JP2013235129A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶層中のイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラが低減された液晶装置及びこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、第１基板に設けられ、液晶層に向かって突出する突起部１７と、を備え、複数の画素電極１５の端部と突起部１７の端部との間隔Ｗは、突起部１７の高さｈよりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。

液晶装置は、一般的に配向処理が施された一対の基板間に液晶が注入封止された構造となっている。このような液晶装置の製造過程において、イオン性不純物が例えば液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲むシール材などから溶出したりすると、表示領域に拡散・凝集（偏在）して表示特性の劣化を招くことが知られている。

このようなイオン性不純物に起因する表示特性の劣化を抑制することを目的として、例えば特許文献１には、一対の基板のうち、一方の基板は画素領域に形成された画素電極と、画素領域の周辺領域に形成された周辺電極とを含み、他方の基板は、該画素領域に形成された画素電極部と、該周辺領域に形成された周辺電極とを含み、少なくとも一方の周辺電極は隣接する複数の電極により構成され、該周辺電極の隣り合う電極間で印加する駆動電圧の電圧値が異なる液晶表示装置が開示されている。

上記特許文献１の液晶表示装置によれば、上記周辺電極の隣接する電極間の電位を変化させることにより、該電極間に横方向の電界が生じ、液晶の微小な揺らぎによる流れに加えて、画素領域内のイオン性不純物を画素領域の外側に移動させることができ、イオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不良を防止できるとしている。

また、特許文献２には、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部に画像を表示させるために、液晶層に印加される最低電圧の大きさが１．２ｖ以上である液晶表示装置が開示されている。
特許文献２の液晶表示装置によれば、上記最低電圧を規定することにより、イオン性不純物の流れ（フロー）が存在する部分と存在しない部分との境界近傍において焼き付きが発生することを防止できるとしている。つまり、液晶中のイオン性不純物の滞留を防止できるとしている。

特開２００８−５８４９７号公報 特開２０１０−１１３１４８号公報

上記特許文献１あるいは特許文献２の液晶表示装置は、用いられる液晶の電気光学特性に応じた専用の駆動用ＩＣなどの電子部品が必要となる。また、駆動電圧（駆動波形）の調整が必要となり、製造コストの上昇、生産性の低下を招くおそれがあるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板に設けられ、前記液晶層に向かって突出する突起部と、前記突起部の周りに配置された複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の端部と前記突起部の端部との間隔は、前記突起部の高さよりも大きいことを特徴とする。

この構成によれば、例え液晶層中にイオン性不純物が含まれていても、液晶層の駆動によって生ずる液晶分子の流動（フロー）が画素電極間に設けられた突起部によって阻害される。つまり、液晶分子の流動（フロー）によりイオン性不純物が拡散・凝集（偏在）することを低減できる。また、画素電極の端部と突起部の端部との間隔を突起部の高さより大きくすることで、突起部の周辺に生じ易い液晶分子の配向の乱れが画素電極が形成された範囲に及ぶことを抑制することができる。すなわち、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を抑制し、高い信頼性品質を有する液晶装置を提供することができる。

［適用例２］本適用例に係る他の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板に設けられた複数の画素電極と、前記第２基板に設けられ、前記液晶層を挟んで前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、前記共通電極の開口部に設けられ、前記液晶層に向かって突出する突起部と、を備え、前記共通電極の開口部の端部と前記突起部の端部との間隔は、前記突起部の高さよりも大きいことを特徴とする。

この構成によれば、例え液晶層中にイオン性不純物が含まれていても、液晶層の駆動によって生ずる液晶分子の流動（フロー）が共通電極の開口部に設けられた突起部によって阻害される。つまり、液晶分子の流動（フロー）によりイオン性不純物が拡散・凝集（偏在）することを低減できる。また、共通電極の開口部の端部と突起部の端部との間隔を突起部の高さより大きくすることで、突起部の周辺に生じ易い液晶分子の配向の乱れが共通電極が形成された範囲に及ぶことを抑制することができる。すなわち、イオン性不純物に起因する表示品質の低下を抑制し、高い信頼性品質を有する液晶装置を提供することができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記突起部の高さは、前記画素電極または前記共通電極の高さよりも高く、且つ１μｍ以下であることが好ましい。
この構成によれば、突起部によって液晶分子のフローを阻害しつつ、突起部に起因する液晶分子の配向の乱れの発生を抑制することができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１基板と前記複数の画素電極との間に層間絶縁膜を備え、前記突起部は前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２基板と前記共通電極との間に層間絶縁膜を備え、前記突起部は前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする。
これらの構成によれば、層間絶縁膜を形成するプロセスにて突起部を形成することができる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記層間絶縁膜は、材質が異なる少なくとも２つの絶縁膜を含み、前記少なくとも２つの絶縁膜のうち前記液晶層側に位置する絶縁膜は、他の絶縁膜よりも高い吸湿性能を有することを特徴とする。
この構成によれば、水分の影響による表示品質の低下を抑制し、より高い信頼性品質を有する液晶装置を提供することができる。

［適用例７］上記適用例に係る液晶装置において、前記複数の画素電極は、前記第１基板上において第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向とに沿って配置され、前記突起部は、前記第１の方向に延在する部分と、前記第２の方向に延在する部分とを有することが好ましい。
この構成によれば、第１の方向や第２の方向だけでなく、これらの方向に交差する方向の液晶分子の流動を阻害して、イオン性不純物の拡散・凝集（偏在）による表示品質の低下を効果的に抑制することができる。

［適用例８］上記適用例に係る液晶装置において、前記一対の基板のそれぞれは、前記液晶層に面する側の表面に斜め蒸着により形成された無機配向膜を備えることを特徴とする。
この構成によれば、突起部の端部と画素電極の端部あるいは共通電極の開口部の端部との間に突起部の高さよりも大きい間隔が設けられているので、突起部に起因して無機配向膜の成膜ムラが生じても、成膜ムラによる液晶分子の配向の乱れが画素電極や共通電極に及ぶことを低減できる。

［適用例９］上記適用例に係る液晶装置において、前記突起部は、前記突起部の少なくとも一辺部が前記斜め蒸着の蒸着方向に対して交差するように配置されていることが好ましい。
この構成によれば、斜め蒸着の蒸着方向に沿った液晶分子の流動（フロー）を突起部によって効果的に阻害できる。

［適用例１０］上記適用例に係る液晶装置において、前記突起部と、前記複数の画素電極の端部と前記突起部との隙間または前記共通電極の開口部の端部と前記突起部の端部との隙間とは、平面視で遮光領域内にあることが好ましい。
この構成によれば、突起部周辺における液晶分子の配向の乱れに起因した表示品質の低下が生じても、それを目立ち難くすることができる。

［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高い表示品質と信頼性とを備えた電子機器を提供することができる。

（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。 （ａ）は液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図、（ｂ）は液晶分子の挙動を示す概略図。 イオン性不純物の偏在に伴う表示ムラの一例を示す概略平面図。 （ａ）は突起部の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った突起部の構造を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は突起部の形成方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｄ）は突起部の他の形成方法を示す概略断面図。 突起部周辺の配向膜の形成状態を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は突起部の他の構成例を示す概略平面図。 （ａ）は第２実施形態の液晶装置における突起部の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線で切った突起部の構造を示す概略断面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 （ａ）及び（ｂ）は変形例の突起部の配置を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁沿って配置されたシール材４０を介して貼り合わされ、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材４０の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール材４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向（本発明の第１の方向に相当）とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向（本発明の第２の方向に相当）として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。

図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における第１基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。

素子基板１０に対向配置される本発明の第２基板としての対向基板２０は、少なくとも基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、配向膜１８，２４として無機配向膜を用い、負の誘電異方性を有する液晶分子により液晶層５０が構成されている。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。

次に図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０の第１ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。

なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。

また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

次に図３を参照して画素Ｐの配置について説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図である。
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域（遮光領域とも呼ぶ）により囲まれている。画素Ｐごとの開口領域に設けられる画素電極１５は、外縁が非開口領域（遮光領域）に掛かるように配置されている。

Ｘ方向に延在する非開口領域（遮光領域）には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域（遮光領域）の少なくとも一部が構成されている。

同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域（遮光領域）には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂとが設けられている。データ線６ａや容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域（遮光領域）の少なくとも一部が構成されている。

非開口領域（遮光領域）は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光部によっても構成することができる。

格子状の非開口領域（遮光領域）の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や蓄積容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域（遮光領域）の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。上記交差部付近にＴＦＴ３０や蓄積容量１６を設ける関係上、上記交差部付近の非開口領域（遮光領域）の幅は、他の部分に比べて広くなっている。

次に、液晶装置１００における液晶分子の配向状態について、図４を参照して説明する。図４（ａ）は液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図、同図（ｂ）は液晶分子の挙動を示す概略図である。

図４（ａ）に示すように、液晶装置１００における画素電極１５及び共通電極２３の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により斜め蒸着して得られた配向膜１８及び配向膜２４が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した基板面の法線に対する蒸着角度θｂはおよそ４５度である。このような斜め蒸着により基板面には酸化シリコンの結晶体が蒸着方向に向かって柱状に成長する。この柱状結晶体をカラム１８ａ，２４ａと呼ぶ。配向膜１８，２４はこのようなカラム１８ａ，２４ａの集合体である。また、基板面の法線に対するカラム１８ａ，２４ａの成長方向の角度θｃは蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、この場合およそ２０度となっている。

このような配向膜１８，２４の表面において垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐはおよそ３度〜５度である。また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣを傾斜させるプレチルトの方向すなわち傾斜方向は、配向膜１８，２４における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。垂直配向処理の上記傾斜方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
このように配向膜面に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣがプレチルト角θｐを与えられて倒立している配向状態を略垂直配向と呼ぶ。

対向配置された素子基板１０及び対向基板２０ならびにこれら一対の基板間に挟持された液晶層５０を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ配置された偏光素子８１，８２を有して用いられる。また、偏光素子８１，８２は、偏光素子８１，８２のうちの一方の透過軸または吸収軸がＸ方向またはＹ方向に対して平行となるように、且つ互いの透過軸または吸収軸が直交するように液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。

本実施形態では、画素領域Ｅにおいて偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が４５度で交差するように略垂直配向処理が施されている。したがって、図４（ｂ）に示すように画素電極１５と共通電極２３との間に駆動電圧を印加して液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
液晶層５０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣはプレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このような液晶分子ＬＣの挙動が起る略垂直配向処理を１軸の略垂直配向処理という。

なお、液晶パネル１１０に対する光の入射方向は、図４（ａ）に示すように対向基板２０側から入射することに限定されない。また、光の入射側または射出側に位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。

次に、本発明が解決しようとするイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラについて、図５を参照して説明する。図５はイオン性不純物の偏在に伴う表示ムラの一例を示す概略平面図である。なお、図５は、液晶装置の光学設計がノーマリーブラックの場合を示している。

図５に示すように、画素領域Ｅにおいて液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向は、Ｙ方向となす方位角θａが４５度となるように設定されている。具体的には、破線で示した矢印方向が素子基板１０に対する斜め蒸着の方向であり、右上から左下に向かう方向である。一方、実線で示した矢印方向が素子基板１０に対向配置される対向基板２０に対する斜め蒸着の方向であり、左下から右上に向かう方向である。このような画素領域Ｅにおける液晶分子ＬＣのプレチルトの傾斜方向を方位角θａをそのまま利用して傾斜方向θａと呼ぶ。

このような傾斜方向θａによれば、画素Ｐを駆動することにより、基板面に対して略垂直配向した液晶分子ＬＣが傾斜方向θａに振られる挙動を示す（図４（ｂ）参照）。これにより、傾斜方向θａに向かう液晶分子ＬＣの挙動すなわち流動（フロー）が生じて、液晶層５０に含まれたイオン性不純物はこの流動（フロー）に沿って液晶層５０中を移動し、やがて画素領域Ｅの傾斜方向θａに位置する角部に運ばれてイオン性不純物の偏在が生ずる。そうすると、図５に示すように画素領域Ｅの角部においてイオン性不純物の偏在に起因する例えば焼き付きや輝度ムラなどの表示ムラが発生する。より具体的には、例えばノーマリーブラックの場合、上記角部に位置する画素Ｐはイオン性不純物の偏在により駆動電位が低下して光漏れが発生し、コントラストが低下する。図５では画素領域Ｅの角部に位置する３つの画素Ｐに光漏れが発生した状態を示している。
なお、傾斜方向θａが４５度とは、図５に示すように右上がり４５度だけでなく、右下がり４５度でもよく、その場合には図５において画素領域Ｅの左上と右下の角部に表示ムラが発生する。つまり、液晶層５０に駆動電圧が与えられたときの液晶分子ＬＣの上記傾斜方向θａが液晶分子ＬＣの流動方向となる。なお、液晶層５０の厚みは使用される液晶材料にもよるが、およそ２μｍ〜３μｍ程度であって、液晶分子ＬＣの流動（フロー）は各配向膜１８，２４の配向膜面付近で強く発生する。よって、素子基板１０側と対向基板２０側とでは液晶分子ＬＣの流動方向が逆になる。

発明者は、イオン性不純物の偏在による画素領域Ｅの角部の表示ムラを改善すべく、液晶装置１００を開発した。具体的には、画素電極１５間の層間絶縁膜に上記液晶分子ＬＣの流動を阻害する突起部を設けて、液晶層５０中のイオン性不純物の偏在を抑制した。以降、図６〜図９を参照して本実施形態の液晶装置１００における突起部の構成について説明する。図６（ａ）は突起部の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線で切った突起部の構造を示す概略断面図である。図７（ａ）〜（ｄ）は突起部の形成方法を示す概略断面図、図８（ａ）〜（ｄ）は突起部の他の形成方法を示す概略断面図、図９は突起部周辺の配向膜の形成状態を示す概略断面図である。

図６（ａ）に示すように、格子状に設けられた非開口領域の交差部の中心に相当する位置に突起部１７が設けられている。したがって、画素Ｐにおける画素電極１５の四隅に対応して突起部１７が配置されていることになる。言い換えれば、突起部１７の周りに複数（４つ）の画素電極１５が配置されている。
突起部１７は平面視で略正方形（四角形）である。また、突起部１７の端部と各画素電極１５の外縁（端部）との間には一定の大きさ以上の間隔Ｗが設けられている。画素電極１５は、突起部１７との間に間隔Ｗを設けるために、略正方形（四角形）の四隅が円弧状に切り欠かれた形状となっている。突起部１７及び突起部１７の端部と画素電極１５の端部との間隔Ｗは非開口領域の交差部の内側にある。

図６（ｂ）は、図６（ａ）における突起部１７を左下から右上に通過する傾斜角４５度のＡ−Ａ’線に沿って切った概略断面図である。すなわち、Ａ−Ａ’線は、素子基板１０における配向膜１８の斜め蒸着における蒸着方向（液晶分子ＬＣの傾斜方向（流動方向））に沿っている。
図６（ｂ）に示すように、突起部１７は、配線層１３と画素電極１５との間に形成された層間絶縁膜１４に一体形成されている。具体的な形成方法の例は後述するが、層間絶縁膜１４は、配線層１３側に面する第１絶縁膜１４ａと画素電極１５側に面する第２絶縁膜１４ｂとが積層されたものである。第１絶縁膜１４ａに柱状部１４ｃが形成され、この柱状部１４ｃを覆って第２絶縁膜１４ｂが形成されている。すなわち、突起部１７は柱状部１４ｃと第２絶縁膜１４ｂとによって構成されている。
突起部１７の端部と画素電極１５の端部との間隔Ｗは、層間絶縁膜１４上の突起部１７の高さｈよりも大きく設定されている。また、突起部１７の高さｈは、層間絶縁膜１４上の画素電極１５の高さよりも高い（大きい）。具体的には例えば、突起部１７の高さｈはおよそ３００ｎｍ〜５００ｎｍである。間隔Ｗは４００ｎｍ〜６００ｎｍである。画素電極１５の高さすなわち膜厚はおよそ５０ｎｍ〜２００ｎｍである。

このような突起部１７の形成方法としては、例えば図７（ａ）に示すように、まず基材１０ｓ（図７では図示を省略した）上の配線層１３を覆って絶縁膜前駆体１４Ｌ１を形成する。絶縁膜前駆体１４Ｌ１は、例えばＮＳＧ（Non Silicate Glass）膜であって、常圧または常圧に近い減圧下で行う気相成長（ＣＶＤ）法でＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）とＯ₃との混合ガスを用いて成長させた酸化シリコン膜である。絶縁膜前駆体１４Ｌ１の膜厚は８００ｎｍ〜１０００ｎｍである。

次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁膜前駆体１４Ｌ１を選択的にエッチングして高さが２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの柱状部１４ｃを有する第１絶縁膜１４ａを形成する。エッチング方法としては、柱状部１４ｃに対応する部分にエッチングレジストを敷設した後に、強アルカリ溶液やフッ酸溶液を用いてエッチングする液相プロセスやＣＦ₄などのフッ素系処理ガスを用いてエッチングする気相プロセス（ドライエッチング）を挙げることができる。本実施形態では後者の気相プロセスを用いた。

次に、図７（ｃ）に示すように、柱状部１４ｃを覆うように第２絶縁膜１４ｂを形成する。第２絶縁膜１４ｂは、例えばＢＳＧ（Boron Silicate Glass）膜やＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）膜であって、ＮＳＧ膜と同様に上記混合ガス系にＢ（ホウ素）やＰ（リン）を添加し気相成長（ＣＶＤ）法を用いて形成することができる。ＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜は、ＮＳＧ膜に比べて凹凸を有する表面に対して付き回り（成膜性）がよく、柱状部１４ｃを隈なく覆うことができる。第２絶縁膜１４ｂの膜厚はおよそ５０ｎｍである。また、ＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜はＮＳＧ膜に比べて高い吸湿性能を有する。これにより柱状部１４ｃを第２絶縁膜１４ｂで覆った高さｈが３００ｎｍ〜５００ｎｍの突起部１７が形成される。

次に、図７（ｄ）に示すように、突起部１７を覆うようにしてＩＴＯなどの透明導電膜を膜厚が５０ｎｍ〜２００ｎｍとなるように成膜し、これをフォトリソグラフィー法によりパターニングして画素Ｐごとに画素電極１５を形成する。前述したように突起部１７の端部と画素電極１５の端部との間に間隔Ｗ（図６参照）を設けるように透明導電膜をパターニングする。したがって、突起部１７に近接するように画素電極１５をパターニングする場合に比べて、突起部１７の影響を受け難く画素電極１５を所望の形状でパターニングすることができる。

突起部１７の形成方法は、図７に示した形成方法に限定されず、図８に示す形成方法を用いることもできる。

例えば、図８（ａ）に示すように、まず配線層１３を覆って第１絶縁膜１４ａを成膜する。第１絶縁膜１４ａは前述したように気相成長（ＣＶＤ）法により形成されたＮＳＧ膜を用いることができる。この場合の第１絶縁膜１４ａの膜厚は例えば３００ｎｍ〜５００ｎｍである。
次に、図８（ｂ）に示すように、第１絶縁膜１４ａを覆って絶縁膜前駆体１４Ｌ２を成膜する。絶縁膜前駆体１４Ｌ２は前述したように気相成長（ＣＶＤ）法により形成されたＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を用いることができる。絶縁膜前駆体１４Ｌ２の膜厚は４００ｎｍ〜６００ｎｍである。
そして、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜前駆体１４Ｌ２を選択的にエッチングして高さｈが３００ｎｍ〜５００ｎｍの突起部１７を有する第２絶縁膜１４ｂを形成する。ＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜はＮＳＧ膜に比べて液相プロセスや気相プロセスによってエッチングし易く、突起部１７を形成し易いという利点がある。
次に、図８（ｄ）に示すように、第２絶縁膜１４ｂを覆うようにして透明導電膜を成膜し、突起部１７の端部との間に間隔Ｗ（図６参照）が生ずるように画素電極１５をパターニング形成する。

図７（ａ）〜（ｄ）及び図８（ａ）〜（ｄ）を用いて突起部１７の形成方法について説明したが、絶縁膜前駆体１４Ｌ１，１４Ｌ２をエッチングして層間絶縁膜１４に突起部１７を一体形成する場合、どのようなエッチングプロセスを用いるかで突起部１７の最終的な形状が決まる。とりわけ等方エッチングされる液相プロセスでは、突起部１７の平面形状が図６（ａ）に示したように四角形にならず角部が丸みを帯びた円形に近い状態となる。また、突起部１７の断面形状は液相プロセス及び気相プロセス共にエッチング進行方向との関係で配線層１３側の底面が大きい台形状となる。

突起部１７の端部と各画素電極１５の端部との間に間隔Ｗを設けることは、画素電極１５のパターニングを容易とするだけでなく、次のような利点もある。以降、図９を参照して説明する。

図９に示すように、配向膜１８は画素電極１５を覆うように形成される。配向膜１８は前述したように酸化シリコンなどの無機材料を蒸着角度θｂ（４５度）で斜め蒸着して得られるカラム（柱状結晶体）１８ａにより構成されている。したがって、突起部１７の周辺においては、蒸着方向に対して影となる部分が生じ、影となった部分にはカラム１８ａが成長し難い。上記間隔Ｗは突起部１７の高さｈよりも大きいので、蒸着角度θｂが少なくとも４５度以下であれば、カラム１８ａが成長し難い部分が画素電極１５に生ずることがない。つまり、突起部１７の周辺において画素電極１５を覆うようにして確実に配向膜１８を形成することができる。すなわち、配向膜１８の成膜ムラに起因する液晶分子ＬＣの配向の乱れが画素電極１５を有する開口領域において発生し難いという利点がある。

一方、突起部１７の高さｈが高いほど液晶分子ＬＣの流動（フロー）を阻害する効果が大きくなるものの、配向膜１８の成膜ムラが生ずる範囲が大きくなる。したがって、成膜ムラが開口領域に及ばないようにする、言い換えれば液晶分子ＬＣの配向の乱れを非開口領域内に納めるという観点から、突起部１７の高さｈは層間絶縁膜１４上の画素電極１５の高さよりも高く、且つ１μｍ以下であることが望ましい。

なお、画素電極１５を覆う配向膜１８は無機配向膜に限定されず、ポリイミド樹脂などの有機配向膜を用いてもよい。有機配向膜にラビング処理をして配向処理を施す場合にも、突起部１７の周辺においてラビング処理が充分行われないことによる液晶分子ＬＣの配向の乱れが画素電極１５（開口領域）に及ぶことを低減可能である。

次に、突起部１７の他の構成例について、図１０を参照して説明する。図１０（ａ）〜（ｃ）は突起部の他の構成例を示す概略平面図である。

突起部１７の平面形状は四角形（多角形）あるいは円形や楕円形であることに限定されず、例えば、図１０（ａ）に示すように、突起部１７−１は、Ｘ方向（第１の方向）に延在する部分と、Ｙ方向（第２の方向）に延在する部分とを有し、それらが交差した十字形状であってもよい。画素電極１５の角部における形状も十字形状の突起部１７−１との間に所定の間隔Ｗを設けた形状とする。このような十字形状によれば、前述した１軸の略垂直配向処理方向に生ずる液晶分子ＬＣの流動（フロー）を効果的に阻害することができる。

また、このような十字形状は、必ずしもＸ方向やＹ方向に沿った部分を有しなくても、例えば、図１０（ｂ）に示す突起部１７−２のように、液晶分子ＬＣの流動（フロー）方向に対して直交する部分を有するように突起部１７−１を４５度回転させた構成としてもよい。

また、図１０（ｃ）に示す突起部１７−３のように、少なくとも一辺部が液晶分子ＬＣの流動（フロー）方向と対向（交差）するように、突起部１７を４５度回転させて配置した構成としてもよい。図１０（ｃ）では、非開口領域の交差部も画素電極１５の角部の形状に合わせて当該交差部がＸ方向とＹ方向とに対してそれぞれ傾斜した辺部を有する構成としている。
これによれば、図１０（ａ）や図１０（ｂ）の十字形状に比べて当該交差部における非開口領域の面積が小さくなり、開口領域の面積を大きくできる。すなわち画素Ｐの開口率が向上する。言い換えれば、非開口領域の交差部が小さくなっても、イオン性不純物に起因する表示ムラを効果的に低減可能な突起部１７−３を提供することができる。

上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）液晶装置１００は、画素電極１５間の層間絶縁膜１４に突起部１７を有する。また、突起部１７の高さｈは層間絶縁膜１４上における画素電極１５の高さ（膜厚）よりも高い。したがって、液晶層５０を駆動することに伴う液晶分子ＬＣの流動（フロー）を突起部１７によって阻害し、上記流動（フロー）によってイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在して表示ムラが生ずることを低減することができる。ゆえに、イオン性不純物に起因する表示ムラが低減され優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供することができる。
（２）さらには、突起部１７の端部と各画素電極１５の端部との間隔Ｗは層間絶縁膜１４上における突起部１７の高さｈよりも大きい。したがって、画素電極１５を突起部１７に近接させて形成する場合に比べて、画素電極１５を所望の形状にパターニングし易い。そして、画素電極１５に配向膜１８を斜め蒸着によって形成する場合にも、突起部１７に起因する成膜ムラが画素電極１５（開口領域）に及ばない。すなわち表示に影響を及ぼさない。
（３）突起部１７及び突起部１７の端部と各画素電極１５の端部との間隔Ｗは非開口領域（遮光領域）の交差部内にあるため、突起部１７の周辺に液晶分子ＬＣの配向の乱れに起因する光漏れが生じたとしても遮光されるので、当該光漏れを目立ち難くすることができる。当該光漏れに伴うコントラストの低下を防止できる。
（４）突起部１７は層間絶縁膜１４に一体形成され、層間絶縁膜１４が第１絶縁膜１４ａと、第１絶縁膜１４ａよりも高い吸湿性能を有する第２絶縁膜１４ｂとにより構成されている。第２絶縁膜１４ｂが液晶層５０に面しているので、仮に水分が外部から浸入しても、第２絶縁膜１４ｂによって水分が吸収されるので、水分によって表示品位が低下することを抑制することができる。すなわち、高い信頼性品質を有する液晶装置１００を提供できる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図１１を参照して説明する。図１１（ａ）は第２実施形態の液晶装置における突起部の構成を示す概略平面図、図１１（ｂ）は同図（ａ）における突起部を左下から右上に通過する傾斜角４５度のＢ−Ｂ’線に沿って切った概略断面図である。すなわち、Ｂ−Ｂ’線は、素子基板１０における配向膜１８の斜め蒸着における蒸着方向（液晶分子ＬＣの傾斜方向（流動方向））に沿っている。
第２実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００に対して、突起部を対向基板２０側に設けたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付けて詳細の説明は省略する。

図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２実施形態の液晶装置における突起部２７は、対向基板２０の共通電極２３の開口部２３ａに設けられている。より具体的には、共通電極２３は、非開口領域の交差部ごとに対応して形成された円形の開口部２３ａを有している。突起部２７は、開口部２３ａの層間絶縁膜としての平坦化層２２に形成されている。平坦化層２２は、基材２０ｓに形成された第１絶縁膜２２ａと第２絶縁膜２２ｂとを含んでいる。第１絶縁膜２２ａは、例えばＮＳＧ膜からなる絶縁膜前駆体を選択的にエッチングすることにより、開口部２３ａに対応する位置に形成された断面が台形の柱状部２２ｃを有する。第２絶縁膜２２ｂは、例えばＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜であり、第１絶縁膜２２ａおよび柱状部２２ｃを覆うように形成される。突起部２７は、柱状部２２ｃと柱状部２２ｃを覆う第２絶縁膜２２ｂとにより構成されている。共通電極２３は、例えばＩＴＯ膜であり、突起部２７を含む平坦化層２２の表面を覆うように成膜された後、開口部２３ａ内に突起部２７が露出するように選択的にエッチングされパターニングされる。

図１１（ｂ）に示すように、開口部２３ａの端部と突起部２７の端部との間隔Ｗは、平坦化層２２上における突起部２７の高さｈよりも大きい。突起部２７の高さｈは１μｍ以下であって、例えば３００ｎｍ〜５００ｎｍである。間隔Ｗは４００ｎｍ〜６００ｎｍである。共通電極２３の高さすなわち膜厚はおよそ５０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、突起部２７および開口部２３ａは非開口領域の交差部に平面視で重なるように形成されている。

なお、突起部２７の平面形状は四角形であることに限定されず、第１実施形態の突起部１７−１や突起部１７−２と同様に、Ｘ方向とＹ方向とに延在する部分を有する十字形状としてもよい。また、開口部２３ａの平面形状は円形に限定されず、突起部２７の端部との間に間隔Ｗが確保されていれば多角形でもよい。

上記第２実施形態の効果は、以下の通りである。
（５）第２実施形態の液晶装置は、共通電極２３の開口部２３ａの平坦化層２２に突起部２７を有する。また、突起部２７の高さｈは平坦化層２２上における共通電極２３の高さよりも高い。したがって、液晶層５０を駆動することに伴う液晶分子ＬＣの流動（フロー）を突起部２７によって阻害し、上記流動（フロー）によってイオン性不純物が画素領域Ｅの角部に偏在して表示ムラが生ずることを低減することができる。ゆえに、イオン性不純物に起因する表示ムラが低減され優れた表示品質を有する第２実施形態の液晶装置を提供することができる。
（６）さらには、突起部２７の端部と開口部２３ａの端部との間隔Ｗは平坦化層２２上における突起部２７の高さｈよりも大きい。したがって、共通電極２３を突起部２７に近接させて形成する場合に比べて、共通電極２３を所望の形状にパターニングし易い。そして、共通電極２３に配向膜２４を斜め蒸着によって形成する場合にも、突起部２７に起因する成膜ムラが共通電極２３（開口領域）に及ばない。すなわち表示に影響を及ぼさない。
（７）突起部２７及び開口部２３ａの端部と突起部２７の端部との間隔Ｗは非開口領域（遮光領域）の交差部内にあるため、突起部２７の周辺に液晶分子ＬＣの配向の乱れに起因する光漏れが生じていても遮光されるので、当該光漏れを目立ち難くすることができる。当該光漏れに伴うコントラストの低下を防止できる。
（８）突起部２７は層間絶縁膜としての平坦化層２２に一体形成され、平坦化層２２が第１絶縁膜２２ａと、第１絶縁膜２２ａよりも高い吸湿性能を有する第２絶縁膜２２ｂとにより構成されている。第２絶縁膜２２ｂが液晶層５０に面しているので、仮に水分が外部から浸入しても、第２絶縁膜２２ｂによって水分が吸収されるので、水分によって表示品位が低下することを抑制することができる。すなわち、高い信頼性品質を有する第２実施形態の液晶装置を提供できる。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１２を参照して説明する。図１２は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１２に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶層５０中のイオン性不純物の偏在が低減された液晶装置１００を備え、通電による表示ムラが低減され、高い表示品位と信頼性とが実現されている。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記第１実施形態では、突起部１７を層間絶縁膜１４に一体形成した例を示したが、これに限定されず、他の部材を用いて突起部１７を画素電極１５間の層間絶縁膜１４に形成してもよい。例えば、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム）膜やＳｉＮ（窒化シリコン）膜を用いて突起部１７を形成してもよい。

（変形例２）突起部１７（２７）は、画素領域Ｅにおける非開口領域のすべての交差部に対応して形成されることに限定されない。図１３（ａ）及び（ｂ）は変形例の突起部の配置を示す概略平面図である。
例えば、図１３（ａ）に示すように、突起部１７（２７）を非開口領域のＸ方向及びＹ方向において１つ置きの交差部に対応して配置してもよい。
また例えば、図１３（ｂ）に示すように、突起部１７（２７）を画素領域Ｅの外側寄りの非開口領域の交差部に対応して配置してもよい。言い換えれば、画素領域Ｅの中央寄りの非開口領域の交差部には突起部１７（２７）を設けなくてもよい。これによれば、非開口領域のすべての交差部に対応して突起部１７（２７）を設ける場合に比べて、突起部１７（２７）に起因する液晶分子の配向ムラが画素領域Ｅの全域に亘って生ずることを低減できる。
さらには、突起部１７（２７）は、一対の基板のうちの一方の基板に設けることに限定されず、素子基板１０に突起部１７を設け、さらに対向基板２０にも突起部２７を設ける構成としてもよい。これによれば、素子基板１０及び対向基板２０のそれぞれにおいて、液晶層５０に面する無機配向膜の表面における液晶分子のフローを突起部１７（２７）によって阻害してイオン性不純物の偏在に起因する表示ムラを低減することができる。

（変形例３）本発明を適用可能な液晶装置１００は、透過型に限定されない。例えば、光反射性の導電膜を用いて画素電極１５が形成される反射型の液晶装置にも適用できる。また、反射型の液晶装置の場合、素子基板１０の基材１０ｓは透光性を有することに限定されず、遮光性のシリコンなどの半導体ウェハーを用いてもよい。

（変形例４）上記液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記第３実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…第１基板としての素子基板、１４…層間絶縁膜、１４ａ…第１絶縁膜、１４ｂ…第２絶縁膜、１５…画素電極、１７，１７−１，１７−２，１７−３…突起部、１８…無機配向膜としての配向膜、２０…第２基板としての対向基板、２３…共通電極、２３ａ…開口部、２４…無機配向膜としての配向膜、２７…突起部、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、ｈ…突起部の高さ、Ｗ…突起部の端部と画素電極の端部あるいは開口部の端部との間隔。

Claims (11)

1. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
   前記第１基板に設けられ、前記液晶層に向かって突出する突起部と、
   前記突起部の周りに配置された複数の画素電極と、を備え、
   前記複数の画素電極の端部と前記突起部の端部との間隔は、前記突起部の高さよりも大きいことを特徴とする液晶装置。
2. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
   前記第１基板に設けられた複数の画素電極と、
   前記第２基板に設けられ、前記液晶層を挟んで前記複数の画素電極に対向配置される共通電極と、
   前記共通電極の開口部に設けられ、前記液晶層に向かって突出する突起部と、を備え、
   前記共通電極の開口部の端部と前記突起部の端部との間隔は、前記突起部の高さよりも大きいことを特徴とする液晶装置。
3. 前記突起部の高さは、前記画素電極または前記共通電極の高さよりも高く、且つ１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記第１基板と前記複数の画素電極との間に層間絶縁膜を備え、
   前記突起部は前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項１または３に記載の液晶装置。
5. 前記第２基板と前記共通電極との間に層間絶縁膜を備え、
   前記突起部は前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置。
6. 前記層間絶縁膜は、材質が異なる少なくとも２つの絶縁膜を含み、
   前記少なくとも２つの絶縁膜のうち前記液晶層側に位置する絶縁膜は、他の絶縁膜よりも高い吸湿性能を有することを特徴とする請求項４または５に記載の液晶装置。
7. 前記複数の画素電極は、前記第１基板上において第１の方向と前記第１の方向に交差する第２の方向とに沿って配置され、
   前記突起部は、前記第１の方向に延在する部分と、前記第２の方向に延在する部分とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 前記一対の基板のそれぞれは、前記液晶層に面する側の表面に斜め蒸着により形成された無機配向膜を備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置。
9. 前記突起部は、前記突起部の少なくとも一辺部が前記斜め蒸着の蒸着方向に対して交差するように配置されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
10. 前記突起部と、前記複数の画素電極の端部と前記突起部との隙間または前記共通電極の開口部の端部と前記突起部の端部との隙間とは、平面視で遮光領域内にあることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

Images