JP2012230402A

JP2012230402A - 表示装置

Info

Publication number: JP2012230402A
Application number: JP2012144139A
Authority: JP
Inventors: Keisuke Miyagawa; 恵介宮川; Sho Nagao; 祥長尾; Hisashi Otani; 久大谷
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-08-03
Filing date: 2012-06-27
Publication date: 2012-11-22
Also published as: TW200622981A; US7817170B2; TWI397036B; CN1993723A; CN100520874C; WO2006013799A1; US20090189921A1

Abstract

【課題】駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑える。
【解決手段】複数のサブフレーム期間を用いて、階調表示される画素部を有し、
第１のテーブルは、画素部のうち第１の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、第２のテーブルは、画素部のうち、第１の画素に隣接する第２の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、同一階調を表示するために第１のテーブルに記録された複数のサブフレーム期間の数と、第２のテーブルに記憶された複数のサブフレーム期間の数は異なり、記第１のテーブルに記憶された、階調が１段階異なっている２つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在し、記第２のテーブルに記憶された、階調が１段階異なっている２つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在している表示装置である。
【選択図】図１

Description

本発明は、時間階調法で表示を行う表示装置及び該表示装置の駆動方法に関する。

表示装置の一つである発光装置の駆動方法に、デジタルのビデオ信号が有する２値の電圧
を用い、１フレーム期間中において画素が発光する時間を制御することで、階調を表示す
る時間階調法がある。一般的に液晶などに比べて電界発光材料の応答速度は速いため、時
間階調法により適していると言える。具体的に時間階調法で表示を行う場合、１フレーム
期間を複数のサブフレーム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期
間において画素を発光または非発光の状態にする。上記構成により、１フレーム期間中に
画素が実際に発光する期間の合計の長さを、ビデオ信号により制御し、階調を表示するこ
とができる。

しかし時間階調法で表示を行う場合、フレーム周波数によっては画素部に擬似輪郭が表示
されてしまうという問題があった。擬似輪郭とは、時間階調法で中間階調を表示したとき
に度々視認される不自然な輪郭線であって、人間の視覚の特性によって生じる知覚輝度の
変動が主な原因とされている。

上述した擬似輪郭を防止するための技術として、下記特許文献１には、発光の状態にある
サブフレーム期間を１フレーム期間内に連続的に出現させるプラズマディスプレイの駆動
方法について記載されている。上記駆動方法により、隣り合うフレーム期間どうしで、１
フレーム期間内において発光の状態にある期間と、非発光の状態にある期間とが互いに反
転するような事態が生じなくなるので、擬似輪郭を抑制出来るとされている。

特開２０００−２３１３６２号公報

しかし特許文献１に記載されている駆動方法では、総階調数と、１フレーム期間内に出現
するサブフレーム期間の数とが一致している。よって、総階調数を高めるためにサブフレ
ーム期間の数を増やすと、各サブフレーム期間を短くする必要が生じる。ところが通常の
表示装置では、ビデオ信号をサブフレーム期間ごとに全ての行の画素に入力しなくてはな
らない。そのため、サブフレーム期間が短すぎる場合、駆動回路の駆動周波数を高める必
要がある。よって、駆動回路の信頼性を考慮すると、むやみにサブフレーム期間を短くす
るのは好ましくない。

なお、フレーム期間を長くすることで、各サブフレーム期間をある程度長くすることはで
きる。しかし、フレーム期間を長くしても総階調数を飛躍的に増やすことは期待できず、
その上擬似輪郭が発生しやすくなるので好ましくない。

そこで特許文献１では、ディザなどの画像処理を行ない、サブフレームの数を増やさずに
、表示する総階調数を擬似的に高める技術についても記載されている。しかしディザなど
の画像処理を行うと、高い総階調数を表示することはできるが、砂を撒いたように画像が
ざらついて表示されるため、画質の低下は免れない。

本発明は上述した問題に鑑み、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑え
ることができる表示装置の駆動方法の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑
えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる表示装置の駆動方法の提案を課題とする。

また本発明は上述した問題に鑑み、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を
抑えることができる表示装置の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ
、擬似輪郭の発生を抑えることができる表示装置の提案を課題とする。

上記課題を鑑み本発明は、表示装置に複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となる
サブフレームを定めたデータが記憶されたテーブルがそれぞれ設けられていることを特徴
とする。複数のサブフレーム期間は、複数の画素から任意の画素に対して決められる。こ
のようなテーブルはメモリに記憶されていることを特徴とする。

以下に本発明の具体的な構成を示す。

本発明の一形態は、発光の状態となるサブフレーム期間を定めたデータが記憶された複数
のテーブルと、データに従ってビデオ信号を出力するコントローラと、出力されたビデオ
信号に従って、画素の階調が制御される画素部と、を有し、複数のテーブルは、画素部の
うち隣接する画素間で異なることを特徴とする表示装置である。

本発明の別の形態は、発光の状態となるサブフレーム期間を定めたデータが記憶された複
数のテーブルと、データに従ってビデオ信号を出力するコントローラと、出力されたビデ
オ信号に従って、画素の階調が制御される画素部と、を有し、複数のテーブルは、画素部
のうち隣接する画素間で異なり、且つサブフレーム期間を有するフレーム期間ごとに、画
素に対するテーブルは異なることを特徴とする表示装置である。

本発明の表示装置において、複数のサブフレーム期間の数及び長さは、共有率Ｒ_shにより
求められたサブフレーム率Ｒ_SFに従って決定されていることを特徴とする。

また本発明の表示装置において、複数のテーブル間において、ある階調を表示するために
定められたサブフレーム期間の組み合わせは異なっていることを特徴とする。

また本発明の表示装置には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を備えた
発光装置、液晶表示装置、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）、ＰＤＰ（Plasma Dis
play Panel）、ＦＥＤ（Field Emission Display）、その他の時間階調法で表示が可能な
表示装置がその範疇に含まれる。また発光装置は、発光素子が封止された状態にあるパネ
ルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含んだ
状態を指す。

また本発明の表示装置の駆動方法の一形態は、隣接する第１の画素及び第２の画素を少な
くとも有し、発光の状態となるサブフレーム期間を定めたデータが記憶された複数のテー
ブルから選ばれた第１のテーブルを第１の画素に対して設け、複数のテーブルから選ばれ
た第２のテーブルを第２の画素に対して設けることを特徴とする。

また本発明の表示装置の駆動方法の別形態は、隣接する第１の画素及び第２の画素を少な
くとも有し、発光の状態となるサブフレーム期間を定めたデータが記憶された複数のテー
ブルから選ばれた第１のテーブルを第１の画素に対して設け、複数のテーブルから選ばれ
た第２のテーブルを第２の画素に対して設け、複数のテーブル間において、ある階調を表
示するために定められたサブフレーム期間の組み合わせが異なることを特徴とする。

本発明の表示装置の駆動方法において、サブフレーム期間を有するフレーム期間ごとに、
第１のテーブルと、第２のテーブルとを入れ替えることを特徴とする。

このように、少なくとも２以上の画素に対して、それぞれテーブルを設けることにより、
擬似輪郭の発生を低減することができる。また１フレーム期間ごとに、第１のテーブルと
、第２のテーブルとを変えることにより、さらに擬似輪郭の発生を低減することができる
。

本発明の画素部及びテーブルを示した図である本発明の画素部及びテーブルを示した図である共有率と、擬似輪郭の発生との関係を調べるために行った実験において、表示に用いたパターンを示す図である１フレーム期間におけるサブフレーム期間ＳＦ₁の割合をＲ１（％）としたとき、Ｒ１（％）と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数との関係を示すグラフであるフレーム周波数と、擬似輪郭の発生を抑制できる最低の共有率との関係を示すグラフである発光の状態にあるサブフレーム期間と階調との関係と、階調が１段階低い場合と比較したときの、共有率を示すグラフである本発明の発光装置の構成を示したブロック図である本発明の発光装置が有する画素の一例を示した図である本発明の駆動方法において、４ビットの階調を表示する場合のタイミングチャートである本発明の発光装置が有する画素を示した断面図である本発明の発光装置が有する画素を示した断面図である本発明の発光装置が有する画素を示した断面図である本発明の発光装置を示した上面図及び断面図である本発明の電子機器を示す図である階調比と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数との関係を示すグラフである従来のサブフレーム期間と、本発明のサブフレーム期間とを示した図である発光の状態にあるサブフレーム期間と階調の関係と、階調が１段階低い場合とを比較したときの、共有率を示すグラフである本発明の画素部及びテーブルを示した図である本発明のタイミングチャートを示した図である

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態
様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するため
の全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り
返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、複数の画素間で、複数のテーブルを用いる場合について説明する。

図１に示すように、画素部１００は複数の画素１０１を有している。この画素１０１のう
ち、隣接する任意の画素（Ａ）（Ｂ）に対して、それぞれ異なるテーブル（Ｔａｂｌｅ
ａ、ｂ）を設ける。言い換えると、発光の状態となるサブフレーム期間を定めたデータが
記憶された複数のテーブルから選ばれたテーブルａと、テーブルｂを用意し、隣接する画
素（Ａ）に対して、テーブルａを設け、画素（Ｂ）に対して、テーブルｂを設ける。

このとき、隣接する画素（Ａ）（Ｂ）の配置は、（ｍ、ｎ）（ｍ、ｎ＋１）と表すことが
できる。ここで、ｍは画素部における行方向の任意の画素数、ｎは画素部における列方向
の任意の画素数である。このとき、次の行である（ｍ＋１）行目では、画素（Ａ）（Ｂ）
が上下に隣接しないように配置する。すなわち（ｍ＋１）行目においては、画素（Ａ）（
Ｂ）の配置は、（ｍ＋１、ｎ＋１）（ｍ＋１、ｎ）となる。このような画素の配置を全体
でみると、画素（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ対角状になっている。

このような配置された画素に対して、それぞれ設けるテーブルａ、ｂは、それぞれ異なる
タイミングで、ある階調を表示するように設定されている。このように異なるタイミング
である階調を表示するためには、共有率を考慮した上、サブフレーム期間の長さを決定す
る。なお共有率とは、階調が１段階異なっている２つのフレーム期間において、共通して
発光の状態にあるサブフレーム期間の長さの割合である。

具体的な共有率を求め方は、フレーム期間をＳＦ₁〜ＳＦ₃のサブフレーム期間に分けた場
合、先のフレーム期間でＳＦ₃のみ発光し、次のフレーム期間でＳＦ₁〜ＳＦ₃がすべて発
光する場合、共有率はＳＦ₃／（ＳＦ₁＋ＳＦ₂＋ＳＦ₃）×１００（％）となる。

一般的に、サブフレーム期間の長さは、２⁰：２¹：２²：２³：・・・となるように設定さ
れるが、本発明では、これに制約されることなく、共有率を考慮してサブフレーム期間の
長さを決定することを特徴とする。

図１６に、サブフレーム期間の構成を、一例として示す。図１６（Ａ）は、総階調数２⁴
の表示を行う際の、従来法による階調７のサブフレーム期間の構成と、階調８のサブフレ
ーム期間の構成とを示している。図１６（Ａ）では４つのサブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ₄
を用いており、さらにサブフレーム期間ＳＦ₄は２つに分割している。各サブフレーム期
間ＳＦ₁〜ＳＦ₄の長さの比は、ＳＦ₁：ＳＦ₂：ＳＦ₃：ＳＦ₄＝１：２：４：８となってい
る。またＢＫで示される期間は、発光素子を強制的に非発光の状態とする期間（非表示期
間）に相当するため、階調には寄与しない。

図１６（Ａ）において階調７を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ
₁、ＳＦ₂、ＳＦ₃、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ₄である。そして、階調８
を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ₄、非発光の状態にあるサブ
フレーム期間はＳＦ₁、ＳＦ₂、ＳＦ₃である。従って、共に発光の状態にあるサブフレー
ム期間は存在しないので、共有率は０％である。このような図１６（Ａ）に示すサブフレ
ーム期間の構成では、疑似輪郭が発生しやすいと言える。

また図１６（Ｂ）には、図１６（Ａ）とは異なり、共有率を考慮したサブフレーム期間の
構成を示す。図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）と同様に、総階調数２⁴の表示を行う際の階調
７のサブフレーム期間の構成と、階調８のサブフレーム期間の構成とを示している。図１
６（Ｂ）では８つのサブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ₈を用いている。各サブフレーム期間Ｓ
Ｆ₁〜ＳＦ₈の長さの比は、ＳＦ₁：ＳＦ₂：ＳＦ₃：ＳＦ₄：ＳＦ₅：ＳＦ₆：ＳＦ₇：ＳＦ₈＝
１：１：１：２：２：２：３：３となっている。なおＢＫで示される期間は非表示期間に
相当するため、階調には寄与しない。

図１６（Ｂ）において階調７を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ
₃、ＳＦ₇、ＳＦ₈、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ₁、ＳＦ₂、ＳＦ₄、ＳＦ₅
、ＳＦ₆である。そして、図１６（Ｂ）において階調８を表示する場合、発光の状態にあ
るサブフレーム期間はＳＦ₆、ＳＦ₇、ＳＦ₈、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳ
Ｆ₁、ＳＦ₂、ＳＦ₃、ＳＦ₄、ＳＦ₅である。従って、共通して発光の状態にあるサブフレ
ーム期間はＳＦ₇、ＳＦ₈であるので、共有率は（ＳＦ₇＋ＳＦ₈）×１００／（ＳＦ₆＋Ｓ
Ｆ₇＋ＳＦ₈）＝７５％である。よって、図１６（Ｂ）に示すサブフレーム期間の構成は、
図１６（Ａ）の場合よりも疑似輪郭が発生しにくいと言える。

さらに本発明のサブフレーム期間は、階調７や８といったある階調を表示するため、発光
状態となるサブフレーム期間の組み合わせが複数ある。例えば図１６（Ｂ）において、階
調７を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間を、（ＳＦ₁、ＳＦ₇、ＳＦ₈）
、（ＳＦ₂、ＳＦ₇、ＳＦ₈）、又は（ＳＦ₁、ＳＦ₄、ＳＦ₅、ＳＦ₆）等とすることができ
る。また階調８を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間を、（ＳＦ₆、ＳＦ₇
、ＳＦ₈）、（ＳＦ₁、ＳＦ₂、ＳＦ₇、ＳＦ₈）、又は（ＳＦ₁、ＳＦ₂、ＳＦ₄、ＳＦ₅、Ｓ
Ｆ₆）等とすることができる。それ故、各画素に異なるテーブルを設けることができる。
どのようなサブフレーム期間の組み合わせとするかは、共有率を考慮して決定することが
できる。その結果、テーブルに応じて、擬似輪郭の発生しにくい階調を定めた表示装置を
提供することができる。

次に、共有率Ｒ_shと総階調数から、１フレーム期間が有する各サブフレーム期間の長さを
定める方法について、具体的に説明する。

まず共有率Ｒ_shを、駆動に用いるフレーム周波数から求める。擬似輪郭はフレーム周波数
が高いほど発生しにくく、逆にフレーム周波数が低いほど発生しやすい。そのため、フレ
ーム周波数を予め決めておけば、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の
共有率を、表示装置ごとに定めることができる。

図５に、フレーム周波数（Ｈｚ）と、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最
低の共有率（％）の関係を、一例として示す。

図５に示すように、共有率が低いほど、擬似輪郭の発生を抑制するために、より高いフレ
ーム周波数が必要となる。なお擬似輪郭が発生しているか否かの判断基準は、実施者が適
宜決めることができるので、必ずしも図５と同じ数値の関係が導き出されるとは限らない
。しかし、定められた一定の判断基準の下であれば、フレーム周波数が高いほど、擬似輪
郭の発生を抑制できるという、フレーム周波数（Ｈｚ）と、擬似輪郭の発生を抑制するこ
とができるであろう最低の共有率（％）との関係を導き出すことができる。

図５に示したグラフから、特定のフレーム周波数を用いた場合の、擬似輪郭の発生を抑制
することができるであろう最低の共有率（％）を導き出したら、該共有率と同じかそれ以
上の値を有する共有率Ｒ_shを決定することができる。共有率Ｒ_shを決定したら、次は共有
率Ｒ_shから各サブフレーム期間の長さを決める。

まず、１フレーム期間に含まれるｎ個のサブフレーム期間を、最も短いほうから順にＳＦ
₁〜ＳＦ_nとする。そして、ＳＦ₁〜ＳＦ_p（ｐ＜ｎとする）を全て発光させたときに、階調
ｍ（ｍ＜２ⁿ）の表示を行うことができると仮定する。この場合、階調ｍを表示する際に
発光するサブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ_pの、合計の長さをＴ_mとすると、Ｔ_mは以下の式１
で表すことができる。

次に、階調（ｍ＋１）を表示する場合について考える。ＳＦ₁〜ＳＦ_pを全て発光させたと
きに、階調ｍの表示を行うことができるので、階調（ｍ＋１）を表示するためには、ＳＦ
_pよりも長いＳＦ_p+1を用いる必要がある。またそれと共に、ＳＦ_p+1から１階調分の長さ
（例えばＳＦ₁に相当する長さ）を差し引いた分に相当する、単数または複数のサブフレ
ーム期間を、ＳＦ₁〜ＳＦ_pから除いて表示を行う必要がある。よって、階調（ｍ＋１）を
表示する際に発光するサブフレーム期間の、合計の長さをＴ_m+1とすると、Ｔ_m+1は以下の
式２で表すことができる。

ここで、Σ（ＳＦ₁〜ＳＦ_p+1）に対するＳＦ_p+1の割合を、サブフレーム率Ｒ_SFとすると
、Ｒ_SFは以下の式３で表すことができる。

式３から、以下の式４を導き出すことができる。

また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブ
フレーム期間の、合計の長さをＷ_m/m+1とすると、Ｗ_m/m+1は以下の式５で表すことができ
る。

よって、式１、式４、式５から、以下の式６が導き出される。

また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブ
フレーム期間の共有率Ｒ_shは、以下の式７のように表される。

よって、式２、式４、式６、式７から、以下の式８が導き出される。

したがって、式８から、以下の式９を導き出すことができる。

よって式９に、共有率Ｒ_shの値を代入することで、サブフレーム率Ｒ_SFの値を導き出すこ
とができる。サブフレーム率Ｒ_SFはΣ（ＳＦ₁〜ＳＦ_p+1）に対するＳＦ_p+1の割合である
。上記サブフレーム率Ｒ_SFを用いることで、最も長いサブフレーム期間ＳＦ_nから順に、
各サブフレーム期間の長さを決めることができる。

このように共有率を考慮して、サブフレーム期間の長さを決めると、上述したように、あ
る階調を表示するために発光するサブフレーム期間に、選択の幅がでてくる。すなわち、
発光の状態となるサブフレームを定めたデータが記憶された複数のテーブル間で冗長性が
でる。そのため、複数の画素に対してそれぞれ、複数のテーブルから選ばれたあるテーブ
ルを設けることができるのである。

このように少なくとも２以上の画素に対して、それぞれテーブルを設けることにより、擬
似輪郭の発生しやすい階調を分散することで、擬似輪郭を目立たなくすることができる。

なお本実施の形態では、画素（Ａ）（Ｂ）に対してそれぞれテーブルを設ける場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、４つのテーブルを設ける場合、そ
れぞれのテーブルが設けられた画素を矩形状に配置してもよい。すなわち本発明は、少な
くとも２以上の画素に対してそれぞれテーブルを設けることにより、従来の方法と比較し
て擬似輪郭を防止することができる。

なお、上述した本発明の駆動方法を行う表示装置は、信号の入力に対して決められた信号
を出力するテーブルは、一種のルックアップテーブルであり、ハードウェアとしてはＲＯ
ＭやＲＡＭ等のメモリに記憶される。

本実施の形態に示した駆動方法において、サブフレーム期間を反転させてもよい。例えば
、１フレーム期間内において、１組のサブフレーム期間をその端部において反転させる。
その結果、さらに擬似輪郭、特に動画擬似輪郭を防止することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、サブフレーム期間の具体例を示す。

図６に、４ビットのビデオ信号を用いて総階調数２⁴を表示する場合の発光の状態にある
サブフレーム期間の具体例を示す。図６では、横軸が階調、左縦軸が発光の状態にあるサ
ブフレーム期間の合計の長さ（発光期間）に相当する。また同じく図６に、階調が１段階
低い場合と比較した時の共有率Ｒ_sh（％）を、右縦軸に併せて示す。なお図６では、９つ
のサブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ₉を用いて表示を行っている例を示している。各サブフレ
ーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ₉の長さの比は、ＳＦ₁から順に、１：１：１：１：１：２：２：３
：３となっている。

このサブフレーム期間において、同一な長さを有する期間が存在する。そのため、ある階
調を表示するために選択されるサブフレーム期間の組み合わせは複数あり、この組み合わ
せに応じて異なるテーブルを設定することができる。

このようなテーブルは、一種のルックアップテーブルである。そしてテーブルは、ハード
ウェアとしてはＲＯＭやＲＡＭ等のメモリに記録されている。

図６では、階調４〜１６を表示する際に、共有率Ｒ_sh（％）が６５％以上に保たれるよう
に、各サブフレーム期間の長さを定めている。なお、共有率Ｒ_shの定義上、階調０、１で
は、共有率Ｒ_sh（％）は満たされない。また図６では、比較的低い階調２において、共有
率Ｒ_sh（％）が満たされていない。これは、低い階調では擬似輪郭が発生しにくいので、
必ずしも共有率Ｒ_sh（％）を満たしておく必要はないからである。

また図１７に、６ビットのビデオ信号を用いて総階調数２⁶を表示する場合の発光の状態
にあるサブフレーム期間の具体例を示す。図１７では、横軸が階調、左縦軸が発光の状態
にあるサブフレーム期間の合計の長さ（発光期間）に相当する。発光期間の長さによって
、表示される階調が決まる。また同じく図１７に、階調が１段階低い場合と比較した時の
共有率Ｒ_sh（％）を、右縦軸に併せて示す。なお図１７では、１２のサブフレーム期間Ｓ
Ｆ₁〜ＳＦ₁₂を用いて表示を行っている例を示している。各サブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ
₁₂の長さの比は、ＳＦ₁から順に、１：２：３：３：４：４：５：６：７：８：９：１１
となっている。

このようなテーブルは、一種のルックアップテーブルであり、ハードウェアとしてはＲＯ
ＭやＲＡＭ等のメモリに記憶される。

図１７では、階調１２〜６３を表示する際に、共有率Ｒ_sh（％）が７０％以上に保たれる
ように、各サブフレーム期間の長さを定めている。なお、共有率Ｒ_shの定義上、階調０、
１では、共有率Ｒ_sh（％）は満たされない。また図１７では、比較的低い階調２〜１１に
おいて、共有率Ｒ_sh（％）が満たされていない。これは、低い階調では擬似輪郭が発生し
にくいので、必ずしも共有率Ｒ_sh（％）を満たしておく必要はないからである。

このように、共有率を考慮してサブフレーム期間を決定することにより、複数の異なるテ
ーブルを設定することができる。この複数のテーブルを、各画素に適用することにより、
擬似輪郭の防止を図ることができるのである。

（実施の形態３）
本実施の形態では、各画素に対応するテーブルを固定せずに、フレーム期間毎に変更する
場合について説明する。

例えば、Ｔフレーム目には図２（Ａ）に示すように隣接している画素（Ａ）（Ｂ）に対し
て、テーブルａ、ｂをそれぞれ設ける。

そして、（Ｔ＋１）フレーム目には図２（Ｂ）に示すように、画素（Ａ）（Ｂ）の位置に
対応して設けられていたテーブルａ、ｂを反転するように設ける。このようにフレーム毎
に、各画素位置に対応して設けられていたテーブルを変更することができる。このテーブ
ルの内容や変更の情報は、ＲＯＭやＲＡＭに記憶させておくことができる。

以上のように、フレーム毎に各画素に対応したテーブルを変更する、つまり発光の状態と
なるサブフレーム期間を定めたデータが記憶されたテーブル入れ替えることにより、さら
に擬似輪郭を防止することができる。

なお本実施の形態では、画素（Ａ）（Ｂ）に対してそれぞれテーブルを設ける場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、４つのテーブルを設ける場合、そ
れぞれのテーブルが設けられた画素を矩形状に配置してもよい。
すなわち本発明は、少なくとも２以上の画素に対してそれぞれテーブルを設けることによ
り、従来の方法と比較して擬似輪郭を防止することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置の一つである発光装置の具体的な構成について説明する。図
７（Ａ）に、本発明の発光装置の構成を、ブロック図で一例として示す。図７に示す発光
装置は、パネル１０４と、コントローラ１０２と、テーブル１０３とを有している。さら
にパネル１０４は、各画素に発光素子を有する画素部１００と、信号線駆動回路１０５と
、走査線駆動回路１０６とを有している。

テーブル１０３は、ハードウェアとしてはＲＯＭやＲＡＭ等のメモリに記憶され、またテ
ーブルは、画素に応じて複数設けられている。またメモリには、各テーブルに対応した画
素配置の情報等も記憶されている。そして該メモリには、サブフレーム率Ｒ_SFに従って、
１フレーム期間に含まれる複数のサブフレーム期間の数及び長さと、各階調において前記
複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間を定めるためのデー
タが記憶されている。そしてサブフレーム率Ｒ_SFは、フレーム周波数により定められた共
有率Ｒ_shに従い、算出されている。

コントローラ１０２は、テーブル１０３に記憶されているデータに従って、入力されたビ
デオ信号の階調に応じて、発光の状態となるサブフレーム期間を定め、それを出力するこ
とができる。またコントローラ１０２はフレームメモリを有しており、テーブル１０３に
記憶されている複数の各サブフレーム期間の長さ、信号線駆動回路１０５または走査線駆
動回路１０６の駆動周波数などに合わせて、クロック信号、スタートパルス信号などの、
各種制御信号を生成することができる。

なお図７（Ａ）では、ビデオ信号の変換と、制御信号の生成とを、共にコントローラ１０
２で行う例について示したが、本発明はこの構成に限定されない。ビデオ信号の変換を行
うコントローラと、制御信号を生成するコントローラとを、別個に発光装置に設けるよう
にしても良い。

図７（Ｂ）に、図７（Ａ）に示したパネル１０４の、より具体的な構成の一例を示す。

図７（Ｂ）において信号線駆動回路１０５は、シフトレジスタ１１０、ラッチＡ１１１、
ラッチＢ１１２を有している。シフトレジスタ１１０には、クロック信号（ＣＬＫ）、ス
タートパルス信号（ＳＰ）などの各種制御信号が入力されている。クロック信号（ＣＬＫ
）とスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されると、シフトレジスタ１１０においてタイミ
ング信号が生成される。生成したタイミング信号は、一段目のラッチＡ１１１に順に入力
される。ラッチＡ１１１にタイミング信号が入力されると、該タイミング信号のパルスに
同期して、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号が、順にラッチＡ１１１に書き
込まれ、保持される。なお、本実施の形態ではラッチＡ１１１に順にビデオ信号を書き込
んでいるが、本発明はこの構成に限定されない。複数のステージのラッチＡ１１１をいく
つかのグループに分け、グループごとに並行してビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆
動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージ
ごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動するといえる。

ラッチＡ１１１の全ステージのラッチへの、ビデオ信号の書き込みが一通り終了するまで
の期間を、行選択期間と呼ぶ。実際には、上記行選択期間に水平帰線期間が加えられた期
間を行選択期間に含むことがある。

１行選択期間が終了すると、２段目のラッチＢ１１２に、制御信号の一つに相当するラッ
チ信号が供給され、該ラッチ信号に同期してラッチＡ１１１に保持されているビデオ信号
が、ラッチＢ１１２に一斉に書き込まれる。ビデオ信号をラッチＢ１１２に送出し終えた
ラッチＡ１１１には、再びシフトレジスタ１１０からのタイミング信号に同期して、次の
ビットのビデオ信号の書き込みが順次行われる。この２順目の１行選択期間中には、ラッ
チＢ１１２に書き込まれ、保持されているビデオ信号が画素部１００に入力される。

なお、シフトレジスタ１１０の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる
回路を用いても良い。

次に、走査線駆動回路１０６の構成について説明する。走査線駆動回路１０６は、シフト
レジスタ１１３、バッファ１１４を有している。また、レベルシフタを有していても良い
。走査線駆動回路１０６において、シフトレジスタ１１３にクロック信号（ＣＬＫ）及び
スタートパルス信号（ＳＰ）が入力されることによって、選択信号が生成される。生成さ
れた選択信号はバッファ１１４において増幅され、対応する走査線に供給される。走査線
に供給される選択信号によって、１行分の画素に含まれているトランジスタの動作が制御
されるので、バッファ１１４には、比較的大きな電流を走査線に供給することができるも
のを用いることが望ましい。

なお、シフトレジスタ１１３の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる
回路を用いても良い。

本発明において、走査線駆動回路１０６、信号線駆動回路１０５は、パネル１０４と同じ
基板上に形成していても、異なる基板上に形成していても、どちらでも良い。また走査線
駆動回路１０６、又は信号線駆動回路１０５をＩＣチップにより形成し、実装しても良い
。また本発明の発光装置が有するパネルは、図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示す構成に限定さ
れない。パネル１０４は、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号に従って、画素
の階調が制御されるような構成を有していれば良い。

このような発光装置に、複数のテーブルを用いることにより、擬似輪郭を防止することが
できる。

またその他の表示装置においても、複数のテーブルが記憶されているメモリを用いること
に入り、擬似輪郭を防止することができる。

（実施の形態５）
次に、本発明の発光装置が有する画素の等価回路図について、図８を用いて説明する。

図８（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６
１１５、走査線６１１６、発光素子６１１３、トランジスタ６１１０、６１１１、容量素
子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によってビデオ信号が入力され
る。トランジスタ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、トランジ
スタ６１１１のゲートへの、該ビデオ信号の電位の供給を制御することができる。トラン
ジスタ６１１１は、該ビデオ信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制
御することができる。容量素子６１１２は、トランジスタ６１１１のゲート・ソース間の
電圧を保持することができる。なお、図８（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、
トランジスタ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けな
くてもよい。

図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示した画素に、トランジスタ６１１８と走査線６１１９を新
たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１１８により、トランジスタ６１１
１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作
ることができるため、全ての画素にビデオ信号が入力される期間よりも、サブフレーム期
間の長さを短くすることができる。従って、駆動周波数を抑えつつ、高い総階調数の表示
を行うことができる。

図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ６１２５と、配線６１２
６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１２５は、そのゲートの電位が、配
線６１２６によって固定されている。そして、トランジスタ６１１１とトランジスタ６１
２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図８
（Ｃ）では、トランジスタ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御
され、トランジスタ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御でき
る。

なお、本発明の発光装置が有する画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されず、
時間階調表示を行う表示装置であれば、本発明を適用することができる。また本実施の形
態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、図６に示した本発明の駆動方法を例に挙げ、各サブフレーム期間が出
現するタイミングについて説明する。

図９に、図６に示した本発明の駆動方法を用いて、４ビットの階調を表示する場合の、タ
イミングチャートを示す。図９では、１フレーム期間に出現するサブフレーム期間ＳＦ₁
〜ＳＦ₉の長さを横軸に示しており、縦軸は走査線の選択順を示している。サブフレーム
期間ＳＦ₁〜ＳＦ₉の長さの比は、ＳＦ₁から順に、１：１：１：１：１：２：２：３：３
となっている。そのため、例えば３階調を表示するとき、ＳＦ₁〜ＳＦ₃の合計、ＳＦ₁〜
ＳＦ₄のいずれかと、ＳＦ₆、ＳＦ₇のいずれかの合計、ＳＦ₈、又はＳＦ₉から選ばれたサ
ブフレーム期間を発光状態とすることができる。それ故、テーブルに冗長性を持たせるこ
とができ、各画素に対して異なるテーブルを設けることができるのである。

各サブフレーム期間が開始されると、ビデオ信号の入力が、走査線を共有する画素一行ご
とに行なわれる。ビデオ信号が画素に入力されると、該ビデオ信号が有する情報に従って
、発光素子が発光の状態または非発光の状態となる。そして、次のサブフレーム期間が開
始されるまで、各画素の発光素子は、該ビデオ信号に従って、発光の状態または非発光の
状態を維持する。

なお図９では、ビデオ信号が画素に入力されると同時に、該ビデオ信号が有する情報に従
って、発光素子が発光の状態または非発光の状態となる場合のタイミングチャートを示し
ているが、本発明はこの構成に限定されない。全ての画素にビデオ信号が入力されるまで
、発光素子を非発光の状態としておき、全ての画素にビデオ信号が入力された後で、該ビ
デオ信号が有する情報に従い、発光素子を発光の状態または非発光の状態としても良い。

また図９では、全てのサブフレーム期間が連続して出現する場合のタイミングチャートを
示しているが、本発明はこの構成に限定されない。サブフレーム期間とサブフレーム期間
の間に、発光素子を強制的に非発光の状態とする期間（非表示期間）を設けるようにして
も良い。非表示期間は、図８（Ｂ）又は（Ｃ）に示した、トランジスタ６１１８を用いて
、容量素子６１１２の電荷を放電させることにより、設けることができる。非表示期間は
、非表示期間の直前に出現するサブフレーム期間において、全ての画素にビデオ信号が入
力された後に出現させても良いし、全ての画素にビデオ信号が入力される前に出現させて
も良い。

（実施の形態７）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐ型薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）の場合における、画素の断面構造について、図１０を用いて説明する。な
お本発明では、発光素子が有する陽極と陰極の２つの電極のうち、トランジスタによって
電位を制御することができる一方の電極を第１の電極、他方の電極を第２の電極とする。
そして図１０では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明するが、第
１の電極が陰極、第２の電極が陽極であってもよい。

図１０（Ａ）に、ＴＦＴ６００１がｐ型で、発光素子６００３から発せられる光を第１の
電極６００４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図１０（Ａ）では、発光素子
６００３の第１の電極６００４と、ＴＦＴ６００１が電気的に接続されている。

ＴＦＴ６００１は層間絶縁膜６００７で覆われており、層間絶縁膜６００７上には開口部
を有する隔壁６００８が形成されている。隔壁６００８の開口部において第１の電極６０
０４が一部露出しており、該開口部において第１の電極６００４、電界発光層６００５、
第２の電極６００６が順に積層されている。

層間絶縁膜６００７は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系材料を出発材料とし
て形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（以下、シロキサン系絶縁膜と呼ぶ）を用
いて形成することができる。シロキサン系絶縁膜は、置換基に水素を有し、その他フッ素
、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有することができる。層間
絶縁膜６００７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いていても良い
。

隔壁６００８は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成するこ
とができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶
縁膜ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂膜
を隔壁６００８に用い、第１の電極６００４上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極６００４
と第２の電極６００６とが接続してしまうのを防ぐことができる。

第１の電極６００４は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ陽極として用い
るのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその
他の透光性酸化物導電材料を第１の電極６００４に用いることが可能である。またＩＴＯ
、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとも記
す）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第１の電極６
００４に用いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、
Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化
チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分
とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６００４に用いることもできる。た
だし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましく
は、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第１の電極６００４を形成する。

また第２の電極６００６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ
仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成する
ことができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等の
アルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、お
よびこれらの化合物（ＣａＦ₂、Ｃａ₃Ｎ₂）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いるこ
とができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能で
ある。

電界発光層６００５は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されてい
る場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、
電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。電界発光層６００５が発光層の他
に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第
１の電極６００４から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に
積層する。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材
料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機
系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子
系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返
しの数（重合度）が２から２０程度の低重合体に相当する。正孔注入層と正孔輸送層との
区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性（正孔移動度）が特に重要な特
性である意味において同じである。便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔
注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別する。電子輸送層、電子注入層についても同
様であり、陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼
んでいる。発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。

図１０（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６００３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第１の電極６００４側から取り出すことができる。

次に図１０（Ｂ）に、ＴＦＴ６０１１がｐ型で、発光素子６０１３から発せられる光を第
２の電極６０１６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図１０（Ｂ）では、発光
素子６０１３の第１の電極６０１４と、ＴＦＴ６０１１が電気的に接続されている。また
第１の電極６０１４上に電界発光層６０１５、第２の電極６０１６が順に積層されている
。

第１の電極６０１４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ陽極
として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウ
ムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタ
ン膜との三層構造等を第１の電極６０１４に用いることができる。

また第２の電極６０１６は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の
小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができ
る。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土
類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれら
の化合物（ＣａＦ₂、Ｃａ₃Ｎ₂）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる
。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そし
て第２の電極６０１６を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度
）で形成する。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジ
ウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物
導電材料を用いることも可能である。またＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を
含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ
）を混合したものを用いても良い。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０
１５に電子注入層を設けるのが望ましい。

電界発光層６０１５は、図１０（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができ
る。

図１０（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０１３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第２の電極６０１６側から取り出すことができる。

次に図１０（Ｃ）に、ＴＦＴ６０２１がｐ型で、発光素子６０２３から発せられる光を第
１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す
。図１０（Ｃ）では、発光素子６０２３の第１の電極６０２４と、ＴＦＴ６０２１が電気
的に接続されている。また第１の電極６０２４上に電界発光層６０２５、第２の電極６０
２６が順に積層されている。

第１の電極６０２４は、図１０（Ａ）の第１の電極６００４と同様に形成することができ
る。また第２の電極６０２６は、図１０（Ｂ）の第２の電極６０１６と同様に形成するこ
とができる。電界発光層６０２５は、図１０（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成す
ることができる。

図１０（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０２３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出すことができる
。

本実施の形態は、上記の実施の形態、実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｎ型ＴＦＴの場合
における、画素の断面構造について、図１１を用いて説明する。なお図１１では、第１の
電極が陰極、第２の電極が陽極の場合について説明するが、第１の電極が陽極、第２の電
極が陰極であっても良い。

図１１（Ａ）に、ＴＦＴ６０３１がｎ型で、発光素子６０３３から発せられる光を第１の
電極６０３４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図１１（Ａ）では、発光素子
６０３３の第１の電極６０３４と、ＴＦＴ６０３１が電気的に接続されている。また第１
の電極６０３４上に電界発光層６０３５、第２の電極６０３６が順に積層されている。

第１の電極６０３４は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さ
い金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。
具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金
属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化
合物（ＣａＦ₂、Ｃａ₃Ｎ₂）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。ま
た電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そして第
１の電極６０３４を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で
形成する。さらに、光が透過する程度の膜厚を有する上記導電層の上または下に接するよ
うに、透光性酸化物導電材料を用いて透光性を有する導電層を形成し、第１の電極６０３
４のシート抵抗を抑えるようにしても良い。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ
）などその他の透光性酸化物導電材料を用いた導電層だけを用いることも可能である。ま
たＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズＩＴＳＯ）、Ｉ
ＴＳＯにさらに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを用いても良い。透光性
酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０３５に電子注入層を設けるのが望ましい。

また第２の電極６０３６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ
陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ
、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミ
ニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化
チタン膜との三層構造等を第２の電極６０３６に用いることができる。

電界発光層６０３５は、図１０（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができ
る。ただし、電界発光層６０３５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層
、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６０３４から、電子注入層、電子
輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層する。

図１１（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６０３３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第１の電極６０３４側から取り出すことができる。

次に図１１（Ｂ）に、ＴＦＴ６０４１がｎ型で、発光素子６０４３から発せられる光を第
２の電極６０４６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図１１（Ｂ）では、発光
素子６０４３の第１の電極６０４４と、ＴＦＴ６０４１が電気的に接続されている。また
第１の電極６０４４上に電界発光層６０４５、第２の電極６０４６が順に積層されている
。

第１の電極６０４４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事
関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成すること
ができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアル
カリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、および
これらの化合物（ＣａＦ₂、Ｃａ₃Ｎ₂）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることが
できる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である
。

また第２の電極６０４６は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ陽極として
用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（
ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）など
その他の透光性酸化物導電材料を第２の電極６０４６に用いることが可能である。またＩ
ＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、ＩＴ
ＳＯにさらに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第２の電極６０４６に用
いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとア
ルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と
窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０４６に用いることもできる。ただし透光性
酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ
〜３０ｎｍ程度）で第２の電極６０４６を形成する。

電界発光層６０４５は、図１１（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができ
る。

図１１（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０４３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第２の電極６０４６側から取り出すことができる。

次に図１１（Ｃ）に、ＴＦＴ６０５１がｎ型で、発光素子６０５３から発せられる光を第
１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す
。図１１（Ｃ）では、発光素子６０５３の第１の電極６０５４と、ＴＦＴ６０５１が電気
的に接続されている。また第１の電極６０５４上に電界発光層６０５５、第２の電極６０
５６が順に積層されている。

第１の電極６０５４は、図１１（Ａ）の第１の電極６０３４と同様に形成することができ
る。また第２の電極６０５６は、図１１（Ｂ）の第２の電極６０４６と同様に形成するこ
とができる。電界発光層６０５５は、図１１（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成す
ることができる。

図１１（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０５３から発せられる光を、白抜きの矢印
で示すように第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出すことができる
。

（実施の形態９）
本実施の形態では、スクリーン印刷法、オフセット印刷法に代表される印刷法、または液
滴吐出法を用いて発光装置を形成する場合について説明する。なお液滴吐出法とは、所定
の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を意味し、インク
ジェット法などがその範疇に含まれる。上記印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用
のマスクを用いずとも、信号線、走査線、選択線に代表される各種配線、ＴＦＴのゲート
、発光素子の電極などを形成することが可能になる。ただし、パターンを形成する全ての
工程に、印刷法または液滴吐出法を用いる必要はない。よって、例えば配線及びゲートの
形成には印刷法または液滴吐出法を用い、半導体膜のパターニングにはリソグラフィ法を
用いる、というように、少なくとも一部の工程において印刷法または液滴吐出法を用いて
いれば良く、リソグラフィ法も併用していても良い。またパターニングの際に用いるマス
クは、印刷法または液滴吐出法で形成しても良い。

図１２に、液滴吐出法を用いて形成された、本発明の発光装置の断面図を、一例として示
す。図１２において、１３０１、１３０２はＴＦＴ、１３０４は発光素子に相当する。Ｔ
ＦＴ１３０２は、発光素子１３０４の第１の電極１３５０と電気的に接続されている。Ｔ
ＦＴ１３０２はｎ型であることが望ましく、この場合、第１の電極１３５０は陰極を用い
、第２の電極１３３１は陽極を用いるのが望ましい。

スイッチング素子として機能するＴＦＴ１３０１は、ゲート１３１０と、チャネル形成領
域を含む第１の半導体膜１３１１と、ゲート１３１０と第１の半導体膜１３１１の間に形
成されたゲート絶縁膜１３１７と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜
１３１２、１３１３と、第２の半導体膜１３１２に接続された配線１３１４と、第２の半
導体膜１３１３に接続された配線１３１５とを有している。

ＴＦＴ１３０２は、ゲート１３２０と、チャネル形成領域を含む第１の半導体膜１３２１
と、ゲート１３２０と第１の半導体膜１３２１との間に形成されたゲート絶縁膜１３１７
と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜１３２２、１３２３と、第２の
半導体膜１３２２に接続された配線１３２４と、第２の半導体膜１３２３に接続された配
線１３２５とを有している。

配線１３１４は信号線に相当し、配線１３１５はＴＦＴ１３０２のゲート１３２０に電気
的に接続されている。また配線１３２５は電源線に相当する。

液滴吐出法、印刷法を用いてパターンを形成することで、リソグラフィ法で行なわれるフ
ォトレジストの成膜、露光、現像、エッチング、剥離などの一連の工程を簡略化すること
ができる。また、液滴吐出法、印刷法だと、リソグラフィ法と異なり、エッチングにより
除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良
いので、発光装置の作製に費やされるコストを抑えることができる。

さらに、リソグラフィ法とは異なり、配線を形成するためにエッチングを行う必要がない
。よって、配線を形成する工程に費やされる時間をリソグラフィ法の場合に比べて著しく
短くすることが可能である。特に、印刷法を用いて配線の厚さを０．５μｍ以上、より望
ましくは２μｍ以上で形成する場合、配線抵抗を抑えることができるので、配線の作製工
程に費やされる時間を抑えつつ、発光装置の大型化に伴う配線抵抗の上昇を抑えることが
できる。

なお第１の半導体膜１３１１、１３２１は非晶質半導体であっても、セミアモルファス半
導体（ＳＡＳ）であってもどちらでも良い。

非晶質半導体は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的
な珪化物気体としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が挙げられる。この珪化物気体を、水素、水
素とヘリウムで希釈して用いても良い。

またＳＡＳも珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪
化物気体としては、ＳｉＨ₄であり、その他にもＳｉ₂Ｈ₆、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、
ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン
、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この
珪化物気体を希釈して用いることで、ＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希
釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。またさらに、珪
化物気体中に、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆などの炭化物気体、ＧｅＨ₄、ＧｅＦ₄などのゲルマニウム
化気体、Ｆ₂などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０
．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。ＳＡＳを第１の半導体膜として用いたＴＦＴは、１
〜１０cm²/Vsecや、それ以上の移動度を得ることができる。

また第１の半導体膜１３１１、１３２１は、非晶質半導体またはセミアモルファス半導体
（ＳＡＳ）を結晶化した半導体を用いてもよい。例えば、レーザーや加熱炉を用いて、非
晶質半導体又はＳＡＳを結晶化することができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の発光装置の一形態に相当するパネルの外観について、図１３
を用いて説明する。図１３（Ａ）は、第１の基板上に形成されたＴＦＴ及び発光素子を、
第２の基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は
、図１３（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。

第１の基板４００１上には画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回
路４００４が設けられており、少なくとも画素部を囲むようにして、シール材４００５が
設けられている。また少なくとも画素部４００２上には、シール材４００５を介して、第
２の基板４００６が設けられている。図１３に示す発光装置では、画素部４００２と、信
号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材
４００５と第２の基板４００６とによって、充填材４００７と共に密封されている。

また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、
走査線駆動回路４００４とは、ＴＦＴを複数有しており、図１３（Ｂ）では、信号線駆動
回路４００３に含まれるＴＦＴ４００８と、画素部４００２に含まれるＴＦＴ４００９と
を例示している。

また４０１１は発光素子に相当し、ＴＦＴ４００９のドレインと接続されている配線４０
１７の一部が、発光素子４０１１の第１の電極として機能する。
また透明導電膜４０１２が、発光素子４０１１の第２の電極として機能する。
なお発光素子４０１１の構成は、本実施の形態に示した構成に限定されない。上記実施の
形態のように、発光素子４０１１から取り出す光の方向や、ＴＦＴ４００９の極性などに
合わせて、発光素子４０１１の構成は適宜変えることができる。

また信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられ
る各種信号及び電圧は、図１３（Ｂ）に示す断面図では図示されていないが、引き回し配
線４０１４及び４０１５を介して、接続端子４０１６から供給されている。

本実施の形態では、接続端子４０１６が、発光素子４０１１が有する第１の電極と同じ導
電膜から形成されている。また、引き回し配線４０１４は、配線４０１７と同じ導電膜か
ら形成されている。また引き回し配線４０１５は、ＴＦＴ４００９、ＴＦＴ４００８がそ
れぞれ有するゲートと、同じ導電膜から形成されている。

接続端子４０１６は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電
気的に接続されている。

なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス、金属（代表的にはス
テンレス）、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶ
Ｆ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまた
はアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィ
ルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

但し、発光素子４０１１からの光の取り出し方向に位置する基板は透光性を有していなけ
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。

また、充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ
（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施の形態では充填材として窒
素を用いた。

（実施の形態１１）
本発明の表示装置は、擬似輪郭の発生を抑えることができるので、携帯電話、携帯型ゲー
ム機または電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等の、携帯用の電子機器が有
する表示部として用いるのに最適である。また本発明の表示装置は、擬似輪郭を防止する
ことができるので、表示装置などの動画の再生を行うことができる、映像を観賞するため
の表示部を有する電子機器に最適である。

その他、本発明の表示装置を用いることができる電子機器として、ビデオカメラ、デジタ
ルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシ
ステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコ
ンピュータ、ゲーム機器、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Digital
Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置
）などが挙げられる。本実施の形態では、これら電子機器の具体例を図１４に示す。

図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、
音声出力部２１０４、操作キー２１０５を含む。本発明の表示装置を用いて表示部２１０
２を作製することで、本発明の電子機器の一つである携帯電話を完成させることができる
。

図１４（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外
部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７
、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の表示装置
を用いて表示部２６０２を作製することで、本発明の電子機器の一つであるビデオカメラ
を完成させることができる。

図１４（Ｃ）は表示装置であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３
等を含む。本発明の表示装置を用いて表示部２４０２を作製することで、本発明の電子機
器の一つである表示装置を完成させることができる。なお、表示装置には、パーソナルコ
ンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる
。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可
能である。また本実施の形態は、上記の実施の形態、実施の形態と自由に組み合わせるこ
とができる。

本実施例では、共有率に対する擬似輪郭発生の関係についての実験を説明する。

本発明者は、共有率と、擬似輪郭の発生との関係について調べるために、以下の実験を行
った。

まず１フレーム期間を２つのサブフレーム期間ＳＦ₁、ＳＦ₂に分割し、第１のフレーム期
間と第２のフレーム期間とで、図３に示すようなパターンを表示した。具体的に、サブフ
レーム期間ＳＦ₁では市松模様を表示し、サブフレーム期間ＳＦ₂では全領域において白を
表示した。なお隣接する第１のフレーム期間と第２のフレーム期間とでは、サブフレーム
期間ＳＦ₁において、白の領域と黒の領域とが互いに反転しているパターンを表示する。

そして、２つのフレームを交互に出現させ、擬似輪郭の発生の有無を調べた。このとき１
フレーム期間における、サブフレーム期間ＳＦ₁の長さの割合をＲ₁（％）としたとき、Ｒ
₁（％）に対する、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）の値は
、図４に示すような関係になった。このときサブフレーム期間ＳＦ₁は、図３に示すよう
に、フレーム期間ごとに表示が異なっている。図４から分かるように、２つのフレームに
おいて、異なる表示を行うサブフレーム期間の長さの割合Ｒ₁（％）が低いほど、擬似輪
郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）は低くなった。逆に、Ｒ₁（％）
が高いほど、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）は高くなった
。

よって、隣接するフレーム期間ごとに、サブフレーム期間ＳＦ₁が短いほど、擬似輪郭が
発生しにくいといえる。一方、２つのフレーム期間ごとに、表示が同じであるサブフレー
ム期間ＳＦ₂が長いほど、擬似輪郭が発生しにくいといえる。この状態は、２つのフレー
ム期間において、共通した発光の状態にあるサブフレーム期間ＳＦ₂の長さの割合が高い
、つまり共有率が高いといえる。

以上の実験の結果から、隣接する２つのフレーム期間において、共有率が高いほど、擬似
輪郭の発生が抑えられるということを見出した。なお、共有率（％）は、１００−Ｒ₁（
％）に相当する。

上記本実施例では、ＳＦ_nからＳＦ₁まで全て一定のサブフレーム率Ｒ_SFを適用する例を示
しているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、総階調数２ⁿの表示を行う場合
でも、必ずしもサブフレーム期間がｎ個であるとは限らない。式９に従って算出された長
さを、各サブフレーム期間に反映させると、サブフレーム期間の数がｎ個以上になる場合
が多い。しかし、低い階調を表示するための短いサブフレーム期間は、必ずしも上述した
共有率Ｒ_shの値を満たしていなくとも、さほど擬似輪郭の発生に関与しない。なぜならば
低い階調の場合、階調の逆数×１００（階調比）が、高い階調の場合と比較して大きいた
め、階調の差に起因する輪郭が視認され、逆に擬似輪郭が目立たなくなるからである。

これを説明するため、図１５に、階調比（％）と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフ
レーム周波数Ｆ（Ｈｚ）との関係を調べ、その結果を示す。図１５において、横軸は階調
比（％）を示しており、縦軸は、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（
Ｈｚ）を示している。図１５から、階調比（％）が高くなる、即ち階調が低くなるほど、
より低いフレーム周波数においても擬似輪郭の発生を抑制できることが分かる。従って、
低い階調を表示するための短いサブフレーム期間は、必ずしも上述した共有率を満たす必
要はない。

以上を踏まえると、擬似輪郭の発生に関与しない短いサブフレーム期間を、多く作るより
、駆動回路の駆動周波数の低減に重点を置くとよい。そのため、短いサブフレーム期間を
間引くようにして、その他のサブフレーム期間が共有率を満たすように設定すると良い。
計算上、階調１に相当する期間の短いサブフレーム期間が複数存在する場合、それらの１
つまたは幾つかは共有率の値を満たさずに、設定することができる。

具体的には、総階調数を三等分し、該三等分された総階調数のうち最も低い側の階調にお
いて、共有率Ｒ_shの値は必ずしも満たしていなくとも良い。逆に、三等分された総階調数
のうち、中間の階調と、最も高い側の階調において、共有率Ｒ_shの値を満たすようにする
。例えば総階調数が２⁶＝６４の場合、階調０〜６３を三等分すると２１となる。この場
合、低い側の階調は０〜２１、中間の階調は２２〜４２、最も高い側の階調は４３〜６３
となる。なお、総階調数を三等分して割り切れない場合は、端数を切り上げても良いし、
切り下げても良い。

本実施例では、４つのテーブルを設ける場合の具体的なタイミングチャート及びそのテー
ブルについて説明する。

図１８に示すように、複数の画素１０１を有する画素部１００がある。この画素１０１か
ら、ある画素（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を取り出す。画素（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のそ
れぞれの配置は、（ｍ、ｎ）（ｍ、ｎ＋１）（ｍ＋１、ｎ）（ｍ＋１、ｎ＋１）であると
する。なお、ｍは画素部における行方向の任意の画素数、ｎは画素部における列方向の任
意の画素数に相当する。

この画素１０１のうち、矩形に隣接している画素（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いた場合
のタイミングチャート及びテーブルについて説明する。

図１９には、タイミングチャートを示す。フレーム周波数は６０Ｈｚであり、図１９（Ａ
）に示すように１秒間には、６０フレーム存在することになる。このとき、１フレーム期
間の長さは、およそ１６．６７ｍｓとなる。１つのフレーム期間には、１６つのサブフレ
ーム期間が設けられており、これらサブフレームは１フレーム期間においてランダムに現
れる。本実施例では、ＳＦ₂、ＳＦ₄、ＳＦ₆、ＳＦ₈、ＳＦ₁０、ＳＦ₁₂、ＳＦ₁₄、ＳＦ₁₆
、ＳＦ₁₅、ＳＦ₁₃、ＳＦ₁₁、ＳＦ₉、ＳＦ₇、ＳＦ₅、ＳＦ₃、ＳＦ₁の順にサブフレーム期
間が現れる。各サブフレーム期間の長さのそれぞれの比率は、ＳＦ₁：ＳＦ₂：ＳＦ₃：Ｓ
Ｆ₄：ＳＦ₅：ＳＦ₆：ＳＦ₇：ＳＦ₈：ＳＦ₉：ＳＦ₁₀：ＳＦ₁₁：ＳＦ₁₂：ＳＦ₁₃：ＳＦ₁₄：
ＳＦ₁₅：ＳＦ₁₆＝１：２：４：８：１０：１０：１０：１２：１２：１４：１７：２１：
２５：３０：３６：４３となっている。そして図１９（Ｂ）に示すように、最初行から最
終行の画素へ順に表示が行われる。図１９（Ｂ）の最終行画素の表示の下方には、サブフ
レーム期間の長さの比率を示す。

また図１９（Ｃ）には、消去用走査線駆動回路による走査のタイミングを示している。本
実施例では、サブフレーム期間ＳＦ₁〜ＳＦ₁₅において、消去期間Ｓｅ１〜Ｓｅ１５を設
けている。

図１９（Ｄ）には、書き込み用の走査線駆動回路による走査のタイミングを示しており、
各サブフレーム期間には、書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ１６が設けられている。

図１９（Ｅ）に示すように、１つの書き込み期間には、１列走査期間が設けられており、
この間に全行（本実施例では３２４行）を選択する。

また１フレーム期間には、逆方向電圧印加期間（ＤＳ期間）が設けられている。逆方向電
圧を発光素子へ印加する結果、発光素子の劣化状態を改善し、信頼性を向上させることが
できる。また、発光素子は、異物の付着や、陽極又は陰極にある微細な突起によるピンホ
ール、電界発光層の不均一性を起因として、陽極と陰極が短絡する初期不良が生じること
がある。逆方向電圧を印加することにより、この初期不良を解消し、画像の表示を良好に
行うことができる。なお、このような短絡部の絶縁化は、出荷前に行うとよい。

このようなサブフレーム期間では、ＳＦ₅、ＳＦ₆、及びＳＦ₇やＳ_F8、及びＳＦ₉のように
、ある階調を表示するために、発光させるサブフレーム期間に選択性がある。そのため、
複数のテーブルを設けることができる。

表１乃至４には、上記タイミングチャートの場合の具体的なテーブルの例を示す。なお表
１乃至４に示すテーブルａ乃至ｄにおいて、「０」を非発光状態、「１」を発光状態とす
る。

上記テーブルａ乃至ｄは、一種のルックアップテーブルであって、ハードウェア的にはＲ
ＯＭやＲＡＭ等のメモリに記憶されている。もちろんテーブルのデータはテーブルａ乃至
ｄに限らず、消費電力や求める画質に応じて任意に設けることができる。

これらテーブルａ乃至ｄにおいて、例えば１９１階調目をみると、各テーブルで発光状態
となるサブフレーム期間が異なっていることがわかる。

このように、複数のテーブルを設け、これらに対応する隣接する画素の組み合わせを指定
する。例えば、４つのテーブルがあるため、図１８に示すような画素（Ａ）〜（Ｄ）の組
み合わせを指定することができる。すなわち、テーブルの数と、組み合わせを構成する画
素の数とは同数とするとよい。言い換えると、発光の状態となるサブフレーム期間を定め
たデータが記憶された複数のテーブルから選ばれたテーブルａ乃至ｄを用意し、少なくと
も２つの画素が隣接する画素（Ａ）乃至（Ｄ）に対して、画素（Ａ）に対してテーブルａ
を設け、画素（Ｂ）に対してテーブルｂを設け、画素（Ｃ）に対してテーブルｃを設け、
画素（Ｄ）に対してテーブルｄを設ける。

なお、画素の配置は図１８に限定されるものではない。例えば、図１８に示すように１組
として区分けされた、４つの画素に対して、４つのテーブルを設ける場合、画素（Ａ）〜
（Ｄ）を縦一列、又は横一列に配置してもよい。但し、異なるテーブルを設ける、少なく
とも２つの画素は、隣接している必要がある。

そのため、隣接する画素で、ある階調を表示するときに選択されているサブフレーム期間
を異ならせることができる。その結果、擬似輪郭の発生しやすい階調を空間的に分散する
ことができる。なお、擬似輪郭の発生しやすい階調とは、共有率が低く、且つ中間階調又
は高階調である。

なお本実施例ではフレーム周波数６０Ｈｚの場合１６つのサブフレームに分けるタイミン
グチャートを説明したが、フレーム周波数を考慮することにより、サブフレーム数を変え
ることができる。

さらに上記実施例に示すように、各画素に対応するテーブルを固定せずに、フレーム毎に
変更してもよい。すなわち、フレーム毎に、発光の状態となるサブフレーム期間を定めた
データが記憶されたテーブルを入れ替えてもよい。

Claims

１つのフレーム期間は複数のサブフレーム期間を有し、
前記複数のサブフレーム期間を用いて、階調表示される画素部を有し、
第１のテーブルは、前記画素部のうち第１の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、
前記第２のテーブルは、前記画素部のうち、前記第１の画素に隣接する第２の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、
同一階調を表示するために前記第１のテーブルに記録された複数のサブフレーム期間の数と、前記第２のテーブルに記憶された複数のサブフレーム期間の数は異なり、
前記第１のテーブルに記憶された、階調が１段階異なっている２つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在し、
前記第２のテーブルに記憶された、階調が１段階異なっている２つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在する
ことを特徴とする表示装置。
請求項１において、
前記共通して発光の状態にあるサブフレーム期間は、同じ長さのサブフレーム期間を複数有することを特徴とする表示装置。