JPH11135812A - 太陽電池素子の形成方法 - Google Patents
太陽電池素子の形成方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止膜のパターニングよる減少によって
太陽電池の出力特性が低下し、また電極が反射防止膜上
に形成されると電極剥がれが発生するという問題があっ
た。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板１の一主面
側に逆導電型半導体不純物１ａを拡散して、一主面側に
バスバー部３ａとフィンガー部３ｂから成る格子状の表
面電極３と反射防止膜２を形成し、他の主面側に裏面電
極４を形成する太陽電池素子の形成方法であって、半導
体基板１の一主面側に表面電極３を形成した後に反射防
止膜２を形成し、次いでこの反射防止膜２上から表面電
極３のバスバー部３ａ上に銀ペースト３ｃを塗布して焼
き付けてとバスバー部３ａと接合する。
太陽電池の出力特性が低下し、また電極が反射防止膜上
に形成されると電極剥がれが発生するという問題があっ
た。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板１の一主面
側に逆導電型半導体不純物１ａを拡散して、一主面側に
バスバー部３ａとフィンガー部３ｂから成る格子状の表
面電極３と反射防止膜２を形成し、他の主面側に裏面電
極４を形成する太陽電池素子の形成方法であって、半導
体基板１の一主面側に表面電極３を形成した後に反射防
止膜２を形成し、次いでこの反射防止膜２上から表面電
極３のバスバー部３ａ上に銀ペースト３ｃを塗布して焼
き付けてとバスバー部３ａと接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の形成
方法に関し、特にバスバー部とフィンガー部から成る格
子状の表面電極を有する太陽電池素子の形成方法に関す
る。
方法に関し、特にバスバー部とフィンガー部から成る格
子状の表面電極を有する太陽電池素子の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
太陽電池素子の形成方法を図５に示す。まず、一導電型
を呈する半導体基板１の表面部に逆導電型半導体不純物
が拡散された領域１ａを形成する（同図（ａ）参照）。
次に、半導体基板１の他の主面側に一導電型半導体不純
物を高濃度に含有する層１ｂを形成する（同図（ｂ）参
照）。次に、半導体基板１の一主面側に反射防止膜２を
形成する（同図（ｃ）参照）。次に、半導体基板１の側
面部分をエッチング除去することによって、ｐｎ層を分
離する（同図（ｄ）参照）。次に、反射防止膜２のう
ち、表面電極３を形成する部分Ｒを除去してパターニン
グする（同図（ｅ）参照）。次に、半導体基板１の他の
主面側と一主面側の反射防止膜２を除去した部分Ｒに、
銀ペーストをスクリーン印刷して７００〜８００℃程度
の温度で焼き付けることにより、裏面電極４と表面電極
３を形成する（同図（ｆ）参照）。なお、表面電極３
は、図６に示すように、複数の太陽電池素子を銅箔など
で接続する際に接続領域となるバスバー部３ａと、半導
体接合部で発生した電子を集めるフィンガー部３ｂで構
成され、いずれも半導体基板１に直接接合して形成され
る。また、表面電極３自体は、ガラスフリットを少量含
有する銀で構成される。
太陽電池素子の形成方法を図５に示す。まず、一導電型
を呈する半導体基板１の表面部に逆導電型半導体不純物
が拡散された領域１ａを形成する（同図（ａ）参照）。
次に、半導体基板１の他の主面側に一導電型半導体不純
物を高濃度に含有する層１ｂを形成する（同図（ｂ）参
照）。次に、半導体基板１の一主面側に反射防止膜２を
形成する（同図（ｃ）参照）。次に、半導体基板１の側
面部分をエッチング除去することによって、ｐｎ層を分
離する（同図（ｄ）参照）。次に、反射防止膜２のう
ち、表面電極３を形成する部分Ｒを除去してパターニン
グする（同図（ｅ）参照）。次に、半導体基板１の他の
主面側と一主面側の反射防止膜２を除去した部分Ｒに、
銀ペーストをスクリーン印刷して７００〜８００℃程度
の温度で焼き付けることにより、裏面電極４と表面電極
３を形成する（同図（ｆ）参照）。なお、表面電極３
は、図６に示すように、複数の太陽電池素子を銅箔など
で接続する際に接続領域となるバスバー部３ａと、半導
体接合部で発生した電子を集めるフィンガー部３ｂで構
成され、いずれも半導体基板１に直接接合して形成され
る。また、表面電極３自体は、ガラスフリットを少量含
有する銀で構成される。
【０００３】この従来の太陽電池素子の形成方法では、
表面電極３を形成する際に、表面電極３の形状にそって
反射防止膜２を除去した後に、この除去部分Ｒに表面電
極３を形成するものの、スクリーン印刷のパターン精度
の問題から、反射防止膜２の除去パターンＲと表面電極
３のパターンが位置ずれしないように、反射防止膜２に
おける表面電極３の形成部分Ｒを５０〜１００μｍ程度
広く除去しなければならないという問題があった。反射
防止膜２における表面電極３の形成部分Ｒ、特にフィン
ガー部３ｂ部分の反射防止膜２を広く除去すると、反射
防止効果が低減し、太陽電池としての出力特性、とりわ
け短絡電流値が低下するという問題があった。
表面電極３を形成する際に、表面電極３の形状にそって
反射防止膜２を除去した後に、この除去部分Ｒに表面電
極３を形成するものの、スクリーン印刷のパターン精度
の問題から、反射防止膜２の除去パターンＲと表面電極
３のパターンが位置ずれしないように、反射防止膜２に
おける表面電極３の形成部分Ｒを５０〜１００μｍ程度
広く除去しなければならないという問題があった。反射
防止膜２における表面電極３の形成部分Ｒ、特にフィン
ガー部３ｂ部分の反射防止膜２を広く除去すると、反射
防止効果が低減し、太陽電池としての出力特性、とりわ
け短絡電流値が低下するという問題があった。
【０００４】また、図７に示すような太陽電池素子の形
成方法もある。まず、一導電型を呈する半導体基板１の
表面部に逆導電型半導体不純物を含有する領域１ａを形
成する（同図（ａ）参照）。次に、半導体基板１の他の
主面側に一導電型半導体不純物を高濃度に含有する層１
ｂを形成する（同図（ｂ）参照）。次に、半導体基板１
の一主面側に窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などから成る
反射防止膜２を７００〜９００Å程度の厚みに形成する
（同図（ｃ）参照）。次に、半導体基板１の側面部をエ
ッチングしてｐｎ層を分離をする（同図（ｄ）参照）。
次に、反射防止膜２上に銀ペーストをスクリーン印刷し
て７００〜８００℃程度の温度で焼き付けることによ
り、半導体基板１の表面部にバスバー部３ａとフィンガ
ー部３ｂから成る表面電極３を形成する（同図（ｅ）参
照）。この場合、表面電極３のバスバー部３ａとフィン
ガー部３ｂは、図８に示すように、全て反射防止膜２上
に形成される。
成方法もある。まず、一導電型を呈する半導体基板１の
表面部に逆導電型半導体不純物を含有する領域１ａを形
成する（同図（ａ）参照）。次に、半導体基板１の他の
主面側に一導電型半導体不純物を高濃度に含有する層１
ｂを形成する（同図（ｂ）参照）。次に、半導体基板１
の一主面側に窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などから成る
反射防止膜２を７００〜９００Å程度の厚みに形成する
（同図（ｃ）参照）。次に、半導体基板１の側面部をエ
ッチングしてｐｎ層を分離をする（同図（ｄ）参照）。
次に、反射防止膜２上に銀ペーストをスクリーン印刷し
て７００〜８００℃程度の温度で焼き付けることによ
り、半導体基板１の表面部にバスバー部３ａとフィンガ
ー部３ｂから成る表面電極３を形成する（同図（ｅ）参
照）。この場合、表面電極３のバスバー部３ａとフィン
ガー部３ｂは、図８に示すように、全て反射防止膜２上
に形成される。
【０００５】ところが、この従来の太陽電池素子の形成
方法では、反射防止膜２がプラズマＣＶＤ法などで形成
されて、半導体基板１とは化学的に結合しておらず、こ
の反射防止膜２上に表面電極３を形成することから、表
面電極３が剥離しやすくなり、特に複数の太陽電池を接
続してモジュール化する際に、銅箔が接続される表面電
極３のバスバー部３ａが剥離しやすいという問題があっ
た。
方法では、反射防止膜２がプラズマＣＶＤ法などで形成
されて、半導体基板１とは化学的に結合しておらず、こ
の反射防止膜２上に表面電極３を形成することから、表
面電極３が剥離しやすくなり、特に複数の太陽電池を接
続してモジュール化する際に、銅箔が接続される表面電
極３のバスバー部３ａが剥離しやすいという問題があっ
た。
【０００６】本発明は、このような従来方法の問題点に
鑑みて発明されたものであり、太陽電池の出力特性の低
下と、電極の剥がれを解消した太陽電池素子の形成方法
を提供することを目的とする。
鑑みて発明されたものであり、太陽電池の出力特性の低
下と、電極の剥がれを解消した太陽電池素子の形成方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る太陽電池素子の形成方法では、一導
電型を呈する半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不
純物を拡散して、一主面側にバスバー部とフィンガー部
から成る格子状の表面電極と反射防止膜を形成し、他の
主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法に
おいて、前記半導体基板の一主面側に前記表面電極を形
成した後に前記反射防止膜を形成し、次いでこの反射防
止膜上から前記表面電極のバスバー部上に銀ペーストを
塗布して焼き付ける。
に、請求項１に係る太陽電池素子の形成方法では、一導
電型を呈する半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不
純物を拡散して、一主面側にバスバー部とフィンガー部
から成る格子状の表面電極と反射防止膜を形成し、他の
主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法に
おいて、前記半導体基板の一主面側に前記表面電極を形
成した後に前記反射防止膜を形成し、次いでこの反射防
止膜上から前記表面電極のバスバー部上に銀ペーストを
塗布して焼き付ける。
【０００８】また、請求項２に係る太陽電池素子の形成
方法では、一導電型を呈する半導体基板の一主面側に逆
導電型半導体不純物を拡散して、一主面側にバスバー部
とフィンガー部から成る格子状の表面電極と反射防止膜
を形成し、他の主面側に表面電極を形成する太陽電池素
子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に前
記反射防止膜を形成した後に、この反射防止膜における
前記表面電極のバスバー部形成部分を除去し、次いで前
記反射防止膜上に前記表面電極のフィンガー部を形成す
ると共に、前記反射防止膜の除去部分にバスバー部を形
成する。
方法では、一導電型を呈する半導体基板の一主面側に逆
導電型半導体不純物を拡散して、一主面側にバスバー部
とフィンガー部から成る格子状の表面電極と反射防止膜
を形成し、他の主面側に表面電極を形成する太陽電池素
子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に前
記反射防止膜を形成した後に、この反射防止膜における
前記表面電極のバスバー部形成部分を除去し、次いで前
記反射防止膜上に前記表面電極のフィンガー部を形成す
ると共に、前記反射防止膜の除去部分にバスバー部を形
成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、請求項１に係る太陽電池素子
の形成方法の一実施形態を示す工程図であり、１は半導
体基板、２は反射防止膜、３は表面電極、４は裏面電極
である。
詳細に説明する。図１は、請求項１に係る太陽電池素子
の形成方法の一実施形態を示す工程図であり、１は半導
体基板、２は反射防止膜、３は表面電極、４は裏面電極
である。
【００１０】半導体基板１は、単結晶シリコンや多結晶
シリコンなどから成り、例えばボロン（Ｂ）などの一導
電型半導体不純物を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3程度含有する。この半導体基板１は、単結晶シリコ
ンで形成する場合はＣＺ法などで形成され、多結晶シリ
コンで形成する場合は鋳造法などで形成される。いずれ
の場合も、０．５ｍｍ程度の厚みにスライスされる。
シリコンなどから成り、例えばボロン（Ｂ）などの一導
電型半導体不純物を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3程度含有する。この半導体基板１は、単結晶シリコ
ンで形成する場合はＣＺ法などで形成され、多結晶シリ
コンで形成する場合は鋳造法などで形成される。いずれ
の場合も、０．５ｍｍ程度の厚みにスライスされる。
【００１１】この半導体基板１の一主面側には、例えば
燐（Ｐ）などの逆導電型半導体不純物を含有する領域１
ａが形成されている。この逆導電型半導体不純物を含有
する領域１ａは、ＰＯＣｌ3 を用いた気相拡散法、Ｐ2
Ｏ5 を用いた塗布拡散法、およびＰ+ イオンを直接注入
するイオン注入法などによって形成され、０．１〜０．
５μｍ程度の深さに形成される（図１（ａ）参照）。
燐（Ｐ）などの逆導電型半導体不純物を含有する領域１
ａが形成されている。この逆導電型半導体不純物を含有
する領域１ａは、ＰＯＣｌ3 を用いた気相拡散法、Ｐ2
Ｏ5 を用いた塗布拡散法、およびＰ+ イオンを直接注入
するイオン注入法などによって形成され、０．１〜０．
５μｍ程度の深さに形成される（図１（ａ）参照）。
【００１２】前記半導体基板１の他の主面側（裏面側）
には、裏面近くでのキャリアの再結合による効率の低下
を防ぐために、アルミニウム（Ａｌ）などの一導電型半
導体不純物を高濃度に含有する層１ｂが形成される（同
図（ｂ）参照）。この一導電型半導体不純物を高濃度に
含有する層１ｂは、例えばアルミニウムペーストを塗布
して焼き付けることにより形成される。この一導電型半
導体不純物を高濃度に含有する層１ｂは、長波長光の光
感度を良好にするために有効であり、それを期待しない
場合は必ずしも設ける必要はない。
には、裏面近くでのキャリアの再結合による効率の低下
を防ぐために、アルミニウム（Ａｌ）などの一導電型半
導体不純物を高濃度に含有する層１ｂが形成される（同
図（ｂ）参照）。この一導電型半導体不純物を高濃度に
含有する層１ｂは、例えばアルミニウムペーストを塗布
して焼き付けることにより形成される。この一導電型半
導体不純物を高濃度に含有する層１ｂは、長波長光の光
感度を良好にするために有効であり、それを期待しない
場合は必ずしも設ける必要はない。
【００１３】次に、半導体基板１の一主面側にガラスフ
リットを少量含んだ銀ペーストをスクリーン印刷して７
００〜８００℃程度の温度で焼き付けることにより、表
面電極３を形成する（同図（ｃ）参照）。この表面電極
３は集電用のフィンガー部３ｂとリード線接続用のバス
バー部３ａとから成る。この表面電極３のバスバー部３
ａは、幅２ｍｍ程度に、また厚み８〜１０μｍ程度に形
成される。また、フィンガー部３ｂは、幅１００〜２０
０μｍ程度に、また厚み８〜１０μｍ程度に形成され
る。
リットを少量含んだ銀ペーストをスクリーン印刷して７
００〜８００℃程度の温度で焼き付けることにより、表
面電極３を形成する（同図（ｃ）参照）。この表面電極
３は集電用のフィンガー部３ｂとリード線接続用のバス
バー部３ａとから成る。この表面電極３のバスバー部３
ａは、幅２ｍｍ程度に、また厚み８〜１０μｍ程度に形
成される。また、フィンガー部３ｂは、幅１００〜２０
０μｍ程度に、また厚み８〜１０μｍ程度に形成され
る。
【００１４】次に、半導体基板１の一主面側に反射防止
膜２を形成する。この反射防止膜２は窒化シリコン膜
（ＳｉＮx ）などから成り、プラズマＣＶＤ法などで７
００〜９００Å程度の厚みに形成される（同図（ｄ）参
照）。この場合、表面電極３のバスバー部３ａとフィン
ガー部３ｂは、反射防止膜２の下部に位置する。
膜２を形成する。この反射防止膜２は窒化シリコン膜
（ＳｉＮx ）などから成り、プラズマＣＶＤ法などで７
００〜９００Å程度の厚みに形成される（同図（ｄ）参
照）。この場合、表面電極３のバスバー部３ａとフィン
ガー部３ｂは、反射防止膜２の下部に位置する。
【００１５】次に、半導体基板１の側面部の逆導電型半
導体不純物を含有する領域１ａを除去することによっ
て、ｐｎ層を分離する（同図（ｅ）参照）。
導体不純物を含有する領域１ａを除去することによっ
て、ｐｎ層を分離する（同図（ｅ）参照）。
【００１６】次に、表面電極３のバスバー部３ａ上に反
射防止膜２上から、ガラスフリットを少量含有する銀ペ
ースト３ｃをスクリーン印刷して７００〜８００℃程度
の温度で焼き付ける（同図（ｆ）参照）。反射防止膜２
は７００〜９００Å程度と極めて薄い層であるため、銀
ペースト３ｃを塗布して７００〜８００℃程度で数分間
焼成すると、銀ペースト３ｃは、反射防止膜２を排除し
て表面電極３のバスバー部３ａに接続され、バスバー３
ａと銀ペースト３ｃとで導通を得ることができる。
射防止膜２上から、ガラスフリットを少量含有する銀ペ
ースト３ｃをスクリーン印刷して７００〜８００℃程度
の温度で焼き付ける（同図（ｆ）参照）。反射防止膜２
は７００〜９００Å程度と極めて薄い層であるため、銀
ペースト３ｃを塗布して７００〜８００℃程度で数分間
焼成すると、銀ペースト３ｃは、反射防止膜２を排除し
て表面電極３のバスバー部３ａに接続され、バスバー３
ａと銀ペースト３ｃとで導通を得ることができる。
【００１７】また、表面電極３のフィンガー部３ｂは、
半導体基板１の表面に直接形成されていることから、こ
の表面電極３のフィンガー部３ｂを形成するために、反
射防止膜２を除去する必要はない。したがって、反射防
止膜２の面積が減少することによって出力特性が低下す
ることはない。
半導体基板１の表面に直接形成されていることから、こ
の表面電極３のフィンガー部３ｂを形成するために、反
射防止膜２を除去する必要はない。したがって、反射防
止膜２の面積が減少することによって出力特性が低下す
ることはない。
【００１８】なお、表面電極３をスクリーン印刷する直
前に、半導体基板１の裏面側に裏面電極４をスクリーン
印刷して、表面電極３と同時に焼き付けることによっ
て、半導体基板１の裏面側に裏面電極４が形成される。
また、焼き付けた銀ペースト３ｃ部分と裏面電極４の表
面部分には、モジュール化する際の便宜のために、必要
に応じてハンダ層（不図示）が２〜３μｍ程度の厚みに
形成される。
前に、半導体基板１の裏面側に裏面電極４をスクリーン
印刷して、表面電極３と同時に焼き付けることによっ
て、半導体基板１の裏面側に裏面電極４が形成される。
また、焼き付けた銀ペースト３ｃ部分と裏面電極４の表
面部分には、モジュール化する際の便宜のために、必要
に応じてハンダ層（不図示）が２〜３μｍ程度の厚みに
形成される。
【００１９】次に、請求項２に係る太陽電池素子の形成
方法を図３に基づいて説明する。まず、一導電型半導体
不純物を含有する半導体基板１の一主面側に逆導電型半
導体不純物を含有する領域１ａを形成する（同図（ａ）
参照）。
方法を図３に基づいて説明する。まず、一導電型半導体
不純物を含有する半導体基板１の一主面側に逆導電型半
導体不純物を含有する領域１ａを形成する（同図（ａ）
参照）。
【００２０】次に、半導体基板１の他の主面側に一導電
型半導体不純物を高濃度に含有する層１ｂを形成する
（同図（ｂ）参照）。
型半導体不純物を高濃度に含有する層１ｂを形成する
（同図（ｂ）参照）。
【００２１】次に、半導体基板１の一主面側に厚み７０
０〜９００Å程度の窒化シリコン膜などから成る反射防
止膜２をプラズマＣＶＤ法などで形成する（同図（ｃ）
参照）。
０〜９００Å程度の窒化シリコン膜などから成る反射防
止膜２をプラズマＣＶＤ法などで形成する（同図（ｃ）
参照）。
【００２２】次に、半導体基板１の側面部の逆導電型半
導体不純物を含有する領域１ａを除去することによっ
て、ｐｎ相を分離する（同図（ｄ）参照）。
導体不純物を含有する領域１ａを除去することによっ
て、ｐｎ相を分離する（同図（ｄ）参照）。
【００２３】また、反射防止膜２における表面電極３の
バスバー部３ａ形成部分をエッチングにより除去する。
このエッチングは、バッファー弗酸（ＢＨＦ）などによ
って行われる。
バスバー部３ａ形成部分をエッチングにより除去する。
このエッチングは、バッファー弗酸（ＢＨＦ）などによ
って行われる。
【００２４】次に、ガラスフリットを少量含有する銀ペ
ーストをスクリーン印刷して７００〜９００℃の温度で
焼き付けることにより、表面電極３のバスバー部３ａと
フィンガー部３ｂを形成する（同図（ｅ）参照）。この
場合、バスバー部３ａは反射防止膜２が形成されていな
い半導体基板１上に直接接合して形成される。したがっ
て、表面電極３の接合強度は充分得られる。また、フィ
ンガー部３ｂは反射防止膜２上に形成されることから、
フィンガー部３ｂを形成するために、反射防止膜２を除
去する必要はない。したがって、反射防止膜２の減少に
よる出力特性の低下が防止できる。なお、表面電極３の
バスバー部３ａは、２ｍｍ程度に幅広に形成されること
から、反射防止膜２の除去部分に位置ずれなどを発生さ
せることなく形成することができる。
ーストをスクリーン印刷して７００〜９００℃の温度で
焼き付けることにより、表面電極３のバスバー部３ａと
フィンガー部３ｂを形成する（同図（ｅ）参照）。この
場合、バスバー部３ａは反射防止膜２が形成されていな
い半導体基板１上に直接接合して形成される。したがっ
て、表面電極３の接合強度は充分得られる。また、フィ
ンガー部３ｂは反射防止膜２上に形成されることから、
フィンガー部３ｂを形成するために、反射防止膜２を除
去する必要はない。したがって、反射防止膜２の減少に
よる出力特性の低下が防止できる。なお、表面電極３の
バスバー部３ａは、２ｍｍ程度に幅広に形成されること
から、反射防止膜２の除去部分に位置ずれなどを発生さ
せることなく形成することができる。
【００２５】なお、表面電極３を形成する直前に、半導
体基板１の裏面側にも銀ペーストが塗布されて、表面電
極３と同時に焼き付けられることによって、裏面電極４
が形成される。また、表面電極３および裏面電極４の表
面部分には、複数の太陽電池素子を銅箔などで接続する
モジュール化の際の便宜のために、必要に応じてハンダ
層（不図示）が２〜３μｍ程度の厚みに形成される。
体基板１の裏面側にも銀ペーストが塗布されて、表面電
極３と同時に焼き付けられることによって、裏面電極４
が形成される。また、表面電極３および裏面電極４の表
面部分には、複数の太陽電池素子を銅箔などで接続する
モジュール化の際の便宜のために、必要に応じてハンダ
層（不図示）が２〜３μｍ程度の厚みに形成される。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る太陽電池
素子の形成方法によれば、半導体基板の一主面側に表面
電極を形成した後に反射防止膜を形成し、次いでこの反
射防止膜上から表面電極のバスバー部上に銀ペーストを
塗布して焼き付けてバスバー部と接合させることから、
太陽電池素子の受光面側の電極形成部分以外はすべて反
射防止膜で被覆され、反射防止効果が低減することはな
く、もって太陽電池としての出力特性、とりわけ短絡電
流値の低下を招来することがない。また、表面電極は、
半導体基板上に直接形成されることから、表面電極の接
合強度も向上し、電極の剥がれなどを誘発することがな
い。
素子の形成方法によれば、半導体基板の一主面側に表面
電極を形成した後に反射防止膜を形成し、次いでこの反
射防止膜上から表面電極のバスバー部上に銀ペーストを
塗布して焼き付けてバスバー部と接合させることから、
太陽電池素子の受光面側の電極形成部分以外はすべて反
射防止膜で被覆され、反射防止効果が低減することはな
く、もって太陽電池としての出力特性、とりわけ短絡電
流値の低下を招来することがない。また、表面電極は、
半導体基板上に直接形成されることから、表面電極の接
合強度も向上し、電極の剥がれなどを誘発することがな
い。
【００２７】また、請求項２に係る太陽電池素子の形成
方法によれば、半導体基板の一主面側に反射防止膜を形
成した後に、この反射防止膜における表面電極のバスバ
ー部形成部分を除去し、次いでこの反射防止膜上に表面
電極のフィンガー部を形成すると共に、反射防止膜の除
去部分にバスバー部を形成することから、太陽電池素子
の受光面側の電極形成部分以外は殆どすべて反射防止膜
で被覆され、反射防止効果が低減することはなく、もっ
て太陽電池としての出力特性、とりわけ短絡電流値の低
下を招来することがない。また、表面電極のバスバー部
は、半導体基板上に直接形成されることから、表面電極
の接合強度も向上し、電極の剥がれなどを誘発すること
がない。
方法によれば、半導体基板の一主面側に反射防止膜を形
成した後に、この反射防止膜における表面電極のバスバ
ー部形成部分を除去し、次いでこの反射防止膜上に表面
電極のフィンガー部を形成すると共に、反射防止膜の除
去部分にバスバー部を形成することから、太陽電池素子
の受光面側の電極形成部分以外は殆どすべて反射防止膜
で被覆され、反射防止効果が低減することはなく、もっ
て太陽電池としての出力特性、とりわけ短絡電流値の低
下を招来することがない。また、表面電極のバスバー部
は、半導体基板上に直接形成されることから、表面電極
の接合強度も向上し、電極の剥がれなどを誘発すること
がない。
【図１】請求項１に係る太陽電池素子の形成方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】請求項１の形成方法による太陽電池素子を平面
視した状態を示す図である。
視した状態を示す図である。
【図３】請求項２に係る太陽電池素子の形成方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】請求項２の形成方法による太陽電池素子を平面
視した状態を示す図である。
視した状態を示す図である。
【図５】従来の太陽電池素子の形成方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図６】従来の形成方法による太陽電池素子を平面視し
た状態を示す図である。
た状態を示す図である。
【図７】従来の他の太陽電池素子の形成方法を示す工程
図である。
図である。
【図８】従来の他の形成方法による太陽電池素子を平面
視した状態を示す図である。
視した状態を示す図である。
１‥‥‥半導体基板、１ａ‥‥‥逆導電型半導体不純物
を含有する領域、２‥‥‥反射防止膜、３‥‥‥表面電
極、３ａ‥‥‥バスバー部、３ｂ‥‥‥フィンガー部、
４‥‥‥裏面電極
を含有する領域、２‥‥‥反射防止膜、３‥‥‥表面電
極、３ａ‥‥‥バスバー部、３ｂ‥‥‥フィンガー部、
４‥‥‥裏面電極
Claims (2)
- 【請求項１】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に逆導電型半導体不純物を拡散して、一主面側にバスバ
ー部とフィンガー部から成る格子状の表面電極と反射防
止膜を形成し、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電
池素子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側
に前記表面電極を形成した後に前記反射防止膜を形成
し、次いでこの反射防止膜上から前記表面電極のバスバ
ー部上に銀ーストを塗布して焼き付けることを特徴とす
る太陽電池素子の形成方法。 - 【請求項２】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に逆導電型半導体不純物を拡散して、一主面側にバスバ
ー部とフィンガー部から成る格子状の表面電極と反射防
止膜を形成し、他の主面側に表面電極を形成する太陽電
池素子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側
に前記反射防止膜を形成した後に、この反射防止膜にお
ける前記表面電極のバスバー部形成部分を除去し、次い
で前記反射防止膜上に前記表面電極のフィンガー部を形
成すると共に、前記反射防止膜の除去部分にバスバー部
を形成することを特徴とする太陽電池素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9297055A JPH11135812A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 太陽電池素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9297055A JPH11135812A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 太陽電池素子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135812A true JPH11135812A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17841638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9297055A Pending JPH11135812A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 太陽電池素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135812A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340812A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| WO2008023795A1 (fr) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Module de pile solaire et procédé de fabrication de module de pile solaire |
| JP2011035101A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2013149815A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2013183114A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法、製造装置及び太陽電池 |
| JP2015062251A (ja) * | 2014-11-28 | 2015-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2016072601A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP9297055A patent/JPH11135812A/ja active Pending
Cited By (10)
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| US10043931B2 (en) | 2006-08-25 | 2018-08-07 | Panasonic Itellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module and solar cell module manufacturing method |
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