JP2011249419A - 樹脂封止パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】チップ窓を持つ構造で、小型でかつ薄型で、簡便な構造でありながら、パッケージ強度を低下させない樹脂封止パッケージを提供すること。
【解決手段】中央が開口した凹形の絶縁性基板３０１の絶縁性基板開口部３１２の中央部の開口部３１１内に封止するチップ３０７を配置し、このチップ３０７裏面側がパッケージ表面に露出する構造になっている。絶縁性基板の内側には段差部があり、段差部にチップ３０７とボンディングワイヤー３０５で電気的に接続するための第１電極３０３が配置されている。第１電極３０３は、内部配線３０２，３０６を介して樹脂封止パッケージの外部接続端子である第２電極３０４に接続されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、樹脂封止パッケージに関し、より詳細には、表面に開口部を有し、小型でかつ簡便な構造の表面実装形の樹脂封止パッケージに関する。

一般的な電子デバイスや光デバイスでは、その心臓部となる半導体チップ及び配線を保護するため、何らかの封止部材が必要となる。特に、光信号を外界へ出力する発光素子、または、外界の光を検出する光センサにおいては、半導体チップを保護するだけではなく、光の導出入のためのレンズや窓部を何らかの形で固定をするという重要な役割を持っている。特に、微弱の信号を検出する高感度の光センサの場合、感知部の温度の安定化、もしくは、感知部を外界の電磁ノイズから遮蔽するという機能を持つように、光センサのパッケージが設計される。または、小型のデバイスを実現するには、半導体チップのサイズも小さくすると同時にパッケージも、デバイスの性能を劣化させない範囲で小さくしなければならない。

このようにして、光デバイスの本質的な機能となる光の検出感度・発光効率の最大の性能を果たし、かつ、小型化・簡略化ために、パッケージにも多くの工夫がなされてきた。パッケージ全体の小型化を実現するために、リードフレームに封止樹脂を用いたパッケージがよく用いられる。

光デバイス以外の一般的な電子デバイスでは、光の導出入は不必要なので、成形型で作製した非常に高信頼性のパッケージが実現できる。一方、光デバイスの場合、光の導出入のための窓部を設ける必要がある。

例えば、赤外線領域の光（例えば、５〜１０ミクロン程度の長波長の光）を検知する赤外線センサにおいては、長波長の赤外線を効率よく透過する樹脂材料がないことから、１ミクロン程度以下の赤外線を検知する赤外線センサや、フォトダイオードに用いられるようなエポキシ樹脂パッケージをそのまま使用することはできず、何らかの窓を設ける必要があった。そのため、従来の赤外線センサでは、中空パッケージもしくは金属パッケージを利用し、センサの感度が低減されないように、光を効率よく透過させる窓材をセンサ部とは別に設ける必要があった。しかし、中空パッケージを利用することによって、センサの小型化は困難となり、組み立ても複雑になるという問題があった。

また、長波長の赤外線センサでは、高いＳ／Ｎ比を得るため、光電変換部の面積や体積を大きくする必要があり、高感度といわれる量子型のセンサの場合でも、冷却装置を設ける必要もあったので、これまでは長波長の赤外線センサの小型化はできなかった。

同様に、波長３００ｎｍ以下の紫外線を検知する紫外線センサにおいても、可視光のフォトダイオードに使われるような、可視光に透明のエポキシ樹脂では紫外光が透過しないことから、石英ガラス、サファイアガラス等の窓材を用いる必要があり、小型でパッケージングのし易い光デバイスを実現することができなかった。このため、紫外線センサの応用範囲は限定されていた。

また、窓部が形成されるような成形型を設計し、その成形型を用いて封止工程を行うことで窓部を形成する場合、リードフレームは窓部を避けて配置しなければならない。

また、封止部材による成形工程の後に窓部を形成しようとした場合は、何らかの方法で封止部材に穴を開ける必要がある。例えば、サンドブラスト法で封止部材に穴を開けるためにエッチングをしようとした場合、光デバイスを破壊する恐れもある。

例えば、特許文献１には、リードフレーム（接続端子３）を用いたパッケージ形態が開示されている。具体的には、基板上に形成された光電変換部を有する光電変換素子を含む１つ以上の素子と、光電変換素子に電気的に接続される接続端子と、１つ以上の素子及び接続端子を封止する封止部材とを備える光デバイスであって、光デバイスは、光を入射または出射する側に開口部を備え、かつ、開口部の底面は、１つ以上の素子のうち外界に最も近い素子と、この外界との界面であることを特徴したものである。

図１（ａ）乃至（ｅ）は、上述した特許文献１に記載されている光デバイスのパッケージ形態を示す図である。図１（ａ）では、光電変換素子５０は、基板１０と、基板１０の表面に形成された光電変換部１とを備えている。そして、光電変換素子５０は、封止部材１４によって封止されている。そして、封止部材１４には、光電変換素子５０が、光学調整能を有する窓部によって外界と接するよう開口部６が形成されている。この開口部６の底部が窓部となっており、光学調整部１３が露出している。接続端子３は、接続配線１５により光電変換部１と電気的に接続されており、外界の電気信号を光電変換部１へと供給、または、入射してきた光の強度に応じた電気信号を外界へ出力するために用いられる。

また、図１（ｂ）では、光電変換素子５０は、基板１０に形成された光電変換部１と光学調整部１３を有し、接続配線１６により接続端子３に接続されている。この場合、光電変換部１や接続配線１６は封止部材１４によって覆うように封止されているが、光の導出入のため、接続端子３に開口部７を設ける必要がある。このときは、開口部７の底面、すなわち、外界と基板１０（光電変換素子５０）との界面が窓部となり、この窓部には、光学調整部１３が形成されている。よって、光学調整部１３と外界との界面が窓部となり、光学調整部１３及び基板１４を介して光電変換部１に光を出入射する。なお、開口部７は、接続端子３に貫通するように形成されたパターン部である。

また、図１（ｃ）では、光電変換素子５０は、基板１０に形成された光電変換部１と光学調整部１３と後述する反射板９を有し、接続配線１５により接続端子３に接続されている。この場合、図１（ｂ）の場合と同様に、光電変換素子５０は封止部材１４によって覆うように封止されているが、光の導出入のため、開口部７の底面、すなわち、外界と光電変換部１との界面が窓部となり、この窓部には、光学調整部１３が形成されている。よって、光学調整部１３と外界との界面が窓部となり、光学調整部１３を介して光電変換部１に光を出入射する。

また、図１（ｄ）では、図１（ｂ）と同様で、接続端子３に光電変換素子５０が入るような穴を形成して、光電変換素子５０をその穴に配置してから、接続配線１６として金属ワイヤで電気的な接続を行う。

また、図１（ｅ）では、図１（ｂ）及び図１（ｄ）と同様に、接続端子３は、開口部６と同じ面、及びその側面に露出して外部と接続できるようになっているが、加えて、開口部６が形成された面と反対側の面にも露出して外部と接続できるようになっている。

これらの中で、光の入出力面と電気接続の面を反対に取れる構造とする場合は、接続端子と封止樹脂の密着強度を向上するために、光の入出力面側の接続端子の一部が封止樹脂から露出しないように接続端子に段差を設けるなど接続端子形状を設計することもできる。

図２は、特許文献２に記載された半導体発光装置のパッケージ形態を示す図で、絶縁基板を支持体として用いたパッケージ形態が開示されている。

具体的には、半導体発光素子として、例えば、サファイア等の硬度の大きな光透過性絶縁素材の基板２０６ｂ上にＧａＮ等の窒素化合物を気相成長させて発光層を形成し、当該基板２０６ｂ側を発光面とする構成のＬＥＤ素子２０６を使用している。符号２０８は、強化材として、例えば、アルミナ、カーボン、シリカ等のフィラを混入した光の非透過性封止樹脂材である。この非透過性封止樹脂材２０８は、ＬＥＤ素子２０６の側面と、絶縁素材の基板２０６ｂとは反対側のｐ側及びｎ側電極が形成されている片面２０６ａを被覆する。ＬＥＤ素子２０６の発光部２０６ｂのみを露出させ、ＬＥＤ素子２０６の全周を封止樹脂材で封止する構成としているので、封止樹脂材として光の非透過性封止樹脂材を使用することができる。このため、例えば、アルミナ、カーボン、シリカ等のフィラを強化材として混入した非透過性封止樹脂材２０８にてＬＥＤ素子２０６を封止することが可能となる。このような非透過性封止樹脂材２０８は、吸湿量が少なく、耐熱性が向上するので耐リフロー性が向上してパッケージクラック等の損傷を防止することができる。また、高熱や紫外線にさらされる環境で使用される場合であっても、封止樹脂材が黄変する劣化現象を抑制し、封止樹脂材の劣化に起因する光度の低下を防止した半導体発光装置が得られる。

国際公開ＷＯ２００６−０９５８３４号パンフレット 特開平１１−２１４７５４号公報

上述した特許文献１に見られるようなパッケージの強度は、金属である接続端子と、封止樹脂と、接続端子と封止樹脂の密着性により決まる。一方、パッケージは、使用される機器の小型化、薄型化、多機能化、により、パッケージ自体の小型化、薄型化が求められている。

上述した特許文献１の実施形態では、パッケージの主たる構造体であるリードフレームが開口部や接続端子の絶縁のために分割され、間に樹脂が封止されているため、パッケージを薄型化する際、封止樹脂とリードフレームの界面や、リードフレームが離れている部分の封止樹脂部分で、パッケージ強度が低下する問題があった。

また、上述した特許文献２の実施形態では、パッケージの主たる構造体が絶縁性基板であり、また、封止するＬＥＤ素子の開口部が基板と反対側であるため、主たる構造体を分割する必要が無い。

しかし、絶縁性基板１の上にメタライズ配線層と導電材とを介してＬＥＤ素子を配置する構造のため、パッケージの厚さに制約があり、パッケージ強度を確保しながら薄くするには限界があった。

また、樹脂封止を行う手段として、例えば、トランスファーモールドやディスペンサーを用いて絶縁性基板１の上部に樹脂を充填するが、樹脂封止を行う際、樹脂の流れが直接素子側面に当たるので、素子が動いたり剥がれたりする問題点があった。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、チップ窓を持つ構造で、小型でかつ薄型で、簡便な構造でありながら、パッケージ強度を低下させない樹脂封止パッケージを提供することにある。

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、一方の面に窓部領域を有し、他方の面に開放領域を有する支持体である絶縁性基板と、該絶縁性基板の前記窓部領域の中央開口部に設けられた１つ又は複数のチップと、該チップを取り囲むように前記窓部領域及び前記開放領域を封止する封止樹脂と、前記絶縁性基板と前記封止樹脂との間に設けられた第１電極と、前記絶縁性基板の前記他方の面に設けられた外部接続のための第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを接続する導体配線と、前記チップと前記第１電極とを接続し、前記封止樹脂で樹脂封止されたボンディングワイヤーとを備えことを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記中央開口部の高さが、前記チップの高さの半分以上であることを特徴とする。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記絶縁性基板上に実装された回路部品が、前記チップと前記第２電極とに接続されていることを特徴とする。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記第２電極が、前記絶縁性基板の両面にあることを特徴とする。

また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、前記導体配線が、前記絶縁性基板の側面に露出していることを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、前記絶縁性基板が、プリント基板であることを特徴とする。

また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、前記絶縁性基板が、セラミックス基板であることを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の発明において、前記チップが、量子型赤外線受光素子であることを特徴とする。

また、請求項９に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の発明において、前記チップが、量子型赤外線発光素子であることを特徴とする。

また、請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の発明において、前記チップが、紫外線受光素子であることを特徴とする。

また、請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の発明において、前記チップが、紫外線発光素子であることを特徴とする。

また、請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の発明において、前記チップが、ＭＥＭＳ素子であることを特徴とする。

本発明によれば、一方の面に窓部領域を有し、他方の面に開放領域を有する支持体である絶縁性基板と、絶縁性基板の窓部領域の中央部開口部に設けられた１つ又は複数のチップと、チップを取り囲むように窓部領域及び開放領域を封止する封止樹脂と、絶縁性基板と封止樹脂との間に設けられた第１電極と、絶縁性基板の他方の面に設けられた外部接続のための第２電極と、第１電極と第２電極とを接続する導体配線と、チップと第１電極とを接続し、封止樹脂で樹脂封止されたボンディングワイヤーとを備えたので、パッケージを小型特には薄型化した場合に、支持体の絶縁性基板がパッケージの全体に一体となってた構造となっており、また、厚みは支持体の絶縁性基板で決まっているので、パッケージ表面に開口部を有する小型で薄型で簡便な構造の表面実装形パッケージを実現することが可能である。

また、封止するチップの外周を支持体の絶縁性基板が囲っているため、樹脂封止によるチップへのストレスを緩和することが出来る。

なお、チップは、開口部に一つでも複数個配置しても良く、また、開口部が複数個有りチップを配置する構造であっても良い。

また、支持体の開口部の中にチップをダイボンドし、チップと支持体に形成された第１電極との間にワイヤーボンドした後、樹脂封止を行う。開口部の高さがチップの高さの半分以上にすることにより、樹脂封止をする際、樹脂の流れによる力が支持体の絶縁性基板を介してチップ側面にあたるため、チップが動いたり剥がれ難くなる。

また、絶縁性基板上に回路部品を実装し、チップ接続することにより、容易に信号処理機能をもった複合部品を形成することが出来る。なお、回路部品は、例えば、Ｓｉで形成された半導体チップでも、抵抗やコンデンサなどのチップ部品でも、小型のものであればよく、限定されるものではない。また、回路部品は、絶縁性基板上に配置しても、開口部内に配置しても良い。

また、支持体を絶縁性基板で形成しているので、第２電極を容易にパッケージの表と裏両面配置した構造にすることが出来る。パッケージの表面に電極を配置することにより、開口部を下側に向け実装したり、表面からワイヤーボンディングで実装したり、表面からプロービングしてテストを行ったりすることが可能である。

また、導体配線をパッケージの側面に露出すれば、例えば、半田によりプリント基板に実装する際、半田が導体配線と接合するので、容易に接合状態を確認することが出来る。

また、支持体にプリント基板を用いることにより、電極の配置や導体配線パターンや第１電極の高さやパッケージの全体の高さを容易に設定することが可能となる。

また、支持体にセラミックス基板を用いることにより、電極の配置や導体配線パターンや第１電極の高さやパッケージの全体の高さを容易に設定することが可能となり、また、パッケージ強度の向上や耐熱温度の向上をも、図ることが可能となる。

また、本発明の樹脂封止パッケージは、開口部を持ち、チップの片面を直接外部へ露出する構造のため、全体を樹脂により封止することが出来ない量子型赤外線受光素子や量子型赤外線発光素子や紫外線受光素子や紫外線発光素子やＭＥＭＳ構造の素子での小型薄型パッケージとして特に優れている。

（ａ）乃至（ｅ）は、特許文献１に記載された従来の光デバイスのパッケージ形態を示す断面図である。 特許文献２に記載された従来の半導体発光装置のパッケージ形態を示す断面図である。 （ａ）乃至（ｅ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態１を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は樹脂封止前の下面図、（ｄ）は樹脂封止後の下面図、（ｅ）は（ａ）の変形例を示す断面図である。 （ａ）乃至（ｄ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態２を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は樹脂封止前の下面図、（ｄ）は樹脂封止後の下面図である。 （ａ）乃至（ｄ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態３を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は樹脂封止前の下面図、（ｄ）は樹脂封止後の下面図である。 （ａ）乃至（ｃ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態４を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図で、（ｃ）は樹脂封止後の下面図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態５を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態５の変形例を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。 （ａ）乃至（ｅ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態６を説明するための図で、（ａ）はチップ部分の断面図、（ｂ）は回路部品部分の断面図、（ｃ）は上面図、（ｄ）は樹脂封止前の下面図、（ｅ）は樹脂封止後の下面図である。

以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。

［実施形態１］
図３（ａ）乃至（ｅ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態１を説明するための図で、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は上面図、図３（ｃ）は樹脂封止前の下面図、図３（ｄ）は樹脂封止後の下面図、図３（ｅ）は図３（ａ）の変形例を示す断面図である。

本発明の樹脂封止パッケージは、少なくとも、チップ３０７とボンディングワイヤー３０５と絶縁性基板（フレーム部）３０１と封止樹脂３０８とを備えている。

絶縁性基板３０１は、一方の面に窓部領域３１２を有し、他方の面に開放領域３１３を有する支持体である。また、チップ３０７は、絶縁性基板３０１の窓部領域３１２の中央開口部に１つ又は複数設けられたものである。また、封止樹脂３０８は、チップ３０７を取り囲むように窓部領域３１２及び開放領域３１３を封止するものである。

また、第１電極３０３は、絶縁性基板３０１と封止樹脂３０８との間、つまり、封止樹脂３０８の上面で、絶縁性基板３０１の下面に設けられたものである。また、第２電極３０４は、絶縁性基板３０１の他方の面に設けられた外部接続のためのものである。また、導体配線３０２は、第１電極３０３と第２電極３０４とを接続するためのもので、絶縁性基板３０１内に導かれているものである。また、ボンディングワイヤー３０５は、チップ３０７と第１電極３０３とを接続し、封止樹脂３０８で樹脂封止されたものである。

上述したように、実施形態１の樹脂封止パッケージは、中央が開口した凹形の絶縁性基板３０１の絶縁性基板開口部（窓部領域）３１２の中央開口部３１１内に封止するチップ３０７を配置し、このチップ３０７裏面側がパッケージ表面に露出する構造になっている。

また、樹脂封止パッケージの支持体である絶縁性基板３０１は、絶縁性基板開口部３１２がある。パッケージの外周部には一体で絶縁性基板３０１が配置されている。また、絶縁性基板３０１の内側には段差部があり、この段差部に半導体チップ３０７とボンディングワイヤー３０５で電気的に接続するための第１電極３０３が配置されている。

また、第１電極３０３は、導体配線（内部配線）３０２を介して樹脂封止パッケージの外部接続端子である第２電極３０４に接続されている。内部配線３０２は、段差部の配線に基板中に穴を空けてメッキを行い、内部を導体又は樹脂で埋めたビアで構成している。

また、チップ３０７は、絶縁性基板開口部３１２に配置され、ワイヤーボンディングされた後、絶縁性基板開口部３１２と絶縁性基板凹部（開放領域）３１３とに樹脂封止する。

なお、実施形態１では、第１電極３０３と第２電極３０４は、それぞれ４個であるが、封止するチップの電極数やパッケージサイズ、実装時の強度等に応じて複数個配置しても良い。

また、チップ３０７が収納される中央開口部の高さは、チップ３０７の高さの半分以上である。つまり、チップ３０７と第１電極３０３が配置されている絶縁性基板３０１の絶縁性基板開口部３１２の厚さは、チップ３０７の半分以上の厚さにしている。
また、絶縁性基板３０１上に回路部品（図示せず）を実装することができ、この回路部品は、チップ３０７と第２電極３０４とに接続されている。また、絶縁性基板３０１は、プリント基板、あるいはセラミックス基板とすることもできる。

また、チップ３０７は、量子型赤外線受光素子、あるいは量子型赤外線発光素子であってもよい。この種の量子型赤外線センサは、半導体に赤外線が照射されると、その光量子によって発生する電子や正孔を利用するセンサであり、光導電型（ＨｇＣｄＴｅなど）や光起電力型（ＩｎＡｓなど）がある。この量子型赤外線センサは、感度の波長依存性があり、高感度で、応答速度が速いという特長がある。また、チップ３０７は、紫外線受光素子、あるいは紫外線発光素子であってもよい。

また、チップ３０７は、ＭＥＭＳ素子であることも可能である。一般に、ＭＥＭＳ（メムス；Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）と呼ばれる微細な加工技術を利用して形成された構造体を備えた電気機械系、例えば、共振器、フィルタ、センサ、モータ等が知られている。そして、この構造体を半導体基板、例えば、シリコン基板上に形成してなるＭＥＭＳ素子が提案されている。このようなＭＥＭＳ素子は、半導体基板上に形成されることにより、ＣＭＯＳ等の半導体回路と一体化することが可能になるため、例えば、携帯電話機等といった小型化及び高性能化が要求される通信機器に用いられる高周波回路などへの応用が期待されている。

図３（ｅ）は、図３（ａ）の変形例を示す断面図である。この変形例においては、内部配線３０６は、段差部の配線に段差部表面に導体を形成して構成している。つまり、内部配線３０６は、絶縁性基板３０１内に導かれているものではなく、絶縁性基板３０１と封止樹脂３０８との間に導かれている。

このように、実施形態１のような構造とすることにより、パッケージを小型特には薄型化した場合に、支持体の絶縁性基板がパッケージの全体に一体となった構造となっており、厚みは支持体の絶縁性基板で決まっているので、パッケージ表面に開口部を有する小型で薄型で簡便な構造の表面実装形の樹脂封止パッケージを実現することが可能となる。

また、封止するチップの外周を支持体の絶縁性基板が囲っているため、樹脂封止によるチップへのストレスを緩和することが出来る。

また、絶縁性基板３０１にプリント基板やセラミックス基板を用いることにより、電極の配置や導体配線パターンや第１電極の高さやパッケージの全体の高さを容易に設定することが可能であり、また、パッケージ強度の向上や耐熱温度の向上をも図ることが可能となる。

また、樹脂封止をする際、樹脂の流れによる力が前期支持体の絶縁性基板を介してチップ側面にあたるため、チップが動いたり剥がれ難くなり、組み立て不良率の低減を図ることが可能である。

［実施形態２］
図４（ａ）乃至（ｄ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態２を説明するための図で、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は上面図、図４（ｃ）は樹脂封止前の下面図、図４（ｄ）は樹脂封止後の下面図である。

この実施形態２の樹脂封止パッケージは、上述した実施形態１と同様の構造を取っている。絶縁性基板開口部３１２にチップ３０７ａやチップ３０７ｂを配置することにより、２つのチップを一つの樹脂封止パッケージに封止することが出来る。

また、この実施形態２では、封止するチップは２個であるが、樹脂封止パッケージの強度が取れるのであればこの限りではなく、縦横に複数個のチップを配置しても良い。

［実施形態３］
図５（ａ）乃至（ｄ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態３を説明するための図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は樹脂封止前の下面図、（ｄ）は樹脂封止後の下面図である。

この実施形態３の樹脂封止パッケージは、絶縁性基板開口部を３１２ａ，３０１ｂと２個あり、それぞれ内部にチップ３０７ｃとチップ３０７ｄを配置している。その他の構造は実施形態１と同様である。

また、第１電極３０３は、チップ３０７ｃとチップ３０７ｄの電極を外部に配線する他に、チップ３０７ｃとチップ３０７ｄを接続するための電極として用いても良い。

封止するチップのサイズが大きい場合や、チップ間の絶縁を取りたい場合や、チップ間の距離を離したい場合などの場合に、樹脂封止パッケージの強度を低下させることなく、パッケージの表面に開口部を有する小型で薄型で簡便な構造の表面実装形の樹脂封止パッケージを実現することが可能となる。

また、この実施形態３では、絶縁性基板の開口部は２個であるが、樹脂封止パッケージの強度が取れるのであればこの限りではなく、縦横に複数個配置しても良い。

［実施形態４］
図６（ａ）乃至（ｃ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態４を説明するための図で、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は上面図で、図６（ｃ）は樹脂封止後の下面図である。

この実施形態４の樹脂封止パッケージは、パッケージの表面と裏面にそれぞれ外部接続電極である第２電極３０４ａと第２電極３０４ｂを配置し、内部配線３０２で第１電極と接続されている。その他の構造は実施形態１と同様である。

この樹脂封止パッケージは、支持体を絶縁性基板３０１で形成しているので、第２電極３０４ｂを容易にパッケージの表と裏両面配置した構造にすることが出来る。

パッケージの表面に電極を配置することにより、開口部を下側に向け実装したり、表面からワイヤーボンディングで実装したり、表面からプロービングしてテストを行ったりすることが可能となる。

［実施形態５］
図７（ａ），（ｂ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態５を説明するための図で、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は側面図である。

この実施形態５の樹脂封止パッケージは、第１電極３０３と第２電極３０４間の内部配線が樹脂封止パッケージの側面に露出する構造になっている。

図７（ａ），（ｂ）では、第２電極が裏面にのみあるので、内部配線３０９は、絶縁性基板の側面途中から第２電極へ接続する構造になっている。その他の構造は実施形態１と同様である。

図８（ａ），（ｂ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態５の変形例を説明するための図で、図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は側面図である。

図８（ａ），（ｂ）では、第２電極が表面と裏面の両方にあるので、内部配線３０９は、絶縁性基板の側面を縦断する構造になっており、表面と裏面の両方の第２電極へ接続する構造になっている。その他の構造は実施形態１と同様である。

この樹脂封止パッケージは、内部配線３０９が側面に露出しており、露出した側表面を半田と接合しやすい構造にすることにより、プリント基板に実装する際、半田が導体配線と接合するので、容易に接合状態を確認することが可能となる。

［実施形態６］
図９（ａ）乃至（ｅ）は、本発明に係る樹脂封止パッケージの実施形態６を説明するための図で、図９（ａ）はチップ部分の断面図、図９（ｂ）は回路部品部分の断面図、図９（ｃ）は上面図、図９（ｄ）は樹脂封止前の下面図、図９（ｅ）は樹脂封止後の下面図である。

この実施形態６の樹脂封止パッケージは、絶縁性基板開口部３１２にチップ３０７があり、絶縁性基板凹部３１３上に回路部品３１４があり、チップ３０７と回路部品３１４は内部配線電極３１０を介してワイヤーボンディングされ、内部配線電極３１０は必要に応じ内部配線３１５を介して第１電極３０３や第２電極３０４に接続されている。

絶縁性基板３０１上に回路部品３１４を実装し、チップ３０７を接続しているので、容易に信号処理機能をもった複合部品を形成することが可能である。

なお、回路部品３１４は、例えば、Ｓｉで形成された半導体チップでも、抵抗やコンデンサなどのチップ部品でも、小型のものであればよく、限定されるものではない。また、回路部品３１４は、絶縁性基板上に配置しても、開口部内に配置しても良い。

また、回路部品３１４は、絶縁性基板凹部３１３上に直接ダイボンディングしても、ダイボンド用電極を形成した上にダイボンドしても良い。例えば、Ｓｉで形成された半導体チップをダイボンド用電極上へダイボンドすれば容易に第２電極を介して外部配線で半導体チップの基板をＧＮＤへ接続することが出来る。

１ 光電変換部
３ 接続端子
６，７ 開口部
９ 光反射部
１０ 基板
１３ 光学調整部
１４ 封止樹脂
１５ 接続配線
１６ 視野角
５０ 光電変換素子
２０１ 絶縁基体
２０２，２０３ メタライズ配線層
２０４，２０５ 導電材
２０６ ＬＥＤ素子
２０６ａ，２０６ｂ サファイア基板
２０７ 封止樹脂材
２０８ 非透過性封止樹脂材
３０１ 絶縁性基板
３０２，３０６，３０９，３１５ 内部配線
３０３ 第１電極
３０４，３０４ａ 第２電極
３０５ ボンディングワイヤー
３０７，３０７ａ，３０７ｂ，３０７ｃ，３０７ｄ チップ
３０８ 封止樹脂
３１０ 内部配線電極
３１１ 中央開口部
３１２，３１２ａ，３１２ｂ 絶縁性基板開口部（窓部領域）
３１３ 絶縁性基板凹部（開放領域）
３１４ 回路部品

Claims (12)

1. 一方の面に窓部領域を有し、他方の面に開放領域を有する支持体である絶縁性基板と、
   該絶縁性基板の前記窓部領域の中央開口部に設けられた１つ又は複数のチップと、
   該チップを取り囲むように前記窓部領域及び前記開放領域を封止する封止樹脂と、
   前記絶縁性基板と前記封止樹脂との間に設けられた第１電極と、
   前記絶縁性基板の前記他方の面に設けられた外部接続のための第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極とを接続する導体配線と、
   前記チップと前記第１電極とを接続し、前記封止樹脂で樹脂封止されたボンディングワイヤーと
   を備えことを特徴とする樹脂封止パッケージ。
2. 前記中央開口部の高さが、前記チップの高さの半分以上であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止パッケージ。
3. 前記絶縁性基板上に実装された回路部品が、前記チップと前記第２電極とに接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止パッケージ。
4. 前記第２電極が、前記絶縁性基板の両面にあることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の樹脂封止パッケージ。
5. 前記導体配線が、前記絶縁性基板の側面に露出していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
6. 前記絶縁性基板が、プリント基板であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
7. 前記絶縁性基板が、セラミックス基板であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
8. 前記チップが、量子型赤外線受光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
9. 前記チップが、量子型赤外線発光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
10. 前記チップが、紫外線受光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
11. 前記チップが、紫外線発光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。
12. 前記チップが、ＭＥＭＳ素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂封止パッケージ。

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