JP2013183114A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. シリコン基板の受光面に、シリコン基板の受光面を下面にして反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、
   前記反射防止膜上の所定の位置に電極を形成する電極形成工程と、
   を含む太陽電池の製造方法であって、
   前記反射防止膜形成工程においては、前記電極を形成する位置でシリコン基板を支える太陽電池の製造方法。
2. 前記反射防止膜は、ＣＶＤ法によって形成される請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記ＣＶＤ法は、プラズマＣＶＤ法である請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記電極は、受光面メイン電極である請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
5. 前記受光面メイン電極は、前記反射防止膜を焼成貫通する成分を含まない請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
6. シリコン基板の受光面に、シリコン基板の受光面を下面にして反射防止膜を形成する反射防止膜形成手段と、
   前記反射防止膜上の所定の位置に電極を形成する電極形成手段と、
   を含む太陽電池の製造装置であって、
   前記反射防止膜形成手段は、前記電極を形成する位置でシリコン基板を支える太陽電池の製造装置。
7. シリコン基板と、
   前記シリコン基板の受光面側に形成された受光面拡散層と、
   前記受光面拡散層上に形成された反射防止膜と、
   前記反射防止膜上に形成された受光面メイン電極及び受光面サブ電極と、
   前記シリコン基板の受光面とは反対側の裏面側に形成された裏面電極と、
   を有する太陽電池であって、
   前記反射防止膜の厚さは、前記受光面メイン電極の下の一部領域で、他の領域よりも薄い太陽電池。