JP2011237512A - 液晶パネルおよび液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶層21における液晶分子のプレチルト角は2度より小さく、液晶分子は、第一の基板の面内方向と平行な方向の電界により回転し、第一の偏光板12及び第一の基板31の間に第一の光学異方層10が形成され、第一の光学異方層の面内における最大屈折率をnx、第一の光学異方層の面内において最大屈折率をもつ方向と直交する方向の屈折率をny、第一の光学異方層の厚さ方向の屈折率をnzとしたとき、nx≠ny≠nzであり、第一の光学異方層の面内鉛直方向に対する極角をφとしたとき、第一の光学異方層は、第一の光学異方層に入射される波長550nmの光の偏光状態を補償し、第一の光学異方層は、φ≠0において430nm以上470nm以下の範囲に二色性の極大値を有し、600nm以上650nm以下の範囲に二色性の極大値を有する液晶表示装置。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置1を示す図である。この図に示されるように、液晶表示装置1は、液晶パネル120と、液晶パネル120を挟むように固定する上フレーム3及び下フレーム5と、不図示のバックライト110と、表示する情報を生成する回路素子を備える不図示の回路基板等、により構成される。
図4において、アクティブマトリクス基板31上には、ITO(インジウム−ティン−オキサイド)からなる共通電極(コモン電極)33、Mo/Al(モリブデン/アルミニウム)からなる走査電極(ゲート電極)34及び共通電極配線(コモン配線)46が形成される。共通電極配線46は共通電極33に重なるように形成される。そして、共通電極33、走査電極34及び共通電極配線46を被覆するように窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜37が形成される。また、走査電極34上には、ゲート絶縁膜37を介してアモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半導体膜41が配置される。半導体膜41は、アクティブ素子として薄膜トランジスタ(TFT)の能動層として機能する。また、半導体膜41のパターンの一部に重畳するようにCr/Mo(クロム/モリブデン)よりなる信号電極(ドレイン電極)36と画素電極(ソース電極)配線48とが配置される。半導体膜41、信号電極36および画素電極配線48を被覆するように窒化ケイ素からなる保護絶縁膜38が形成される。なお、電極材料は本実施形態に限定されず、光学的にほぼ透明である酸化亜鉛やIZO(インジウム−ジンク−オキサイド)でもよい。配線には銅が含まれていてもよい。また、保護絶縁膜38は光学的にほぼ透明である有機絶縁膜であってもよい。
図5Aには、カラーフィルタ基板32の一絵素付近が模式的に示されている。図5Bは、図5Aの5B−5B線における断面図である。図5A及び図5Bに示すように、カラーフィルタ基板32上にはブラックマトリクス44が形成される。ブラックマトリクス44は、ブラックレジストを用いて定法であるフォトリソグラフィー法により、塗布、プリベーク、露光、現像、リンス、ポストベークの工程を経て形成される。ブラックマトリクス44は、光学濃度が3以上となるように膜厚が設定される。なお、ブラックマトリクス44を、ブラックレジストではなく、カラーフィルタ層42の積層によって形成する方法であってもよい。
液晶セル15は、液晶層21、配向制御膜22、配向制御膜23、アクティブマトリクス基板31、カラーフィルタ基板32、共通電極33、走査電極34、画素電極35、信号電極36、ゲート絶縁膜37、保護絶縁膜38、半導体膜41、カラーフィルタ層42、オーバーコート層43、ブラックマトリクス44、共通電極配線46、柱状スペーサ47および画素電極配線48より構成される。
光源ユニット110の光源として、三波長蛍光管を用いる直下型、発光ダイオードを用いる直下型またはサイドライト(エッジライト)型、有機ELを用いた平面光源等が挙げられる。光学シート17は、直下型または平面光源であれば、拡散板、拡散シート、プリズムシート、偏光変換シートなどが用いられる。サイドライト型であれば、光学シート17に導光板が必要になる。なお、蛍光管は、熱陰極管、冷陰極管、外部電極型等いずれでもよい。
コンプレックス光学異方層10の面内の最大屈折率をnx、コンプレックス光学異方層10の面内において最大屈折率となる方向と直交する方向の屈折率をny、コンプレックス光学異方層10の厚さ方向の屈折率をnz、nx−ny=Δn、コンプレックス光学異方層10の厚さをdとする。コンプレックス光学異方層10の面内鉛直方向において、波長550nmにおけるΔndは100nm以上200nm以下が望ましく、120nm以上150nm以下がさらに望ましい。また、下式(1)で定義されるNz係数は0.2以上0.5以下が望ましく、0.3以上0.4以下がさらに望ましい。さらに、コンプレックス光学異方層10は、図7の極角φ≠0°(コンプレックス光学異方層10の面内鉛直方向に対する極角をφとする)において、波長430nm以上470nm以下および600nm以上650nm以下のそれぞれの範囲に、二色性の極大値を有する。
コンプレックス光学異方層10を下偏光板12と液晶セル15との間に配置し、コントラスト比の視野角特性、黒表示における色度の視野角特性について、ELDIM社製EZコントラスト測定装置で測定した。本実施形態の液晶セルにおいて、液晶層における液晶分子のプレチルト角は約0.2度であり、液晶層中の液晶分子は水平配向であった。なお、液晶層における液晶分子のプレチルト角は2度より小さいことが望ましい。さらに、液晶層における液晶分子のプレチルト角は0.2度以下であることが望ましい。また、液晶分子は、アクティブマトリクス基板31の面内方向と平行な方向の電界により回転する。
本比較例の液晶表示装置は、第1実施形態の構成の液晶パネルに対し、コンプレックス光学異方層10を用いず、通常のヨウ素延伸型偏光板を下偏光板12および上偏光板11として用いた。その結果、θ=45°、θ=135°、θ=225°及びθ=315°の各方位角における極角45度のコントラスト比は35であった。
本比較例の液晶表示装置では、第1実施形態の構成の液晶パネルに対し、コンプレックス光学異方層10ではなく二軸性の位相差フィルム(AプレートおよびCプレートの積層)を用いて視野角を補償している。図16に二軸性位相差フィルムを下偏光板12に貼合した状態での直交透過率を示し、図17に平行および直交の透過率の比を示す。方位角45度及び135度のオフアクシス方向において、波長400以上500nm以下で大きな光漏れがあり、波長580nm付近で極小値があり、波長650nm以上で再び光漏れが増大する。これが、複屈折性の位相差フィルムで視野角補償を行うときの波長分散による光漏れである。このため、輝度としての光漏れは抑制できるものの、色付きが顕著になる。
本比較例の液晶表示装置と第1実施形態の液晶表示装置との相違点は以下の通りである。ポリアミック酸ワニスを用いて印刷形成し、230℃30分の加熱処理によって約100nmの緻密なポリイミドからなる配向制御膜22および配向制御膜23を形成した。また、配向制御膜22および配向制御膜23はラビング等で配向処理した。この結果、液晶層のプレチルト角は約2度であった。
本比較例の液晶表示装置と第1実施形態の液晶表示装置との相違は、視野角補償層として二色性色素のみを用いた点である。いわゆるE型偏光子となる色素層を下偏光板12と液晶セル15との間に配置した。これにより、コントラスト比、色度の視野角補償は第1実施形態とほぼ同等の性能を得られた。しかし、白表示の輝度が30%減少した。白表示の輝度を500cd/m2とするためには、バックライトの輝度を30%増大し、13000cd/m2としたため、消費電力が増大した。
本実施形態では、配向制御膜を比較例3と同様にラビング処理としたが、ラビング強度パラメータを比較例3の290から360に強くすることで、液晶層のプレチルト角を約1度とした。なお、本実施形態では、液晶層のプレチルト角を約1度としたが、1度以下が望ましい。ラビング強度パラメータRsは、(2)式で定義される。
本実施形態の液晶表示装置と第1実施形態の液晶表示装置との相違は、コンプレックス光学異方層10の波長550nmにおけるΔndが170nm、Nz係数が0.45である点である。本実施形態の液晶表示装置において、θ=45°、θ=135°、θ=225°及びθ=315°の各方位角における極角45度のコントラスト比は、80以上95以下であった。
本実施形態の液晶表示装置と第1実施形態の液晶表示装置との相違は、コンプレックス光学異方層10の波長550nmにおけるΔndが120、Nz係数が0.3である点である。本実施形態の液晶表示装置において、θ=45°、θ=135°、θ=225°及びθ=315°の各方位角における極角45度のコントラスト比は、90以上103以下であった。
本実施形態に係る液晶表示装置においては、図18に示すように垂直配向モードによる液晶セルを用いる。垂直配向モードの液晶パネルの製造について、以下に簡単に示すが、定法に従うものであり、本明細書の記載に限定されない。
厚さ0.7mmの無アルカリガラスからなるカラーフィルタ基板32上に、連続スパッタリングによって、クロムを160nm、酸化クロム膜を40nmの厚さで成膜し、ポジ型レジストを塗布、プリベーク、露光、現像、エッチング、剥離、洗浄の工程を経てブラックマトリクス44を形成した。次に、各色カラーレジストを用いて、定法であるフォトリソグラフィー法に従い、塗布、プリベーク、露光、現像、リンス、ポストベークの工程を経て、カラーフィルタ層42を形成した。
厚さ0.7mmの無アルカリガラスからなるアクティブマトリクス基板31上には、Mo/Alからなる走査電極34(図示せず)を形成した。ここで、走査電極34と同層に保持容量電極(図示せず)を形成してもよい(図示せず)。この場合、保持容量電極としてはクロムやアルミニウム等が挙げられる。これらを被覆するようにゲート絶縁膜37が形成され、ゲート絶縁膜37の上に信号電極36と薄膜トランジスタ(図示せず)を形成した。信号電極36および薄膜トランジスタを被覆するように保護絶縁膜38が形成され、保護絶縁膜38の上に開口パターンを有する画素電極35を形成した。画素電極35はITOでもよく、酸化亜鉛やIZOなどの透明導電体を用いても良い。各画素は1920×3(R、G、B三原色に対応)本の信号電極36と1080本の走査電極34から構成される。
アクティブマトリクス基板31およびカラーフィルタ基板32に配向制御膜22および配向制御膜23をそれぞれ形成した。実施形態5に係る配向制御膜22および配向制御膜23は、垂直配向となっている。アクティブマトリクス基板31の周辺部にシール剤を塗布し、負の誘電異方性を有する液晶材料をODF法によって滴下封入し、液晶パネル120を組み立てた。下偏光板12の偏光層の透過軸を基板の長辺方向、上偏光板11の偏光層の透過軸を基板短辺方向として直交させた。第1実施形態と同様のコンプレックス光学異方層10を下偏光板12とアクティブマトリクス基板31との間に配置した。液晶層21における液晶分子は、画素電極35および共通電極33の間に印加される垂直な方向の電界によって回転する。
Claims (15)
- 第一の偏光板および第二の偏光板と、
前記第一の偏光板および前記第二の偏光板の間に配置される第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に配置される液晶層と、
前記第一の偏光板および前記第一の基板の間に第一の光学異方層と、を有し、
前記液晶層における液晶分子は水平配向であり、
前記液晶分子は、前記第一の基板の面内方向と平行な方向の電界により回転し、
前記第一の光学異方層の面内における最大屈折率をn1x、前記最大屈折率n1xの方向と直交する方向の屈折率をn1y、及び前記第一の光学異方層の厚さ方向の屈折率をn1zとしたとき、n1x≠n1y≠n1zであり、
前記第一の光学異方層の面内鉛直方向に対する極角をφ1としたとき、
前記第一の光学異方層は、前記第一の光学異方層に入射される波長530nm以上560nm以下の任意の光の偏光状態を補償し、
前記第一の光学異方層は、φ1≠0において430nm以上470nm以下の範囲に二色性の極大値を有し、600nm以上650nm以下の範囲に二色性の極大値を有することを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
Δnを(n1x−n1y)、前記第一の光学異方層の厚さをd、Nz係数を{(n1x−n1z)/(n1x−n1y)}とするとき、
Δn・dの値は、100nm以上200nm以下であって、
Nz係数の値は、0.2以上0.5以下であることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項2において、
Δn・dの値は120nm以上150nm以下であって、
Nz係数の値は0.3以上0.4以下であることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第一の光学異方層には親水性ポリマーが含まれることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第一の光学異方層は前記第一の偏光板に含まれる支持フィルムに貼付されることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第一の光学異方層には第一の色素および第二の色素が含まれ、
前記第一の色素および前記第二の色素は前記第一の光学異方層の面内鉛直方向に配向されることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第一の光学異方層は、43°<φ<47°において430nm以上470nm以下の範囲に二色性の極大値を有し、600nm以上650nm以下の範囲に二色性の極大値を有することを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第一の光学異方層は塗布により形成されることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記第二の偏光板および前記第二の基板の間に第二の光学異方層が形成され、
前記第二の光学異方層の面内における最大屈折率をn2x、前記最大屈折率n2xの方向と直交する方向の屈折率をn2y、前記第二の光学異方層の厚さ方向の屈折率をn2zとしたとき、n2x≠n2y≠n2zであり、
前記第二の光学異方層の面内鉛直方向に対する極角をφ2としたとき、
前記第二の光学異方層は、前記第二の光学異方層に入射される波長550nmの光の偏光状態を補償し、
前記第二の光学異方層は、φ2≠0において430nm以上470nm以下の範囲に二色性の極大値を有し、600nm以上650nm以下の範囲に二色性の極大値を有することを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記光学異方層には第一の色素および第二の色素が含まれ、
前記光学異方層に対する第一の色素の濃度および第二の色素の濃度の合計は0.1wt%以上5wt%以下であることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1において、
前記液晶分子のプレチルト角は1度以下であることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項1の液晶パネルと、
前記液晶パネルに向けて光を発する光源ユニットと、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第一の偏光板および第二の偏光板と、
前記第一の偏光板および前記第二の偏光板の間に配置される第一の基板および第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板の間に配置される液晶層と、
前記第一の基板および前記液晶層の間、または、前記第一の基板および前記第一の偏光板の間に配置される位相差膜と、
前記第一の偏光板および前記第一の基板の間に光学異方層と、を有し、
前記位相差膜は、光学的に負の一軸性を有し、
前記位相差膜の光軸は前記位相差膜の面内方向に対して垂直であり、
前記位相差膜の厚み方向における複屈折位相差は120nm以上250nm以下であり、
前記液晶層における液晶分子は、前記第一の基板および前記第二の基板の間に印加される垂直な方向の電界によって回転し、
前記光学異方層の面内における最大屈折率をnx、前記光学異方層の面内において最大屈折率をもつ方向と直交する方向の屈折率をny、前記光学異方層の厚さ方向の屈折率をnzとしたとき、nx≠ny≠nzであり、
Δnを(nx−ny)、前記第一の光学異方層の厚さをd、Nz係数を{(nx−nz)/(nx−ny)}とするとき、
Δn・dの値は100nm以上200nm以下であって、
Nz係数の値は0.2以上0.5以下であって、
前記光学異方層には第一の色素および第二の色素が含まれ、
前記光学異方層の鉛直方向に対する極角をφとしたとき、
前記第一の色素は、φ≠0において430nm以上470nm以下の範囲に二色性の極大値を有し、
前記第二の色素は、φ≠0において600nm以上650nm以下の範囲に二色性の極大値を有することを特徴とする液晶パネル。 - 請求項13において、
前記光学異方層は前記位相差膜および前記第一の偏光板との間に配置されることを特徴とする液晶パネル。 - 請求項13の液晶パネルと、
前記液晶パネルに向けて光を発する光源ユニットと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
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