JP2000124506A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光チップの出力光が保護用のツェナ
−ダイオ−ドにより遮断されない構成とした半導体発光
素子を提供すること。 【解決手段】 基板１７の表面に半導体発光チップ１を
ダイボンデングし、そのｎ側電極６は第１の電極パタ−
ン１１と金属線１２ａでワイヤボンデングされ、また、
ｐ側電極７は第２の電極パタ−ン１３と金属線１５でワ
イヤボンデングされる。保護用のツェナ−ダイオ−ド１
４は、基板１７の裏面側に形成された第２の電極パタ−
ン１３の矩形状のパッド部１３ｂに実装され、そのｐ側
の電極は、第１の電極パタ−ン１１の導電接続部１１ｂ
と金属線１２ｂでワイヤボンデングされる。半導体発光
チップ１は透光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部１６で
封止し、ツェナ−ダイオ−ド１４はモ−ルド部１８で封
止する。
−ダイオ−ドにより遮断されない構成とした半導体発光
素子を提供すること。 【解決手段】 基板１７の表面に半導体発光チップ１を
ダイボンデングし、そのｎ側電極６は第１の電極パタ−
ン１１と金属線１２ａでワイヤボンデングされ、また、
ｐ側電極７は第２の電極パタ−ン１３と金属線１５でワ
イヤボンデングされる。保護用のツェナ−ダイオ−ド１
４は、基板１７の裏面側に形成された第２の電極パタ−
ン１３の矩形状のパッド部１３ｂに実装され、そのｐ側
の電極は、第１の電極パタ−ン１１の導電接続部１１ｂ
と金属線１２ｂでワイヤボンデングされる。半導体発光
チップ１は透光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部１６で
封止し、ツェナ−ダイオ−ド１４はモ−ルド部１８で封
止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電気による破壊
を防止するためのツェナ−ダイオ−ドを備えた半導体発
光素子に関する。
を防止するためのツェナ−ダイオ−ドを備えた半導体発
光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光チップとして、図５に示され
ているような構成のものが知られている。図５におい
て、１は例えば青色系の光を発光するチッ化ガリウム系
化合物半導体からなる半導体発光チップで、サファイア
基板２上にｎ形層（クラッド層）３、活性層（発光層）
４、ｐ形層（クラッド層）５を積層している。
ているような構成のものが知られている。図５におい
て、１は例えば青色系の光を発光するチッ化ガリウム系
化合物半導体からなる半導体発光チップで、サファイア
基板２上にｎ形層（クラッド層）３、活性層（発光層）
４、ｐ形層（クラッド層）５を積層している。
【０００３】ｎ形層３は例えばｎ形のＧａＮで形成さ
れ、ｐ形層５は例えばｐ形のＧａＮで形成される。ま
た、活性層４は、例えばＩｎＧａＮ系の化合物半導体で
形成される。これらのｎ形層３、活性層４、ｐ形層５の
一部をエッチングして露出させたｎ形層３の上にｎ側電
極６を設ける。また、ｐ形層５の上にはｐ側電極７を設
ける。
れ、ｐ形層５は例えばｐ形のＧａＮで形成される。ま
た、活性層４は、例えばＩｎＧａＮ系の化合物半導体で
形成される。これらのｎ形層３、活性層４、ｐ形層５の
一部をエッチングして露出させたｎ形層３の上にｎ側電
極６を設ける。また、ｐ形層５の上にはｐ側電極７を設
ける。
【０００４】このような半導体発光チップを回路基板に
実装する際等のハンドリング時に、静電気が発生して半
導体発光チップが破壊される恐れがある。特に、チッ化
ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光チップにお
いては、ＧａＡｓ系等の化合物半導体を用いた半導体発
光チップよりも逆方向の耐圧が低く、逆方向の印加電圧
に対しては特に破壊しやすい性質がある。このため、保
護用のツェナ−ダイオ−ドを半導体発光チップと共に基
板に実装して、半導体発光素子を形成することがある。
実装する際等のハンドリング時に、静電気が発生して半
導体発光チップが破壊される恐れがある。特に、チッ化
ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光チップにお
いては、ＧａＡｓ系等の化合物半導体を用いた半導体発
光チップよりも逆方向の耐圧が低く、逆方向の印加電圧
に対しては特に破壊しやすい性質がある。このため、保
護用のツェナ−ダイオ−ドを半導体発光チップと共に基
板に実装して、半導体発光素子を形成することがある。
【０００５】図６は、このような半導体発光素子１０の
一例を一部透過した状態で示す斜視図である。図６にお
いて、基板１７の表面に図２に示したような半導体発光
チップ１をダイボンデングにより実装する。基板１７の
表面には、導電材料よりなる第１の電極パタ−ン１１と
第２の電極パタ−ン１３を対向して形成し、各電極パタ
−ン１１、１３は基板１７の側面を通り裏面に延在させ
る。
一例を一部透過した状態で示す斜視図である。図６にお
いて、基板１７の表面に図２に示したような半導体発光
チップ１をダイボンデングにより実装する。基板１７の
表面には、導電材料よりなる第１の電極パタ−ン１１と
第２の電極パタ−ン１３を対向して形成し、各電極パタ
−ン１１、１３は基板１７の側面を通り裏面に延在させ
る。
【０００６】第１の電極パタ−ン１１には、導線接続部
１１ａ、１１ｂを形成し、第２の電極パタ−ン１３に
は、導線接続部１３ａと矩形状のパッド部１３ｂを形成
する。パッド部１３ｂに、前記保護用のツェナ−ダイオ
−ド１４を図示しない導電性ペ−ストで実装して、ツェ
ナ−ダイオ−ド１４の一方の電極と第２の電極パタ−ン
１３とを電気的に接続する。
１１ａ、１１ｂを形成し、第２の電極パタ−ン１３に
は、導線接続部１３ａと矩形状のパッド部１３ｂを形成
する。パッド部１３ｂに、前記保護用のツェナ−ダイオ
−ド１４を図示しない導電性ペ−ストで実装して、ツェ
ナ−ダイオ−ド１４の一方の電極と第２の電極パタ−ン
１３とを電気的に接続する。
【０００７】半導体発光チップ１のｎ側電極６は、第１
の電極パタ−ン１１の導線接続部１１ａと金属線１２ａ
でワイヤ−ボンデングされ、ｐ側電極７は第２の電極パ
タ−ン１３の導線接続部１３ａと金属線１５でワイヤ−
ボンデングされる。また、ツェナ−ダイオ−ド１４の他
方の電極は、第１の電極パタ−ン１１の導線接続部１１
ｂと金属線１２ｂでワイヤ−ボンデングされる。
の電極パタ−ン１１の導線接続部１１ａと金属線１２ａ
でワイヤ−ボンデングされ、ｐ側電極７は第２の電極パ
タ−ン１３の導線接続部１３ａと金属線１５でワイヤ−
ボンデングされる。また、ツェナ−ダイオ−ド１４の他
方の電極は、第１の電極パタ−ン１１の導線接続部１１
ｂと金属線１２ｂでワイヤ−ボンデングされる。
【０００８】このように、半導体発光チップ１とツェナ
−ダイオ−ド１４とはそれぞれの一方の電極が共通に第
１の電極パタ−ン１１に接続され、また、他方の電極が
共通に第２の電極パタ−ン１３に接続されるので、両者
は電気的には並列に接続される。１６は透光性の合成樹
脂を用いたモ−ルド部である。
−ダイオ−ド１４とはそれぞれの一方の電極が共通に第
１の電極パタ−ン１１に接続され、また、他方の電極が
共通に第２の電極パタ−ン１３に接続されるので、両者
は電気的には並列に接続される。１６は透光性の合成樹
脂を用いたモ−ルド部である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図６の例では、半導体
発光素子１０は、半導体発光チップ１とツェナ−ダイオ
−ド１４とを並置して基板１７の表面に実装している。
このため、半導体発光チップ１から出力される光の一部
はツェナ−ダイオ−ド１４により遮断されてしまい、外
部に十分に取り出すことが出来ないという問題があっ
た。
発光素子１０は、半導体発光チップ１とツェナ−ダイオ
−ド１４とを並置して基板１７の表面に実装している。
このため、半導体発光チップ１から出力される光の一部
はツェナ−ダイオ−ド１４により遮断されてしまい、外
部に十分に取り出すことが出来ないという問題があっ
た。
【００１０】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、半導体発光チップの出力光が保護用のツェ
ナ−ダイオ−ドにより遮断されない構成とした半導体発
光素子の提供を目的とする。
ものであり、半導体発光チップの出力光が保護用のツェ
ナ−ダイオ−ドにより遮断されない構成とした半導体発
光素子の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体発光素子を、基板と、基板の表面から裏面に延在し
て形成された対向する一対の電極パタ−ンと、基板の表
面側に実装され、前記基板の表面に形成された一対の電
極パタ−ンに電気的に接続される半導体発光チップと、
基板の裏面側に実装され、基板の裏面に形成された前記
一対の電極パタ−ンに電気的に接続されるツェナ−ダイ
オ−ドと、前記半導体発光チップを覆う第１の合成樹脂
モ−ルド部と、前記ツェナ−ダイオ−ドを覆う第２の合
成樹脂モ−ルド部とを具備する構成とすることにより達
成される。
導体発光素子を、基板と、基板の表面から裏面に延在し
て形成された対向する一対の電極パタ−ンと、基板の表
面側に実装され、前記基板の表面に形成された一対の電
極パタ−ンに電気的に接続される半導体発光チップと、
基板の裏面側に実装され、基板の裏面に形成された前記
一対の電極パタ−ンに電気的に接続されるツェナ−ダイ
オ−ドと、前記半導体発光チップを覆う第１の合成樹脂
モ−ルド部と、前記ツェナ−ダイオ−ドを覆う第２の合
成樹脂モ−ルド部とを具備する構成とすることにより達
成される。
【００１２】本発明においては、基板を挟んで表面側に
半導体発光チップを実装し、裏面側にツェナ−ダイオ−
ドを実装している。このため、半導体発光チップの出力
光はツェナ−ダイオ−ドに遮断されることなく外部に発
射されるので、半導体発光チップの出力光を十分に外部
に取り出すことができる。
半導体発光チップを実装し、裏面側にツェナ−ダイオ−
ドを実装している。このため、半導体発光チップの出力
光はツェナ−ダイオ−ドに遮断されることなく外部に発
射されるので、半導体発光チップの出力光を十分に外部
に取り出すことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例を示す半導体発光素子１０ａの斜視図である。図６
で説明した従来の半導体発光素子と同じ部分、または対
応するところには同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例を示す半導体発光素子１０ａの斜視図である。図６
で説明した従来の半導体発光素子と同じ部分、または対
応するところには同一の符号を付しており、詳細な説明
は省略する。
【００１４】図１において、基板１７の表面にチッ化ガ
リウム系化合物半導体からなる半導体発光チップ１をダ
イボンデングにより実装する。第１の電極パタ−ン１１
の導電接続部１１ｂは、基板１７の裏面側に形成する。
また、第２の電極パタ−ン１３の矩形状のパッド部１３
ｂも基板１７の裏面側に形成する。すなわち、対向して
配置される一対の第１の電極パタ−ン１１と第２の電極
パタ−ン１３は、ツェナ−ダイオ−ド１４と電気的に接
続される部分を、それぞれ基板の表面から側面を経て基
板の裏面側に延在して形成している。
リウム系化合物半導体からなる半導体発光チップ１をダ
イボンデングにより実装する。第１の電極パタ−ン１１
の導電接続部１１ｂは、基板１７の裏面側に形成する。
また、第２の電極パタ−ン１３の矩形状のパッド部１３
ｂも基板１７の裏面側に形成する。すなわち、対向して
配置される一対の第１の電極パタ−ン１１と第２の電極
パタ−ン１３は、ツェナ−ダイオ−ド１４と電気的に接
続される部分を、それぞれ基板の表面から側面を経て基
板の裏面側に延在して形成している。
【００１５】前記のように、半導体発光チップ１のｎ側
電極６は第１の電極パタ−ン１１の導電接続部と金属線
１２ａでワイヤボンデングされる。また、半導体発光チ
ップ１のｐ側電極７は第２の電極パタ−ン１３の導電接
続部と金属線１５でワイヤボンデングされる。基板１７
の表面側に実装された半導体発光チップ１は、金属線１
２ａ、金属線１５と共に透光性の合成樹脂を用いたモ−
ルド部１６で封止される。
電極６は第１の電極パタ−ン１１の導電接続部と金属線
１２ａでワイヤボンデングされる。また、半導体発光チ
ップ１のｐ側電極７は第２の電極パタ−ン１３の導電接
続部と金属線１５でワイヤボンデングされる。基板１７
の表面側に実装された半導体発光チップ１は、金属線１
２ａ、金属線１５と共に透光性の合成樹脂を用いたモ−
ルド部１６で封止される。
【００１６】保護用のツェナ−ダイオ−ド１４は、基板
１７の裏面側に形成された第２の電極パタ−ン１３の矩
形状のパッド部１３ｂに図示しない導電性ペ−ストで実
装される。ツェナ−ダイオ−ド１４のｐ側の電極は、第
１の電極パタ−ン１１の導電接続部１１ｂと金属線１２
ｂでワイヤボンデングされる。また、ツェナ−ダイオ−
ド１４のｎ側の電極はパッド部１３ｂにダイボンデング
されているので、図３の例と同様に半導体発光チップ１
とは電気的に並列に接続される。
１７の裏面側に形成された第２の電極パタ−ン１３の矩
形状のパッド部１３ｂに図示しない導電性ペ−ストで実
装される。ツェナ−ダイオ−ド１４のｐ側の電極は、第
１の電極パタ−ン１１の導電接続部１１ｂと金属線１２
ｂでワイヤボンデングされる。また、ツェナ−ダイオ−
ド１４のｎ側の電極はパッド部１３ｂにダイボンデング
されているので、図３の例と同様に半導体発光チップ１
とは電気的に並列に接続される。
【００１７】このようにして基板１７の裏面側に実装さ
れたツェナ−ダイオ−ド１４は金属線１２ｂと共に、半
導体発光チップ１を封止するモ−ルド部１６と同様の透
光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部１８で封止される。
なお、モ−ルド部１８を、半導体発光チップ１の実装側
を認識容易としたり、半田付け時の耐熱性を向上させる
ために、フィラ−等の強化材を含む不透光性の合成樹脂
により形成することもできる。
れたツェナ−ダイオ−ド１４は金属線１２ｂと共に、半
導体発光チップ１を封止するモ−ルド部１６と同様の透
光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部１８で封止される。
なお、モ−ルド部１８を、半導体発光チップ１の実装側
を認識容易としたり、半田付け時の耐熱性を向上させる
ために、フィラ−等の強化材を含む不透光性の合成樹脂
により形成することもできる。
【００１８】このように図１の例では、基板の表面から
裏面に延在して形成された対向する一対の電極パタ−ン
１１、１３に、基板を挟んで表面側と裏面側に分離して
実装した半導体発光チップ１とツェナ−ダイオ−ド１４
を電気的に接続している。従って、基板１７の表面側に
実装された半導体発光チップ１からの出力光は、ツェナ
−ダイオ−ド１４により遮断されることなく外部に発射
される。
裏面に延在して形成された対向する一対の電極パタ−ン
１１、１３に、基板を挟んで表面側と裏面側に分離して
実装した半導体発光チップ１とツェナ−ダイオ−ド１４
を電気的に接続している。従って、基板１７の表面側に
実装された半導体発光チップ１からの出力光は、ツェナ
−ダイオ−ド１４により遮断されることなく外部に発射
される。
【００１９】図２は、図１の半導体発光素子１０ａを回
路基板に実装する例を一部断面で示す縦断側面図であ
る。図２において、回路基板１９には開口部１９ａを形
成する。前記開口部１９ａ内にツェナ−ダイオ−ド１４
と金属線１２ｂとを封止しているモ−ルド部１８が収納
されるように、半導体発光素子１０ａを回路基板に実装
する。次に、半田２０により半導体発光素子１０ａの一
対の電極パタ−ン１１、１３と回路基板の表面に形成さ
れている配線パタ−ンとを電気的に接続する。
路基板に実装する例を一部断面で示す縦断側面図であ
る。図２において、回路基板１９には開口部１９ａを形
成する。前記開口部１９ａ内にツェナ−ダイオ−ド１４
と金属線１２ｂとを封止しているモ−ルド部１８が収納
されるように、半導体発光素子１０ａを回路基板に実装
する。次に、半田２０により半導体発光素子１０ａの一
対の電極パタ−ン１１、１３と回路基板の表面に形成さ
れている配線パタ−ンとを電気的に接続する。
【００２０】図３は、図１の半導体発光素子１０ａを回
路基板に実装する他の例を一部断面で示す縦断側面図で
ある。図３において、回路基板１９には開口部１９ａを
形成する。前記開口部１９ａ内に半導体発光チップ１と
金属線１２ａ、金属線１５とを封止しているモ−ルド部
１６が収納されるように、半導体発光素子１０ａを回路
基板に実装する。次に、半田２０により半導体発光素子
１０ａの一対の電極パタ−ン１１、１３と回路基板の裏
面に形成されている配線パタ−ンとを電気的に接続す
る。
路基板に実装する他の例を一部断面で示す縦断側面図で
ある。図３において、回路基板１９には開口部１９ａを
形成する。前記開口部１９ａ内に半導体発光チップ１と
金属線１２ａ、金属線１５とを封止しているモ−ルド部
１６が収納されるように、半導体発光素子１０ａを回路
基板に実装する。次に、半田２０により半導体発光素子
１０ａの一対の電極パタ−ン１１、１３と回路基板の裏
面に形成されている配線パタ−ンとを電気的に接続す
る。
【００２１】図４は、本発明の別の実施の形態を示す半
導体発光素子１０ｂの斜視図である。図４において、２
１は第２の基板であり、開口部を形成している。第２の
基板２１の表面から側面を経て基板の裏面側に延在して
一対の電極パタ−ン２２、２３を形成している。基板１
７の裏面に形成されている一対の電極パタ−ン１１、１
３と、基板２１の表面に形成されている一対の電極パタ
−ン２２、２３とを重ねて接着する。
導体発光素子１０ｂの斜視図である。図４において、２
１は第２の基板であり、開口部を形成している。第２の
基板２１の表面から側面を経て基板の裏面側に延在して
一対の電極パタ−ン２２、２３を形成している。基板１
７の裏面に形成されている一対の電極パタ−ン１１、１
３と、基板２１の表面に形成されている一対の電極パタ
−ン２２、２３とを重ねて接着する。
【００２２】この際に、第２の基板２１の前記開口部に
基板１７の裏面側に実装されているツェナ−ダイオ−ド
１４を臨ませる。ツェナ−ダイオ−ド１４と金属線１２
ｂとは、前記開口部に充填される透光性または不透光性
の合成樹脂を用いたモ−ルド部１８により封止される。
このような構成の半導体発光素子１０ｂは回路基板に実
装され、第２の基板２１の裏面に形成されている一対の
電極パタ−ン２２、２３と、回路基板に形成されている
配線パタ−ンとが電気的に接続される。
基板１７の裏面側に実装されているツェナ−ダイオ−ド
１４を臨ませる。ツェナ−ダイオ−ド１４と金属線１２
ｂとは、前記開口部に充填される透光性または不透光性
の合成樹脂を用いたモ−ルド部１８により封止される。
このような構成の半導体発光素子１０ｂは回路基板に実
装され、第２の基板２１の裏面に形成されている一対の
電極パタ−ン２２、２３と、回路基板に形成されている
配線パタ−ンとが電気的に接続される。
【００２３】なお、本発明の半導体発光素子に用いる半
導体発光チップは、図５の構成のものに限定されず、図
１、図４に示したツェナ−ダイオ−ド１４と同様に、一
方の電極が表面に、他方の電極が底面に形成される構成
の半導体発光チップにも適用される。この場合には、底
面に形成された電極を電極パタ−ンに形成したパッド部
に搭載し、半導体発光チップをパッド部に導電性ペ−ス
トにより実装する。また、表面に形成された電極をワイ
ヤボンデングにより電極パタ−ンと電気的に接続する。
導体発光チップは、図５の構成のものに限定されず、図
１、図４に示したツェナ−ダイオ−ド１４と同様に、一
方の電極が表面に、他方の電極が底面に形成される構成
の半導体発光チップにも適用される。この場合には、底
面に形成された電極を電極パタ−ンに形成したパッド部
に搭載し、半導体発光チップをパッド部に導電性ペ−ス
トにより実装する。また、表面に形成された電極をワイ
ヤボンデングにより電極パタ−ンと電気的に接続する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光素子は、基板を挟んで表面側に半導体発光チップを実
装し、裏面側にツェナ−ダイオ−ドを実装している。こ
のため、半導体発光チップの出力光はツェナ−ダイオ−
ドに遮断されることなく外部に発射されるので、半導体
発光チップの出力光を十分に外部に取り出すことができ
る。
光素子は、基板を挟んで表面側に半導体発光チップを実
装し、裏面側にツェナ−ダイオ−ドを実装している。こ
のため、半導体発光チップの出力光はツェナ−ダイオ−
ドに遮断されることなく外部に発射されるので、半導体
発光チップの出力光を十分に外部に取り出すことができ
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を一
部透視して示す示す斜視図である。
部透視して示す示す斜視図である。
【図２】図１の半導体発光素子を回路基板に実装する例
を一部断面で示す縦断側面図である。
を一部断面で示す縦断側面図である。
【図３】図１の半導体発光素子を回路基板に実装する他
の例を一部断面で示す縦断側面図である。
の例を一部断面で示す縦断側面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の他
の例を一部透視して示す示す斜視図である。
の例を一部透視して示す示す斜視図である。
【図５】半導体発光チップを示す斜視図である。
【図６】従来例の半導体発光素子を一部透視して示す斜
視図である。
視図である。
１ 半導体発光チップ ６ ｎ側電極 ７ ｐ側電極 １０、１０ａ 半導体発光素子 １１ 第１の電極パタ−ン １２ａ、１２ｂ 金属線 １３ 第２の電極パタ−ン １３ｂ パッド部 １４ ツェナ−ダイオ−ド １５ 金属線 １６、１８ モ−ルド部 １７ 基板 １９ 回路基板 ２０ 半田 ２１ 第２の基板 ２２、２３ 一対の電極パタ−ン
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、基板の表面から裏面に延在して
形成された対向する一対の電極パタ−ンと、基板の表面
側に実装され、前記基板の表面に形成された一対の電極
パタ−ンに電気的に接続される半導体発光チップと、基
板の裏面側に実装され、基板の裏面に形成された前記一
対の電極パタ−ンに電気的に接続されるツェナ−ダイオ
−ドと、前記半導体発光チップを覆う第１の合成樹脂モ
−ルド部と、前記ツェナ−ダイオ−ドを覆う第２の合成
樹脂モ−ルド部とを具備することを特徴とする半導体発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29316598A JP2000124506A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29316598A JP2000124506A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124506A true JP2000124506A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17791266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29316598A Pending JP2000124506A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124506A (ja) |
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1998
- 1998-10-15 JP JP29316598A patent/JP2000124506A/ja active Pending
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