JP4849175B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
各有機EL素子は、第1の電極と、塗布法によって形成される低抵抗層と、この低抵抗層よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、発光層と、第2の電極とが、支持基板寄りからこの順に配置されて構成され、
前記低抵抗層は、その端部に、隔壁表面に沿って支持基板から離反する向きに這い上がる這い上がり部を有し、
前記高抵抗層は、隔壁を介在させて隣り合う一方の有機EL素子から他方の有機EL素子に亘って連続して形成される、発光装置に関する。
前記隔壁および第1の電極が設けられた支持基板を用意する工程と、
低抵抗層となる材料を含むインキを隔壁間に供給し、これを固化して低抵抗層を形成する工程と、
複数の有機EL素子が形成されるべき全領域に亘ってインキが連なるように、高抵抗層となる材料を含むインキを前記全領域に供給し、これを固化して高抵抗層を形成する工程と、
発光層を形成する工程と、
第2の電極を形成する工程とを含む、発光装置の製造方法に関する。
まず発光装置の構成について説明する。図1は本実施形態の発光装置21を模式的に示す断面図であり、図2は発光装置21を模式的に示す平面図である。発光装置21は主に支持基板11と、この支持基板11上に形成される複数の有機EL素子22と、支持基板11上において複数の有機EL素子を区分けする隔壁17とを含んで構成される。
(I)赤色の光を放つ複数の有機EL素子22Rが所定の間隔をあけて配置される行。
(II)緑色の光を放つ複数の有機EL素子22Gが所定の間隔をあけて配置される行。(III)青色の光を放つ複数の有機EL素子22Bが所定の間隔をあけて配置される行。
(i)赤色の光を放つ発光層15Rが設けられる行。
(ii)緑色の光を放つ発光層15Gが設けられる行。
(iii)青色の光を放つ発光層15Bが設けられる行の3種類の行。
次に発光装置の製造方法について説明する。
まず支持基板11を用意する。アクティブマトリクス型の表示装置の場合、この支持基板11として、複数の有機EL素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を用いることができる。たとえばTFT(Thin Film Transistor)が予め形成された基板を支持基板として用いることができる。
たとえば隔壁17の列方向Yの幅L1は、5μm〜50μm程度であり、隔壁17の高さL2は0.5μm〜5μm程度であり、列方向Yに隣り合う隔壁17間の間隔L3、すなわち凹部18の列方向Yの幅L3は、10μm〜200μm程度である。また第1の電極12の行方向Xおよび列方向Yの幅はそれぞれ10μm〜400μm程度である。
本工程では低抵抗層となる材料を含むインキを隔壁間に供給し、これを固化して低抵抗層を形成する。本実施形態では正孔注入層として機能する低抵抗層を形成するため、正孔注入層となる材料を含むインキを隔壁間に供給し、これを固化して低抵抗層を形成する。
本工程では、まず複数の有機EL素子が形成されるべき全領域に亘ってインキが連なるように、高抵抗層となる材料を含むインキを前記全領域に供給する。このように全面にインキを供給する方法としては、スピンコート法、スリットコート法、CAPコート法などをあげることができる。なお高抵抗層は塗布法に限らず、蒸着法やスパッタリング法などの所定の乾式法によって形成してもよい。
次に発光層を形成する。前述したようにカラー表示装置を作製する場合には、3種類の有機EL素子を作製するために、発光層の材料を行ごとに塗りわける必要がある。たとえば3種類の発光層を行ごとに形成する場合、赤色の光を放つ材料を含む赤インキ、緑色の光を放つ材料を含む緑インキ、青色の光を放つ材料を含む青インキを、それぞれ列方向Yに2列の間隔をあけて塗布する必要がある。そして赤インキ、緑インキ、青インキを所定の行に順次塗布することによって各発光層を塗布成膜することができる。赤インキ、緑インキ、青インキを所定の行に順次塗布する方法としては、印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法などの所定の塗布法が挙げられる。たとえばノズルプリンティング法では前述した低抵抗層を形成する方法と同様にしてインキを塗布することができる。
次に第2の電極を形成する。前述したように本実施形態では第2の電極を支持基板上の全面に形成する。これによって複数の有機EL素子を基板上に形成することができる。
前述したように有機EL素子は種々の層構成をとりうるが、以下では有機EL素子の層構造、各層の構成、および各層の形成方法についてさらに詳しく説明する。
a)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
c)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
d)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
g)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
発光層から放たれる光が陽極を通って出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
発光層は通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、またはこの有機物とこれを補助するドーパントとから構成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103〜108である高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放たれる光を陰極で陽極に向けて反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
2 陽極
3 正孔注入層
3a 這い上がり部
4 正孔輸送層
5 発光層
6 陰極
7 隔壁
11 支持基板
12 第1の電極(陽極)
13 低抵抗層(正孔注入層)
13a 這い上がり部
14 高抵抗層(正孔輸送層)
15 発光層
16 第2の電極(陰極)
17 隔壁
18 凹部
19 絶縁膜
21 発光装置
22 有機EL素子
Claims (4)
- 支持基板と、前記支持基板上において複数の有機EL素子を区分けする隔壁と、前記隔壁間に設けられる複数の有機EL素子とを備える発光装置であって、
各有機EL素子は、第1の電極と、塗布法によって形成される低抵抗層と、この低抵抗層よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、発光層と、第2の電極とが、支持基板寄りからこの順に配置されて構成され、
前記低抵抗層は、その端部に、隔壁表面に沿って支持基板から離反する向きに這い上がる這い上がり部を有し、
前記高抵抗層は、隔壁を介在させて隣り合う一方の有機EL素子から他方の有機EL素子に亘って連続して形成され、
前記低抵抗層は、隔壁間に配置され、
隔壁を介在させて隣り合う一方の有機EL素子の低抵抗層と、他方の有機EL素子の低抵抗層とは、隔壁によって分離され、その這い上がり部が前記高抵抗層によって覆われる、発光装置。 - 前記塗布法がノズルプリンティング法である請求項1記載の発光装置。
- 支持基板と、前記支持基板上において複数の有機EL素子を区分けする隔壁と、前記隔壁間に設けられる複数の有機EL素子とを備える発光装置であり、前記有機EL素子は、第1の電極と、低抵抗層と、この低抵抗層よりも電気抵抗の高い高抵抗層と、発光層と、第2の電極とが、支持基板寄りからこの順に配置されて構成される、発光装置の製造方法において、
前記隔壁および第1の電極が設けられた支持基板を用意する工程と、
低抵抗層となる材料を含むインキを隔壁間に供給し、これを固化して、その端部に、隔壁表面に沿って支持基板から離反する向きに這い上がる這い上がり部を有する低抵抗層を形成する工程と、
複数の有機EL素子が形成されるべき全領域に亘ってインキが連なるように、高抵抗層となる材料を含むインキを前記全領域に供給し、これを固化して、前記低抵抗層の這い上がり部を前記高抵抗層が覆うように前記高抵抗層を形成する工程と、
発光層を形成する工程と、
第2の電極を形成する工程とを含み、
前記低抵抗層を形成する工程では、隔壁を介在させて隣り合う一方の有機EL素子の低抵抗層と、他方の有機EL素子の低抵抗層とは、隔壁によって分離されるように、低抵抗層を形成する、発光装置の製造方法。 - 前記低抵抗層を形成する工程では、ノズルプリンティング法によって、前記インキを隔壁間に供給する、請求項3記載の発光装置の製造方法。
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