微細スリット22bの長手方向と一致させる。
第一の共通電極12は、第一基板に平板状に形成されている。画素電極14は、絶縁膜を介して第一の共通電極12とは異なる層に設けられる。第一の共通電極12は、図5(a)に示すように、画素を構成するサブピクセルごとに形成されていてもよく、図5(b)に示すように、複数の画素にまたがって広く形成されていてもよい。また、TFT5と画素電極14とを接続経路を確保するための開口部7が形成されていてもよい。第一の共通電極12は、平面視した場合に、第二の共通電極22と重畳し、かつ第二の共通電極の櫛歯部22aの末端より外側まで形成されている(すなわち、第二の共通電極22の全体を覆うように形成されている)ことが好ましい。このような構成とすることで、第二の共通電極22が形成された領域全体を開口領域とすることができ、透過率を向上させることができる。
以下に、実施形態1の液晶表示装置の駆動原理について詳述する。
初めに、電圧無印加時について図1を用いて説明する。電圧無印加時とは、第一の共通電極12、第二の共通電極22及び画素電極14のいずれの間にも電圧が印加されていない状態である。液晶分子31は、基板10、20面に対して、垂直に配向している。
次に黒表示時について説明する。図7は、図2のA−B線に沿った液晶表示装置の縦電界発生時における断面模式図である。図8は、図2のZで囲まれた部分の縦電界発生時における拡大平面模式図である。図7において、矢印は電界の向きを示す。黒表示時は、第二の共通電極22と第一の共通電極12との間、及び、第二の共通電極22と画素電極14との間に電圧を印加し、液晶層内に基板面に対して略垂直な縦電界を発生させる。実施形態1では、第二の共通電極22には微細スリットが形成されているため、実際に形成される縦電界は、基板に対して垂直ではなく、やや傾いている。
液晶分子31は負の誘電率異方性を有するため、縦電界の向きに直交する向きに配向する結果、基板10、20に対して水平に配向する。実施形態1では第二の共通電極22に形成されたスリット幅が狭いため液晶分子31同士がぶつかり合い、図8に示すように、第二の共通電極22に形成された微細スリットの長手方向に沿った方位に配向する。第一基板10及び第二基板20のいずれか一方の偏光板の偏光軸を第二の共通電極22に形成された微細スリットの長手方向と一致させるとともに、これらの偏光板の偏光軸が直交するように、各偏光板を配置することで、バックライトからの光が遮断され、黒表示となる。
次に、白表示時について説明する。図9は、図2のA−B線に沿った液晶表示装置の横電界発生時における断面模式図である。図10は、図2のZで囲まれた部分の横電界発生時における拡大平面模式図である。図9において、矢印は発生する電界の向きを示す。白表示時は、第二の共通電極22と第一の共通電極12との間、及び、第二の共通電極22と画素電極14との間に電圧を印加したまま、画素電極14と第一の共通電極12との間に電圧を印加することで、液晶層30内に、縦電界に加え、横電界を発生させることができる。画素電極14には、液晶分子を水平回転させるだけの大きさをもつ電位が、TFTのスイッチングのタイミングに応じて供給される。液晶分子31は横電界の向きに対して垂直な方位に配向しようとする結果、基板面に対して水平な配向状態のまま回転する。この状態を平面視すると、図10に示すように液晶分子31の方位は偏光板の偏光軸に対して角度を持つため、バックライトからの光を透過し、白表示となる。
以上のように、縦電界を形成したまま、更に、横電界を形成することで、液晶表示装置の表示切換えを行うことができる。なお、実施形態1において各基板表面には、垂直配向膜が設けられているが、ラビング、光配向等の配向処理は必ずしもなされなくてよい。本実施形態の特徴によれば、配向処理がなされなくとも良好な表示特性を得ることができる。
以下に、各部材の材料及び製造方法について説明する。
支持基板11及び21の材料としては、ガラス、プラスチック等の透明な材料が好適に用いられる。偏光板としては、円偏光板又は直線偏光板のいずれも使用することが可能である。配向膜は、垂直配向膜であることが好ましく、有機配向膜及び無機配向膜のいずれであってもよい。
第一の共通電極12、第二の共通電極22及び画素電極14は、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO)等の透明導電材料、又は、それらの合金を、スパッタリング法等により単層又は複数層で成膜して形成した後、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることができる。画素電極14に形成されるスリット及び第二の共通電極22に形成される微細スリットもまた、パターニングの際に同時に形成することができる。
このようにして作製された第一基板10及び第二基板20は、絶縁材料からなる柱状のスペーサを一方の基板に複数設けた後、シール材を用いて互いに貼り合わされる。第一基板10と第二基板20との間には液晶層30が形成されるが、滴下法を用いる場合には、基板の貼合せ前に液晶材料の滴下が行われ、真空注入法を用いる場合には、基板の貼合せ後に液晶材料が注入される。そして、各基板の液晶層30側と反対側の面上に、偏光板、位相差フィルム等を貼り付けることにより、液晶表示装置が完成する。更に、液晶表示装置に、ゲートドライバー、ソースドライバー、表示制御回路等を実装するとともに、バックライト等を組み合わせることによって、用途に応じた液晶表示装置が完成する。
実施形態1の液晶表示パネルの構造は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて、確認及び測定することができる。
実施形態1の変形例1としては、画素電極の構造が、スリットの両端が閉じられた構造を有する形態が挙げられる。図11は、変形例1に係る液晶表示装置が備える画素電極の平面模式図である。図11に示すように、画素電極14本体によってスリット14bの両端が閉じられている。変形例1においても、上記と同様の効果が得られる。
実施形態1の変形例2としては、更に、画素電極と対向する櫛歯電極が配置された形態が挙げられる。図12は、変形例2に係る液晶表示装置が備える画素電極の平面模式図であり、図13は、変形例2に係る液晶表示装置の横電界発生時における断面模式図である。図13において、矢印は発生する電界の向きを示す。変形例2では、図12に示すように、スリットの一端が開放され、スリットの他端が閉じられた構造を有する画素電極14と、スリットの一端が開放され、スリットの他端が閉じられた構造を有する第三の共通電極15を有する。第三の共通電極15は、平面視したときに画素電極14を挟み込むように2本設けられ、その櫛歯部15aが画素電極の櫛歯部14aと一定間隔を空けて噛み合わさるように配置されている。各第三の共通電極15には、同電位の信号が供給される。第三の共通電極の材料、製法等は、上述の画素電極の場合と同様である。
変形例2の駆動原理について説明すると、電圧無印加時及び黒表示時は、実施形態1と同様である。白表示時は、画素電極14に、液晶分子を水平回転させる電位が、画素電極14に接続されたTFTのスイッチングのタイミングに応じて供給され、共通電位が供給される第三の共通電極15との間に位置する液晶の配向を変化させる。
画素電極14と第三の共通電極15とに異なる電位が供給されることで、図13に示すように、画素電極14と第三の共通電極15との間に電位差が生じ、液晶層30内に横電界が発生する。液晶分子31は横電界の向きに対して垂直の方位に配向しようとする結果、基板面に対して水平な配向状態のまま回転する。この状態を平面視すると、液晶分子31は偏光板の偏光軸に対して角度を持つため、バックライトからの光を透過し、白表示となる。
(実施形態2)
実施形態2は、第二の共通電極に形成されるスリット(液晶配向制御構造)が微細スリットではなく、スリットの幅が5〜30μmである点、図14に示すように、第二の共通電極に形成されたスリット24bの長手方向と画素電極に形成されたスリット14bの長手方向とが0±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態1と同様である。第二の共通電極の櫛歯部24aの幅は5〜20μmであることが好ましい。
実施形態2は、第二の共通電極に形成されるスリット(液晶配向制御構造)が微細スリットではなく、スリットの幅が5〜30μmである点、図14に示すように、第二の共通電極に形成されたスリット24bの長手方向と画素電極に形成されたスリット14bの長手方向とが0±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態1と同様である。第二の共通電極の櫛歯部24aの幅は5〜20μmであることが好ましい。
以下に、実施形態2の液晶表示装置の駆動原理について説明する。
電圧無印加時については、実施形態1と同様である。
黒表示時について説明する。図14は、実施形態2に係る液晶表示装置の縦電界発生時における平面模式図である。図15は、図14のC−D線に沿った液晶表示装置の縦電界発生時における断面模式図である。図15において、矢印は電界の向きを示す。黒表示時は、図15に示すように、第二の共通電極24と第一の共通電極12との間、及び、第二の共通電極24と画素電極14との間に電圧を印加し、液晶層30内に基板面に対して略垂直な縦電界を発生させる。実施形態2では、第二の共通電極24にスリットが形成されているため、実際に形成される縦電界は、基板10、20面に対して垂直ではなく、やや傾いている。
液晶分子31は負の誘電率異方性を有するため、縦電界の向きに直交する向きに配向しようとする結果、基板10、20に対して水平に配向する。実施形態2では第二の共通電極24に形成されるスリットの幅が広いため、実施形態1の場合のような液晶分子のぶつかり合いは起こらず、液晶分子31は、図14に示すように、第二の共通電極24に形成されたスリットの長手方向に垂直な方位に配向する。第一基板10及び第二基板20のいずれか一方の偏光板の偏光軸を第二の共通電極24に形成されたスリットの長手方向と一致させるとともに、これらの偏光板の偏光軸が直交するように、各偏光板を配置することで、バックライトからの光が遮断され、黒表示となる。
次に、白表示時について説明する。図16は、実施形態2に係る液晶表示装置の横電界発生時における平面模式図である。図17は、図16のC−D線に沿った液晶表示装置の横電界発生時における断面模式図である。図17において、矢印は発生する電界の向きを示す。白表示時は、第二の共通電極24と第一の共通電極12との間、及び、第二の共通電極24と画素電極14との間に電圧を印加したまま、画素電極14と第一の共通電極12との間に電圧を印加することで、液晶層30内に、縦電界に加え、横電界を発生させることができる。画素電極14には、液晶分子31を水平回転させる電位が、TFTのスイッチングのタイミングに応じて供給される。液晶分子31は横電界に対して垂直に配向しようとする結果、基板10、20面に対して水平に回転する。この状態を平面視すると、図16に示すように液晶分子31は偏光板の偏光軸に対して角度を持つため、バックライトからの光を透過し、白表示となる。
以上のように、縦電界を形成したまま、更に、横電界を形成することで、液晶表示装置の表示切換えを行うことができる。なお、実施形態1と同様、なお、実施形態2において各基板表面には、垂直配向膜が設けられているが、ラビング、光配向等の配向処理は必ずしもなされなくてよい。本実施形態の特徴によれば、配向処理がなされなくとも良好な表示特性を得ることができる。
(実施形態3)
実施形態3は、微細スリットではなく、第二の共通電極の液晶層側の表面上に、平面視したときに線状の誘電体突起物(液晶配向制御構造)が設けられており、図18に示すように、誘電体突起物23の長手方向と画素電極に形成されたスリット14bの長手方向とが0±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態1と同様である。誘電体突起物23の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜30μmである)ことが好ましく、隣り合う誘電体突起物23同士の間の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜40μmである)ことが好ましい。
実施形態3は、微細スリットではなく、第二の共通電極の液晶層側の表面上に、平面視したときに線状の誘電体突起物(液晶配向制御構造)が設けられており、図18に示すように、誘電体突起物23の長手方向と画素電極に形成されたスリット14bの長手方向とが0±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態1と同様である。誘電体突起物23の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜30μmである)ことが好ましく、隣り合う誘電体突起物23同士の間の幅は、5μmよりも大きい(好ましくは、5〜40μmである)ことが好ましい。
図18は、実施形態3に係る液晶表示装置の縦電界発生時における平面模式図である。図19は、図18のE−F線に沿った液晶表示装置の縦電界発生時における断面模式図である。また、図19に示すように、誘電体突起物23は、第二の共通電極22の液晶層側の表面上に設けられている。
誘電体突起物23の材料としては、レジストやアクリル樹脂等の有機樹脂が好適に用いられる。誘電体突起物23は、貼り合わせる前の第二基板に樹脂材料を塗布し、脱溶媒処理後、フォトリソグラフィを用いてパターニングすることで形成することができる。
駆動原理は実施形態2と同様である。すなわち、所定の電界を液晶層に形成することで、液晶分子は、実施形態2の場合と同様の配向を行う。なお、実施形態1と同様、実施形態3において各基板表面には、垂直配向膜が設けられているが、ラビング、光配向等の配向処理は必ずしもなされなくてよい。本実施形態の特徴によれば、配向処理がなされなくとも良好な表示特性を得ることができる。
(実施形態4)
実施形態4は、第二の共通電極の液晶層側の表面上に、平面視したときに線状の誘電体突起物(液晶配向制御構造)の幅が2〜5μmである点、誘電体突起物の長手方向と画素電極に形成されたスリットの長手方向とが90±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態3と同様である。
実施形態4は、第二の共通電極の液晶層側の表面上に、平面視したときに線状の誘電体突起物(液晶配向制御構造)の幅が2〜5μmである点、誘電体突起物の長手方向と画素電極に形成されたスリットの長手方向とが90±20°の範囲内の角度をなす点以外は、実施形態3と同様である。
図20は、実施形態4に係る液晶表示装置の縦電界発生時における平面模式図である。図21は、図20のG−H線に沿った液晶表示装置の縦電界発生時における断面模式図である。また、図21に示すように、誘電体突起物23は、第二の共通電極22の液晶層側の表面上に設けられている。誘電体突起物23の幅は2〜5μmであることが好ましい。2μm以下は誘電体突起物23の形成が困難であり、5μm以上では開口率が下がるおそれがある。隣り合う誘電体突起物23同士の間の幅は、2〜5μmであることが好ましい。
駆動原理は実施形態1と同様である。すなわち、所定の電界を液晶層に形成することで、液晶分子は、実施形態1の場合と同様の配向を行う。なお、実施形態1と同様、実施形態4において各基板表面には、垂直配向膜が設けられているが、ラビング、光配向等の配向処理は必ずしもなされなくてよい。本実施形態の特徴によれば、配向処理がなされなくとも良好な表示特性を得ることができる。
(実施形態5)
実施形態5は、第一基板及び第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層(PSA層)を備える点以外は、実施形態1〜4と同様である。図22は、実施形態5に係る液晶表示装置の電圧無印加時における断面模式図である。第一基板10及び第二基板20は、それぞれ液晶層側の表面上に、ポリマー層16、26を備える。
実施形態5は、第一基板及び第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層(PSA層)を備える点以外は、実施形態1〜4と同様である。図22は、実施形態5に係る液晶表示装置の電圧無印加時における断面模式図である。第一基板10及び第二基板20は、それぞれ液晶層側の表面上に、ポリマー層16、26を備える。
上記ポリマー層(PSA層)16、26は、液晶材料にモノマー、オリゴマー等の重合性成分を混合して調製した液晶組成物を基板10、20間に封入し、基板10、20間に電圧を印加して液晶分子31を傾斜させた状態でモノマー等を反応させてポリマー化させることで形成することができる。該ポリマー層16、26により、電圧印加を取り去っても液晶分子31は所定のプレチルト角を有し、液晶配向方位を規定することが可能となる。モノマー等の重合は熱又は光(紫外線)照射で行われる。
図22では、第二の共通電極に微細スリット22bが形成された形態(実施形態1)を例示しているが、実施形態5においては、第二の共通電極に、より幅の広いスリットが形成された形態(実施形態2)、又は、第二の共通電極の液晶層側の表面上に誘電体突起物が設けられた形態(実施形態3又は4)を適用してもよい。なお、実施形態1と同様、実施形態5において各基板表面には、垂直配向膜が設けられているが、ラビング、光配向等の配向処理は必ずしもなされなくてよい。本実施形態の特徴によれば、配向処理がなされなくとも、良好な表示特性を得ることができる。
(実施形態6)
実施形態6の液晶表示装置は、第一の共通電極に対して電気信号を供給する第一の制御回路と、第二の共通電極に対して電気信号を供給する第二の制御回路とを有する。本実施形態は、液晶表示装置の駆動方法及びそのための回路構成に特徴があり、液晶表示装置を構成するその他の部材の配置構成、材料及び製造方法は、実施形態1〜5と同様である。第一の制御回路及び第二の制御回路としては、所定の共通信号を生成する表示制御回路が挙げられるが、それらは別々の電源を用いることができる。
実施形態6の液晶表示装置は、第一の共通電極に対して電気信号を供給する第一の制御回路と、第二の共通電極に対して電気信号を供給する第二の制御回路とを有する。本実施形態は、液晶表示装置の駆動方法及びそのための回路構成に特徴があり、液晶表示装置を構成するその他の部材の配置構成、材料及び製造方法は、実施形態1〜5と同様である。第一の制御回路及び第二の制御回路としては、所定の共通信号を生成する表示制御回路が挙げられるが、それらは別々の電源を用いることができる。
黒表示時には、第一の制御回路及び第二の制御回路からそれぞれ電気信号が供給され、第一の共通電極と第二の共通電極との間に電圧が印加され、縦電界が形成される。このときの第一の共通電極に供給される電気信号と該第二の共通電極に供給される電気信号との間の電位差は10〜20Vである。このような電位差を設けることで、黒表示時に、液晶分子を基板面に対してほぼ水平に配向させることができ、更に、白表示時に、液晶分子を基板面に対してほぼ水平に維持したまま、水平回転させることができるため、良好なコントラスト比を得ることができる。
(実施形態7)
実施形態7の液晶表示装置は、第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備える。実施形態7において、第二の共通電極に対して供給される交流信号の周波数は、例えば100Hz〜10KHzであり、画素電極に対して供給される交流信号の周波数は、例えば60〜240Hzである。第三の制御回路としては、所定の共通信号を生成する表示制御回路が挙げられるが、例えば、パネル外部の電源を利用してもよい。第四の制御回路としては、所定のデータ信号を生成するソースドライバーが挙げられる。
実施形態7の液晶表示装置は、第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備える。実施形態7において、第二の共通電極に対して供給される交流信号の周波数は、例えば100Hz〜10KHzであり、画素電極に対して供給される交流信号の周波数は、例えば60〜240Hzである。第三の制御回路としては、所定の共通信号を生成する表示制御回路が挙げられるが、例えば、パネル外部の電源を利用してもよい。第四の制御回路としては、所定のデータ信号を生成するソースドライバーが挙げられる。
本実施形態は、液晶表示装置の駆動方法及びそのための回路構成に特徴があり、液晶表示装置を構成するその他の部材の配置構成、材料及び製造方法は、実施形態1〜5と同様である。
黒表示時は、第三の制御回路から第二の共通電極に対して高周波の交流信号を供給することで、第二の共通電極と第一の共通電極との間、及び、第二の共通電極と画素電極との間に電圧を印加し、液晶層内に基板面に対して略垂直な縦電界を発生させることができる。液晶分子は縦電界の向きに直交する向きに配向する結果、基板面に対して水平に配向する。白表示時は、第四の制御回路から画素電極に対して低周波の交流信号を供給することで、画素電極と第一の共通電極との間に電圧を印加し、縦電界に加え横電界を発生させることができる。液晶分子は、横電界に対して垂直に配向しようとする結果、基板面に対して水平に回転する。
第二の共通電極及び画素電極は、それぞれ異なる制御回路に接続されており、白表示時には、画素電極に供給される電気信号の正負の入れ替わりと、第二の共通電極に供給される電気信号の正負の入れ替わりが重なるタイミングが存在する。第二の共通電極と第一の共通電極との間、及び、第二の共通電極と画素電極との間に印加される電位が、打ち消しあって、液晶分子が基板面に対して水平を保つために必要な電圧より小さくなると、液晶分子が基板に対して垂直に配向しようとする結果、表示ムラが発生するおそれがある。
実施形態7では、第二の共通電極に供給される電気信号の周波数と、画素電極に供給される電気信号の周波数とが大きく異なるため、画素電極と、第二の共通電極に供給される電気信号の正負の入れ替わりが重なるタイミングを擬似的になくすことができる。そのため、第二の共通電極と画素電極との間に、液晶分子を基板面に対して水平に配向させるために必要な電圧を維持することができ、表示ムラの発生を抑えることができる。
図23は、実施形態6及び7における電圧印加の一例を示すタイミングチャートである。図23に示す例では、第一の共通電極には、+7Vの共通電位(Vcom(1st))が供給されている。第二の共通電極には、外部電源から、第一の共通電極との間の電位差が20Vとなるように、−13V又は+27Vの電位(Vcom(2nd))が一定期間、交互に供給されている。データ信号線には、ソースドライバーから、共通電位に対して電位差をもつように、ソース電位(Vs)が供給されている。第二の共通電極に対して供給される共通信号(交流)の周波数は、200Hzであり、データ信号線に対して供給されるデータ信号(交流)の周波数は、60Hzである。
走査信号線にゲート電位Vg(+15V)が供給されると、TFTを通じてソース電位Vs(+2V)が画素電極に書き込まれる。これにより、1フレーム期間、画素電極と第一の共通電極との間に5Vの電位差を生じさせることができるため、横電界が発生し、その結果、液晶分子は、基板面に対して水平に回転し、白表示となる。なお、この例では、上記第二の共通電極に対して共通電位を供給する外部電源は、上記第二の制御回路及び上記第三の制御回路の双方の制御回路として機能する。
(実施形態8)
実施形態8の液晶表示装置は、バックライトユニットと、バックライトユニット制御回路と、第二の共通電極に対して電気信号を供給する第五の制御回路と、画素電極に対して電気信号を供給する第六の制御回路とを有する。
実施形態8の液晶表示装置は、バックライトユニットと、バックライトユニット制御回路と、第二の共通電極に対して電気信号を供給する第五の制御回路と、画素電極に対して電気信号を供給する第六の制御回路とを有する。
本実施形態は、液晶表示装置の駆動方法及びそのための回路構成に特徴があり、液晶表示装置を構成するその他の部材の配置構成、材料及び製造方法は、実施形態1〜5と同様である。
実施形態6及び実施形態7の一例として示した上記例によれば、画素電極と第二の共通電極との間に定常的に電圧を印加することができるため、優れた表示特性を得ることができるが、比較的高い電圧を高周波で印加することになるため、消費電力の増加が課題となる。しかしながら、消費電力を低下させるために第二の共通電極により低電位、かつ低周波の電圧を供給すると、実施形態7で説明した、画素電極に供給される電気信号の正負の入れ替わりと、第二の共通電極に供給される電気信号の正負の入れ替わりが重なるタイミングにおいて、液晶分子が基板面に対して水平を保つために必要な電圧を保つことができなくなり、黒表示時に光漏れが発生する。
図24は、実施形態6及び8における電圧印加の一例を示すタイミングチャートである。実施形態8では、第二の共通電極に対して交流信号を供給する第五の制御回路と、バックライトユニット制御回路とを同期させ、第二の共通電極に供給される電位の正負が入れ替わるタイミングでバックライトユニットを消灯させている。これにより、画素電極に対して供給される交流信号を供給する第六の制御回路に対し、第二の共通電極に対して供給される交流信号の周波数と、画素電極に対して供給される交流信号の周波数とが同一であったとしても、第二の共通電極に供給される電位の正負が入れ替わるタイミングで生じる黒表示時の光漏れを抑制することができ、コントラスト比の低下を抑えることができる。
以上、各実施形態及びその変形例について、それぞれ説明してきたが、これらの実施形態及びその変形例は適宜組み合わせることができ、それぞれの効果を同時に得ることができる。
1:データ信号線
2:走査信号線
3:ドレイン引き出し配線
4:コンタクト部
5:TFT(薄膜トランジスタ)
6:コモン配線又は保持容量配線
7:第一の共通電極の開口部
10:第一基板(アレイ基板)
11、21:支持基板
12:第一の共通電極
13:絶縁膜
14:画素電極
14a:画素電極の櫛歯部
14b:画素電極に形成されたスリット
14c:画素電極の主軸部
15:第三の共通電極
15a:第三の共通電極の櫛歯部
15b:第三の共通電極に形成されたスリット
15c:第三の共通電極の主軸部
16、26:ポリマー層
20:第二基板(対向基板)
22:第二の共通電極
22a:第二の共通電極の櫛歯部
22b:第二の共通電極に形成された微細スリット
22c:第二の共通電極の接続部
22d:第二の共通電極の主軸部
23:誘電体突起物
24:第二の共通電極
24a:第二の共通電極の櫛歯部
24b:第二の共通電極に形成されたスリット
30:液晶層
31:液晶分子
2:走査信号線
3:ドレイン引き出し配線
4:コンタクト部
5:TFT(薄膜トランジスタ)
6:コモン配線又は保持容量配線
7:第一の共通電極の開口部
10:第一基板(アレイ基板)
11、21:支持基板
12:第一の共通電極
13:絶縁膜
14:画素電極
14a:画素電極の櫛歯部
14b:画素電極に形成されたスリット
14c:画素電極の主軸部
15:第三の共通電極
15a:第三の共通電極の櫛歯部
15b:第三の共通電極に形成されたスリット
15c:第三の共通電極の主軸部
16、26:ポリマー層
20:第二基板(対向基板)
22:第二の共通電極
22a:第二の共通電極の櫛歯部
22b:第二の共通電極に形成された微細スリット
22c:第二の共通電極の接続部
22d:第二の共通電極の主軸部
23:誘電体突起物
24:第二の共通電極
24a:第二の共通電極の櫛歯部
24b:第二の共通電極に形成されたスリット
30:液晶層
31:液晶分子
Claims (18)
- 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、
該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、
該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、
該画素電極は、櫛歯構造を有し、
該第二基板は、第二の共通電極と、平面視したときに線状である液晶配向制御構造を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記液晶配向制御構造の長手方向は、前記画素電極が有する櫛歯部の長手方向と角度をなすことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記角度は0±20°の範囲内又は90±20°の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶配向制御構造は、前記第二の共通電極に形成されたスリットであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記スリットの幅は、2〜5μmであることを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。
- 前記第二の共通電極が有する櫛歯部の幅は、2〜5μmであることを特徴とする請求項4又は5記載の液晶表示装置。
- 前記第二の共通電極に形成されたスリットの長手方向と、前記画素電極のスリットの長手方向とは、90±20°の角度をなすことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記スリットの幅は、5〜30μmであることを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。
- 前記第二の共通電極が有する櫛歯部の幅は、5〜20μmであることを特徴とする請求項4又は8記載の液晶表示装置。
- 前記第二の共通電極に形成されたスリットの長手方向と、前記画素電極のスリットの長手方向とは、0±20°の範囲内の角度をなすことを特徴とする請求項4、8及び9のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記液晶配向制御構造は、第二の共通電極の液晶層側の表面上に設けられた誘電体突起物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記誘電体突起物の幅は、5〜30μmであることを特徴とする請求項11記載の液晶表示装置。
- 前記誘電体突起物の長手方向と、前記画素電極のスリットの長手方向とは、0±20°の範囲内の角度をなすことを特徴とする請求項11又は12に記載の液晶表示装置。
- 更に、前記第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、
前記画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備える
ことを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 更に、バックライトユニットと、
バックライトユニット制御回路と、
該第二の共通電極に対して交流信号を供給する第五の制御回路と、
該画素電極に対して交流信号を供給する第六の制御回路とを有し、
該第五の制御回路及び該第六の制御回路は、同一の周波数を有する交流信号を供給するものであり、
該第五の制御回路によって交流信号の正負が入れ替わるタイミングと同期して、該バックライトユニットを消灯させる制御回路を備える
ことを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、
該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、
該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、
該画素電極は、櫛歯構造を有し、
更に、該第一の共通電極に対して電気信号を供給する第一の制御回路と、
該第二の共通電極に対して電気信号を供給する第二の制御回路とを有し、
該第一の共通電極に対して供給される電気信号と該第二の共通電極に対して供給される電気信号との間の電位差は10〜20Vである
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、
該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、
該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、
該画素電極は、櫛歯構造を有し、
更に、該第二の共通電極に対して、より高周波の交流信号を供給する第三の制御回路と、
該画素電極に対して、より低周波の交流信号を供給する第四の制御回路とを備える
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 互いに対向して設けられた第一基板及び第二基板と、
該第一及び第二基板間に挟持された液晶層とを備え、
該液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、
該第一基板は、平板状の第一の共通電極と、絶縁膜を介して該第一の共通電極とは異なる層に設けられた画素電極とを備え、
該画素電極は、櫛歯構造を有し、
更に、バックライトユニットと、
バックライトユニット制御回路と、
該第二の共通電極に対して交流信号を供給する第五の制御回路と、
該画素電極に対して交流信号を供給する第六の制御回路とを有し、
該第五の制御回路及び該第六の制御回路は、同一の周波数を有する交流信号を供給するものであり、
該第五の制御回路によって交流信号の正負が入れ替わるタイミングと同期して、該バックライトユニットを消灯させる制御回路を備える
ことを特徴とする液晶表示装置。
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