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JP2015041094A - 露光装置、露光方法および露光プログラム - Google Patents

露光装置、露光方法および露光プログラム Download PDF

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JP2015041094A
JP2015041094A JP2013173912A JP2013173912A JP2015041094A JP 2015041094 A JP2015041094 A JP 2015041094A JP 2013173912 A JP2013173912 A JP 2013173912A JP 2013173912 A JP2013173912 A JP 2013173912A JP 2015041094 A JP2015041094 A JP 2015041094A
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focus control
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exposure
wafer
focus
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洸二 岩中
Koji Iwanaka
洸二 岩中
泰介 三輪
Taisuke Miwa
泰介 三輪
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

【課題】ウェハから得られるチップ数を増大させることが可能な露光装置を提供する。【解決手段】スキャン制御部10Aは、露光光をXY平面上でスキャン制御し、フォーカス制御領域設定部10Bは、XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定し、フォーカス制御部10Cは、露光光をフォーカス制御領域内でフォーカス制御する。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、露光装置、露光方法および露光プログラムに関する。
露光装置では、ウェハの高低差に対応するためにフォーカス制御が行われている。この時、フォーカス制御領域は、ウェハエッジから一定の距離だけ内側に設定されていた。つまり、通常、ウェハエッジ近辺では半導体製造プロセスの影響により大きな高低差(段差)が生じることがあるため、意図的にウェハエッジからの一定距離をフォーカス制御の対象から除外するような処理が行われていた。この場合、フォーカス制御領域は真円となる。
特開2006−178308号公報
本発明の一つの実施形態は、ウェハから得られるチップ数を増大させることが可能な露光装置、露光方法および露光プログラムを提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、スキャン制御部と、フォーカス制御部と、フォーカス制御領域設定部とが設けられている。スキャン制御部は、露光光をXY平面上でスキャン制御する。フォーカス制御部は、前記露光光をフォーカス制御する。フォーカス制御領域設定部は、前記XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定する。
図1は、一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。 図2は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域の一例を示す平面図である。 図3は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域の設定方法の一例を示す図である。 図4は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御方法を示す斜視図である。 図5は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域とチップ領域との関係を示す平面図である。 図6は、図1の露光制御部のハードウェア構成例を示すブロック図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る露光装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
図1は、一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。
図1において、露光装置には、露光光学系1、レチクルステージ2、スリット板4、投影光学系6、ウェハステージ7、フォーカス投光系8、フォーカス受光系9および露光制御部10が設けられている。
ウェハステージ7は、ウェハWを保持する。なお、ウェハステージ7は、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向に移動させることができる。また、ウェハステージ7は、X軸方向に対して傾けることができる。レチクルステージ2は、レチクル3を保持する。露光光学系1は、露光光をレチクル3を介して投影光学系6に導く。なお、露光光としては、例えば、紫外光を用いることができる。スリット板4は、露光光をスリット状に整形する。なお、スリット板4にはスリット5が形成されている。投影光学系6は、スリット状に整形された露光光をウェハW上に投影する。フォーカス投光系8は、フォーカス光をウェハW上に投光する。フォーカス受光系9は、ウェハW上に投光されたフォーカス光を受光する。なお、フォーカス光としては、例えば、ハロゲン光を用いることができる。露光制御部10は、ウェハW表面での露光を制御する。ここで、露光制御部10には、スキャン制御部10A、フォーカス制御領域設定部10Bおよびフォーカス制御部10Cが設けられている。スキャン制御部10Aは、露光光をXY平面上でスキャン制御する。フォーカス制御領域設定部10Bは、XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定する。フォーカス制御部10Cは、露光光をフォーカス制御領域内でフォーカス制御する。
そして、ウェハW表面に露光を行う場合、ウェハWがウェハステージ7上に保持される。この時、ウェハW上にはレジスト膜を全面に形成することができる。また、レチクル3がレチクルステージ2に保持される。
そして、露光光が露光光学系1に入射されると、レチクル3を介してスリット板4に導かれ、スリット状に整形される。そして、スリット状に整形された露光光は、投影光学系6を介してウェハW上に投影される。この時、スリット5の長手方向はX軸方向に設定される。そして、ウェハステージ7がY軸方向に移動されることで、ウェハW上での露光光の進行方向がY軸方向に設定される。そして、ウェハWの一端から他端まで露光光がY軸方向にスキャンされると、ウェハステージ7がX軸方向に1ショット分だけ移動された後、ウェハステージ7がY軸方向に折り返すように移動されることで、ウェハW上での露光光の進行方向がY軸方向に設定される。
また、フォーカス制御領域設定部10Bにおいて、XY平面におけるX軸方向よりもY軸方向の方がフォーカス制御範囲が広くなるようにフォーカス制御領域が設定される。このフォーカス制御領域は、例えば、楕円内に設定することができる。
そして、ウェハW上に投光されたフォーカス光がフォーカス受光系9を介して露光制御部10に送られることで、ウェハW上での合焦状態が判定される。そして、フォーカス制御部10Cにおいて、ウェハW上で焦点が合うようにウェハステージ7が駆動されることで露光光をフォーカス制御領域内でフォーカス制御される。この時、X軸方向に対しては、X軸方向に対してウェハステージ7を傾けることでフォーカス位置を調整することができる。Y軸方向に対しては、ウェハステージ7を上下させることでフォーカス位置を調整することができる。
図2は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域の一例を示す平面図である。
図2において、フォーカス制御領域FR1は、ウェハWのエッジから一定の距離だけ内側に設定したもので、フォーカス制御領域FR1の形状は真円となる。一方、フォーカス制御領域FR2は、XY平面におけるX軸方向よりもY軸方向の方が広くなるように設定したもので、例えば、フォーカス制御領域FR2の形状は楕円とすることができる。そして、露光光がXY平面においてスキャン方向DSに沿ってスキャンされることで、ウェハW全面が露光される。この時、露光光のX軸方向の移動はウェハW外で行われることで、ウェハW上での露光光の進行方向がY軸方向に設定される。なお露光光のスキャン開始前に、スキャン方向DSに沿ってフォーカス光が照射されウェハW上での合焦状態が予め測定される。
図3は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域の設定方法の一例を示す図である。
図3において、フォーカス制御領域FR2の形状を楕円とした場合、フォーカス制御領域FR2の輪郭の軌道(x、y)は、その軌道上の点と楕円の中心(0、0)を繋ぐ線分がX軸となす角をθ、楕円とX軸の交点を(a、0)、楕円とY軸との交点を(0、b)とすると、(x、y)=(a*cosθ、b*sinθ)で与えることができる。
図4は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御方法を示す斜視図である。
図4において、図1の露光装置では、各ショット内において、スリット状に整形された露光光がウェハW上でY軸方向にスキャンされる。この時、X軸方向に対しては、X軸方向に対してウェハステージ7が角度αだけ傾けられることでフォーカス位置が調整される。Y軸方向に対しては、ウェハステージ7が高さhだけ上下させられることでフォーカス位置が調整される。
図5は、一実施形態に係る露光装置におけるフォーカス制御領域とチップ領域との関係を示す平面図である。
図5において、露光処理では、ウェハWを区画したチップ領域CRごとに同一パターンが形成される。この時、フォーカス制御領域FR1、FR2からはみ出しているチップ領域CRは、製品として利用できない。図2で示すように、フォーカス計測はY軸方向にウェハW上を往復するように計測している。露光処理におけるY軸方向のフォーカス制御は、Y軸方向への進行方向および上下方向の2方向でステージが制御される。一方、露光処理におけるX軸方向のフォーカス制御は、ステージの傾きのみによって制御される。従って、フォーカス制御性は、X軸方向よりもY軸方向の方が高くなる。本実施形態では、Y軸方向にフォーカスが追従しやすいことから、フォーカス制御領域をFR1(真円)ではなく、領域FR1をY軸方向に拡大したFR2(楕円)に変更している。Y軸方向のウェハエッジ近辺で大きな段差が発生していたとしても、比較的容易にフォーカス制御可能である。これにより、ウェハWから得られるチップ数を増大させることが可能となる。なお仮に、X軸方向にフォーカス制御領域FR1を拡大すると、X軸方向のウェハエッジ近辺で大きな段差が発生している場合、X軸方向のフォーカス制御が悪いため段差にフォーカスが追従できなくなる。
なお、上述した実施形態では、フォーカス制御領域FR2の形状を楕円とする方法を例に取ったが、フォーカス制御領域FR2は繭形でもよいし、樽形でもよいし、多角形から構成されていてもよい。
図6は、図1の露光制御部のハードウェア構成例を示すブロック図である。
図6において、露光制御部10には、CPUなどを含むプロセッサ11、固定的なデータを記憶するROM12、プロセッサ11に対してワークエリアなどを提供するRAM13、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース14、外部との通信手段を提供する通信インターフェース15、プロセッサ11を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置16を設けることができ、プロセッサ11、ROM12、RAM13、ヒューマンインターフェース14、通信インターフェース15および外部記憶装置16は、バス17を介して接続されている。
なお、外部記憶装置16としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、DVDなどの光ディスク、USBメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース14としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウスやタッチパネル、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース15としては、例えば、インターネットやLANなどに接続するためのLANカードやモデムやルータなどを用いることができる。ここで、外部記憶装置16には、露光制御をコンピュータに実行させる露光プログラム16aがインストールされている。
そして、露光プログラム16aがプロセッサ11にて実行されると、XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域が設定される。そして、露光光がXY平面上でスキャン制御されながら、フォーカス制御領域内で露光光がフォーカス制御される。
なお、プロセッサ11に実行させる露光プログラム16aは、外部記憶装置16に格納しておき、プログラムの実行時にRAM13に読み込むようにしてもよいし、露光プログラム16aをROM12に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース15を介して露光プログラム16aを取得するようにしてもよい。また、露光プログラム16aは、スタンドアロンコンピュータに実行させてもよいし、クラウドコンピュータに実行させてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 露光光学系、2 レチクルステージ、3 レチクル、4 スリット板、5 スリット、6 投影光学系、7 ウェハステージ、8 フォーカス投光系、9 フォーカス受光系、10 露光制御部、10A スキャン制御部、10B フォーカス制御領域設定部、10C フォーカス制御部、W ウェハ

Claims (5)

  1. ウェハを保持するウェハステージと、
    露光光をスリット状に整形するスリット板と、
    スリット状に整形された露光光を前記ウェハ上に投影する投影光学系と、
    前記ウェハ上に投影された露光光をXY平面上でスキャン制御するスキャン制御部と、
    前記XY平面におけるX軸方向よりもY軸方向の方がフォーカス制御範囲が広くなるようにフォーカス制御領域を設定するフォーカス制御領域設定部と、
    前記ウェハ上に投影された露光光を前記フォーカス制御領域内でフォーカス制御するフォーカス制御部とを備え、
    前記スリットの長手方向が前記X軸方向に設定され、
    前記ウェハ上での前記露光光の進行方向が前記Y軸方向に設定され、
    前記X軸方向に対しては、前記X軸方向に対して前記ウェハステージを傾けることでフォーカス位置が調整され、
    前記Y軸方向に対しては、前記ウェハステージを上下させることでフォーカス位置が調整されることを特徴とする露光装置。
  2. 露光光をXY平面上でスキャン制御するスキャン制御部と、
    前記露光光をフォーカス制御するフォーカス制御部と、
    前記XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定するフォーカス制御領域設定部とを備えることを特徴とする露光装置。
  3. 前記フォーカス制御領域設定部は、前記フォーカス制御領域を楕円内に設定することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定するステップと、
    露光光をXY平面上でスキャン制御しながら、前記フォーカス制御領域内で前記露光光をフォーカス制御するステップとを備えることを特徴とする露光方法。
  5. XY平面におけるX軸方向とY軸方向とでフォーカス制御範囲が異なるようにフォーカス制御領域を設定するステップと、
    露光光をXY平面上でスキャン制御させながら、前記フォーカス制御領域内で前記露光光をフォーカス制御させるステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする露光プログラム。
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