JP2011063500A

JP2011063500A - 熱線遮蔽積層膜

Info

Publication number: JP2011063500A
Application number: JP2009274191A
Authority: JP
Inventors: Tetsuji Hattori; 哲治服部
Original assignee: Central Glass Co Ltd
Current assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 2009-08-17
Filing date: 2009-12-02
Publication date: 2011-03-31

Abstract

【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は主に複層ガラスや合わせガラスに用いられる熱線遮蔽積層膜に関する。

熱線遮蔽積層膜（以下、Ｌｏｗ‐Ｅ膜と記載することもある）は、熱線を反射する機能を有する積層膜であり、車両用や建築用等の窓ガラスに用いられることで、窓ガラスを通じて車内や室内に照射される太陽光の特定の波長部分を遮蔽し、車内や室内の温度上昇を抑制して、冷房機器の負荷を低減させる。上記のＬｏｗ−Ｅ膜が形成されたガラスはＬｏｗ−Ｅガラスと呼ばれており、通常使用されているフロートガラスの窓ガラスと比べ、紫外線透過率が低くなり、室内の家具の日焼け等の低減に効果がある。

一般的に、Ｌｏｗ−Ｅ膜は、基体上に、誘電体膜、金属膜、誘電体膜を順次積層した構成の薄膜積層体が広く用いられている。優れた熱線遮蔽膜の金属膜として、Ａｇ膜を使用したものよく知られており、例えば、基体上に、ＺｎＯ膜、Ａｇ膜、と順次積層した薄膜積層体が広く用いられている。

基材上にＬｏｗ−Ｅ膜を形成する方法として、生産性の観点からスパッタリング法が広く採用されており、ＺｎＯ膜等の金属酸化物膜の生産性を向上させるために、様々な検討がなされている。例えば、特許文献１では、ターゲットに間接的な電力を周期的に供給することで、ターゲット表面上でのノジュールの発生や異常放電を制御して生産性を向上させる方法が挙げられている。また、特許文献２では、成膜速度を向上させるために、相対密度が８０％以上であるＺｎＯターゲットを用い、かつ該ターゲットに３価以上の陽性元素を添加して得た薄膜が開示されている。また、本出願人においても、特許文献３によって、膜形成時の真空チャンバー内を混合ガス雰囲気として、成膜速度を向上させたＺｎＯ膜を開示している。

特開平８−５３７６１号公報特開２００９−６２６１８号公報特表２００４−３２３９４１号公報

ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う場合、ターゲット表面に黒色や茶褐色の微小突起物（以下ノジュールと記載することもある）が発生して安定放電が出来なくなる、あるいは、ターゲットの非エロージョン部やターゲット隣接部に粒子状や薄片状の屑が堆積される、という問題が生じることがあり、上記の問題が生じると、製品欠陥を引き起こし、結果的に生産性を低下させる原因となる。

また、ＺｎＯ膜に特定の異種金属を添加すると、急激に紫外線透過率が高くなることがあった。

そこで本発明は、上記の問題を改善し、なおかつ、紫外線透過率が低い熱線遮蔽積層膜を提供することを目的とする。

本出願人は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、透明酸化物膜として異種金属を添加したＺｎＯ膜を用いることで、前述したノジュールや堆積屑等の欠陥が改善されることを見出した。また、さらに検討を重ねた結果、ＺｎＯ膜にＡｌを添加すると、急激に紫外線透過率が高くなることが示され、添加する異種金属をＳｎとすることで上記課題を解決し、かつ、紫外線透過率を損なわず、金属層のＡｇ層の耐湿性においても優れた熱線遮蔽積層膜を得られることが明らかとなった。

すなわち、本発明は、基体上に真空成膜プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする熱線遮蔽積層膜である。

本発明において、上記のＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は、該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、５ｗｔ％未満であると、ノジュールや堆積屑等の欠陥を改善することが出来ず、２０ｗｔ％を超えると、紫外線透過率が高くなる。なお、より好ましくは１０〜１８ｗｔ％としても良い。

また、本発明の熱線遮蔽積層膜において、前記貴金属保護膜層は、Ａｌが添加されたＺｎ膜を有するものであり、耐湿性向上の観点から、該膜に含まれるＡｌとＺｎとのＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）で表される値が１〜１０ｗｔ％であることを特徴とするものである。

また、本発明の熱線遮蔽積層膜において、基体から見て最も遠い貴金属保護膜層の基体と反対側に、ＳｎＯ_ｘ膜を有することを特徴とするものである。

また、本発明の熱線遮蔽積層膜を製造する際、ＺｎとＳｎとを含むＺｎ−Ｓｎ合金ターゲットを用いてＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を形成する工程、を製造工程含むことを特徴とする。

前記Ｚｎ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットは、該ターゲットに含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、好ましくは１０〜１８ｗｔ％としてもよい。上記の値が５ｗｔ％未満であると、ノジュールや堆積屑等の欠陥を改善することが出来ず、２０ｗｔ％を超えると、形成された熱線遮蔽積層膜の紫外線透過率が高くなる。

本発明は、透明酸化物膜層としてＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を採用する事で、成膜時のノジュールや堆積屑等の欠陥の発生を改善せしめることが可能となった。また、本発明の熱線遮蔽積層膜は、高い可視光透過率と低い紫外線透過率を両立するものであり、Ｌｏｗ−Ｅ膜等として使用する際、優れた遮熱性を発揮する。さらに、本発明の熱線遮蔽積層膜は、Ａｇ層の耐湿性に優れた膜であることが明らかとなった。

スパッタリング装置の概略を示した平面図である。熱線遮蔽積層膜の概略を示す断面図である。

基体としては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどの各種板ガラス（例えばフロート板ガラス）、ブロンズ、グレー、ブルー、グリーン等の着色ガラス（例えばフロート着色ガラス）、またはポリメチルメタアクリレート、ポリカーボネイトのような透明樹脂基板より選ばれ、また、曲げガラスや強化ガラスや強度アップガラス、あるいは下地膜層等膜付きガラス、または網入りガラス等市販の各種ガラスを採用でき、さらに場合によっては半透明状のガラスも採用しうる。

また、本発明は、図２に示すように、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成る熱線遮蔽積層膜である。また、基体上に、透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、というように、貴金属膜層を２層以上積層してもよい。上記のように積層された熱線遮蔽積層膜の、透明酸化物膜層と貴金属膜層との間に貴金属保護膜層が介在してもよく、また、上記のように積層された熱線遮蔽積層膜の基体と反対側の最外層には透明酸化物膜層を積層することが好ましい。なお、「基体上」は、基体の上であればよく、基体と透明酸化物膜層との間に、本発明の熱線遮蔽積層膜の特性を損なわない程度であれば、他の膜が介在するものであっても差し支えない。

上記透明酸化物膜層は、Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜のみ、もしくは、Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜と他の金属膜とを２層以上積層して成る層である。上記金属膜は、例えば、ＺｎＯ_x、ＳｎＯ_x、ＴｉＯ_x、Ｚｎ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ、Ｚｎ_ｘＴｉ_ｙＯ_ｚ等の透明酸化物膜、ＳｉＮ_x等の窒化物膜、及びこれらを主成分とする膜が挙げられ、好ましくはＺｎＯ_x膜、ＳｎＯ_x 膜、Ｚｎ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ膜、ＴｉＯ_x膜、ＳｉＮ_x膜としてもよい。

また、該透明酸化物膜層の膜厚は、約１２００Å以下、好ましくは約１５０Å以上、１０００Å以下としてもよい。さらに、本発明の熱線遮蔽積層膜において、基体から見て最も遠い貴金属保護膜層の基体と反対側に、ＳｎＯ_ｘ膜を有し、該ＳｎＯ_ｘ膜の膜厚は、１０Å以上であることが好ましい。

上記貴金属膜層は、Ａｇ膜、もしくはＡｇを主成分とする貴金属膜から成るものであり、該貴金属膜は、例えば、Ａｇを主成分として、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｉｒ等の異種金属を含むものであってもよい。

また、該貴金属膜層の膜厚は、約２００Å程度以下、好ましくは約５０Å以上、１５０Å 以下としてもよい。

上記貴金属保護膜層は、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｎｉ-Ｃｒ、Ｚｎ-Ａｌ、Ｎｉ-Ｃｒ-Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、ＳＵＳ、Ｔａから選ばれる少なくとも１つを主成分とする膜であり、特に、Ｚｎ-Ａｌ膜を用いるのが好ましい。Ｚｎ−Ａｌ膜は、ＺｎとＡｌとを有する膜であり、膜内のＺｎとＡｌとのＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）で表される値が１〜１０ｗｔ％とするものである。また、好ましくは４〜１０ｗｔ％としてもよい。

また、該貴金属層保護膜層の膜厚は、１０Å以上が好ましく、貴金属膜層を保護するバリア層としての機能と生産性とを考慮すると、好ましくは１３Å以上１００Å以下としてもよい。貴金属保護膜層の膜厚が厚くなると、可視光線透過率を下げることから、貴金属層保護膜層の膜厚は、より好ましくは１５Å以上３０Å以下としてもよい。

成膜装置としては、図１に示すようなマグネトロンスパッタ装置が好適に用いられる。ガラス３を基体ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ５によって排気し、成膜中、真空ポンプ５は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管７より導入し、ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整する。なお、基体ホルダー２はターゲット１に対して正面に設置されるものとする。成膜中の真空チャンバ−内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置されたバルブ６の開度を制御することと、ガスの流量を変更することで調節する。裏側にマグネット４が配置されたターゲット１を用い、ターゲットへ電源コード９を通じで電源１０より投入する。

Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を形成する際は、ＺｎとＳｎとを有するＺｎ-Ｓｎ合金ターゲットを用いる。この時真空チャンバー内に導入されるガスは、Ｏ_２、ＣＯ_２、ＣＯ、Ｎ_２等の反応性のガスであることが好ましく、また、上記のガスには放電を安定させるために、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｋｒなどのガスを加えて混合ガスとしてもよい。

また、上記熱線遮蔽積層膜を構成する貴金属膜層が１層である時、該熱戦遮蔽積層膜の紫外線透過率が４０％以下であることが好ましく、また、上記貴金属膜層が２層である時、該熱戦遮蔽積層膜の紫外線透過率が２５％以下であることが好ましい。

本発明の熱線遮蔽積層膜、特に、基体にガラスを使用したものは、Ｌｏｗ−Ｅ膜を成膜したＬｏｗ−Ｅガラスとして、複層ガラスにおける使用が最も好ましく、建築用複層窓ガラスとして有用であるが、自動車用複層窓ガラスや自動車用合せガラスとしても使用することが可能であり、さらには船舶や航空機等の複層窓ガラスとしても使用できる。複層ガラスの外に合せガラス、曲げガラス等、場合によっては単板での使用も可能である。上記の低放射複層ガラスとは、主に２枚のガラスをスペーサーを介して合わせ、ガラス間には乾燥空気層を、乾燥空気層に接するガラス面にはＬｏｗ−Ｅ膜を形成した窓ガラスである。該低放射複層ガラスは、窓ガラスを通して、夏季は室外から室内へと流入する日射熱、冬季は室内から室外へと流出する暖房熱を反射することで冷暖房費を抑え、省エネルギーに役立つ窓ガラスとして好適に用いられる。

一般的に、上記の複層ガラスや合わせガラス、単板ガラス等で熱線遮蔽積層膜を使用する際、単板ガラスに熱線遮蔽積層膜が成膜された後、保管、運搬、洗浄等の過程を経た後、各製品に組み込まれる。一方で、熱線遮蔽積層膜の金属膜として広く用いられているＡｇ膜は、水分などに起因する欠陥の発生や膜の剥離等が生じやすく、耐湿性に劣る膜とされており、上記の過程を経る中で膜の欠陥や剥離が生じることがある。本発明の熱線反射積層膜は、透明酸化物膜層としてＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚを用いており、耐湿性に優れた膜であることから、製造工程における欠陥の発生を抑制することが可能であり、Ｌｏｗ−Ｅガラスとして好適に使用される。

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではない。
１．透明酸化物膜形成時の欠陥に関する評価
実施例１
真空チャンバー内に、Ｚｎ-Ｓｎターゲット（Ｓｎ／（Ｚｎ+Ｓｎ）＝１２ｗｔ％）を設置し、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバー内を真空ポンプで約５×１０^-４Ｐａまでに脱気した後、混合ガスの体積がＡｒ：Ｏ_２＝２：８となるようにガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａに調整した。上記装置内にクリアーなソーダライムガラス基板（厚さ：３ｍｍ）を設置し、該ガラス基板上に、Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を成膜した。

比較例１〜７
真空チャンバー内に設置するターゲットを、Ｚｎ-Ｓｎターゲット（Ｓｎ／（Ｚｎ+Ｓｎ）＝３０ｗｔ％：比較例１、２ｗｔ％：比較例４）、Ｚｎターゲット（比較例２）、Ｓｎターゲット（比較例３）、Ｚｎ−Ａｌターゲット（Ａｌ／（Ｚｎ+Ａｌ）＝１ｗｔ％：比較例５、２ｗｔ％：比較例６、４ｗｔ％：比較例７）とした以外は、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置は実施例１と同様の条件で設定し、それぞれＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（比較例１、４）、ＺｎＯ_x膜（比較例２）、ＳｎＯ_x膜（比較例３）、Ｚｎ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ膜（比較例５〜７）を成膜した。

[ノジュール、及び粒子屑の評価]
ＤＣ電源の出力電力を２．２ｋＷ／ｃｍ^２とし、約１２時間通電させ、発生するノジュール、及び粒子屑を観測した。結果を表１に示し、ノジュール、又は粒子屑の発生が見られなかったものは○、見られたものを×とした。

実施例１及び比較例１〜７より、ＺｎターゲットはＳｎターゲットと比較するとノジュールや粒子屑が生じ易く、また、ＺｎターゲットにＳｎ又はＡｌを添加していくに従って、ノジュール及び粒子屑の発生が抑えられることがわかった。

２．熱線遮蔽積層膜の作成
実施例２
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバー内を真空ポンプで約５×１０^-4Ｐａまでに脱気した後、混合ガスの体積がＡｒ：Ｏ_２＝２：８となるようにガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａに調整した。Ｚｎ-Ｓｎターゲット（Ｓｎ／（Ｚｎ+Ｓｎ）＝１２ｗｔ％）を用いて、クリアーなソーダライムガラス基板（厚さ：３ｍｍ）上に、１７０Åの厚さのＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を第１層として成膜した。次いで、真空チャンバー内のガスをＡｒガスに変更し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａに調整し、Ａｇターゲットを用いて、１０８ÅのＡｇ膜を第２層として成膜し、次いで、Ｚｎ−Ａｌターゲット（Ａｌ／（Ｚｎ+Ａｌ）=４ｗｔ％）を用いて、２０ÅのＺｎ_xＡｌ_y層を第３層として成膜した。次いで、混合ガスの体積がＡｒ：Ｏ_２=２：８となるようにチャンバー内のガスを変更し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａに調整し、第１層と同じ条件で、４５０ÅのＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ層を第４層として成膜した。次いで、Ｓｎターゲットを用いて、５０Åの厚さのＳｎＯ_ｘ層を第５層として成膜し、熱線遮蔽積層膜を得た。

実施例３
クリアーなソーダライムガラス基板上に１２０Åの厚さのＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を成膜し、次いで、Ｚｎ−Ａｌターゲット（Ａｌ／（Ｚｎ+Ａｌ）＝４ｗｔ％）を用いた以外は、実施例２の第１層と同じ条件で、５０ÅのＺｎ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚ膜を第２層として成膜し、次いで第３層、第４層、第５層、第６層を、それぞれ実施例２の第２層、第３層、第４層、第５層と同様の条件にて成膜し、熱線遮蔽積層膜を得た。

実施例４
クリアーなソーダライムガラス基板上に、第１層、第２層、第３層、第４層は、それぞれ実施例３の第１層、第２層、第３層、第４層と同じ条件にて、それぞれ同じ膜厚で成膜し、次いで第５層を、実施例３の第２層と同じ条件で、５０Åとなるように成膜し、次いで、第６層、第７層を、それぞれ実施例２の第４層、第５層と同じ条件にて、それぞれ４００Å、５０Åとなるように成膜し、熱線遮蔽積層膜を得た。

実施例５
クリアーなソーダライムガラス基板上に、実施例２の第１層、第２層、第３層、第４層のそれぞれと同じ条件にて、第１層として２９０Å、第２層として１００Å、第３層として１６Å、第４層として７００Åの膜厚となるように成膜し、次いで第５層、第６層、第７層、第８層を、それぞれ実施例２の第２層、第３層、第４層、第５層と同じの条件にて、それぞれ１１５Å、１６Å、２７０Å、５０Åとなるように成膜し、熱線遮蔽積層膜を得た。

実施例６
クリアーなソーダライムガラス基板上に、実施例３の第１層、第２層、第３層、第４層、第５層のそれぞれと同じ条件にて、第１層として２４０Å、第２層として５０Å、第３層として１００Å、第４層として１６Å、第５層として６５０Åの膜厚となるように成膜し、次いで第６層、第７層、第８層、第９層、第１０層を、それぞれ、実施例３の第２層、第３層、第４層、第５層、第６層と同じの条件にて、それぞれ５０Å、１１５Å、１６Å、２７０Å、５０Åとなるように成膜し、熱線遮蔽積層体を得た。

比較例８
クリアーなソーダライムガラス基板上に５層積層し、熱線遮蔽積層体を得た。第１層、第４層に、Ｚｎ- Ａｌターゲット（Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）＝４ｗｔ％）が備えられたカソードを用いて成膜を行った以外は、実施例２の第１層と同じ条件で、それぞれ１７０Å、４５０Åとなるように成膜した。第２層、第３層、第５層を、それぞれ実施例２の第２層、第３層、第５層と同様の条件にて、それぞれ成膜し、比較例８の熱線遮蔽積層体を得た。

比較例９
クリアーなソーダライムガラス基板上に４層積層し、熱線遮蔽積層体を得た。第１層目、第４層目は、実施例２の第５層と同じ条件で、それぞれ１７０Å、５００Åとなるように成膜した。第２層、第３層を、それぞれ実施例２の第２層、第３層と同様の条件にてそれぞれ成膜し、比較例９の熱線遮蔽積層体を得た。

比較例１０
クリアーなソーダライムガラス基板上に５層積層し、熱線遮蔽積層体を得た。第１層目、第４層目は、Ｚｎ−Ｓｎターゲット（Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）＝３０ｗｔ％）が備えられたカソードを用いて成膜した以外は、実施例２の第１層と同様の条件で、それぞれ１７０Å、４５０Åとなるように成膜した。第２層、第３層、第５層を、それぞれ実施例２の第２層、第３層、第５層と同様の条件にて、それぞれ成膜し、比較例１０の熱線遮蔽積層体を得た。

比較例１１
クリアーなソーダライムガラス基板上に８層積層し、熱線遮蔽積層体を得た。第１層、第４層、第７層は、Ｚｎ−Ａｌターゲット（Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）＝４ｗｔ％）が備えられたカソードを用いて成膜を行った以外は、実施例２の第１層と同じ条件で、それぞれ２９０Å、７００Å、２７０Åとなるように成膜した。第２層、第３層、第５層、第６層、第８層を、それぞれ実施例５の第２層、第３層、第５層、第６層、第８層と同様の条件でそれぞれ成膜し、比較例１１の熱線遮蔽積層体を得た。

比較例１２
クリアーなソーダライムガラス基板上に８層積層し、熱線遮蔽積層体を得た。第１層、第４層、第７層は、Ｚｎ−Ｓｎターゲット（Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）＝３０ｗｔ％）が備えられたカソードを用いて成膜を行った以外は、実施例２の第１層と同じ条件で、それぞれ２９０Å、７００Å、２７０Åとなるように成膜した。第２層、第３層、第５層、第６層、第８層を、それぞれ実施例５の第２層、第３層、第５層、第６層、第８層と同様の条件でそれぞれ成膜を行い、比較例１２の熱線遮蔽積層体を得た。

３．熱線遮蔽積層体の評価
実施例２〜６、比較例８〜１２で得られた熱線遮蔽積層体について、以下の評価を実施し、その結果を表２に示す。

[光学性能]
分光光度計Ｕ−４１００（（株）日立ハイテクノージ社製）を用い、３００〜２５００ｎｍの波長範囲の透過率について測定を行った。その結果を用い、可視光透過率は、ＪＩＳＲ３１０６に基づき算出し、紫外線透過率はＩＳＯ９０５０に基づき算出した。

[耐湿試験]
ガラス上に形成した熱線遮蔽積層体を３０℃、９０％Ｒｈの環境試験機内で、２週間保管し、点状欠陥等の劣化箇所（0.3mmφ以上）の個数を目視にてカウントした。その結果、発生した欠陥数が１ｍ²当り１０個以下である場合を○、１１〜２０個である場合を△、２１個以上である場合を×として、評価を行った。

実施例２〜６及び比較例８〜１２より、可視光透過率はいずれも優れた値を示し、さらに、透明酸化物膜層としてＳｎ含量が２０ｗｔ％以下のＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚを用いた場合、紫外光透過率、耐湿性ともに優れたものとなった。一方で、Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚの代わりにＺｎ_ｘＡｌ_ｙＯ_ｚを用いた場合、耐湿性は優れたものとなるが、紫外光透過率に劣化する。また、Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚの代わりにＳｎＯ_xを用いた場合、紫外光透過率、耐湿性、共に劣化する。さらに、透明酸化物膜層のＳｎ含量が３０ｗｔ％のＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚを用いると、紫外光透過率、耐湿性、共に劣化したものとなる。

以上のことから、透明酸化物膜層として、Ｓｎ含量が５〜２０ｗｔ％であるＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚを用いることで、可視光透過率、紫外光透過率、耐湿性、に優れた熱線遮蔽積層体を得ることが可能となることが明らかとなった。

１ターゲット
２基材ホルダー
３ガラス
４カソードマグネット
５真空ポンプ
６開閉バルブ
７ガス導入管
８真空チャンバー
９電源コード
１０ＤＣ電源
１１バッキングプレート
１２搬送ロール
１３透明酸化物膜層
１４貴金属膜層
１５貴金属保護膜層

Claims

基体上に真空成膜プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする熱線遮蔽積層膜。
前記貴金属保護膜層は、Ａｌが添加されたＺｎ膜を有するものであり、該膜に含まれるＡｌとＺｎとのＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）で表される値が１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の熱線遮蔽積層膜。
基体から見て最も遠い貴金属保護膜層の基体と反対側に、ＳｎＯ_ｘ膜を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱線遮蔽積層膜。
上記熱線遮蔽積層膜を構成する貴金属膜層が１層である時、該熱戦遮蔽積層膜の紫外線透過率が４０％以下であること特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の熱線遮蔽積層膜。
上記熱線遮蔽積層膜を構成する貴金属膜層が２層である時、該熱戦遮蔽積層膜の紫外線透過率が２５％以下であること特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の熱線遮蔽積層膜。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の熱線遮蔽積層膜の製造方法は、ＺｎとＳｎとを含むＺｎ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットを用いてＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜を形成する工程、を含むことを特徴とする熱線遮蔽積層膜の製造方法。
前記Ｚｎ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットは、該ターゲットに含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％である事を特徴する請求項６に記載の熱線遮蔽積層膜の製造方法。