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Abstract
【解決手段】支持基板と、当該支持基板上において、第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置であって、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して無作為に異なる、表示装置。
【選択図】図1
Description
当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、
前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、
前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置であって、
前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、
前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される、表示装置に関する。
前記複数の有機EL素子の画素電極と、当該画素電極が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜とが設けられた支持基板を用意する工程と、
前記絶縁膜上に、複数本の隔壁部材を形成し、隔壁を設ける工程と、
前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する工程と、
前記機能層上に上部電極を形成する工程とを有し、
前記支持基板を用意する工程では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の前記第2の方向のずれる程度、および面積の異なる程度が、無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、表示装置の製造方法に関する。
まず発光装置の構成について説明する。図1は本実施形態の発光装置21を模式的に示す平面図であり、図2は発光装置21を模式的に拡大して示す断面図である。発光装置21は主に支持基板11と、この支持基板上に設けられる複数の有機EL素子22とを含んで構成される。
(II)緑色の光を放つ複数の有機EL素子22Gが第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置される行。
(III)青色の光を放つ複数の有機EL素子22Bが第1の方向Xに所定の間隔をあけて配置される行。
(ii)緑色の光を放つ発光層14Gが設けられる行。
(iii)青色の光を放つ発光層14Bが設けられる行。
ここで記号「A」は、0.02〜0.2であり、0.03〜0.07が好ましい。
ここで記号「B」は、0.02〜0.2であり、0.03〜0.07が好ましい。
図5では、ノズルの本数(8本)を周期として膜厚に周期性が顕著にあらわれているが、ΔS、ΔLを無作為に設定することにより、膜厚の周期性が緩和されることが理解される。
つぎに発光装置の製造方法について説明する。
本工程では複数の有機EL素子の画素電極12と、当該画素電極12が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜15とがその上に設けられた支持基板11を用意する。アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機EL素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を、支持基板11として用いることができる。たとえばTFT(Thin Film Transistor)およびキャパシタなどが予め形成された基板を支持基板として用いることができる。なお画素電極12および絶縁膜15を以下のように本工程で形成することによって、画素電極12および絶縁膜15がその上に設けられた支持基板11を用意してもよいが、画素電極12および絶縁膜15が予めその上に設けられた支持基板11を市場から入手することにより支持基板11を用意してもよい。
本工程では、前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する。なお所定のインキとは機能層(本実施形態では正孔注入層および発光層)となる材料を含むインキを意味する。なお本工程では機能層が複数層設けられる場合、少なくとも1層をノズルプリンティング法によって形成する。
(1)ノズル2を第1の方向Xの一端から他端に移動する工程。
(2)ノズルの本数分の行だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
(3)ノズル2を第1の方向Xの他端から一端に移動する工程。
(4)ノズルの本数分の行だけ支持基板を第2の方向Yの一方に移動する工程。
つぎに発光層を形成する。前述したようにカラー表示装置を作製する場合、3種類の有機EL素子を作製する必要がある。そのため発光層の材料を行ごとに塗りわける必要がある。たとえば3種類の発光層を行ごとに形成する場合、赤色の光を放つ材料を含む赤インキ、緑色の光を放つ材料を含む緑インキ、青色の光を放つ材料を含む青インキを、それぞれ第2の方向Yに2行の間隔をあけて塗布する必要がある。これら赤インキ、緑インキ、青インキを所定の行に順次塗布することによって、各発光層を塗布成膜することができる。
(1)ノズル2を第1の方向Xの一端から他端に移動する工程。
(2)ノズルの本数分×3行分だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
(3)ノズル2を第1の方向Xの他端から一端に移動する工程。
(4)ノズルの本数分×3行分だけ支持基板11を第2の方向Yの一方に移動する工程。
つぎに上部電極を形成する。前述したように本実施形態では上部電極を支持基板上の全面に形成する。これによって複数の有機EL素子を基板上に形成することができる。
前述したように有機EL素子は種々の層構成をとりうるが、以下では有機EL素子の層構造、各層の構成、および各層の形成方法についてさらに詳しく説明する。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
q)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
また「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子の構成として、下記r)に示す層構成を挙げることができる。
r)陽極/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極
なお記号「x」は、2以上の整数を表し、(構造単位B)xは、構造単位Bがx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
発光層から放たれる光が陽極を通って素子外に出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放たれる光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば103〜108程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
金属錯体系材料としては、たとえばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばLiF/Caなどを挙げることができる。
2 ノズル
3 薄膜
11 支持基板
12 画素電極
13 正孔注入層
14 発光層
15 絶縁膜
16 上部電極
17 隔壁
18 凹部
20 隔壁部材
21 発光装置
22 有機EL素子
Claims (2)
- 支持基板と、
当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、
前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、
前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置であって、
前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を、基準の開口として仮想的に設定すると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、
前記各開口の、前記第2の方向にずれる程度、および面積の異なる程度は、無作為に設定される、表示装置。 - 支持基板と、当該支持基板上において、第1の方向および当該第1の方向と交差する第2の方向にそれぞれ所定の間隔をあけてマトリクス状に配置される複数の有機EL素子と、前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機EL素子に対応する位置に開口が形成され、当該開口により前記各有機EL素子を個別に規定する絶縁膜と、前記絶縁膜上において前記第2の方向に隣り合う有機EL素子間に配置され、前記第2の方向に等しい間隔をあけて、第1の方向に延在する複数本の隔壁部材からなる隔壁とを備える表示装置の製造方法であって、
前記複数の有機EL素子の画素電極と、当該画素電極が前記開口から露出するように配置された前記絶縁膜とが設けられた支持基板を用意する工程と、
前記絶縁膜上に、複数本の隔壁部材を形成し、隔壁を設ける工程と、
前記隔壁部材間にノズルプリンティング法により所定のインキを供給し、これを固化することにより、有機EL素子の所定の機能層を形成する工程と、
前記機能層上に上部電極を形成する工程とを有し、
前記支持基板を用意する工程では、前記第2の方向に隣り合う隔壁部材の中央に設けられ、特定の面積を有する開口を基準の開口とすると、前記各開口は、それぞれ、その第2の方向の中心が、前記基準の開口に対して第2の方向にずれる、及び/又は、その面積が、前記基準の開口に対して異なり、前記各開口の前記第2の方向のずれる程度、および面積の異なる程度が、無作為に設定された絶縁膜が設けられた支持基板を用意する、表示装置の製造方法。
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