JP2013135113A - 部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】部品内蔵基板1は、第1及び第2プリント配線基材10,20を熱圧着により一括積層したもので、第2プリント配線基材20に貫通形成された収容部29内に、第1プリント配線基材10に接続された電子部品90を収容してなる。部品内蔵基板1は、第1プリント配線基材10のビア14に電子部品90の再配線電極91を接続して電子部品90を仮留めする。その後、第2プリント配線基材20の収容部29内に電子部品90が収まるように位置決めして、第1及び第2プリント配線基材10,20を積層し、積層方向両側から加熱加圧して一括積層を施した後に、ソルダーレジスト8を形成することで製造される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る部品内蔵基板の製造方法により形成された部品内蔵基板の構造を示す断面図である。図1に示すように、部品内蔵基板1は、第1プリント配線基材10と第2プリント配線基材20とを熱圧着により一括積層した構造を備えている。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る部品内蔵基板の製造方法により形成された部品内蔵基板の構造を示す断面図である。図2に示すように、部品内蔵基板1Aは、第1プリント配線基材10と、第2プリント配線基材20と、第3プリント配線基材30と、第4プリント配線基材40とを熱圧着により一括積層した構造を備えている。
図3〜図8は、部品内蔵基板の製造工程を示すフローチャートである。図9〜図14は、部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。なお、図3及び図9は、第1プリント配線基材10について、図4及び図10は、第2プリント配線基材20について、図5及び図11は、第3プリント配線基材30について、図6及び図12は、第4プリント配線基材40についてそれぞれの製造工程の詳細を示している。
図16は、本発明の第3の実施形態に係る部品内蔵基板の製造方法により形成された部品内蔵基板を実装基板に実装した部品内蔵基板実装体の構造を示す断面図である。図16に示すように、第3の実施形態に係る部品内蔵基板実装体101は、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1に、第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aの第3プリント配線基材30を加え、これら第1〜第3プリント配線基材10〜30を熱圧着により一括積層した構造の部品内蔵基板1Bを備えている点が、先の部品内蔵基板実装体100と相違している。このようにしても、上述した作用効果を奏することができる。また、この実施形態によれば、部品内蔵基板実装体100と比較して、電子部品と実装基板との距離が短くなるので、熱抵抗が小さくなり、放熱特性が良い。
図17は、本発明の第4の実施形態に係る部品内蔵基板の製造方法により形成された部品内蔵基板を実装基板に実装した部品内蔵基板実装体の構造を示す断面図である。図17に示すように、第4の実施形態に係る部品内蔵基板実装体102は、第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aの第4プリント配線基材40に変更を加えた構造の部品内蔵基板1Cを備えている点が、先の部品内蔵基板実装体100と相違している。
2 実装基板
4 孔部
5 ビアホール
6 マスク材
7 導体層
8 ソルダーレジスト
9 接着層
10 第1プリント配線基材
11 第1樹脂基材
12 配線
14 ビア
20 第2プリント配線基材
21 第2樹脂基材
22 配線
22a めっき層
24 ビア
28 開口部
29 収容部
30 第3プリント配線基材
31 第3樹脂基材
32 配線
34 ビア
40 第4プリント配線基材
41 第4樹脂基材
42 配線
44 ビア
45 サーマルビア
46 サーマル配線
48 バンプ
49 貫通孔
90 電子部品
93 金属層
100 部品内蔵基板実装体
Claims (4)
- 絶縁層の少なくとも一方の面に配線パターンが形成されると共に前記配線パターンと接続されるビアが形成された複数のプリント配線基材を一括積層すると共に電子部品を内蔵してなる部品内蔵基板の製造方法であって、
前記絶縁層の一方の面に前記配線パターンを形成し、他方の面側から前記配線パターンが露出するように開口部を形成した後、前記開口部内に導電性ペーストを充填して前記ビアを有する第1プリント配線基材を形成する工程と、
前記電子部品の電極形成面とは反対側の裏面に、金属層を形成する工程と、
前記絶縁層の両面に前記配線パターンを形成し、一方の面側の配線パターンから他方の面側の配線パターンに到達するように、又は前記両面の配線パターンを貫通するように開口部を形成した後、前記開口部内にめっきを施して前記ビアを有する第2プリント配線基材を形成する工程と、
前記第2プリント配線基材の所定箇所に貫通孔からなる前記電子部品の収容部を形成する工程と、
前記第1プリント配線基材の前記ビアに前記電子部品の電極を接続して前記電子部品を仮留めする工程と、
前記第1及び第2プリント配線基材を前記電子部品が前記収容部内に収まると共に前記金属層が露出するように位置合わせした上で、積層方向両側から加熱加圧して一括積層し、前記ビアと前記配線パターンとを接続する工程とを備えた
ことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 前記絶縁層の一方の面に前記配線パターンを形成し、他方の面側から前記配線パターンが露出するように開口部を形成した後、前記開口部内に導電性ペーストを充填して前記ビアを形成すると共に、前記絶縁層及び前記配線パターンを貫通する貫通孔を所定箇所に有する第3プリント配線基材を形成する工程を更に備え、
前記一括積層する際に、前記収容部内に収容された前記電子部品の前記金属層が前記貫通孔から露出するように前記第3プリント配線基材を位置合わせした上で一括積層する
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板の製造方法。 - 前記第2プリント配線基材の表面における前記配線パターン及び前記金属層の少なくとも一部が露出するように、ソルダーレジストで前記表面を覆う工程と、
前記露出した配線パターン及び金属層上に、半田バンプを形成する工程とを更に備えた
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板の製造方法。 - 前記第3プリント配線基材の表面における前記配線パターンの少なくとも一部及び前記貫通孔が露出するように、ソルダーレジストで前記表面を覆う工程と、
前記露出した配線パターン及び貫通孔を通した前記金属層上に、半田バンプを形成する工程とを更に備えた
ことを特徴とする請求項2記載の部品内蔵基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2015205810A Division JP6020943B2 (ja) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 部品内蔵基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013135113A true JP2013135113A (ja) | 2013-07-08 |
Family
ID=48911610
Family Applications (1)
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JP2011285277A Pending JP2013135113A (ja) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 部品内蔵基板の製造方法 |
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JP (1) | JP2013135113A (ja) |
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