JP2006206424A - Ａｇ膜の成膜方法および低放射ガラス - Google Patents
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Abstract
【課題】
高い可視光透過性をと高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。【解決手段】
Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。
【選択図】 図１
高い可視光透過性をと高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。【解決手段】
Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスである。
【選択図】 図１
Description
本発明は、低放射ガラスに用いられるＡｇ膜に関し、特にＡｇ膜の成膜方法および低放射ガラスに関するものである。
低放射ガラスは、ガラス板上に、誘電体膜とＡｇ膜とを２ｎ＋１（ｎ≧１）層繰り返して積層し、最上層を誘電体膜としたものが知られている。誘電体膜には、金属の透明酸化物膜が用いられている（特許文献１）。
前記低放射ガラスは、Ａｇ膜に前後して積層される誘電体膜により可視光の反射を防止して高い可視光透過性を確保しながら、Ａｇ膜が示す優れた赤外線反射作用により、高い遮熱性を発現する透明積層膜付ガラスとしてよく知られている。
このような低放射ガラスは、断熱性を十分に発揮させるため、建築物の窓ガラスに空気断熱層を備えた複層ガラス構成で使用されることが多い。
この低放射ガラスは、窓に使用するため、通常、大面積への成膜、量産性に優れているスパッタ法によって成膜される。特に、ターゲット背後に磁石を配置し、発生する磁場により、ターゲット表面近傍にプラズマを閉じ込め、ターゲットからスパッタリングされた粒子により成膜を行うマグネトロンスパッタ法により作製される。
Ａｇ膜を用いる低放射ガラスにおいて、高い遮熱性と高い透過性が要求されている。遮熱性の発現には、Ａｇ膜の高い赤外線反射率が必要であり、Ａｇ膜の抵抗が小さいほど赤外線反射率も高くなる。Ａｇ膜の抵抗は、Ａｇ膜の厚みを大きくすることによって下げられるが、厚みを増すとＡｇ膜の透過率が下がるので、低放射率ガラスは、Ａｇ膜の透過率と放射率との兼ね合いでＡｇ膜の厚みが決定される。
特開２００２−１７３３４３号公報
本発明は、高い可視光透過性を有しながら、とりわけ高い遮熱性を有する低放射ガラスを作製するため、Ａｇ膜の厚みを厚くせずに従来技術のＡｇ膜よりも低抵抗のＡｇ膜を作製すること、すなわち、従来技術に比較し、同じ可視光透過率でありながら高い遮熱性を有する低放射ガラスの作製を課題とする。
本発明のＡｇ膜の成膜方法は、低放射ガラスに用いられるＡｇ膜の成膜方法において、Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持されて成膜されることを特徴とするＡｇ膜の成膜方法である。
また、本発明のＡｇ膜の成膜方法は、前記Ａｇ膜の成膜方法において、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持されていることを特徴とするＡｇ膜の製造方法である。
また、本発明の低放射ガラスは、ガラス基板上に酸化物膜と前記Ａｇ膜の成膜方法でなるＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなることを特徴とする低放射ガラス（１）である。
また、本発明の低放射ガラスは、（１）の低放射ガラスであって、ｎ＝１であり、第２層のＡｇ膜の厚みｔ１が５〜３０ｎｍの範囲であって、積層膜の比抵抗が（３５．８／ｔ１＋２．３）×１０―６Ωｃｍ以下であることを特徴とする低放射ガラスである。
また、本発明の低放射ガラスは、前記低放射ガラスにおいて、第１層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第３層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、可視光透過率が７０％以上であることを特徴とする低放射ガラスである。
また、本発明の低放射ガラスは、（１）の低放射ガラスであって、ｎ＝２であり、Ａｇ膜の総厚みｔ２が１５〜３５ｎｍの範囲であって、積層膜の比抵抗が（１６８．６／ｔ２＋１．３）×１０―６Ωｃｍ以下であることを特徴とする低放射ガラスである。
また、本発明の低放射ガラスは、前記低放射ガラスにおいて、第１層の酸化物膜の厚さが２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第２層のＡｇ膜の厚みが７．５〜１７．５ｎｍの範囲にあり、第３層の酸化物膜が厚さ４０〜１２０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第４層のＡｇ膜の厚みが７．５〜１７．５ｎｍの範囲にあり、第５層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、可視光透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項６に記載の低放射ガラスである。
本発明のＡｇ膜の成膜方法は、高い可視光透過性と、遮熱性とに優れたＡｇ膜および低放射ガラスを提供する。
本発明のＡｇ膜の成膜方法は、透明性の高い低抵抗のＡｇ膜を作製することができ、建物の窓の遮熱を目的とする低放射ガラスのＡｇ膜として用いることが好ましい。
低放射ガラスは、例えば、膜構成が、図１に示すように、ガラス基板３にＡｇ膜１２と透明性酸化物膜１１とが交互に積層されて２ｎ層をなし、最上層に透明酸化物膜１１が成膜されたものである。
ガラス基板には、フロート板ガラスを好適に用いることができる。なお、本発明によるＡｇ膜の成膜は、板ガラスに限定することなく、透明な樹脂板に用いることもできる。
ガラス基板３の直上の透明酸化物膜１１は、ガラス基板とＡｇ膜との密着性や、あるいは、膜相互の密着性を高めて、低放射ガラスの積層膜の強度と耐久性を高めるために、さらには、低放射ガラスの透過率を高めるために用いられる。
ｎ＝１の場合（Ａｇ膜が１層）の場合は、Ａｇ膜１２の厚みは、５〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。５ｎｍ未満の場合、抵抗値が大きく有効な遮熱性能が得られず、また、３０ｎｍを越えると、透明性が損なわれ、建物の窓に用いるには好ましいとはいえなくなる。
ｎ＝２の場合（Ａｇ膜が２層）の場合は、Ａｇ膜１２の厚みの合計は、１５〜３５ｎｍの範囲にあることが好ましい。１層のＡｇ膜の厚みが１５ｎｍ未満の場合、抵抗値が大きく有効な遮熱性能が得られず、また、厚みの合計が３５ｎｍを越えると、透明性が損なわれ、建物の窓に用いるには好ましいとはいえなくなる。
Ａｇ膜の比抵抗は実施例と比較例を比較した図４から明らかなように、比較例（従来技術）に対して同じ膜厚でも、小さい比抵抗の膜である。
Ａｇ膜の比抵抗は実施例と比較例を比較した図４から明らかなように、比較例（従来技術）に対して同じ膜厚でも、小さい比抵抗の膜である。
実施例と比較例との間の比抵抗値を用いて、Ａｇ膜の膜厚に対する比抵抗の近似曲線を求めると、ｎ＝１の場合は、Ａｇ膜の膜厚ｔ１に対して、比抵抗の値は、（３５．８／ｔ１＋２．３）×１０―６Ωｃｍとなり、ｎ＝２の場合は、Ａｇ膜の膜厚ｔ２に対して、（１６８．６／ｔ２＋１．３）×１０―６Ωｃｍとなる。
従って、本発明の低放射ガラスの比抵抗は、ｎ＝１の場合、（３５．８／ｔ１＋２．３）×１０―６Ωｃｍ以下のものが得られ、ｎ＝２の場合、（１６８．６／ｔ２＋１．３）×１０―６Ωｃｍ以下のものが得られる。
透明性酸化物膜１１は、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ等の酸化物の内、少なくとも１種類以上の酸化物を選択してなり、選択は、酸化物膜の、光学膜厚、吸収特性の他、膜自身の機械強度、隣接層との密着性を考慮して、行うことが望ましい。
特に、低放射ガラスの好適な膜強度や耐久性および高い透過率を得るために、透明性酸化物膜として酸化亜鉛が好適であり、ガラス基板３に直接成膜される最下層の透明酸化物膜１１の厚みと最上層の透明酸化物膜１１の厚みは、２０ｎｍ〜６０ｎｍとすることが好ましく、それ以外の透明酸化物膜１１の厚みは、４０〜１２０ｎｍとすることが好ましい。
さらに、ガラス基板３に直接成膜される最下層の透明酸化物膜１１と低放射ガラスの最上層の透明酸化物膜１１の厚さは透過性を高めるために膜厚を同じ程度にすることが好ましい。
さらに、透明性酸化物膜の膜厚の下限値２０ｎｍは、隣接層との密着性を維持するために必要な厚みである。また、透明性酸化物膜の膜厚がその上限値（ガラス基板に直接成膜される最下層の透明性酸化物膜と最上層の透明性酸化物膜の場合は６０ｎｍ、その他の透明性酸化物膜の場合は１２０ｎｍ）を越えると、可視域での好ましい透過率を得られなくなるので、上限値以下の厚みとすることが好ましい。
また透明酸化物膜１１の代わりに、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ等の窒化物膜や窒酸化物膜を用いても良い。
さらに、Ａｇ膜の酸化を防ぐために、Ａｇ膜と透明性酸化物膜の間に保護金属層を成膜することが望ましい。
保護金属層に用いる亜鉛金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ａｌ，ＮｉＣｒ，Ｃｒ、Ｚｎ及びＳｎ合金（各金属にＡｌ，Ｓｂ金属を０．０〜１０．０重量％含んだもの）等を用いることができる。
また、保護金属層の代わりに、Ａｌを２〜１２原子％含む亜鉛合金（ＺｎＡｌＯｘ）（以後ＡＺＯ膜と呼ぶ）を用いることが好ましい。
Ａｇ膜１２および透明性酸化物膜１１は、スパッタリング法で成膜することが好ましく、特に図２に示すような、マグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜することが好ましい。
図２に示す成膜装置において、ターゲット１にＡｇターゲットを用い、ガラス基板３を基板ホルダー２に保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ５を用いて排気し、さらに、真空チャンバー８内にガス導入管７よりＡｒガスを、マスフローコントローラー（図示せず）により制御して導入し、Ａｇ膜を成膜する。
真空チャンバー８内の圧力は、真空ポンプ５と開閉バルブ６により調整し、１Ｐａ以下にして成膜することが好ましい。
真空チャンバー８内の圧力は、真空ポンプ５と開閉バルブ６により調整し、１Ｐａ以下にして成膜することが好ましい。
Ａｇ膜１２の成膜時の放電電圧は、放電電圧を３５０Ｖ以下とすることが好ましい。放電電圧が３５０Ｖを越えると、低抵抗のＡｇ膜が得られず、また放電電圧が２００Ｖ未満の場合は、放電が不安定となり、安定した成膜が困難となる。
放電電圧は、ターゲットにＤＣ電源１０を用いて印加される電圧で制御され、接地されている基板に対する電位差である。
また、Ａｇ膜１２の成膜時、Ａｇターゲット１の表面の磁場は、７００〜１２００エルステッドであることが望ましい。Ａｇターゲット１の表面の磁場が７００エルステッド未満の場合は、放電電圧が高くなりＡｇの表面抵抗が上昇するという不具合があり、一方１２００エルステッドを越えても放電電圧は３５０Ｖより小さくすることが困難となって、抵抗の低いＡｇ膜が得られない。
Ａｇターゲット１の表面の磁場は、カソードマグネット４の磁場を調整して制御することができる。カソードマグネット４の磁場は、磁力の異なる永久磁石の交換や、永久磁石の周囲にコイルを巻いて直流電流を流す等の方法で変えられる。
透明酸化物膜１１は、ターゲット１に金属ターゲットを用い、ガス導入管から酸素ガスを導入して成膜するか、あるいは、ターゲット１に、成膜される酸化物と同じ酸化物ターゲットを用いて成膜することができる。
例えば、Ｚｎ０を成膜する場合、Ｚｎターゲットをターゲット１に用いて、ガス導入管７から適当な混合比のＡｒガスと酸素ガスを導入して成膜することができる。あるいは、ＺｎＯターゲットをターゲット１に用いて、ガス導入管７からＡｒガスのみを導入し、ＺｎＯ膜の成膜をしてもよい。
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
実施例１
図３に示すような、ガラス基板３に、透明性酸化物膜１１、Ａｇ膜１２、透明性酸化物膜１１の順に積層した低放射ガラスを作製した。
図３に示すような、ガラス基板３に、透明性酸化物膜１１、Ａｇ膜１２、透明性酸化物膜１１の順に積層した低放射ガラスを作製した。
Ａｇ膜および透明性酸化物膜の成膜は、図２に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
透明酸化物膜１１として、ＺｎＯ膜を成膜した。ターゲット１にＺｎターゲットを用い、ガラス基板３を基板ホルダーに保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ５を用いて排気した。
真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管７より、Ａｒガスと酸素ガスとを導入し、Ａｒガス、酸素ガスのそれぞれをマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。
真空ポンプ５にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバ−８内の圧力は、開閉バルブ６により０．５Ｐａ以下に調節した。
ＺｎＯ膜は、Ａｇ膜とガラス基板との密着性を高めるもので、３０ｎｍの膜厚で成膜した。なお、このＺｎＯ膜と上層に成膜される透明酸化物膜とにより、低放射ガラスの可視域の透過率を高めている。
次に、真空チャンバー８内を排気した後、Ａｒガスをガス導入管７からマスフローコントローラー（図示せず）で制御して真空チャンバー８内に導入して、真空チャンバー８内をＡｒガス雰囲気にし、Ａｇターゲットをターゲット１に用いて、ＺｎＯ膜１１の上にＡｇ膜１２を成膜した。
Ａｇ膜１２は、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍの５種類の厚みについて成膜した。
Ａｇ膜１２の成膜中、真空チャンバー内の圧力は、真空ポンプ５と開閉バルブ６によって０．５Ｐａ以下を保つようにした。また、カソードマグネット４の磁場を永久磁石（図示せず）を交換して調整し、Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを７００エルステッドとした。さらに、ＤＣ電源の投入電力を調整し、放電電圧を３２０Ｖとした。
次に、Ａｇ膜１２の上に、ＡＺＯ（Ａｌ２ｗｔ％含有ＺｎＯ）ターゲットを用い、図３には図示しない、５ｎｍの厚みのＡＺＯ膜を成膜した。
ＡＺＯ膜の成膜中、圧力チャンバー８内のガス雰囲気および圧力は、Ａｇ膜の成膜と同様にした。
さらに、ＡＺＯ膜の上にＺｎＯ膜を３０ｎｍの厚みで成膜した。該ＺｎＯ膜はガラス基板３に成膜したＺｎＯ膜と同様にして行った。
比較例１
Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを３００エルステッドに調整しその他条件は実施例と同様にして、同じ膜厚の低放射ガラスを作製した。Ａｇ膜作成時の放電電圧は４００Ｖであった。
Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを３００エルステッドに調整しその他条件は実施例と同様にして、同じ膜厚の低放射ガラスを作製した。Ａｇ膜作成時の放電電圧は４００Ｖであった。
実施例１と比較例１の低放射ガラスの比抵抗は、Ａｇ膜の厚みに対し、図４に示すような値となり、実施例１の低放射ガラスは、比較例１の低放射ガラスに比べて、同じＡｇ膜の膜厚で比較すると、実施例１の方が比較例１よりも、はるかに比抵抗の小さい低放射ガラスであった。
また、実施例１のＡｇ膜については、Ａｇ膜の厚みｔ１が１０〜２０ｎｍの範囲において、Ａｇ膜の比抵抗が（３７．３／ｔ１＋２）×１０―６Ωｃｍ以下となるものであった。
さらに、実施例１および比較例１で作製した、厚さ１０ｎｍのＡｇ層を用いた低放射ガラスの分光透過率と膜面側の反射率は、それぞれ図５、図６に示すようになり、可視光の透過率は、実施例２、比較例２共に同じ程度でありながら、実施例２の低放射ガラスの方が比較例２の低放射ガラスよりも、赤外領域の反射率が高く、遮熱性の大きいものであった。
実施例２
図７に示すような、ガラス基板３に、透明性酸化物膜１１とＡｇ膜１２を交互にそれぞれ２層成膜し、最上膜に透明性酸化物膜１１を成膜して、低放射ガラスを作製した。
Ａｇ膜および透明性酸化物膜の成膜は、図３に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。Ａｇ膜１２の作製時は、Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを７００エルステッドに調整しその他条件は実施例１と同様とした。
図７に示すような、ガラス基板３に、透明性酸化物膜１１とＡｇ膜１２を交互にそれぞれ２層成膜し、最上膜に透明性酸化物膜１１を成膜して、低放射ガラスを作製した。
Ａｇ膜および透明性酸化物膜の成膜は、図３に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。Ａｇ膜１２の作製時は、Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを７００エルステッドに調整しその他条件は実施例１と同様とした。
ガラス基板３に成膜される透明酸化物膜１１の厚みと最上層の透明酸化物膜１１の厚みはともに３０ｎｍとし、２層のＡｇ膜の間の透明酸化物膜１１の厚みは、６０ｎｍとした。透明酸化物膜は全てＺｎＯの膜を用い、実施例１と同様にして成膜した。
また、Ａｇ膜の上に透明性酸化物膜を成膜する前に、Ａｇ膜の上に、実施例１と同様に、図７に図示しないＡＺＯ膜を成膜した。
２層のＡｇ膜１２は同じ膜厚とし、２層の厚みの合計が２０ｎｍと３０ｎｍとなる低放射ガラスを作製した。この時、Ａｇ膜作製時の放電電圧は３２０Ｖであった。
２層のＡｇ膜１２は同じ膜厚とし、２層の厚みの合計が２０ｎｍと３０ｎｍとなる低放射ガラスを作製した。この時、Ａｇ膜作製時の放電電圧は３２０Ｖであった。
比較例２
Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを３００エルステッドに調整しその他条件は実施例２と同様として、同じ膜厚の低放射ガラスを作製した。Ａｇ膜作製時の放電電圧は４００Ｖであった。
Ａｇターゲット１表面の磁界の強さを３００エルステッドに調整しその他条件は実施例２と同様として、同じ膜厚の低放射ガラスを作製した。Ａｇ膜作製時の放電電圧は４００Ｖであった。
実施例２と比較例２の低放射ガラスの比抵抗は、Ａｇ膜の厚みに対し、図４に示すような値となり、実施例２では、比較例２に比べて、同じ膜厚で比較例よりも低抵抗の低放射ガラスが得られた。実施例２の低放射ガラスは、Ａｇ膜の総厚みｔ２が２０〜３０ｎｍの範囲であって、積層膜の比抵抗が（３７．３／（ｔ２―１２）＋２）×１０―６Ωｃｍ以下であった。
実施例２および比較例２の、Ａｇ膜の合計厚みが２０ｎｍの低放射ガラスについて、図８に示す分光透過率と図９に示す反射率の測定結果を得た。
図８に示す可視光の透過率は、実施例の方が大きく、また、図９に示す赤外の反射も実施例の方が大きい。
従って、本発明によるＡｇ膜の成膜方法による実施例の方が、同じＡｇ膜の厚みとする従来技術に比べ、可視光の透過率の良い、しかも遮熱性能の良い、低放射ガラスであった。
本発明のＡｇ膜の作製方法は、ガラス基板に限定されるものではなく、透明な樹脂板や樹脂フィルムにも応用されるものであり、従来よりも、可視光透過率の優れた透明な低放射板や低放射フィルム、さらには透明な電磁遮蔽板や電磁遮蔽フィルムの提供を可能にするものである。
１ ターゲット
２ 基板ホルダー
３ ガラス基板
４ カソードマグネット
５ 真空ポンプ
６ 開閉バルブ
７ ガス導入管
８ 真空チャンバー
９ 電源コード
１０ ＤＣ電源
１１ 酸化物膜
１２ Ａｇ膜
２ 基板ホルダー
３ ガラス基板
４ カソードマグネット
５ 真空ポンプ
６ 開閉バルブ
７ ガス導入管
８ 真空チャンバー
９ 電源コード
１０ ＤＣ電源
１１ 酸化物膜
１２ Ａｇ膜
Claims (7)
- 低放射ガラスに用いられるＡｇ膜の成膜方法において、Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持されて成膜されることを特徴とするＡｇ膜の成膜方法。
- Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持されていることを特徴とする請求項１に記載のＡｇ膜の成膜方法。
- ガラス基板上に酸化物膜とＡｇ膜とが交互に２ｎ（ｎ≧１）層をなし、かつ最上層のＡｇ膜の上に酸化物膜が積層されてなる低放射ガラスであって、該Ａｇ膜が請求項１または２に記載の成膜方法のＡｇ膜でなることを特徴とする低放射ガラス。
- 請求項３に記載の低放射ガラスであって、ｎ＝１であり、第２層のＡｇ膜の厚みｔ１が５〜３０ｎｍの範囲であって、積層膜の比抵抗が（３５．８／ｔ１＋２．３）×１０―６Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の低放ガラス。
- 第１層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第３層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、可視光透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項４に記載の低放射ガラス。
- 請求項３に記載の低放射ガラスであって、ｎ＝２であり、Ａｇ膜の総厚みｔ２が１５〜３５ｎｍの範囲であって、積層膜の比抵抗が（１６８．６／ｔ２＋１．３）×１０―６Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の低放射ガラス。
- 第１層の酸化物膜の厚さが２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第２層のＡｇ膜の厚みが７．５〜１７．５ｎｍの範囲にあり、第３層の酸化物膜が厚さ４０〜１２０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、第４層のＡｇ膜の厚みが７．５〜１７．５ｎｍの範囲にあり、第５層の酸化物膜が厚さ２０〜６０ｎｍの範囲の酸化亜鉛膜でなり、可視光透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項６に記載の低放射ガラス。
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