JP2015118193A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素周辺における透過率を向上させ、画面輝度を向上させる。【解決手段】コモン電極１０８の上に層間絶縁膜１０９を介してスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。平面で見て画素電極１１０の端部より外側のコモン電極１０８に開口部３０が形成されている。開口部３０の存在により、画素電極１１０端部からの電気力線が液晶層のより上部まで到達し、かつ、画素電極１１０の端部からより遠くまで到達するので、画素周辺部における液晶の制御能力を向上させることが出来る。したがって、画素全体としての透過率を上げることが出来、画面輝度を向上させることが出来る。【選択図】図４

Description

本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、輝度向上したＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。

ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。このような構成における液晶表示装置において、画素の透過率を向上させるために、コモン電極の断面形状を変えたものとして、特許文献１、特許文献２、特許文献３が挙げられる。また、画素電極とコモン電極の間の容量を調節するために、コモン電極に開口を設けた構成が特許文献４に記載されている。

特開２００９−１５０９５２号公報 特開２００７−８６５７６号公報 特開２００７−２４０９１１号公報 特開２００９−１１６０５８号公報

図１４は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素の平面図である。図１４において、走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域に画素が形成されている。画素内にスリット４０を有する矩形の画素電極１１０が形成され、画素電極１１０の下側には、層間絶縁膜を介して平面状にコモン電極１０８が形成されている。画素電極１１０に電圧が加わると、画素電極１１０から液晶層を通り、画素電極１１０のスリット４０あるいは画素電極１１０の端部の外側を通ってコモン電極に向かう電気力線が発生する。

この電気力線の基板の平面と平行方向の成分によって液晶分子が回転し、液晶層の光の透過率を制御する。この電気力線の密度は、画素電極１１０のスリット４０におけるよりも画素電極１１０の端部におけるほうが小さい。スリット４０では、両側の画素電極１１０からの電気力線が通過するのに対し、画素電極１１０の端部の外側では、片方からのみの電気力線であり、映像信号線近くにおける電界強度は非常に小さくなる。

したがって、従来は、画素電極１１０周辺の液晶を十分に利用できておらず、透過率が十分でなかった。本発明の課題は、画素電極１１０周辺の液晶も十分に利用し、画素の透過率、したがって、画面輝度を向上させることである。

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。

（１）第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極の下層には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、前記画素電極の前記第１の方向の端部の両外側に、平面で見て、前記コモン電極に前記第２の方向に長軸を有する開口部が形成され、前記開口部は、前記画素電極の前記第１の方向の端部の両外側以外には形成されていないことを特徴とする液晶表示装置。

（２）前記開口部は、平面で見て、前記映像信号線とはオーバーラップしていないことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（３）前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は０．２５μｍ乃至５μｍであることを特徴とする（１）または（２）に記載の液晶表示装置。
前（４）記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は、０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。

（５）前記画素電極はスリットを有しており、前記コモン電極の前記開口部は、平面で見て、前記画素電極の前記スリットとはオーバーラップしていないことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。

（６）前記開口部は、平面で見て、前記映像信号線とはオーバーラップしていないことを特徴とする（５）に記載の液晶表示装置。

（７）前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は０．２５μｍ乃至５μｍであることを特徴とする（５）または（６）に記載の液晶表示装置。

（８）前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は、０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする（７）に記載の液晶表示装置。

本発明による液晶表示装置の画素の平面図である。 図１に示す画素の断面図である。 図１のＡ−Ａ断面である。 本発明の原理を示す断面図である。 従来例の断面図である。 本発明と従来例の画素の透過率の比較である。 本発明における、画素とコモン電極の開口部の関係を示す平面図である。 本発明における画素電極への印加電圧と液晶透過率の関係を示すグラフである。 本発明の効果の例を示すグラフである。 本発明をデュアルドメイン画素に適用した例を示す平面図である。 本発明を擬似デュアルドメイン画素に適用した例を示す平面図である。 実施例２の画素の平面図である。 実施例２の動作を示す断面図である。 従来例の画素を示す平面図である。

以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。

図１は、本発明による画素構成の平面図であり、図２は、画素部分の断面図であり、図３は、図１のＡ−Ａ断面図である。まず、図２の断面構造から説明する。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１の上方でゲート絶縁膜１０２の上に半導体層１０３が形成されている。

半導体層１０３はａ−Ｓｉで形成されている。半導体層１０３の上には、図示しないｎ＋ａ−Ｓｉを介してソース電極１０４とドレイン電極１０５が対向して形成されている。ドレイン電極とソース電極とは、その呼称が逆になっても差し支えない。半導体層１０３、ソース電極１０４、ドレイン電極１０５を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０７が形成されている。無機パッシベーション膜を形成しない構成であってよい。有機パッシベーション膜１０７は１乃至３μｍと厚く形成される。

有機パッシベーション膜１０７の上には、平面状にＩＴＯによってコモン電極１０８が形成されている。コモン電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９が形成され、その上にスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０はスルーホール１３０を介してドレイン電極１０５と接続している。画素電極１１０を覆って液晶を初期配向させる配向膜１１１が形成されている。図２において、画素電極１１０に映像信号が印加されると、コモン電極１０８との間に図に示すような電気力線が発生し、電気力線の横成分によって液晶分子３０１が回転し、バックライトからの光を制御する。

ＴＦＴ基板１００と液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置している。対向基板２００の内側で、画素電極１１０に対応する部分にはカラーフィルタ２０１が形成され、カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にブラックマトリクス２０２が形成されている。カラーフィルタ２０１とブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成され、オーバーコート膜２０３の上に配向膜１１１が形成されている。対向基板２００側にはコモン電極が形成されていないので、外部からのノイズをシールドするために対向基板２００の外側に外部導電膜２１０がＩＴＯによって形成されている。

図２はいわゆるボトムゲートタイプのＴＦＴの場合であるが、半導体層１０３の上にゲート電極１０２が形成されたトップゲート型の場合もある。また、半導体層１０３はａ−Ｓｉに限らず、ｐｏｌｙ−Ｓｉによって形成される場合もある。

図１は、本発明の画素構造を示す平面図である。図１において、走査線１０が横方向に延在し、所定のピッチで縦方向に配列している。映像信号線２０が縦方向に延在し、所定のピッチで横方向に配列している。２本の走査線と２本の映像信号線とによって区画されるそれぞれの画素内にはＴＦＴと画素電極１１０、コモン電極１０８が存在している。

図１において、走査線１０から分岐したゲート電極１０１の上にゲート絶縁膜を介して半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３の上には映像信号線から分岐したソース電極１０４と、ソース電極１０４と対向してドレイン電極１０５とが形成されている。ソース電極１０４とドレイン電極１０５の間がＴＦＴチャンネル部となっている。ドレイン電極１０５はスルーホール１３０を介して画素電極１１０と導通し、画素電極１１０に映像信号を供給する。

画素電極１１０の下には、図２で説明したように、平面状にコモン電極１０８が形成されている。画素電極１１０に信号電圧が印加されると、図２に示したように、電気力線が液晶層３００をとおり、画素電極１１０のスリット４０および画素電極１１０の外側（隣接する映像信号線側の画素電極の端部と前記隣接する映像信号線との間）を介してコモン電極１０８に到達する。電気力線の横成分によって液晶が回転し、液晶層の透過率を制御する。

本発明の特徴は、平面で見て、画素電極１１０の両側にコモン電極１０８のスリット状の開口部３０（以後開口部ともいう）が形成されていることである。この開口部３０が形成されていることによって、画素電極１１０端部からの電気力線がより遠くに到達し、液晶を制御する領域を拡大するので、画素周辺部における透過率を向上させることが出来、画面の輝度を向上させることが出来る。

図３は図１のＡ−Ａ断面図である。図３において、ＴＦＴ基板１００の上にゲート絶縁膜１０２が形成され、その上に映像信号線２０が紙面垂直方向に延在している。映像信号線２０を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上に有機パッシベーション膜１０７が形成されている。有機パッシベーション膜１０７の上にはコモン電極１０８が形成され、映像信号線２０の両側に対応する部分にコモン電極１０８の開口部３０がスリット状に形成されている。

コモン電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９が形成され、層間絶縁膜１０９の上にスリット４０を有する画素電極１１０が形成されている。本発明の特徴はコモン電極１０８において、映像信号線２０の上側両脇に開口部３０が形成されていることである。これによって、画素電極１１０の外側、言い換えると映像信号線２０の両側における液晶の透過率を向上させることが出来る。図３において、映像信号線２０の上のコモン電極１０８の幅は、映像信号線２０の幅よりも大きい。言い換えると、コモン電極１０８の開口部３０は平面で見て、映像信号線２０とオーバーラップしないほうがよい。映像信号線２０を通る映像信号をコモン電極１０８によってシールドするためである。

図５は、従来例において、画素内における画素電極１１０とコモン電極１０８との間の電気力線の状態を示す断面図である。図５において、画素電極１１０からの電気力線がコモン電極１０８に延びている。電気力線は、画素電極１１０のスリット４０に対応する部分では、画素電極１１０の両側から形成されるが、画素電極１１０の端部では、片側のみである。したがって、従来例においは、画素電極１１０の外側では、液晶分子を十分に駆動させることが出来ない。

図４は本発明を示す断面図である。図４が図５と異なる点は、画素電極１１０の外側に対応する部分のコモン電極１０８にスリット状の開口部３０が形成されていることである。この開口部３０が形成されていることによって、画素電極１１０端部からの電気力線は、液晶層３００のより上層をとおり、遠くのコモン電極１０８に到達する。これによって、画素電極１１０外側の液晶分子３０１を状来よりも効率的に駆動することが出来、その結果、画素の透過率を向上させることが出来る。

図６は、コモン電極１０８に開口３０を形成する場合としない場合の画素における透過率部分を示すグラフである。図６において、画素電極にスリットが３個形成されている。図６において、実線で示す曲線が本発明の場合であり、画素電極１１０の外側にコモン電極１０８の開口部３０が形成されている場合である。図６において、点線で示す曲線は従来の構造の場合であり、コモン電極１０８には開口部は形成されていない。図６に示すように、本発明においては、画素電極１１０の外側において、透過率が従来例に比較して増大している。この分、画素の透過率を上げることが出来る。

図７は、本発明における画素電極１１０とコモン電極１０８の関係の詳細を示す平面図である。なお、画素電極１１０とコモン電極１０８との間には層間絶縁膜が形成されている。平面で見て、画素電極１１０の外側には、画素電極１１０のスリット４０と平行にコモン電極１０８の開口部３０が形成されている。コモン電極１０８の開口部３０の画素電極側端部は平面で見て、画素電極１１０の端部と一致することが好ましい。画素電極１１０の端部からコモン電極１０８の開口部３０の画素電極１１０から遠い側の端部までの距離はｘ１である。ｘ１は、０．２５μｍ乃至５μｍで設定されるが、より好ましい範囲は、０．５μｍ乃至３μｍである。

しかし、フォトマスクの合わせずれのために、コモン電極１０８の開口部３０がｘ２だけ画素電極１１０側にずれたり、ｘ３だけ画素電極１１０から外側に離れるようにずれることはありうる。開口部３０の端部が画素電極１１０の内側に存在すると、画素容量が小さくなる。一方、開口部３０の画素電極１１０側の端部が画素電極１１０から外側に離れるようにずれると本発明の効果が小さくなる。マスクの合わせズレを考慮して、画素電極の外側端部間の距離よりも、スリットの画素電極側の端部間の距離を小さくすることもできる。

図７において、コモン電極１０８の開口部の端部が画素電極１１０の内側にずれることがあっても、平面で見て、画素電極１１０のスリット４０とオーバーラップしないほうがよい。画素電極１１０のスリット４０とオーバーラップするほどずれると画素容量が顕著に低下するからである。

図７において、画素電極１１０のスリット４０の長さをｃ１とし、コモン電極１０８の開口部の長さをｂ１とすると、ｃ１≧ｂ１である。また、画素電極１１０の端部から、スリット４０の長さ方向の端部までの距離をｃ２とし、画素電極１１０の端部から、コモン電極１０８の開口部３０の長軸の方向の端部までの距離をｂ２とすると、ｂ２≧ｃ２である。

本願発明の特徴は、コモン電極１０８の開口部３０を、平面で見て画素電極１１０の外側にのみ形成し、画素電極のスリット部分には形成しないことである。言い換えると、１個の画素電極１１０には、両脇に１個ずつの開口部３０しか形成しない。平面で見て画素電極１１０の内側にコモン電極１０８に開口部３０を形成しても、輝度向上の効果はほとんどないからである。一方、平面で見て画素電極１１０の内側にコモン電極１０８の開口部３０を形成すると、画素容量を減少させることになる。

図８は、画素電極１１０の端部からコモン電極１０８の開口部３０の画素電極１１０から遠い側の端部までの距離ｘ１を変えた場合の液晶層の透過率の変化を示すグラフである。図８において、横軸は画素電極１１０とコモン電極１０８の間の電圧であり、縦軸は液晶層の透過率である。図８において、透過率の最大値は画素電極１１０の端部からコモン電極１０８の開口部３０の画素電極１１０から遠い側の端部までの距離ｘ１が大きいほど大きくなる。しかし、透過率を最大にする電圧はｘ１が大きいほど高電圧側にシフトする。

図９は、図７に示すような画素構造において、ｃ１＝５０μｍ、ｂ１＝３０μｍ、ｘ１＝１．５μｍとした場合の透過率を従来例と比較したグラフである。図９において、横軸は本発明と従来例の仕様、すなわち、コモン電極の開口部の有無であり、縦軸は画素の透過率である。本発明は、従来例と比較して画素の透過率は７％上昇する。このように、本発明の効果は非常に大きい。

ＩＰＳ方式の液晶表示装置は優れた視野角特性を有しているが、方位角、すなわち、画面を見る方向によって、視野角特性が異なる場合がある。これを対策するために、１画素中に配向膜の配向軸に対して画素電極のスリットのなす角度が異なる構成が存在する。この構成は１画素内に２つのドメインが形成されるので、デュアルドメインと呼ばれている。本発明は、このような構成の画素に対しても適用することが出来る。

図１０は本発明をデュアルドメインの画素に適用した例である。図１０において、画素電極１１０および内部に形成されたスリット４０はｙ方向中央部において屈曲している。配向軸の方向はｙ方向である。画素の上側と下側とでは、スリット４０の長軸方向が配向軸となす角度は逆の関係にある。したがって、視野角特性が画素のｙ方向の上と下とで逆特性となり、視野角特性を均一化する。映像信号線２０は画素電極１１０に合わせて、画素のｙ方向中央部にて屈曲している。

本発明は、このような、デュアルドメイン画素に対しても適用することが出来る。図１０において、画素電極１１０の両側にコモン電極１０８の開口部３０が形成されている。コモン電極１０８の開口部も画素電極１１０の外形に沿って、ｙ方向中央部において屈曲している。開口部３０が屈曲している他は、図６乃至図９において説明したのと同様である。

図１１は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の視野角の方位角特性の均一化を２個の画素の組み合わせで行う方式に本発明を適用した例である。このような画素の構成を擬似デュアルドメイン画素と称する。図１１に示す画素において、画素電極１１０およびスリット４０はｙ軸方向に対して所定の角度傾いている。一方、この画素のｙ方向上下の画素における画素電極１１０およびスリット４０は、ｙ軸方向に対して逆方向に傾いている。これによって、画面全体として視野角の方位角特性を均一にしている。これを擬似デュアルドメイン方式とよんでいる。図１１の利点は、画素内の液晶分子は同じ方向に回転するので、ドメインが１個であり、画素内において大きなディスクリネーションが発生しないことである。

本発明はこのような擬似デュアルドメインの方式の液晶表示装置に対しても適用することが出来る。図１１において、画素電極１１０の両側にコモン電極１０８の開口部３０が形成されている。コモン電極１０８の開口部３０も画素電極１１０と同様に、ｙ軸方向に対して所定の角度傾いている。その他は図６乃至図９において説明したのと同様である。

以上の例では、画素電極１１０内のスリット４０が３個、つまり画素電極の櫛歯部分が４本の場合を例にとって説明したが、画素電極１１０内のスリット４０が１個、つまり画素電極の櫛歯部分が２本の場合でも複数の場合でも本発明を適用することが出来る。尚、本明細書では、配向軸の方向がｙ軸方向であるとしたが、ポジ型液晶に代えてネガ型液晶を使用し、配向軸をｘ方向とすることも可能である。

図１２は本発明の第２の実施例を示す画素の平面図である。図１２の特徴は、画素電極１１０は櫛歯部分が１本であり、スリットを有していないことである。画面が高精細にあるにつれて、画素電極１１０にスリットを形成できないほど、画素電極の幅が小さくなる場合がある。本発明はこのような画素構成に対しても適用することが出来る。

図１２において、走査線１０と映像信号線２０に囲まれた領域に画素が形成されている。画素のｙ方向下側にはＴＦＴが形成され、スルーホール１３０を介して画素電極１１０がＴＦＴと接続している。画素電極１１０はｙ軸方向にストライプ状に延在している。このような構成では、画素電極１１０の端部から下層のコモン電極１０８に伸びる電気力線のみによって液晶分子を制御するので、実施例１で説明したような、画素電極１１０のスリットを介してコモン電極に伸びる電気力線に比べて液晶層に対する制御能力が小さい。

本実施例は、このような、スリットを有さない画素電極１１０の両側にコモン電極１０８の開口部３０を形成することによって、液晶層のより上層にまで電気力線を浸透させ、かつ、電気力線を画素電極１１０からより遠くまで到達させるようにするものである。これによって、液晶層に対する制御能力を向上させることが出来る。

図１３はこの様子を示す断面図である。図１３は図１２のＢ−Ｂ断面図に相当する。図１３において、従来のように、コモン電極１０８に開口部が存在しない場合の電気力線の状態を点線の矢印で示す。これに対して、本実施例のように、コモン電極１０８に開口部３０が存在する場合の電気力線を実線の矢印で示す。図１３に明示するように、コモン電極１０８に開口部３０が存在することによって、電気力線が液晶層３００のより上部にまで到達し、かつ、画素電極１１０の端部から、より遠くに到達する。したがって、液晶分子をより効率的に動作させることが出来、画素の透過率を向上させることが出来る。更に、画素電極１１０の下側にコモン電極１０８が形成されているので保持容量も確保できる。

スリットを有しない画素電極１１０の両側にコモン電極１０８の開口部３０を形成することの詳細構成、および効果は図６乃至９で説明したのと同様である。尚、本明細書では、画素電極１１０とコモン電極１０８とを透明導電膜、例えばＩＴＯやＩＺＯで形成されている。

以上のように、本発明によって、画素の透過率を向上させることが出来、したがって、画面の輝度を向上させることが出来る。

１０…走査線、 ２０…映像信号線、 ３０…コモン電極の開口部、 ４０…画素電極のスリット、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ソース電極、 １０５…ドレイン電極、 １０６…無機パッシベーション膜、 １０７…有機パッシベーション膜、 １０８…コモン電極、 １０９…層間絶縁膜、 １１０…画素電極、 １１１…配向膜、 １３０…スルーホール、 １１３…配向膜、 １３０…スルーホール、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜

Claims (8)

1. 第１の方向に延在し、第２の方向に配列した走査線と、第２の方向に延在し、第１の方向に配列した映像信号線とに囲まれた領域に画素電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
   前記画素電極と前記ＴＦＴ基板との間には層間絶縁膜を介してコモン電極が形成され、前記画素電極の前記第１の方向の端部の両外側に、平面で見て、前記コモン電極に前記第２の方向に延在する開口部が形成され、
   前記コモン電極は、前記画素電極の櫛歯部分とスリット部分とには形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記開口部は、平面で見て、前記映像信号線とはオーバーラップしていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は０．２５μｍ乃至５μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は、０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記画素電極はスリットを有しており、前記コモン電極の前記開口部は、平面で見て、前記画素電極の前記スリットとはオーバーラップしていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記開口部は、平面で見て、前記映像信号線とはオーバーラップしていないことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は０．２５μｍ乃至５μｍであることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置。
8. 前記画素電極の前記第１の方向の端部と、前記コモン電極の前記開口部の、前記画素電極の前記第１の方向の端部から遠いほうの端部の距離は、０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。

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